JP4069525B2 - 半導体受光装置及び光ディスク装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はCD,CD−ROM,DVD等の光ディスク装置に使用して好適な光ディスク装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、光ディスク装置の光ピックアップ即ち光学系は例えば図3に示す如く構成されている。即ち、図3において、1は光源を示し、この光源1は例えばレーザダイオードにより構成する。
【0003】
このレーザダイオード1よりのレーザビームを回折格子2を介して偏光ビームスプリッタ3に供給する。この回折格子2を通過した光は直進する方向で光量が一番強い零次光と、その両側に、位置、光量が対称的に現れる2つの一次光となる。
【0004】
即ち、この回折格子2はレーザダイオード1よりのレーザビームを一本のメインビームと二本のサイドビームの三本に分離する働きをする。この中央の零次光のメインビームはコンパクトディスク装置(CD)ではピットの信号検出とフォーカスエラー検出とに使用され、その両側のサイドビームはピットを正しくなぞるためのトラッキングエラー検出に使用される。
【0005】
この偏光ビームスプリッタ3を通過したレーザビームをこのレーザビームを平行光束にするコリメータレンズ4、1/4波長板5及びアクチュエータ6に設けられた対物レンズ7を介して光ディスク8に照射する如くする。
【0006】
この光ディスク8よりのレーザビームの反射光を対物レンズ7、1/4波長板5及びコリメータレンズ4を介して偏光ビームスプリッタ3に供給して反射し、この偏光ビームスプリッタ3よりの反射光を円筒レンズより成る中間レンズ9を介して光検出器を構成するフォトダイオード等より成る半導体受光装置10に供給する如くする。
【0007】
従来のコンパクトディスク装置のこの光検出器を構成する半導体受光装置10は図4に模式的配置図として示す如く、中央に4分割の4個のフォトダイオードで構成する受光領域A,B,C,Dが設けられ、その両側に2個のフォトダイオードで構成する受光領域E,Fが設けられたものである。
【0008】
この場合、この4分割の4個の受光領域A,B,C,Dには図4に示す如く、メインビーム1aが照射される如くなされ、フォーカスエラー信号及びデジタル信号を検出する如くなされている。
【0009】
また受光領域E及びFには夫々サイドビーム1b及び1cが照射される如くなされており、トラッキングエラーを検出し、トラッキングエラー信号を得る如くなされている。この従来の半導体受光装置10における、この受光領域E及びFの中心間の間隔(ピッチ)とこのサイドビーム1b及び1cの中心間の間隔(ピッチ)は略等しくなる如くしていた。
【0010】
また、従来のミニディスク装置のこの光検出器を構成する半導体受光装置は図5に模式的配置図として示す如く、中央に4分割の4個のフォトダイオードで構成する受光領域A,B,C,Dが設けられ、その両側に、2個のフォトダイオードで構成する受光領域E,Fが設けられ、更に中央の4個の受光領域A,B,C,Dの前後に、2個のフォトダイオードで構成する受光領域I,Jが設けられたものである。
【0011】
この場合、この4分割の4個の受光領域A,B,C,Dには図5に示す如く、メインビーム1aが照射される如くなされ、フォーカスエラー信号を検出する如くなされている。
【0012】
また、受光領域E及びFには夫々サイドビーム1b及び1cが照射される如くなされており、トラッキングエラーを検出し、トラッキングエラー信号を得る如くなされている。このミニディスク装置の半導体受光装置においても、従来は、この受光領域E及びFの中心間の間隔(ピッチ)をこのサイドビーム1b及び1cの中心間の間隔(ピッチ)と略等しくなる如くしていた。
【0013】
また受光領域I及びJにも夫々レーザビームが照射する如くなされ、デジタル信号を検出する如くなされている。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
