JPH03290427A - 半導体封止用樹脂組成物および装置 - Google Patents

半導体封止用樹脂組成物および装置

Info

Publication number
JPH03290427A
JPH03290427A JP2092864A JP9286490A JPH03290427A JP H03290427 A JPH03290427 A JP H03290427A JP 2092864 A JP2092864 A JP 2092864A JP 9286490 A JP9286490 A JP 9286490A JP H03290427 A JPH03290427 A JP H03290427A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
parts
epoxy
glycidyl ether
hydrogenated
polybutadiene
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2092864A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Hayashi
博史 林
Yuichi Fujii
雄一 藤井
Motoyuki Suzuki
基之 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Sanyo Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Chemical Industries Ltd filed Critical Sanyo Chemical Industries Ltd
Priority to JP2092864A priority Critical patent/JPH03290427A/ja
Publication of JPH03290427A publication Critical patent/JPH03290427A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体封止用樹脂組成物および装置に関する
〔従来の技術〕
近年、半導体素子の高密度化、大型化に伴い樹脂にて封
止した場合、チップやリードフレームと封止樹脂との線
膨張率の差による熱応力により、チップにクラックが生
じたり、ボンディング線が切断されるなど、半導体部品
の信頼性が低下するという問題点がある。この熱応力を
低減する基材として、少なくとも1ヶ以上のカルボキシ
ル基、ヒドロキシル基またはエポキシ基を有する!、4
−ボリブタジェンゴムを配合する方法(例えば、特公昭
63−51447号公報)が知られている。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、l、4−ポリブタジェンゴムを使用する
方法は、高温時に酸化されるなど耐熱性に劣る。
〔課題を解決するための手段〕
本発明者らは、耐熱性のすぐれた、熱応力を低減する半
導体封止用樹脂組成物について鋭意検討した結果、本発
明に到達した。
即ち本発明は水素化された共役ジエン重合体のグリシジ
ルエーテル(I)と分子内にエポキシ基を含有するポリ
ブタジエン(II)とエポキシ樹脂(DI)とフェノー
ル系化合物のホルムアルデヒド反応物(IV)とを必須
成分とする半導体封止用樹脂組成物:および請求項1〜
6のいずれか記載の樹脂組成物を用いて半導体素子を封
止してなる半導体装置である。
(m) 17)エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフ
ェノール型エポキシ樹脂(たとえばビスフェノールAの
ジグリシジルエーテル)、フェノールノボラック型エポ
キシ樹脂(たとえばフェノールノボラックのポリグリシ
ジルエーテル、アルキルベンゼン変性フェノールノボラ
ックのポリグリシジルエーテル)、タレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂(たとえばオルトクレゾールノボラッ
クのポリグリシジルエーテル)、フェノール型エポキシ
樹脂(たとえばレゾルシンのジグリシジルエーテル、バ
ラアミノフェノールのトリグリシジルエーテル、フロロ
グリシンのジグリシジルエーテル、メチルフロログリシ
ンのジグリシジルエーテル)、芳香族エポキシ樹脂[1
,3,5−トリ(l、2−エポキシエチル)ベンゼン、
4.4’−ジ(1,2−エポキシエチル)ジフェニルエ
ーテル、4.4’−(1,2−エポキシエチル)ビフェ
ニルコ、環式脂肪族エポキシ樹脂[3,4−エポキシシ
