JPH03290429A - 水素化開環共重合体の製造方法および光学用材料 - Google Patents
水素化開環共重合体の製造方法および光学用材料Info
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
見量凶韮逝透1
本発FIAgL 特に透明性、耐水性および熱的性質
に優れた水素化開環共重合体の製造方法および光・学材
料に関する。
に優れた水素化開環共重合体の製造方法および光・学材
料に関する。
日の ′
ポリスチレン、ポリメチルメタクリレートおよびポリカ
ーボネート山 透明性に優れかつ高屈折率のプラスチッ
クとして光デイスク基板や光ファイバーあるいはプラス
チックレンズとして検討さ札 一部では実用化がなされ
ている。しかし ポリスチレンは熱変形温度が90℃程
度と耐熱性が悪いうえ複屈折も大きく、酢酸エチルや四
塩化炭素などに溶解し易くて耐溶剤性に劣り、このため
に前述したプラスチックの中では光学材利用分野への進
出が大幅に遅札 実質的に行き詰まり状態である。ポリ
メチルメタクリレートは成形性が良好で透明性が大幅に
優れ 耐熱性もポリスチレンに比べれば優れるので、現
在量も光学材料分野への進出をはたしたプラスチックで
ある。しかし、アセトンや酢酸エチルなどによりソルベ
ントクランクが発生し易く、また吸湿性が大きいので吸
湿変形が生じ易いなどの問題があり、さらに強酸に浸さ
れて耐薬品性に劣るし 耐熱性が優れるといっても熱変
形温度は110℃程度であって実使用範囲が制限される
。ポリカーボネートの耐溶剤は溶解し難いという面で見
ると一見良好であるが、多くは白化現象を起こして、光
学材料用途として見れば事実上耐溶剤性は不充分である
。しかも強アルカリに浸され易く耐薬品性に劣るし 耐
水性も不充分であるという問題もある。また、複屈折率
と収縮率が前2者に比べて大きいという問題もある。
ーボネート山 透明性に優れかつ高屈折率のプラスチッ
クとして光デイスク基板や光ファイバーあるいはプラス
チックレンズとして検討さ札 一部では実用化がなされ
ている。しかし ポリスチレンは熱変形温度が90℃程
度と耐熱性が悪いうえ複屈折も大きく、酢酸エチルや四
塩化炭素などに溶解し易くて耐溶剤性に劣り、このため
に前述したプラスチックの中では光学材利用分野への進
出が大幅に遅札 実質的に行き詰まり状態である。ポリ
メチルメタクリレートは成形性が良好で透明性が大幅に
優れ 耐熱性もポリスチレンに比べれば優れるので、現
在量も光学材料分野への進出をはたしたプラスチックで
ある。しかし、アセトンや酢酸エチルなどによりソルベ
ントクランクが発生し易く、また吸湿性が大きいので吸
湿変形が生じ易いなどの問題があり、さらに強酸に浸さ
れて耐薬品性に劣るし 耐熱性が優れるといっても熱変
形温度は110℃程度であって実使用範囲が制限される
。ポリカーボネートの耐溶剤は溶解し難いという面で見
ると一見良好であるが、多くは白化現象を起こして、光
学材料用途として見れば事実上耐溶剤性は不充分である
。しかも強アルカリに浸され易く耐薬品性に劣るし 耐
水性も不充分であるという問題もある。また、複屈折率
と収縮率が前2者に比べて大きいという問題もある。
以上説明したように 現在検討または使用されているプ
ラスチック系光学材料の原料として用いられている前記
の各種プラスチックは各長所および短所を有しており、
その結果当然ながらこれらの原料から製造される光学材
料も従来の無機ガラス系に比べて長所を有するけれども
短所も有している。すなわち、光デイスク用基板の一例
であるコンパクト・ディスク(CD)を例にとると、カ
ーオーディオ用CDは、真夏の車内温度が非常に高くな
るため、耐熱性が要求さL この点でポリスチレンは使
用できず、ポリメチルメタクリレートも使用に際しての
懸念がある。ポリカーボネートは耐熱性の面では心配な
いが、成形後の収縮あるいは複屈折の面で良好なる光デ
イスク基板が成形でき難いという問題がある。そして以
上述べてきたこと1)追記型ディスクや書換型ディスク
用途ではもっと深刻な問題となる。さらに各耐溶剤性、
耐薬品性、耐水性に問題があり、使用場所や取扱い方法
に制限を受ける。そして、このような諸問題は他の光学
材料たとえば光ファイバーやプラスチックレンズといっ
た透明性を利用した材料においても同様に発生する。
ラスチック系光学材料の原料として用いられている前記
の各種プラスチックは各長所および短所を有しており、
その結果当然ながらこれらの原料から製造される光学材
料も従来の無機ガラス系に比べて長所を有するけれども
短所も有している。すなわち、光デイスク用基板の一例
であるコンパクト・ディスク(CD)を例にとると、カ
ーオーディオ用CDは、真夏の車内温度が非常に高くな
るため、耐熱性が要求さL この点でポリスチレンは使
用できず、ポリメチルメタクリレートも使用に際しての
懸念がある。ポリカーボネートは耐熱性の面では心配な
いが、成形後の収縮あるいは複屈折の面で良好なる光デ
イスク基板が成形でき難いという問題がある。そして以
上述べてきたこと1)追記型ディスクや書換型ディスク
用途ではもっと深刻な問題となる。さらに各耐溶剤性、
耐薬品性、耐水性に問題があり、使用場所や取扱い方法
に制限を受ける。そして、このような諸問題は他の光学
材料たとえば光ファイバーやプラスチックレンズといっ
た透明性を利用した材料においても同様に発生する。
一方、テトラシクロドデセンまたはその誘導体と、ノル
ボルネンまたはその誘導体との開環共重合体を光学材料