上述コンパクトディスク装置において、受光領域A,B,C,Dと受光領域E,Fとは全く異なる信号を検出するため、それぞれの間に生ずるクロストークが非常に小さいことが要求される。
【0015】
また、ミニディスク装置においても、受光領域A,B,C,D、受光領域E,F、受光領域I,Jは、それぞれ全く異なる信号を検出するため、それぞれの間に生ずるクロストークが非常に小さいことが要求される。
【0016】
即ち、オントラック状態ではトラッキングエラー信号(E0 −F0 )は零になる必要がある。ここでは、E0 は受光領域Eに得られる信号、F0 は受光領域Fに得られる信号を示す。
【0017】
しかし、メインビーム1aによる光電流がクロストークによりこの受光領域E,Fに漏れると、このトラッキングエラー信号(E0 −F0 )が零にならないという問題を起こす。つまりメインビーム1a、サイドビーム1b,1cのビーム群が、その相対的位置を保ったまま若干左右に振動した場合、左に移動したときにはこのトラッキングエラー信号(E0 −F0 )は零より大きくなり、逆に右に移動したときには、このトラッキングエラー信号(E0 −F0 )は零より小さくなる。
【0018】
これは、このビーム群が左に移動したときはメインビーム1aからの受光領域Eへの漏れの増大によりこの受光領域Eよりの出力信号E0 が上昇し、逆にこのビーム群が右に移動したときはメインビーム1aからの受光領域Fへの漏れの増大により受光領域Fよりの出力信号F0 が上昇するためである。
【0019】
然しながら、一般に1チップ内で隣接して形成された受光領域間には、クロストークを生ずる。特に、フォトダイオード等の受光素子とバイポーラトランジスタ等の半導体素子とを集積し1チップ化した半導体受光装置においては、単体のフォトダイオードと比べて半導体基板の不純物濃度が低いため、半導体基板内で発生した光キャリアの寿命が長く、各フォトダイオード間のクロストークが大きくなってしまう。
【0020】
このフォトダイオード(受光領域)の間隔を大きくとることによりフォトダイオード(受光領域)間のクロストークを低減させることができるが、このときはチップサイズが大きくなるため、光学系の設計上この光ピックアップが大きくなってしまう等の不都合が生じると共にコストアップする不都合がある。
【0021】
本発明は斯る点に鑑み、フォトダイオード(受光領域)間のクロストークが大きい場合においても、見かけ上、クロストークを低減することができるようにすることを目的とする。
【0022】
【課題を解決するための手段】
【0025】
本発明光ディスク装置は、第1のトラッキングエラー検出用受光領域、フォーカスエラー検出用受光領域及び第2のトラッキングエラー検出用受光領域が順次隣接して配された1チップ半導体受光装置を設けると共にこの第1のトラッキングエラー検出用受光領域、フォーカスエラー検出用受光領域及び第2のトラッキングエラー検出用受光領域に夫々第1、第2及び第3のレーザビームを照射するようにし、この第1及び第2のトラッキングエラー検出用受光領域に得られる信号に基づいてトラッキングサーボを行なうと共にこのフォーカスエラー検出用受光領域に得られる信号に基づいてフォーカスサーボを行なうようにした光ディスク装置において、この第1及び第2のトラッキングエラー検出用受光領域のピッチをこの第1及び第3のレーザビームのピッチより小さくし、この第1、第2及び第3のレーザビームが相対関係を保ったまま、左又は右方向に移動したときに、この第2のレーザビームからの、この第1又は第2のトラッキングエラー検出用受光領域に対する漏れ電流の増大に対応してこの第1又は第3のレーザビームがこの第1又は第2のトラッキングエラー検出用受光領域からはみ出すようにして、この第1及び第2のトラッキングエラー検出用受光領域におけるこの第2のレーザビームの漏れ電流を相殺し、この第1及び第2のトラッキングエラー検出用受光領域の出力信号の変動を抑えるようにしたものである。
【0026】
