JPH0329376A - 光感応半導体装置 - Google Patents
光感応半導体装置Info
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- JPH0329376A JPH0329376A JP2140109A JP14010990A JPH0329376A JP H0329376 A JPH0329376 A JP H0329376A JP 2140109 A JP2140109 A JP 2140109A JP 14010990 A JP14010990 A JP 14010990A JP H0329376 A JPH0329376 A JP H0329376A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1443—Devices controlled by radiation with at least one potential jump or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光スポットが結像されうる少くとも２つの光
感応ダイオードと、光スポットにより発生される光電流
を増幅する手段とを具える半導体装置を有する光感応半
導体装置に関するものである。
感応ダイオードと、光スポットにより発生される光電流
を増幅する手段とを具える半導体装置を有する光感応半
導体装置に関するものである。
本発明は更に、このような光感応半導体装置を有するフ
ォーカシング装置にも関するものである。
ォーカシング装置にも関するものである。
（従来の技術）
上述した種類の光感応半導体装置はドイツ連邦共和国特
許公開第ＤＥ−Ａ３７０６２５２号明細書に記載されて
いる。
許公開第ＤＥ−Ａ３７０６２５２号明細書に記載されて
いる。
このような半導体装置は多くの分野に且つ種々の方法で
用いられている。特に、これらの装置は、ＤＯＲ （
直接光学記録）、ＶＬＰ（ビデオロングプレイ）及びＣ
Ｄ （コンパクトディスク）装置におけるような光学情
報読取及び書込分野において、情報媒体、この場合ＤＯ
Ｒ ， ＶＬＰ又はＣＤ記録体の径及び軸線方向の変動
を検出するのに用いられている。
用いられている。特に、これらの装置は、ＤＯＲ （
直接光学記録）、ＶＬＰ（ビデオロングプレイ）及びＣ
Ｄ （コンパクトディスク）装置におけるような光学情
報読取及び書込分野において、情報媒体、この場合ＤＯ
Ｒ ， ＶＬＰ又はＣＤ記録体の径及び軸線方向の変動
を検出するのに用いられている。
この種類の分野では、光（放射）感応半導体装置は特に
フィリップス社の技術文献“’ＰｈｉｌｉｐｓＴｅｃｈ
ｎｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ″， Ｖｏ Ｅ ．４０．
１９８１／８２． Ｎａ ９の第２６６〜２７２頁に記
載されているように、例えばフーコーのフォーカシング
システムの一部を構威する。この場合、ＣＤ又はビデオ
記録体にフォーカシングされたレーザの光ビームは半透
明鏡の面によって偏向され、ウエッジ状のプリズムによ
って２つのビームに分割され、これらのビームの各々が
、半導体ウェファ上に設けられ且つ幅狭細条により互い
に分離された光検出器の２つのホトダイオード上に光ス
ポットとして結像される。
フィリップス社の技術文献“’ＰｈｉｌｉｐｓＴｅｃｈ
ｎｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ″， Ｖｏ Ｅ ．４０．
１９８１／８２． Ｎａ ９の第２６６〜２７２頁に記
載されているように、例えばフーコーのフォーカシング
システムの一部を構威する。この場合、ＣＤ又はビデオ
記録体にフォーカシングされたレーザの光ビームは半透
明鏡の面によって偏向され、ウエッジ状のプリズムによ
って２つのビームに分割され、これらのビームの各々が
、半導体ウェファ上に設けられ且つ幅狭細条により互い
に分離された光検出器の２つのホトダイオード上に光ス
ポットとして結像される。
またある回路により、これらホトダイードの信号差から