として使用することが提案されている(特開昭60−2
6024号公報)。
ボルネンまたはその誘導体との開環共重合体を光学材料
として使用することが提案されている(特開昭60−2
6024号公報)。
及里立11
本発明に係る水素化開環共重合体の製造方法6丸このよ
うな従来技術にともなう問題点を解決しようとするもの
であり、耐熱性、耐薬品性、耐溶剤性、耐水性に優れ
収縮が実質的に無くて寸法安定性、成形性に優へ また
複屈折も実質的に無く、耐衝撃性に優れ 光学材料とし
て使用可能な水素化開環共重合体を得ることができる水
素化開環共重合体の躯造方法釦よびこの方法により得ら
れた光学材料を提供することを目的としている。
うな従来技術にともなう問題点を解決しようとするもの
であり、耐熱性、耐薬品性、耐溶剤性、耐水性に優れ
収縮が実質的に無くて寸法安定性、成形性に優へ また
複屈折も実質的に無く、耐衝撃性に優れ 光学材料とし
て使用可能な水素化開環共重合体を得ることができる水
素化開環共重合体の躯造方法釦よびこの方法により得ら
れた光学材料を提供することを目的としている。
及里旦見1
本発明に係る水素化開環共重合体の製造方法店下記一般
式[r]または[I°]で表される少なくとも1種の環
状オレフィンを含む成分(a)が50〜100モル%未
満、 および下記−数式[II]で表される少なくとも
1種の環状オレフィンを含む成分(b)がOを超え、5
0モル%以下、から形成される開環共重合体を水素添加
することを特徴としている。
式[r]または[I°]で表される少なくとも1種の環
状オレフィンを含む成分(a)が50〜100モル%未
満、 および下記−数式[II]で表される少なくとも
1種の環状オレフィンを含む成分(b)がOを超え、5
0モル%以下、から形成される開環共重合体を水素添加
することを特徴としている。
・・・ [I]
(式中、nはOまたは1であり、mはOまたは正の整数
であって、R貫〜HIe(1それぞれ独立に、水素原子
、ハロゲン原子および炭化水素基よりなる群から選ばれ
る原子もしくは基を表LR”〜RI川−用 互いに結
合して単環または多環を形成していてもよく、かつ該単
環または多環が二重結合を有していてもよく、また、R
lsとRI6とで、またはRI TとRl 8とでアル
キリデン基を形成していてもよい。) す、qおよびrlIOl 1または2であり、R1〜R
”はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、脂肪族炭
化水素基 芳香族炭化水素基 およびアルコキシ基より
なる群から選ばれる原子もしくは基を表り、S R1ま
たはR8)とR9(またはR?)とは、炭素数1〜3の
アルキレン基を介して結合していてもよく、また何の基
も介さずに直接結合していてもよい。) ・・ [I °] (式[r’]中、pはOまたは1以上の整数であ[II
] (式[II]中、 tは3以上の整数であり、R”およ
びR2@l気 それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原
子および炭化水素基よりなる群から選ばれる原子もしく
は基を表し 複数回繰り返されるR+ * −C−R2−は同一また
は異なっていてもよい。) また、本発明に係る光学材料1転 上記水素化開環共重
合体の製造方法により得られた水素化開環共重合体から
なることを特徴としている。
であって、R貫〜HIe(1それぞれ独立に、水素原子
、ハロゲン原子および炭化水素基よりなる群から選ばれ
る原子もしくは基を表LR”〜RI川−用 互いに結
合して単環または多環を形成していてもよく、かつ該単
環または多環が二重結合を有していてもよく、また、R
lsとRI6とで、またはRI TとRl 8とでアル
キリデン基を形成していてもよい。) す、qおよびrlIOl 1または2であり、R1〜R
”はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、脂肪族炭
化水素基 芳香族炭化水素基 およびアルコキシ基より
なる群から選ばれる原子もしくは基を表り、S R1ま
たはR8)とR9(またはR?)とは、炭素数1〜3の
アルキレン基を介して結合していてもよく、また何の基
も介さずに直接結合していてもよい。) ・・ [I °] (式[r’]中、pはOまたは1以上の整数であ[II
] (式[II]中、 tは3以上の整数であり、R”およ
びR2@l気 それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原
子および炭化水素基よりなる群から選ばれる原子もしく
は基を表し 複数回繰り返されるR+ * −C−R2−は同一また
は異なっていてもよい。) また、本発明に係る光学材料1転 上記水素化開環共重
合体の製造方法により得られた水素化開環共重合体から
なることを特徴としている。
本発明に係る水素化開環共重合体の製造方法および光学
材料によれ眠 耐熱性、耐薬品性、耐溶剤性、耐水性に
優ね 収縮が実質的に無くて寸法安定性、成形性に優ね
また複屈折も実質的に無く、耐衝撃性に優れた水素化
開環共重合体および光学材料を得ることができる。
材料によれ眠 耐熱性、耐薬品性、耐溶剤性、耐水性に
優ね 収縮が実質的に無くて寸法安定性、成形性に優ね
また複屈折も実質的に無く、耐衝撃性に優れた水素化
開環共重合体および光学材料を得ることができる。
の な 日
以下、本QFiAに係る水素化開環共重合体の製造方法
および光学材料について具体的に説明する。
および光学材料について具体的に説明する。