斯る本発明によれば、第1及び第2のトラッキングエラー検出用受光領域のピッチをこの第1及び第3のレーザビームのピッチより小さくしたので、レーザビーム群がその相対的位置関係を保ったまま一方向に移動したときは、メインビームからの例えば第1のトラッキングエラー検出用受光領域Eに対する漏れ電流は増大するが、この第1のトラッキングエラー検出用の受光領域Eを照射しているレーザビーム(サイドビーム1b)が、この第1のトラッキングエラー検出用受光領域Eからはみ出すために、このレーザビーム(サイドビーム1b)による光電流が減少し、結果として、この第1のトラッキングエラー検出用受光領域Eの出力信号の変動が抑えられる。
【0027】
逆に、レーザビーム群がその相対的位置関係を保ったまま、他方向に移動したときは、メインビームからの第2のトラッキングエラー検出用受光領域Fに対する漏れ電流は増大するが、この第2のトラッキングエラー検出用受光領域Fを照射しているレーザビーム(サイドビーム1c)がこの第2のトラッキングエラー検出用受光領域Fからはみ出すために、このレーザビーム(サイドビーム1c)による光電流が減少し、結果として、この第2のトラッキングエラー検出用受光領域Fの出力信号の変動が抑えられる。
【0028】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明光ディスク装置の実施の形態の例につき説明する。
本例による光ディスク装置の光ピックアップ即ち光学系も例えば図3に示す如く構成する。
【0029】
即ち、光源としてのレーザダイオード1よりのレーザビームを回折格子2を介して偏光ビームスプリッタ3に供給する。この回折格子2を通過した光は直進する方向で光量が一番強い零次光と、その両側に位置、光量が対称的に現れる2つの一次光となる。
【0030】
即ち、この回折格子2はレーザダイオード1よりのレーザビームを一本のメインビーム1aと二本のサイドビーム1b,1cの三本のビームに分離する働きをする。この中央の零次光のメインビーム1aはコンパクトディスク装置ではピットの信号検出とフォーカスエラー検出とに使用され、その両側のサイドビーム1b,1cはピットを正しくなぞるためのトラッキングエラー検出に使用される。
【0031】
この偏光ビームスプリッタ3を通過したレーザビームをこのレーザビームを平行光束にするコリメータレンズ4、1/4波長板5及びアクチュエータ6に設けられた対物レンズ7を介して光ディスク8に照射する如くする。
【0032】
この光ディスク8よりのレーザビームの反射光を、対物レンズ7、1/4波長板5及びコリメータレンズ4を介して偏光ビームスプリッタ3に供給して反射し、この偏光ビームのスプリッタ3よりの反射光を円筒レンズより成る中間レンズ9を介して光検出器を構成するフォトダイオード等より成る半導体受光装置10に供給する如くする。
【0033】
本例によるミニディスク装置のこの光検出器を構成する半導体受光装置は、図1に模式的配置図として示す如く、中央に4分割の4個のフォトダイオードで構成する受光領域A,B,C,Dが設けられ、その両側に2個のフォトダイオードで構成する受光領域E,Fが設けられ、更に中央の4個の受光領域A,B,C,Dの進行方向の前後に2個のフォトダイオードで構成する受光領域I,Jを設ける。
【0034】
この場合、この中央の4分割の4個の受光領域A,B,C,Dには図1に示す如く、メインビーム1aが照射される如くなされ、この4個の受光領域A,B,C,Dよりの出力信号よりフォーカスエラー信号を得る如くし、この得られたフォーカスエラー信号に基づいてフォーカスサーボを行なう如くしている。
【0035】
また、受光領域E及びFには夫々サイドビーム1b及び1cが照射される如くなされており、この受光領域E及びFの夫々の出力信号E0 及びF0 よりトラッキングエラー信号(E0 −F0 )を得、このトラッキングエラー信号(E0 −F0 )に基づいてトラッキングサーボを行う如くしている。
【0036】
本例においては受光領域E及びFの夫々の中心間の間隔(ピッチ)をサイドビーム1b及び1cの中心間の間隔(ピッチ)よりも所定長小さくする如くする。