第１のトラッキング誤差信号が取出され、この信号が、
フォー力シングされるレーザビームの位置を記録体に対
して安定化させる制御信号として用いられる。これと同
時に、ホトダイオードにより発生される信号から第２の
トラッキング誤差信号を取出し、この信号を以って光学
系のいかなるエージングあるいはよごれを考慮するよう
にすることができる。このことは前記のフィリップス社
の技術文献に詳細に説明されている為、他の詳細に関し
てはこの技術文献を参照しうる。
第１のトラッキング誤差信号が取出され、この信号が、
フォー力シングされるレーザビームの位置を記録体に対
して安定化させる制御信号として用いられる。これと同
時に、ホトダイオードにより発生される信号から第２の
トラッキング誤差信号を取出し、この信号を以って光学
系のいかなるエージングあるいはよごれを考慮するよう
にすることができる。このことは前記のフィリップス社
の技術文献に詳細に説明されている為、他の詳細に関し
てはこの技術文献を参照しうる。
記録担体上の情報は１μｍ又はそれよりも小さな寸法の
ピット及び無ビットの形態をしている為、装置は検出さ
れた輝度の高周波変化を追従しうるようにする必要があ
る。更に、発生される光電流は充分に大きな信号対雑音
比を有する必要があり、従ってあまりにも弱くしてはな
らない。
ピット及び無ビットの形態をしている為、装置は検出さ
れた輝度の高周波変化を追従しうるようにする必要があ
る。更に、発生される光電流は充分に大きな信号対雑音
比を有する必要があり、従ってあまりにも弱くしてはな
らない。
−ＩＩに、ホトダイオードは充分に高速に動作する。し
かし、ダイオードにより生ぜしめられる光電流はあまり
にも弱すぎ、従って前述した（スイッチング）手段によ
り増幅する必要がある。
かし、ダイオードにより生ぜしめられる光電流はあまり
にも弱すぎ、従って前述した（スイッチング）手段によ
り増幅する必要がある。
この手段はトランジスタを以って簡単に構戒しうる。こ
の目的のために、ホトダイオードに追加のエミッタ領域
を設け、これによりこれらホトダイオードを、所望の信
号対雑音比を有する増幅された信号を生じるホトトラン
ジスタに変える。
の目的のために、ホトダイオードに追加のエミッタ領域
を設け、これによりこれらホトダイオードを、所望の信
号対雑音比を有する増幅された信号を生じるホトトラン
ジスタに変える。
（発明が解決しようとする課題）
この解決策には、この場合これらトランジスタが比較的
大きな相対距離で位置するという重大な欠点がある。従
って、半導体材料の不可避な不均質性の為に、トランジ
スタを関連の公差内で等しくするのが困難である。
大きな相対距離で位置するという重大な欠点がある。従
って、半導体材料の不可避な不均質性の為に、トランジ
スタを関連の公差内で等しくするのが困難である。
本発明の目的は特に、上述した欠点を無くすか或いは可
或り低減せしめることにある。
或り低減せしめることにある。
（課題を解決するための手段）
本発明は、光スポットが結像されうる少くとも２つの光
感応ダイオードと、光スポットにより発生される光電流
を増幅する手段とを具える半導体装置を有する光感応半
導体装置において、前記の手段が、前記の光感応ダイオ
ードによって占められる半導体本体中の領域の外部に配
置されたトランジスタを有し、各トランジスタは１つの
光感応ダイオードに割当てられ且つこの光感応ダイオー
ドに接続され、これらトランジスタの少くとも能動部分
は、これらトランジスタが割当てられている光感応ダイ
オードよりも半導体本体中で互いに一層接近して配置さ
れていることを特徴とする。
感応ダイオードと、光スポットにより発生される光電流
を増幅する手段とを具える半導体装置を有する光感応半
導体装置において、前記の手段が、前記の光感応ダイオ
ードによって占められる半導体本体中の領域の外部に配
置されたトランジスタを有し、各トランジスタは１つの
光感応ダイオードに割当てられ且つこの光感応ダイオー
ドに接続され、これらトランジスタの少くとも能動部分
は、これらトランジスタが割当てられている光感応ダイ