本発明に係る水素化開環共重合体の製造方法は特定の一
般式[I]または[I゛]で表される少なくとも1種の
環状オレフィンを含む特定量の成分(a)と、特定の一
般式[II]で表される少なくとも1種の環状オレフィ
ンを含む特定量の成分(b)とがら形成される開環共重
合体を水素添加することを特徴としている。
般式[I]または[I゛]で表される少なくとも1種の
環状オレフィンを含む特定量の成分(a)と、特定の一
般式[II]で表される少なくとも1種の環状オレフィ
ンを含む特定量の成分(b)とがら形成される開環共重
合体を水素添加することを特徴としている。
本発明に係る水素化開環共重合体の製造方法で用いられ
る成分(a)を構成する環状オレフィンは下記式[r]
または[r’lで表わされる。
る成分(a)を構成する環状オレフィンは下記式[r]
または[r’lで表わされる。
・・ [1]
・・ [I ′]
ただし 上記式[1]において、nは0またはlであり
、好ましくはOである。また、mはOまたは正の整数で
あり、好ましくはO〜3である。
、好ましくはOである。また、mはOまたは正の整数で
あり、好ましくはO〜3である。
また上記式[I゛]において、pはOまたは1以上の整
数であり、好ましくはO〜3の整数である。
数であり、好ましくはO〜3の整数である。
そ17て、R1−R1*(式[Iコ)、またはR1−R
15(式[I’])は、それぞれ独立に、水素原子、ハ
ロゲン原子および炭化水素基よりなる群から選ばれる原
子もしくは基を表す。ここで、ハロゲン原子として1転
たとえば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨ
ウ素原子をあげることができる。
15(式[I’])は、それぞれ独立に、水素原子、ハ
ロゲン原子および炭化水素基よりなる群から選ばれる原
子もしくは基を表す。ここで、ハロゲン原子として1転
たとえば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨ
ウ素原子をあげることができる。
また、炭化水素基としては、それぞれ独立に 通常は炭
素原子数1〜6のアルキル基 炭素原子数3〜6のシク
ロアルキル基をあげることができ、アルキル基の具体的
な例としては メチル基 エチル基 イソプロピル基
イソブチル基 アミル基をあげることができ、シクロア
ルキル基の具体的な例として+t シクロヘキシル基
シクロプロピル基 シクロブチル基 シクロペンチル
基をあげることができる。また上記式[■°]では R
6(またはRe)とR9(またはR7)とは、炭素数1
〜3のアルキレン基を介して結合していてもよく、また
何の基も介さずに直接結合していてもよい。
素原子数1〜6のアルキル基 炭素原子数3〜6のシク
ロアルキル基をあげることができ、アルキル基の具体的
な例としては メチル基 エチル基 イソプロピル基
イソブチル基 アミル基をあげることができ、シクロア
ルキル基の具体的な例として+t シクロヘキシル基
シクロプロピル基 シクロブチル基 シクロペンチル
基をあげることができる。また上記式[■°]では R
6(またはRe)とR9(またはR7)とは、炭素数1
〜3のアルキレン基を介して結合していてもよく、また
何の基も介さずに直接結合していてもよい。
さらに、上記式[r]において、RIS〜R1eは互い
に結合して(共同して)単環または多環を形成していて
もよく、かつ該単環または多環が二重結合を有していて
もよい。また、R+sとR16とで、またはR1?とR
e8とでアルキリデン基を形成していてもよい。このよ
うなアルキリデン基は、通常は炭素原子数2〜4のアル
キリデン基をあげることができ、その具体的な例として
は、エチリデン基 プロピリデン基 イソプロピリデン
基およびイソブチリデン基をあげることができる。
に結合して(共同して)単環または多環を形成していて
もよく、かつ該単環または多環が二重結合を有していて
もよい。また、R+sとR16とで、またはR1?とR
e8とでアルキリデン基を形成していてもよい。このよ
うなアルキリデン基は、通常は炭素原子数2〜4のアル
キリデン基をあげることができ、その具体的な例として
は、エチリデン基 プロピリデン基 イソプロピリデン
基およびイソブチリデン基をあげることができる。
前記式[I]または[I°]で表される環状オレフィン
は、シクロペンタジェン類と、相応するオレフィン類あ
るいは環状オレフィン類とをディールス・アルダ−反応
により縮合させることにより容易に製造することができ
る。
は、シクロペンタジェン類と、相応するオレフィン類あ
るいは環状オレフィン類とをディールス・アルダ−反応
により縮合させることにより容易に製造することができ
る。
前記式[I]または[I°]で表される環状オレフィン
としては、具体的に1転 たとえば、CH。
としては、具体的に1転 たとえば、CH。
などのようなビシクロ[2,2,1]
ヘプト−2−エン誘
導体。
ン
5.10−ジメチルテトラ
CH。
CH。
−ドデセン
セン
一ドデセン
5、8.9.10−テトラメチ
(以下余白)
、’1l−3−ドデセン
8−メチル−9−エチルテ
8−クロロテトラシフ
−3−ドデセン
8−プロモチトラシフ
8−フルオロテトラシ
11]−3−ドデセン
1 @ ]−]3−ドデセ
ン−メチルテトラシフ
8−エチルテトラシフ
1・]−]3−ドデセ
ン−へキシルテトラシ
ロ、1〒1・]−]3−ドデセ
ン・ツー3−ドデセン
3
ドデセン
1@コー3−ドデセン
、12