【0037】
本例においては、メインビーム1aの中心と夫々のサイドビーム1b,1cの中心との間隔を夫々209μmとし、またメインビーム1aとサイドビーム1b,1cとの光強度比が73:10であったときに、この受光領域E及びFの横方向の中心間隔を図2Bに示す如く395μmとした。この場合サイドビーム1b及び1cの中心間の間隔は418μmである。
【0038】
斯る本例によれば、トラッキングエラー検出用受光領域E及びFのピッチをこのサイドビーム1b及び1cのピッチより所定長さ小さくしたので、レーザビーム1a,1b,1cがその相対的位置関係を保ったまま一方向に移動したときは、メインビーム1aからの例えばトラッキングエラー検出用受光領域Eに対する漏れ電流は増大するが、このトラッキングエラー検出用の受光領域Eを照射しているサイドビーム1bがこのトラッキングエラー検出用受光領域Eからはみ出すために、このサイドビーム1bによる光電流が減少し、結果として、このトラッキングエラー検出用受光領域Eの出力信号の変動が抑えられる。
【0039】
また、逆に、レーザビーム群1a,1b,1cがその相対的位置関係を保ったまま、他方向に移動したときは、メインビーム1aからのトラッキングエラー検出用受光領域Fに対する漏れ電流は増大するが、このトラッキングエラー検出用受光領域Fを照射しているサイドビーム1cがこのトラッキングエラー検出用受光領域Fからはみ出すために、このサイドビーム1cによる光電流が減少し、結果として、このトラッキングエラー検出用受光領域Fの出力信号の変動が抑えられる。
【0040】
因みに上述例同様にメインビーム1aの中心とサイドビーム1b,1cの中心との間隔を夫々209μmとし、またメインビーム1aとサイドビーム1b,1cとの光強度比が73:10としたミニディスク装置における光ピックアップの半導体受光装置の受光領域の寸法を図2A,B,Cに示す如く変化したときのトラッキングエラー信号に与える影響を調べてみた。
【0041】
即ち、図2A,B及びCの夫々の4つの受光領域A,B,C,Dの中心と受光領域E又はFの中心との間隔(ピッチ)を夫々202.5μm,197.5μm及び192.5μmとした。この場合、受光領域間のクロストークを同じにするため受光領域の間隔は同じ(例えば60μm)とし、左右の受光領域E,Fを変化させることで受光領域E及びFの中心間の間隔(ピッチ)を変えている。
【0042】
上述において、レーザビーム群が30μm程度左右に振動したときに、通常400mV程度のトラッキングエラー信号に与える影響は図2A,B及びCに示す如き構成では夫々10%、0%及び−15%となった。この本例によるミニディスク装置では図2Bの受光領域の寸法を持った半導体受光装置が最適である。
【0043】
また、ミニディスク装置の図1及び図2例においては受光領域I及びJにも夫々レーザビームを照射する如くなされ、この受光領域I及びJによりデジタル信号を検出する如くなされる。
【0044】
本例によれば、トラッキングエラー検出用受光領域E及びFの中心間の間隔(ピッチ)をこのサイドビーム1b及び1cのピッチより小さくしたので、レーザビーム群1a,1b,1cがその相対的位置関係を保ったまま左方向に移動したときは、メインビーム1aからのトラッキングエラー検出用受光領域Eに対する漏れ電流は増大するが、このトラッキングエラー検出用受光領域Eを照射しているサイドビーム1bが、この受光領域Eからはみ出すために、このサイドビーム1bによる光電流が減少し、結果として、このトラッキングエラー検出用受光領域Eの出力信号の変動が抑えられる。
【0045】
また、逆にこのレーザビーム群1a,1b,1cがその相対的位置関係を保ったまま、右方向に移動したときは、メインビーム1aからトラッキングエラー検出用受光領域Fに対する漏れ電流は増大するが、このトラッキングエラー検出用受光領域Fを照射しているサイドビーム1cが、この受光領域Fからはみ出すために、このサイドビーム1cによる光電流が減少し、結果として、このトラッキングエラー検出用受光領域Fの出力信号の変動が抑えられる。
