JPH0329370A - Eeprom - Google Patents
EepromInfo
- Publication number
- JPH0329370A JPH0329370A JP1163252A JP16325289A JPH0329370A JP H0329370 A JPH0329370 A JP H0329370A JP 1163252 A JP1163252 A JP 1163252A JP 16325289 A JP16325289 A JP 16325289A JP H0329370 A JPH0329370 A JP H0329370A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- electrons
- tunnel region
- view
- tunnel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 3
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 235000015067 sauces Nutrition 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電気的に書込み及び消去が可能なROMであ
る、いわゆるEEPROMに関する。
る、いわゆるEEPROMに関する。
半導体記憶素子として、不揮発性でかつ電気的に度換え
ができるEEPROMは、特に、近年、ICカードをは
じめとしてその用途が多方面で拡大してきている。これ
に伴ない、書込まれたデータを確実に保持できる。いわ
ゆるデータ保持特性の向−上が求められている。
ができるEEPROMは、特に、近年、ICカードをは
じめとしてその用途が多方面で拡大してきている。これ
に伴ない、書込まれたデータを確実に保持できる。いわ
ゆるデータ保持特性の向−上が求められている。
a 発明の訂゛細な説明
〔概要〕
電気的によ込み及び消去が可能なROMである、いわゆ
るE E P R O M ( electrical
ly erasableprogrammable
R O M )に関し、データ保持特竹を向上すること
を目的とし、平面図上、90゜よりも鈍角な直線、又は
曲線.で構成されたパターンにてトンネル領域を構成す
る。
るE E P R O M ( electrical
ly erasableprogrammable
R O M )に関し、データ保持特竹を向上すること
を目的とし、平面図上、90゜よりも鈍角な直線、又は
曲線.で構成されたパターンにてトンネル領域を構成す
る。
第2図は従来のEEFROMの構成図を示し、同図(A
)は断面図、同図(B)は平面図である。
)は断面図、同図(B)は平面図である。
一般に、EEPROMは、フント0−ルゲート1に高電
圧を印加することにより、ドレイン2上のトンネル酸化
膜と称される掻く薄い酸化膜〈例えば100^〜200
^程度〉にて形成ざれたいわゆるトンネル領域3を通し
て電子をトンネルさt!(トンネル電流)、ドレイン2
から7口−テイングゲート4に電子を注入したり、又は
7ローティングゲート4からドレイン2に電子を放出し
たりして、「1」又は1“O」のデータ害込み又は消去
を行なう。これにより、トランジスタの同値が変化した
ことになる。一方、データ読出し時には、ソース7及び
ドレイン2間に低電圧を印加すると共に、コント口−ル
ゲート1に低電圧〈零Vも含む〉を印加することにより
、7ローティンググート4に電子が注入されているか、
又は電子が放出されているかを検出し、データ内容の判
別を行なう。なお、第1図中、5は基板、6は酸化膜で
ある。
圧を印加することにより、ドレイン2上のトンネル酸化
膜と称される掻く薄い酸化膜〈例えば100^〜200
^程度〉にて形成ざれたいわゆるトンネル領域3を通し
て電子をトンネルさt!(トンネル電流)、ドレイン2
から7口−テイングゲート4に電子を注入したり、又は
7ローティングゲート4からドレイン2に電子を放出し
たりして、「1」又は1“O」のデータ害込み又は消去
を行なう。これにより、トランジスタの同値が変化した
ことになる。一方、データ読出し時には、ソース7及び
ドレイン2間に低電圧を印加すると共に、コント口−ル
ゲート1に低電圧〈零Vも含む〉を印加することにより
、7ローティンググート4に電子が注入されているか、
又は電子が放出されているかを検出し、データ内容の判
別を行なう。なお、第1図中、5は基板、6は酸化膜で
ある。
(発明が解決しようとする課題〕
然るに、一般に、コントロールゲート1に但電圧を印加
してーff書込まれたデータ内容に対して例えば数年に
わたって何回も読出しを繰返すと、7ローティンググー
ト4に電子が徐々に注入されていき又は放出されていき
、実質上新たな書込みを行なったのと同等の状態になり