s、1v、+@)−3−ドデセ
ン
ン
8−エチリデン−9−イソ
一ドデセン
12、s、1v、+・〕−〕3−ドデ
セ
ン、17・11]−3−ドデセン
8−n−プロピリデン−9
一ドデセン
8−インプロピリデン
一ドデセン
・目]−3−ドデセン
一ドデセン
などのテトラシクロ[4,4,0,125,17・11
]−3−ドデセ ン誘導体 (以下余白) 8−n−プロピリデン−9 [4,4,0,12・6,17.1・]−]3−ドデセ ン・]−]3−ドデセ ン−n−プロピリデン−9 [4,4,0,12 S、l?、Il]−3 −ドデセン 8−イソプロピリデン 12−メチルへキサシフ デセン デセン ヘプタデセン 15−工・チルオクタシフ 1 @ 、 Ql 、マ Q@ 、 l J ]−]4
−ヘプタデセ ンどのへキサシクロ[6,6,1,13・6,11+
2 、02 、? 、 Q@ などのオクタシクロ[8,8,0,129,14 t、1++、目、1 ・Ia ]−]4−ヘプタデセン誘導体;1@ 、 Q
3 、 @ 、 Ql 21γ]−5−トコセン誘導体
; トコセン 1マ]−5−トコセン などのへブタシクロ−5−イコセン誘導体あるl/11
1へブタシクロ−5−ヘンエイコセン誘導体:CH。
]−3−ドデセ ン誘導体 (以下余白) 8−n−プロピリデン−9 [4,4,0,12・6,17.1・]−]3−ドデセ ン・]−]3−ドデセ ン−n−プロピリデン−9 [4,4,0,12 S、l?、Il]−3 −ドデセン 8−イソプロピリデン 12−メチルへキサシフ デセン デセン ヘプタデセン 15−工・チルオクタシフ 1 @ 、 Ql 、マ Q@ 、 l J ]−]4
−ヘプタデセ ンどのへキサシクロ[6,6,1,13・6,11+
2 、02 、? 、 Q@ などのオクタシクロ[8,8,0,129,14 t、1++、目、1 ・Ia ]−]4−ヘプタデセン誘導体;1@ 、 Q
3 、 @ 、 Ql 21γ]−5−トコセン誘導体
; トコセン 1マ]−5−トコセン などのへブタシクロ−5−イコセン誘導体あるl/11
1へブタシクロ−5−ヘンエイコセン誘導体:CH。
セン
などノヘンタシクo [5,5,1,13,*、02.
r、Oe、Iaミコ ヘキサデセン誘導体; 5−メチル−トリシクロ などのトリシクロ[4,3,0,12 5]−3−デセン誘導体。
r、Oe、Iaミコ ヘキサデセン誘導体; 5−メチル−トリシクロ などのトリシクロ[4,3,0,12 5]−3−デセン誘導体。
コセン
1.6−シメチルベンタ
14.15−ジメチルベン
などのトリシクロ[4,4,0,12・5]−3−ウン
デセン誘導体; などのペンタシクロ[6,5,1,1”・6.02?
、 Qll 、 ! 3 ’J −4゜ペンタデセン誘
導体; などのジエン化合物; メチル置換ペンタコ 21.13.21.Q目、1@、11 !@] −5−ベンタコセン などのペンタシクロ [4,7,0,1”・5.OB +3,1l12] −3−ペンタデセン誘導体 −5−ベンタコセン コセン などのノナシクロ [9,10,1,1’ 1、Q’J#、Q2 1・、012 .21.11コ 21、Q10 19.115 18] −5−ベンタコセン誘導 体等を挙げることができる。
デセン誘導体; などのペンタシクロ[6,5,1,1”・6.02?
、 Qll 、 ! 3 ’J −4゜ペンタデセン誘
導体; などのジエン化合物; メチル置換ペンタコ 21.13.21.Q目、1@、11 !@] −5−ベンタコセン などのペンタシクロ [4,7,0,1”・5.OB +3,1l12] −3−ペンタデセン誘導体 −5−ベンタコセン コセン などのノナシクロ [9,10,1,1’ 1、Q’J#、Q2 1・、012 .21.11コ 21、Q10 19.115 18] −5−ベンタコセン誘導 体等を挙げることができる。
(以下余白)
1]
−4−エイコセン
などのへブタシクロ
[7,8,0,13
8、Q2.T、11・
17.0
+1.1,112
15]
−4−エイコセン誘導体;
そしてさらに田
5−フェニル−ビシクロ[
−2−エン
また、本発明に係る水素化開環共重合体の製造方法に用
いられる成分(b)を槽底する環状オレフィンは、以下
の一般式[n]で表わされる。
いられる成分(b)を槽底する環状オレフィンは、以下
の一般式[n]で表わされる。
を挙げることができる。
(以下余白)
[■]
ただし、上記式[]]において、tは3以上の整数であ
り、好ましくは3〜10の整数である。
り、好ましくは3〜10の整数である。
そして、RIGおよびR211は、それぞれ独立に水素
原子、ハロゲン原子および炭化水素基よりなる群から選
ばれる原子もしくは基を表わす。また、複数回繰り返さ
れる RIG−C−R2@は同一または異なっていても
よい。ハロゲン原子としては、たとえNfl フッ素
原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子をあげるこ
とができる。また、炭化水素基としては、それぞれ独立
に、通常は炭素原子数1〜6のアルキル基をあげること
ができ、アルキル基の具体的な例としては、メチル基
エチル五 プロピル基 ブチル基 イソブチル基 ヘプ
チル基 ヘキシル基などをあげることができる。
原子、ハロゲン原子および炭化水素基よりなる群から選
ばれる原子もしくは基を表わす。また、複数回繰り返さ
れる RIG−C−R2@は同一または異なっていても
よい。ハロゲン原子としては、たとえNfl フッ素
原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子をあげるこ