【0046】
従って、本例によれば、特別な手段をこうずることなく、受光領域間のクロストークを見かけ上小さくすることができ、このクロストークの影響を低減するのに製造コストを増加させない利益がある。
【0047】
尚、本発明は上述例に限らず、同一種類の光ピックアップであっても、それぞれの受光領域に照射されるレーザビームの光強度比、半導体受光装置の受光領域のクロストークの大きさにより、この受光領域のピッチ、受光領域の寸法を最適化する必要がある。
【0048】
また、上述例は本発明をミニディスク装置に適用した例につき述べたが、本発明を、CD,CD−ROM,DVD等その他光ディスク装置に適用できることは容易に理解できよう。
【0049】
また、本発明は上述例に限ることなく、本発明の要旨を逸脱することなく、その他種々の構成が採り得ることは勿論である。
【0050】
【発明の効果】
本発明によれば特別な手段をこうずることなく、受光領域間のクロストークを見かけ上小さくすることができ、このクロストークの影響を低減するのに製造コストを増加させない利益がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の例を示す模式図である。
【図2】本発明の説明に供する模式図である。
【図3】光ピックアップの例を示す構成図である。
【図4】従来の説明に供する模式図である。
【図5】従来の説明に供する模式図である。
【符号の説明】
1‥‥レーザダイオード、1a‥‥メインビーム、1b,1c‥‥サイドビーム、2‥‥回折格子、3‥‥ビームスプリッタ、4‥‥コリメータレンズ、5‥‥1/4波長板、6‥‥アクチュエータ、7‥‥対物レンズ、8‥‥光ディスク、10‥‥半導体受光装置、A,B,C,D,E,F,I,J‥‥受光領域
Claims (1)
- 第1のトラッキングエラー検出用受光領域、フォーカスエラー検出用受光領域及び第2のトラッキングエラー検出用受光領域が順次隣接して配された1チップ半導体受光装置を設けると共に前記第1のトラッキングエラー検出用受光領域、フォーカスエラー検出用受光領域及び第2のトラッキングエラー検出用受光領域に夫々第1、第2及び第3のレーザビームを照射するようにし、前記第1及び第2のトラッキングエラー検出用受光領域に得られる信号に基づいてトラッキングサーボを行なうと共に前記フォーカスエラー検出用受光領域に得られる信号に基づいてフォーカスサーボを行なうようにした光ディスク装置において、
前記第1及び第2のトラッキングエラー検出用受光領域のピッチを前記第1及び第3のレーザビームのピッチより小さくし、前記第1、第2及び第3のレーザビームが相対関係を保ったまま、左又は右方向に移動したときに、前記第2のレーザビームからの、前記第1又は第2のトラッキングエラー検出用受光領域に対する漏れ電流の増大に対応して前記第1又は第3のレーザビームが前記第1又は第2のトラッキングエラー検出用受光領域からはみ出すようにして、前記第1及び第2のトラッキングエラー検出用受光領域における前記第2のレーザビームの漏れ電流を相殺し、前記第1及び第2のトラッキングエラー検出用受光領域の出力信号の変動を抑えるようにしたことを特徴とする光ディスク装置。
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JP32233898A JP4069525B2 (ja) | 1998-11-12 | 1998-11-12 | 半導体受光装置及び光ディスク装置 |
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JP32233898A JP4069525B2 (ja) | 1998-11-12 | 1998-11-12 | 半導体受光装置及び光ディスク装置 |
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Family Applications (1)
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