オードよりも半導体本体中で互いに一層接近して配置さ
れていることを特徴とする。
トランジスタはできるだけ互いに接近して配置するのが
好ましい。ここで゛できるだけ互いに接近して配置する
′゛とは、寸法を決定する際に保つ必要がある公差を考
慮して表面上のトランジスタの能動部分をできるだけ小
さく集中させることを意味するものとする。
好ましい。ここで゛できるだけ互いに接近して配置する
′゛とは、寸法を決定する際に保つ必要がある公差を考
慮して表面上のトランジスタの能動部分をできるだけ小
さく集中させることを意味するものとする。
また本明細書で゜“ホト′゛及び“光゜゛の表現は目に
見えない赤外及び紫外電磁放射をも含むことに注意すべ
きである。
見えない赤外及び紫外電磁放射をも含むことに注意すべ
きである。
トランジスタが表面上でできるだけ小さく集中されると
、不均質性によるトランジスタ特性の相違が光感応ダイ
オード間の距離にかかわらず最小゛に減少される。
、不均質性によるトランジスタ特性の相違が光感応ダイ
オード間の距離にかかわらず最小゛に減少される。
トランジスタを光感応ダイオードの外部に設けるのに大
きな表面積を必要とするも、この追加の表面積は、本発
明による装置ではこれにより欠点を導入しない程度に小
さい。
きな表面積を必要とするも、この追加の表面積は、本発
明による装置ではこれにより欠点を導入しない程度に小
さい。
本発明の一例によれば、前記の光感応ダイオードが一列
に配置され、前記のトランジスタがこの列にほぼ平行な
一列に配置されているようにするのが好ましい。
に配置され、前記のトランジスタがこの列にほぼ平行な
一列に配置されているようにするのが好ましい。
フォーカシング装置にしばしば用いられている重要な例
では、光感応半導体装置が四分区間に配置された４つの
ホトダイオードと、４つのトランジスタとを有するよう
にするのが好ましい．本発明は更にフォーカシング装置
にも関するものであり、この本発明は、光ビームを面上
に投射する手段と、光ビームの一部を偏向させる手段と
、偏向された光ビームを少くとも２つのビームに分割し
、これらビームが光スポットを光検出器に投射するよう
にする手段とを具えたフォーカシング装置であって、前
記の光検出器が前記の面に対する前記の光ビームの位置
を安定化させる信号を生じるようにした当該フォーカシ
ング装置において、前記の光検出器として前述した本発
明による光感応半導体装置を用いたことを特徴とする。
では、光感応半導体装置が四分区間に配置された４つの
ホトダイオードと、４つのトランジスタとを有するよう
にするのが好ましい．本発明は更にフォーカシング装置
にも関するものであり、この本発明は、光ビームを面上
に投射する手段と、光ビームの一部を偏向させる手段と
、偏向された光ビームを少くとも２つのビームに分割し
、これらビームが光スポットを光検出器に投射するよう
にする手段とを具えたフォーカシング装置であって、前
記の光検出器が前記の面に対する前記の光ビームの位置
を安定化させる信号を生じるようにした当該フォーカシ
ング装置において、前記の光検出器として前述した本発
明による光感応半導体装置を用いたことを特徴とする。
（実施例）
以下図面につき説明するに、図面は概略的なものであり
、各部の寸法は実際のものに正比例して描いておらず、
各図間で対応する部分には同じ符号を付してある。
、各部の寸法は実際のものに正比例して描いておらず、
各図間で対応する部分には同じ符号を付してある。
第１図は、本発明による光感応半導体装置を線図的に示
す平面図であり、第２図は第１図の■■線上を断面とす
る断面図である。
す平面図であり、第２図は第１図の■■線上を断面とす
る断面図である。
この半導体装置は殆どのもので珪素より成る半導体本体
ｌを具えているが、ある場合には他の半導体材料をも用
いることができる。半導体本体１、本例では多量にドー
ピングされたｎ“基板２とこの上に配置されこれよりも
少量にドーピングされたｎ一エビタキシャル層３とを有
する珪素ウエファは少なくとも２つ、本例では４つのホ
トダイオード４〜７を有しており、これらホトダイオー
ド上に光スポットを結像せしめうる。これらホトダイオ