とができる。また、炭化水素基としては、それぞれ独立
に、通常は炭素原子数1〜6のアルキル基をあげること
ができ、アルキル基の具体的な例としては、メチル基
エチル五 プロピル基 ブチル基 イソブチル基 ヘプ
チル基 ヘキシル基などをあげることができる。
このような−数式[n]で示されるモノマー成分として
鷹 例えIf、 シクロペンテン、シクロヘプテン、
シクロオクテン、シクロノネン、シクロデセン、メチル
シクロペンテン、メチルシクロヘプテン、メチルシクロ
オクテン、メチルシクロノネン、メチルシクロデセン、
エチルシクロペンテン、エチルシクロヘプテン、エチル
シクロオクテン、ジメチルシクロペンテン、ジメチルシ
クロヘプテン、ジメチルシクロオクテン、 トリメチル
シクロデセンなどの環状オレフィンが挙げられる。
鷹 例えIf、 シクロペンテン、シクロヘプテン、
シクロオクテン、シクロノネン、シクロデセン、メチル
シクロペンテン、メチルシクロヘプテン、メチルシクロ
オクテン、メチルシクロノネン、メチルシクロデセン、
エチルシクロペンテン、エチルシクロヘプテン、エチル
シクロオクテン、ジメチルシクロペンテン、ジメチルシ
クロヘプテン、ジメチルシクロオクテン、 トリメチル
シクロデセンなどの環状オレフィンが挙げられる。
なお、前記−数式[r]、 [l’コ3よび[■コで示
される環状オレフィンは単なる例示であって、これら以
外にも、これら−数式で[I]、 [I]および[n]
で示されるものであれば使用可能である。
される環状オレフィンは単なる例示であって、これら以
外にも、これら−数式で[I]、 [I]および[n]
で示されるものであれば使用可能である。
本発明で1丸 上記−数式[I]または[■′]で表わ
される環状オレフィンの1種または2種以上よって成分
(a)が構成される。また、上記−数式[n]で表わさ
れる環状オレフィンの1種または2種以上によって、成
分(b)が構成される。
される環状オレフィンの1種または2種以上よって成分
(a)が構成される。また、上記−数式[n]で表わさ
れる環状オレフィンの1種または2種以上によって、成
分(b)が構成される。
本発明に係る方法で用いられる開環重合体14このよう
な成分(a)を50〜100モル%未鳳好ましくは60
〜98モル%の量で用い、成分(b)をOを超え、50
モル%以下、好ましくは2〜40モル%の量で用いるこ
とにより形成される。
な成分(a)を50〜100モル%未鳳好ましくは60
〜98モル%の量で用い、成分(b)をOを超え、50
モル%以下、好ましくは2〜40モル%の量で用いるこ
とにより形成される。
本発明に係る方法で1叡 このような開環共重合体中に
おいて、前記式[I]、 [I゛]および[I[]で表
される環状オレフィンから導かれる構成単位は下記式[
I−a]、 [r ’−alおよび[n −a]で表さ
れる構造の繰り返し単位を形成していると考えられる。
おいて、前記式[I]、 [I゛]および[I[]で表
される環状オレフィンから導かれる構成単位は下記式[
I−a]、 [r ’−alおよび[n −a]で表さ
れる構造の繰り返し単位を形成していると考えられる。
(以下余白)
[x−a]
(式中、m、nおよびRI〜R+sは前記式[エコにお
ける定義と同様である。) ・ [z’−a] (式中、p、 q、 rおよびR1−R1は前記式
[I’]における定義と同様である。)I9 − (C) tCH=CH− 21 ・・・ [n−a] (式中、t、R1@〜R2mは前記式[n]における定
義と同様である。) このような開環共重合体IL 前記成分(a)と、前
記成分(b)とを原料とL 通常の環状オレフィンの開
環重合法により開環共重合させることにより製造できる
。この場合、重合触媒としてl& 例えIAルテニウ
ム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、
白金、モリブデン、タングステン等のハロゲン化執 硝
酸塩もしくはアセチルアセトン化合物と有機スズ化合瓢
アルコール等の還元剤からなる爪 またはチタン、バ
ナジウムネジルコニウム、タングステン、モリブデン等
のハロゲン化物もしくはアセチルアセトン化合物と有機
アルミニウム等とからなる系などを用いることができる
。
ける定義と同様である。) ・ [z’−a] (式中、p、 q、 rおよびR1−R1は前記式
[I’]における定義と同様である。)I9 − (C) tCH=CH− 21 ・・・ [n−a] (式中、t、R1@〜R2mは前記式[n]における定
義と同様である。) このような開環共重合体IL 前記成分(a)と、前
記成分(b)とを原料とL 通常の環状オレフィンの開
環重合法により開環共重合させることにより製造できる
。この場合、重合触媒としてl& 例えIAルテニウ
ム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、
白金、モリブデン、タングステン等のハロゲン化執 硝
酸塩もしくはアセチルアセトン化合物と有機スズ化合瓢
アルコール等の還元剤からなる爪 またはチタン、バ
ナジウムネジルコニウム、タングステン、モリブデン等
のハロゲン化物もしくはアセチルアセトン化合物と有機
アルミニウム等とからなる系などを用いることができる
。
生成する開環共重合体の分子量1九 開環共重合時にエ
チレン、プロピレン、ブテン−L ヘキセン−1などの
a−オレフィンを添加して調節することができる。
チレン、プロピレン、ブテン−L ヘキセン−1などの