、正常にデータを読出すことができなくなる。この場合
、従来のものは、第2図(B)に示す如く、トンネル領
域3は平面図上四角形に 形成されていたので、角の部分に電界が集中し、トンネ
ル領域3を通る電子の割合が増大する。従って、従来の
ものは、データ内容に対して繰返し読出しを行なう場合
、7ローティングゲート4に注入される電子が多くなり
、正常にデータを読出すことができる期間が短かい問題
点があった。
してーff書込まれたデータ内容に対して例えば数年に
わたって何回も読出しを繰返すと、7ローティンググー
ト4に電子が徐々に注入されていき又は放出されていき
、実質上新たな書込みを行なったのと同等の状態になり
、正常にデータを読出すことができなくなる。この場合
、従来のものは、第2図(B)に示す如く、トンネル領
域3は平面図上四角形に 形成されていたので、角の部分に電界が集中し、トンネ
ル領域3を通る電子の割合が増大する。従って、従来の
ものは、データ内容に対して繰返し読出しを行なう場合
、7ローティングゲート4に注入される電子が多くなり
、正常にデータを読出すことができる期間が短かい問題
点があった。
本発明は、データ保持特性を向上できるEEPROMを
提供することを目的とする。
提供することを目的とする。
(課題を解決するための手段)
本発明は、平面図上、90゛よりも鈍角な直線、又は曲
線で構成されたパターンにてトンネル領域を構成してな
る。
線で構成されたパターンにてトンネル領域を構成してな
る。
(作用)
一般に、書込まれたデータ内容に対して何回も読出しを
行なうと、フローティングゲートに電子が注入又は放出
されていく。この場合、本発明のようにトンネル領域の
平面図上の形状を90’よりも鈍角な直線又は曲線で構
成すると電界の集中が緩和され、読出し時、フローテイ
ングゲートに電子が注入される割合が少なくなる。これ
により、読出しを繰返し行なっても正常にデータ読出し
を行なうことができる。
行なうと、フローティングゲートに電子が注入又は放出
されていく。この場合、本発明のようにトンネル領域の
平面図上の形状を90’よりも鈍角な直線又は曲線で構
成すると電界の集中が緩和され、読出し時、フローテイ
ングゲートに電子が注入される割合が少なくなる。これ
により、読出しを繰返し行なっても正常にデータ読出し
を行なうことができる。
第1図は本発明の−実施例の構成図を示し、同図(A)
は断面図、同図(B)は平面図である。
は断面図、同図(B)は平面図である。
同図中、第2図と同一構成部分には同一番月を付す。第
1図において、7ローテインググート10のドレイン2
上の突部10aは平面図上円形に形成されており、これ
により、トンネル領域11も平面図上円形に形或されて
いる。なお、12は酸化膜である。
1図において、7ローテインググート10のドレイン2
上の突部10aは平面図上円形に形成されており、これ
により、トンネル領域11も平面図上円形に形或されて
いる。なお、12は酸化膜である。
このように、トンネル14域11は平面図上円形に形成
されているので、データ読出し時、従来例のような四角
形に形成されたトンネル領域に比して電界の集中が緩和
され、7口−テイングゲート4に電子が注入される割合
が少なくなる。これにより、一度書込まれたデータ内容
に対して何回も読出しを賀返しても正常にデータを読出
すことができる。
されているので、データ読出し時、従来例のような四角
形に形成されたトンネル領域に比して電界の集中が緩和
され、7口−テイングゲート4に電子が注入される割合
が少なくなる。これにより、一度書込まれたデータ内容
に対して何回も読出しを賀返しても正常にデータを読出
すことができる。
なお、前記実施例では、トンネル領域の平面図上の形状
を円形としたが、本発明はこれに限定されるものではな
く、90’よりも鈍角な直線、又は曲線で構成された形
状としてもよい。
を円形としたが、本発明はこれに限定されるものではな
く、90’よりも鈍角な直線、又は曲線で構成された形
状としてもよい。
又、前記実施例はフローアイングゲート形のEEPRO
Mを用いて説明したが、本発明は、MNOS (met
al nitride oxide silicon
)形のEEPROMにも同様に適用できる。
Mを用いて説明したが、本発明は、MNOS (met
al nitride oxide silicon
)形のEEPROMにも同様に適用できる。
又、前記実施例では、トンネル領域の平面図上の形状に
ついて上述のように設定したが、断面図上の形状につい
てもその周辺部を90”よりも鈍角な直線、又は曲線で
構成された形状にすれば更によい結果が得られることが
考えられる。然るに、トンネル領域の厚さは高々100
A〜200入程度と非常に薄く、断面図上の形状を上述
のように形成しにくく、又、たとえ形成できたとしても