ードの各々は、隣接のｎ型半導体材料とでｐｎ接合を形
戒するＰ型領域、例えば第２図のＰ型領域６より戒って
いる。本例では、フーコーのフォーカシング装置から生
じる２つの光スポット８及び９が投射される。すなわち
、光スポット８がダイオード４及び５上に投射され、光
スポット９がダイオード６及び７上に投射される。半導
体装置は更に光スポットにまり生せしめられた光電流を
増幅する手段を有している。次に、所望に応じ半導体本
体１内に完全に或いは部分的に導入することもできる他
の回路（図示せず）により、前述したフィリップス社の
技術文献に記載されているように、ダイオード４，５．
６及び７から生じる信号の比を解析することによりトラ
ッキングエラー信号を取出す。
ｌを具えているが、ある場合には他の半導体材料をも用
いることができる。半導体本体１、本例では多量にドー
ピングされたｎ“基板２とこの上に配置されこれよりも
少量にドーピングされたｎ一エビタキシャル層３とを有
する珪素ウエファは少なくとも２つ、本例では４つのホ
トダイオード４〜７を有しており、これらホトダイオー
ド上に光スポットを結像せしめうる。これらホトダイオ
ードの各々は、隣接のｎ型半導体材料とでｐｎ接合を形
戒するＰ型領域、例えば第２図のＰ型領域６より戒って
いる。本例では、フーコーのフォーカシング装置から生
じる２つの光スポット８及び９が投射される。すなわち
、光スポット８がダイオード４及び５上に投射され、光
スポット９がダイオード６及び７上に投射される。半導
体装置は更に光スポットにまり生せしめられた光電流を
増幅する手段を有している。次に、所望に応じ半導体本
体１内に完全に或いは部分的に導入することもできる他
の回路（図示せず）により、前述したフィリップス社の
技術文献に記載されているように、ダイオード４，５．
６及び７から生じる信号の比を解析することによりトラ
ッキングエラー信号を取出す。
本発明によれば、光電流を増幅する前記の手段は半導体
本体のうちダイオード４〜７が占める領域の外部に設け
られたトランジスタ１４， １５． １６及び１７を有
し、各トランジスタは１つのダイオードに割当てられて
このダイオードに接続され、トランジスタ１４〜１７の
能動部分は半導体本体中でダイオード４，５，６．７よ
りも一層互いに接近している。本例ではこれらトランジ
スタ１４． １５， １６．１７を互いにできるだけ接
近して配置してある。
本体のうちダイオード４〜７が占める領域の外部に設け
られたトランジスタ１４， １５． １６及び１７を有
し、各トランジスタは１つのダイオードに割当てられて
このダイオードに接続され、トランジスタ１４〜１７の
能動部分は半導体本体中でダイオード４，５，６．７よ
りも一層互いに接近している。本例ではこれらトランジ
スタ１４． １５， １６．１７を互いにできるだけ接
近して配置してある。
トランジスタ１４〜ｌ７は、ホトダイオードから分離せ
しめるために共通のコレクタ領域を構戒する共通のｎ型
の島ｌ８内に設けられ、これらトランジスタのベース領
域１９の相対距離は本例では１０μｍとしてある。従っ
て、トランジスタの能動部分、すなわちこれらのベース
領域が占める表面領域は珪素ウェファの極めて小さな領
域、それ故殆ど均質な領域に集中されている。従って、
これらトランジスタの寸法は等しい為にこれらトランジ
スタは実際上同じ電気特性を有し、これらトランジスタ
が占める追加の表面領域はほんのわずかである。
しめるために共通のコレクタ領域を構戒する共通のｎ型
の島ｌ８内に設けられ、これらトランジスタのベース領
域１９の相対距離は本例では１０μｍとしてある。従っ
て、トランジスタの能動部分、すなわちこれらのベース
領域が占める表面領域は珪素ウェファの極めて小さな領
域、それ故殆ど均質な領域に集中されている。従って、
これらトランジスタの寸法は等しい為にこれらトランジ
スタは実際上同じ電気特性を有し、これらトランジスタ
が占める追加の表面領域はほんのわずかである。
トランジスタ１４， １５， １６． １７の各々のベ
ース領域１９は金属細条２０によりホトダイオード４〜
７の１つに接続されている。これら金属細条を第１図で