a−オレフィンを添加して調節することができる。
上記により得られる開環共重合体の水素添加1九常の水
素添加方法により行われる。水素添加触媒としてIL、
オレフィン化合物の水素添加に際して使用されてい
るものが一般に使用可能である。
素添加方法により行われる。水素添加触媒としてIL、
オレフィン化合物の水素添加に際して使用されてい
るものが一般に使用可能である。
具体的に店 不均一系触媒としては ニッケル、パラジ
ウム、白金a またはこれらの金属をカーボン、シリカ
、ケイソウ土、アルミナ、酸化チタン等の担体に担持さ
せた固体触媒などがあり、例えばニッケル/シリカ、ニ
ッケル/ケイソウ土、パラジウム/カーボン、パラジウ
ム/シリカ、パラジウム/ケイソウ土、パラジウム/ア
ルミナ等が挙げられる。また均一系触媒としてil
周期律表第■族の金属を基体とするものがあり、例えば
ナフテン酸ニッケル/トリエチルアルミニウム、オクテ
ン酸コバルト/n−ブチルリチウム、ニッケルアセチル
アセトネート/トリエチルリアルミニウムなどのNi、
Co化合物と周期律表第■〜m族金属の有機金属化合物
からなるもの、あるいはRh化合物などが挙げられる。
ウム、白金a またはこれらの金属をカーボン、シリカ
、ケイソウ土、アルミナ、酸化チタン等の担体に担持さ
せた固体触媒などがあり、例えばニッケル/シリカ、ニ
ッケル/ケイソウ土、パラジウム/カーボン、パラジウ
ム/シリカ、パラジウム/ケイソウ土、パラジウム/ア
ルミナ等が挙げられる。また均一系触媒としてil
周期律表第■族の金属を基体とするものがあり、例えば
ナフテン酸ニッケル/トリエチルアルミニウム、オクテ
ン酸コバルト/n−ブチルリチウム、ニッケルアセチル
アセトネート/トリエチルリアルミニウムなどのNi、
Co化合物と周期律表第■〜m族金属の有機金属化合物
からなるもの、あるいはRh化合物などが挙げられる。
前記開環共重合体の水素添加1九 触媒の種類に応じて
均一系または不均一系において、1〜150気圧の水素
圧下に、0〜180℃、好ましくは20〜100℃の温
度範囲で行われる。水素添加率Gi、水素圧、反応温度
、反応時間、触媒濃度などにより調節することが可能で
ある。水素添加物が優れた耐熱劣化性および耐光劣化性
を示すためには重合体中の主鎖二重結合の50%以上、
好ましくは80%以上 さらに好ましくは90%以上が
水素添加されることが好ましい。
均一系または不均一系において、1〜150気圧の水素
圧下に、0〜180℃、好ましくは20〜100℃の温
度範囲で行われる。水素添加率Gi、水素圧、反応温度
、反応時間、触媒濃度などにより調節することが可能で
ある。水素添加物が優れた耐熱劣化性および耐光劣化性
を示すためには重合体中の主鎖二重結合の50%以上、
好ましくは80%以上 さらに好ましくは90%以上が
水素添加されることが好ましい。
このようにして得られる水素化開環共重合体は、光学材
料として用いることができる。例えば滋養基共重合体を
光デイスク用基板に用いると、従来のポリメチルメタク
リレート系の耐熱性や耐水性の間急 ポリカーボネート
系の複屈折性、寸法安定性、耐水性の問題を一気に解決
する光デイスク用基板を提供することになる。したがっ
て、本発明の重合体からなるディスク用基板に公知の種
々の方法で記録層を積層したものはコンパクトディスク
、ビデオディスク、追記型光ディスク、書換型光ディス
ク、光磁気ディスクとして利用できる。
料として用いることができる。例えば滋養基共重合体を
光デイスク用基板に用いると、従来のポリメチルメタク
リレート系の耐熱性や耐水性の間急 ポリカーボネート
系の複屈折性、寸法安定性、耐水性の問題を一気に解決
する光デイスク用基板を提供することになる。したがっ
て、本発明の重合体からなるディスク用基板に公知の種
々の方法で記録層を積層したものはコンパクトディスク
、ビデオディスク、追記型光ディスク、書換型光ディス
ク、光磁気ディスクとして利用できる。
また同様な記録方式を用いる光カード用材料としても利
用できる。
用できる。
より具体的に本発明の重合体を用いた光ディスクについ
て説明すると、前述の重合体を情報ピットに対応する凹
凸を有するスタンパ−をセットした金型より射出成形し
て得られた基板に、反射率の高い物質たとえばNiS
AQ、Au等をコーティングして、レーザ光の反射を利
用して情報を読み出す再生専用のディスク、あるいは情
報記録層として通常のレコード板と同じように溝を用い
、溝と接触して走査するヘッドと溝低部に設けられた情
報ピットとの間の静電容量変化を利用して情報を読み出
す再生専用ディスク、さらに光によって変化する記録層
を設けた光ディスクなどがある。
て説明すると、前述の重合体を情報ピットに対応する凹
凸を有するスタンパ−をセットした金型より射出成形し
て得られた基板に、反射率の高い物質たとえばNiS
AQ、Au等をコーティングして、レーザ光の反射を利
用して情報を読み出す再生専用のディスク、あるいは情
報記録層として通常のレコード板と同じように溝を用い
、溝と接触して走査するヘッドと溝低部に設けられた情
報ピットとの間の静電容量変化を利用して情報を読み出
す再生専用ディスク、さらに光によって変化する記録層
を設けた光ディスクなどがある。
光変化型の記録層としてl気A s −T e −G
e系のようにレーザ光照射による非晶−結晶の相変化か
らくる光反射取 光透過率の変化を利用するもの、同じ
く相変化を利用するTeox (0<X<2)、あるい
はGdCo、T b F e。