その確認を行ないにくい。このため、本発明では平而図
上における形状を上述のようにすることで電界の集中を
緩和するようにしている。
ついて上述のように設定したが、断面図上の形状につい
てもその周辺部を90”よりも鈍角な直線、又は曲線で
構成された形状にすれば更によい結果が得られることが
考えられる。然るに、トンネル領域の厚さは高々100
A〜200入程度と非常に薄く、断面図上の形状を上述
のように形成しにくく、又、たとえ形成できたとしても
その確認を行ないにくい。このため、本発明では平而図
上における形状を上述のようにすることで電界の集中を
緩和するようにしている。
以上説明した如く、本発明によれば、平面図上、90゜
よりも鈍角な直線、又は曲線で構成されたパターンにて
トンネル領域を構成したため、トンネル領域における電
界の集中が緩和され、一度書込まれたデータに対して何
回も読出しを行なってもフローティングゲートに電子が
注入又は放出される割合が少なくなり、長Ill間にわ
たってデータを正常に読出すことができる。
よりも鈍角な直線、又は曲線で構成されたパターンにて
トンネル領域を構成したため、トンネル領域における電
界の集中が緩和され、一度書込まれたデータに対して何
回も読出しを行なってもフローティングゲートに電子が
注入又は放出される割合が少なくなり、長Ill間にわ
たってデータを正常に読出すことができる。
5は基板
7はソース、
10は7口−ティングゲート、
10aは突部、
11はトンネル領域、
12は酸化膜
を丞す。
Claims (1)
- 平面図上、90゜よりも鈍角な直線、又は曲線で構成さ
れたパターンにてトンネル領域(11)を構成してなる
ことを特徴とするEEPROM。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1163252A JPH0329370A (ja) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | Eeprom |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1163252A JPH0329370A (ja) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | Eeprom |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0329370A true JPH0329370A (ja) | 1991-02-07 |
Family
ID=15770258
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1163252A Pending JPH0329370A (ja) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | Eeprom |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0329370A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003332476A (ja) * | 2002-05-07 | 2003-11-21 | Samsung Electronics Co Ltd | 平坦しないゲート絶縁膜を具備する不揮発性メモリ装置及びその製造方法 |
JP2007027373A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Asahi Kasei Microsystems Kk | 不揮発性メモリ及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-06-26 JP JP1163252A patent/JPH0329370A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003332476A (ja) * | 2002-05-07 | 2003-11-21 | Samsung Electronics Co Ltd | 平坦しないゲート絶縁膜を具備する不揮発性メモリ装置及びその製造方法 |
JP4637457B2 (ja) * | 2002-05-07 | 2011-02-23 | 三星電子株式会社 | 平坦しないゲート絶縁膜を具備する不揮発性メモリ装置の製造方法 |
JP2007027373A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Asahi Kasei Microsystems Kk | 不揮発性メモリ及びその製造方法 |
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