は破線で示してあり、接点窓を対角線で示してある。ホ
トダイオードのｐ型領域６は例えば拡散又はイオン注入
により設ける。トランジスタのｎ型工業ツタ領域２１は
金属細条を経て接点面１４Ａ〜１７Ａに接続されており
、これら接点面には制御に必要な他の周辺装置を接続し
うる。回路のこれらの他の装置の部分を所望に応じ半導
体ウェファ１内に設けることもできる。基板には接点窓
２２を介して基準電位、この場合最大電ａ電圧を印加す
る。
ース領域１９は金属細条２０によりホトダイオード４〜
７の１つに接続されている。これら金属細条を第１図で
は破線で示してあり、接点窓を対角線で示してある。ホ
トダイオードのｐ型領域６は例えば拡散又はイオン注入
により設ける。トランジスタのｎ型工業ツタ領域２１は
金属細条を経て接点面１４Ａ〜１７Ａに接続されており
、これら接点面には制御に必要な他の周辺装置を接続し
うる。回路のこれらの他の装置の部分を所望に応じ半導
体ウェファ１内に設けることもできる。基板には接点窓
２２を介して基準電位、この場合最大電ａ電圧を印加す
る。
第１及び２図の実施例では、ホトダイオード４〜７が一
列に配置され、トランジスタＰ４〜１７がこの列にほぼ
平行な列に配置されている。このようにすることはしば
しば実用的であるが必ずしもこのようにする必要はなく
、所望に応じ他の構造を用いることもできる。
列に配置され、トランジスタＰ４〜１７がこの列にほぼ
平行な列に配置されている。このようにすることはしば
しば実用的であるが必ずしもこのようにする必要はなく
、所望に応じ他の構造を用いることもできる。
上述した実施例では、４つのホトダイオード４〜７を用
い、これらホトダイオードにより半導体装置を四分区間
に小分けしている。しかし、適用分野に応じて異なる数
（少なくとも２つ）のホトダイオードを用いることもで
きる。またこれらホトダイオードの各々を所望に応じ２
つ以上の並列接続サブダイオードに小分けすることもで
きる。
い、これらホトダイオードにより半導体装置を四分区間
に小分けしている。しかし、適用分野に応じて異なる数
（少なくとも２つ）のホトダイオードを用いることもで
きる。またこれらホトダイオードの各々を所望に応じ２
つ以上の並列接続サブダイオードに小分けすることもで
きる。
また第３図は本発明によるフォーカシング装置を線図的
に示しており、このフォーカシング装置は上述した実施
例の１つにつき説明した種類の半導体回路を光検出器と
して有している。レーザ３１から生じ例えば、８００ｎ
ｍの波長を有する光ビーム３０は、プリズムの組合せの
分離面より戒る半透明鏡の面３２とレンズ系３３とを経
てＣＤ又はＶＬＰ記録体３５上に光スポット３４として
結像される。記録体３５により反射された光の一部は半
透明鏡の面３２により偏向され、２つのウエッジ状プリ
ズム３６． ３７を経て、第１及び２図につき説明した
種類の光検出器のホトダイオード４〜７上に２つの光ス
ポット８及び９（第１図も参照のこと）として投射され
る。これらホトダイオードから生じる信号により、記録
体３５の変動により生じる、光スポット３４のその正し
い位置からの偏移を補正しうる。
に示しており、このフォーカシング装置は上述した実施
例の１つにつき説明した種類の半導体回路を光検出器と
して有している。レーザ３１から生じ例えば、８００ｎ
ｍの波長を有する光ビーム３０は、プリズムの組合せの
分離面より戒る半透明鏡の面３２とレンズ系３３とを経
てＣＤ又はＶＬＰ記録体３５上に光スポット３４として
結像される。記録体３５により反射された光の一部は半
透明鏡の面３２により偏向され、２つのウエッジ状プリ
ズム３６． ３７を経て、第１及び２図につき説明した
種類の光検出器のホトダイオード４〜７上に２つの光ス
ポット８及び９（第１図も参照のこと）として投射され
る。これらホトダイオードから生じる信号により、記録
体３５の変動により生じる、光スポット３４のその正し
い位置からの偏移を補正しうる。
本発明は上述した実施例に限定されず、幾多の変更を加
えうることを勿論である。例えば、種々の半導体領域の
導電型のすべてを（同時に）逆の導電型に置き換え、し