e系のようにレーザ光照射による非晶−結晶の相変化か
らくる光反射取 光透過率の変化を利用するもの、同じ
く相変化を利用するTeox (0<X<2)、あるい
はGdCo、T b F e。
GdTbFe、TbDyFeのように磁化反転を利用し
たもの、また別には有機色素なども利用できる。
たもの、また別には有機色素なども利用できる。
また重合体をコア眉またはクラッド層とし 公知の種々
の光フアイバー材料と組み合わせて光フアイバー 光フ
アイバー用コネクター アレイ状光ファイバーとして利
用してもよい。とくにクラッド層として用いると耐水性
、耐熱性、耐薬品性、耐溶剤性等に優れるので、コア層
を充分に保護し従来のポリメチルメタクリレート系では
到達不可能であった高温部での使用が可能になる。光フ
ァイバーを構成するとき、コア層またはクラッド層とな
る他のプラスチックとして昧 ポリメチルメタクリレー
トおよびその誘導本 フッ素系重合本ポリ4−メチルペ
ンテン−1およびそのコポリマーポリアリレーンなどが
あり、接着性改良のため添加剤を配合したり、これらを
変性したり、変性物を配合したりしてもよい。
の光フアイバー材料と組み合わせて光フアイバー 光フ
アイバー用コネクター アレイ状光ファイバーとして利
用してもよい。とくにクラッド層として用いると耐水性
、耐熱性、耐薬品性、耐溶剤性等に優れるので、コア層
を充分に保護し従来のポリメチルメタクリレート系では
到達不可能であった高温部での使用が可能になる。光フ
ァイバーを構成するとき、コア層またはクラッド層とな
る他のプラスチックとして昧 ポリメチルメタクリレー
トおよびその誘導本 フッ素系重合本ポリ4−メチルペ
ンテン−1およびそのコポリマーポリアリレーンなどが
あり、接着性改良のため添加剤を配合したり、これらを
変性したり、変性物を配合したりしてもよい。
その他の利用例としてプラスチックレンズがある。これ
は球面レンズ、平面レンズなど種々の形状が考えられる
。このレンズは眼鏡用のほか天眼範 ルーへ 自動車野
次転写のライトまたはランプに使用するフルネルレンズ
など各種の分野で利用が可能である。
は球面レンズ、平面レンズなど種々の形状が考えられる
。このレンズは眼鏡用のほか天眼範 ルーへ 自動車野
次転写のライトまたはランプに使用するフルネルレンズ
など各種の分野で利用が可能である。
また光分波銖 光導波路、0EIC用基板 光フィルタ
ーなどのオプトエレクトロニクス用の光学材料として利
用してもよい。さらには−数的な光学用フィルム素材と
しての応用も可能であり、建築物の窓ガラス、自転車ガ
ラス、鉄道あるいは飛行機 船舶の窓ガラスといった分
野へも利用できる。
ーなどのオプトエレクトロニクス用の光学材料として利
用してもよい。さらには−数的な光学用フィルム素材と
しての応用も可能であり、建築物の窓ガラス、自転車ガ
ラス、鉄道あるいは飛行機 船舶の窓ガラスといった分
野へも利用できる。
免里立羞(
本発明に係る水素化開環共重合体の製造方法1丸上記−
数式[tlまたは[I°]で表される少なくとも1種の
環状オレフィンを含む成分(a)が50〜100モル%
未諏 および下記−数式[I[]で表される少なくとも
1種の環状オレフィンを含む成分(b)がOを超え、5
0モル%以下、から形成される開環共重合体を水素添加
して水素化開環共重合体を製造している。また、本発明
に係る光学材料4L このような方法により得られた
水素化開環重合体を用いている。従って、本発明によれ
E 寸法精度が優れるので所期の目的寸法に沿った製
品とでき、歪みによる光学特性の変調がなく、耐熱性に
優れるので高温部ないしその付近での使用が可能であり
、耐薬品性、耐溶剤性に優れるので取扱性に優札 耐水
性に優れるので、防水処置を施す必要がなく、熱可塑性
であるので、通常のプラスチック溶融成形法が適用でき
、かつガラス転移温度が低く耐衝撃性に優れた水素化開
環共重合体および光学材料を提供することができる。
数式[tlまたは[I°]で表される少なくとも1種の
環状オレフィンを含む成分(a)が50〜100モル%
未諏 および下記−数式[I[]で表される少なくとも
1種の環状オレフィンを含む成分(b)がOを超え、5
0モル%以下、から形成される開環共重合体を水素添加
して水素化開環共重合体を製造している。また、本発明
に係る光学材料4L このような方法により得られた
水素化開環重合体を用いている。従って、本発明によれ
E 寸法精度が優れるので所期の目的寸法に沿った製
品とでき、歪みによる光学特性の変調がなく、耐熱性に
優れるので高温部ないしその付近での使用が可能であり
、耐薬品性、耐溶剤性に優れるので取扱性に優札 耐水
性に優れるので、防水処置を施す必要がなく、熱可塑性
であるので、通常のプラスチック溶融成形法が適用でき
、かつガラス転移温度が低く耐衝撃性に優れた水素化開
環共重合体および光学材料を提供することができる。
[実施例コ
以下、本発明を実施例により説明する7!l(、本発明
はこれら実施例に限定されるものではない。
はこれら実施例に限定されるものではない。
失速1ユ
(開環共重合体の製造)
テトラシクロ[4,4,0,12・s、1テ+s]−3
−ドデセン(以下TCDと略称)とシクロペンテンとの
開環共重合反応を以下の条件で行つtう すなわち攪拌翼を備えた500m1ガラス製重合器にト
ルxン220mL TCD 100rBXS シク
ロペンテン20m1.1−ヘキセン1In1、六塩化タ
ングステン0.4gおよびテトラフェニルスズ0.43
gを加え、 40℃で1時間重合を行っtう得られた
反応溶液を塩酸水で洗浄後、大量のメタノール中で沈澱
させ、これを回収して、減圧下に一昼夜乾燥し九 得ら
れた開環共重合体の30℃トルエン中における極限粘度
[ηコは0.48dl/g% +3C−NMR分析によ
るTCD含量は95モル%であった (水素添加反応) 次に以下の条件で水素添加反応を行ったすなわち開環共
重合体10gのテトラヒドロフラン溶液100m1、お
よびPdをシリカに1.8重量%担持させた水素添加触
媒1gをステンレス製オートクレーブに装入獣 水素圧
50kg/□□□2G。
−ドデセン(以下TCDと略称)とシクロペンテンとの
開環共重合反応を以下の条件で行つtう すなわち攪拌翼を備えた500m1ガラス製重合器にト
ルxン220mL TCD 100rBXS シク
ロペンテン20m1.1−ヘキセン1In1、六塩化タ
ングステン0.4gおよびテトラフェニルスズ0.43
gを加え、 40℃で1時間重合を行っtう得られた
反応溶液を塩酸水で洗浄後、大量のメタノール中で沈澱
させ、これを回収して、減圧下に一昼夜乾燥し九 得ら
れた開環共重合体の30℃トルエン中における極限粘度
[ηコは0.48dl/g% +3C−NMR分析によ
るTCD含量は95モル%であった (水素添加反応) 次に以下の条件で水素添加反応を行ったすなわち開環共
重合体10gのテトラヒドロフラン溶液100m1、お
よびPdをシリカに1.8重量%担持させた水素添加触
媒1gをステンレス製オートクレーブに装入獣 水素圧
50kg/□□□2G。
50℃で20時間反応を行つあ
得られた反応液から溶媒を留去した後、シクロヘキサン
に溶解して大量のメタノール中で再沈させ、減圧下に一
昼夜乾燥し九 得られた水素化開環共重合体の物性を表1に示し九 裏農里に」
に溶解して大量のメタノール中で再沈させ、減圧下に一
昼夜乾燥し九 得られた水素化開環共重合体の物性を表1に示し九 裏農里に」
Claims (2)
- (1)下記一般式[ I ]または[ I ′]で表される少
なくとも1種の環状オレフィンを含む成分(a)50〜
100モル%未満、および 下記一般式[II]で表される少なくとも1種の環状オレ
フィンを含む成分(b)0を超え、50モル%以下、 から形成される開環共重合体を水素添加することを特徴
とする水素化開環共重合体の製造方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼…[ I ] (式中、nは0または1であり、mは0または正の整数
であって、 R^1〜R^1^8は、それぞれ独立に、水素原子、ハ
ロゲン原子および炭化水素基よりなる群から選ばれる原
子もしくは基を表し、 R^1^5〜R^1^8は、互いに結合して単環または
多環を形成していてもよく、かつ該単環または多環が二
重結合を有していてもよく、 また、R^1^5とR^1^6とで、またはR^1^7
とR^1^8とでアルキリデン基を形成していてもよい
。) ▲数式、化学式、表等があります▼…[ I ′] (式[ I ′]中、pは0または1以上の整数であり、
qおよびrは、0、1または2であり、R^1〜R^1
^5はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、脂肪族
炭化水素基、および芳香族炭化水素基よりなる群から選
ばれる原子もしくは基を表し、R^5(またはR^6)
とR^9(またはR^7)とは、炭素数1〜3のアルキ
レン基を介して結合していてもよく、また何の基も介さ
ずに直接結合していてもよい。) ▲数式、化学式、表等があります▼…[II] (式[II]中、tは3以上の整数であり、 R^1^9およびR^2^0は、それぞれ独立に水素原
子、ハロゲン原子および炭化水素基よりなる群から選ば
れる原子もしくは基を表し、 複数回繰り返されるR^1^9−C−R^2^0は同一
または異なっていてもよい。) - (2)請求項第1項に記載の方法で製造された光学材料
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2091391A JPH03290429A (ja) | 1990-04-06 | 1990-04-06 | 水素化開環共重合体の製造方法および光学用材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2091391A JPH03290429A (ja) | 1990-04-06 | 1990-04-06 | 水素化開環共重合体の製造方法および光学用材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03290429A true JPH03290429A (ja) | 1991-12-20 |
Family
ID=14025081
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2091391A Pending JPH03290429A (ja) | 1990-04-06 | 1990-04-06 | 水素化開環共重合体の製造方法および光学用材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03290429A (ja) |
-
1990
- 1990-04-06 JP JP2091391A patent/JPH03290429A/ja active Pending
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