かもこれに対応して電圧の極性を逆にすることができる
。また、珪素以外の他の半導体材料を用い、しかも他の
波長をも用いることもできる。本発明は上述したフォー
カシング及び位置決めの目的以外の目的にも用いること
ができる。
えうることを勿論である。例えば、種々の半導体領域の
導電型のすべてを（同時に）逆の導電型に置き換え、し
かもこれに対応して電圧の極性を逆にすることができる
。また、珪素以外の他の半導体材料を用い、しかも他の
波長をも用いることもできる。本発明は上述したフォー
カシング及び位置決めの目的以外の目的にも用いること
ができる。
第１図は、本発明による光感応半導体装置を線図的に示
す平面図、 第２図は、第１図の装置をその■一■線上を断面として
示す断面図、 第３図は、本発明によるフォーカシング装置を示す線図
である。 １・・・半導体本体（半導体ウェファ）２・・・基板 ３・・・エビタキシャル層 ４〜７・・・ダイオード ８，９．３４・・・光スポット １４〜ｌ７・・・トランジスタ ｌ８・・・島 １９・・・ベース領域 ２０・・・金属細条 ２１・・・工多ツタ領域 ３０・・・光ビーム ３２・・・半透明鏡の面 ３３・・・レンズ系 ３５・・・記録体 ３６． ３７・・・ウエッジ状プリズムエヌ ベー フ
ィリッブス フルーイランペンファブリケン
す平面図、 第２図は、第１図の装置をその■一■線上を断面として
示す断面図、 第３図は、本発明によるフォーカシング装置を示す線図
である。 １・・・半導体本体（半導体ウェファ）２・・・基板 ３・・・エビタキシャル層 ４〜７・・・ダイオード ８，９．３４・・・光スポット １４〜ｌ７・・・トランジスタ ｌ８・・・島 １９・・・ベース領域 ２０・・・金属細条 ２１・・・工多ツタ領域 ３０・・・光ビーム ３２・・・半透明鏡の面 ３３・・・レンズ系 ３５・・・記録体 ３６． ３７・・・ウエッジ状プリズムエヌ ベー フ
ィリッブス フルーイランペンファブリケン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光スポットが結像されうる少くとも２つの光感応ダ
イオードと、光スポットにより発生される光電流を増幅
する手段とを具える半導体装置を有する光感応半導体装
置において、前記の手段が、前記の光感応ダイオードに よって占められる半導体本体中の領域の外部に配置され
たトランジスタを有し、各トランジスタは１つの光感応
ダイオードに割当てられ且つこの光感応ダイオードに接
続され、これらトランジスタの少くとも能動部分は、こ
れらトランジスタが割当てられている光感応ダイオード
よりも半導体本体中で互いに一層接近して配置されてい
ることを特徴とする光感応半導体装置。 ２、請求項１に記載の光感応半導体装置において、前記
のトランジスタは半導体本体中でできる限り接近して配
置されていることを特徴とする光感応半導体装置。 ３、請求項１又は２に記載の光感応半導体装置において
、前記の光感応ダイオードが一列に配置され、前記のト
ランジスタがこの列にほぼ平行な一列に配置されている
ことを特徴とする光感応半導体装置。 ４、請求項１〜３のいずれか一項に記載の光感応半導体
装置において、この光感応半導体装置は、四分区間に配
置した４つの光感応ダイオードと、４つのトランジスタ
とを有していることを特徴とする光感応半導体装置。 ５、光ビームを面上に投射する手段と、光ビームの一部
を偏向させる手段と、偏向された光ビームを少くとも２
つのビームに分割し、これらビームが光スポットを光検
出器に投射するようにする手段とを具えたフォーカシン
グ装置であって、前記の光検出器が前記の面に対する前
記の光ビームの位置を安定化させる信号を生じるように
した当該フォーカシング装置において、 前記の光検出器として請求項１〜３のいずれか一項に記
載した光感応半導体装置を用いたことを特徴とするフォ
ーカシング装置。
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-
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