クロヘキシルメチル−(3,4−エポキシ)シクロヘキ
サンカルホキシレー)、2.2−ビス(3,4−エポキ
シシクロヘキシル)プロパン、2−(3,4−エポキシ
)シクロヘキサン−5,5−スピロ(3,4−エポキシ
)シクロヘキサン−1ジオキサン、ビス−(3,4−エ
ポキシ−6−メチルンクロヘキシル)アジペート、N、
N’−11−フェニレンビス(4,5−エポキシ−1,
2−シクロヘキサン)ジカルボキシイミドコ、その他の
エポキシ樹脂[ブタジエンジェポキサイド、トリメチロ
ールプロパンのジーおよびトリーグリシジルエーテル、
グリセリンのジーおよびトリーグリシジルエーテル、ビ
ス−(2,3−エポキシシクロペンチル)エーテルなど
コなどが挙げられる。好ましくはフェノールノボラック
型エポキシ樹脂及びクレゾールノボラック型エポキシ樹
脂である。
(III)の分子量は通常100〜15(1G、好まし
くは200〜1000である。
(III)のエポキシ当量は通常50−1000g/e
qs  好ましくは100〜300g/eqである。
(IV)のフェノール系化合物のホルムアルデヒド反応
物に使用されるフェノール系化合物としては、フェノー
ル、クレゾール、キシレノール、ビスフェノールA1 
 ビスフェノールF1  レゾルシン、カテコール、ハ
イドロキノン、ピロガロールナトが挙げられ、好ましく
はフェノールおよびクレゾールである。
(IV)はフェノール系化合物とホルムアルデヒドとを
酸性触媒下で縮合反応させることによって得られる。反
応温度は、通常50−100”C1反応時間は通常1〜
10時間である。
(IV)の分子量は通常200〜+ 500.  好ま
しくは300〜1000である。
(I)の水素化された共役ジエン重合体のグリシジルエ
ーテルにおいて、共役ジエン重合体としては共役ジエン
ホモ重合体、共役ジエン共重合体、および共役ジエン−
オレフィン系炭化水素共重合体があげられる。
共役ジエンホモ重合体のグリシジルエーテルとしては、
水素化されたブタジェン重合体のグリシジルエーテル(
水添ポリブタジェングリコールのグリシジルエーテルな
ど)、水素化されたイソプレン重合体のグリシジルエー
テル(水添ポリイソプレングリコールのグリシジルエー
テルなど)および水添ポリ1,3−ペンタジェングリコ
ールのグリシジルエーテルおよび水添ポリシクロベンタ
ジェングリコールのグリシジルエーテルが挙げられる。
これらのほかにトリオール、モノオールのグリシジルエ
ーテルを用いてもよい。
共役ジエン共電・合体のグリシジルエーテルとしては、
水素化された、ブタジェンとイソプレンの共重合体のグ
リシジルエーテル[水添ポリ(ブタジェン−イソプレン
)グリコールのグリシジルエーテルおよびトリオール、
モノオールのグリシジルエーテルコがあげられる。
共役ジエン−オレフィン系炭化水素共重合体のグリシジ
ルエーテルとしては、水添ポリ(ブタジェン−スチレン
)グリコールのグリシジルエーテルおよび水添ポリ(イ
ソプレン−スチレン)グリコールのグリシジルエーテル
があげられる。これらのうち好ましくは水添ポリブタジ
ェングリコールのグリシジルエーテルおよび水添ポリイ
ソプレングリコールのグリシジルエーテルである。
ブタジェン(共)重合体のブタジェン骨格には1.2−
ブタジエン、l、4−ブタジエンが存在するが、通常ど
ちらを含んでいてもよく、任意の割合で両者を含んでい
てもよい。好ましくは!、2−ブタジエン骨格を70%
以上含有するものであり、さらに好ましくは85%以上
の1.2−ブタジエン骨格を含有するものである。
グリシジルエーテルの製法としては、従来知られている
1段法及び2段法のどちらの方法でも構わない。1段法
は、水素化された水酸基含有共役ジエン重合体を苛性ア
ルカリの存在下に通常、30〜70℃においてエピクロ
ルヒドリンと反応させることにより、合成することが出
来る。
2段法は、触媒の存在下、水素化された水酸基含有共役
ジエン重合体とエピクロルヒドリンを付加反応させ、つ
いで苛性アルカリを加え脱塩化水素化することにより合
成することができる。好ましくは全塩素含量の少ない1
段法である。
グリシジルエーテル(I)の平均分子量は、通常500
〜10000、好ましくは、1000〜5000である
500未満では、熱応力低減効果が十分でなく、100
00を越えると封止用樹脂組成物としたときの系に対す
る溶解度が十分でなく、熱応力低減効果を発揮できない
(I)のエポキシ当量は通常200−1000θg/e
Q1好ましくは500〜5000g/eqである。
(n)の分子内にエポキシ基を含有するポリブタジェン
は分子内の二重結合がエポキシ化された内部エポキシ基
を1個以上有するポリブタジェンである。 (II)の
平均分子量は500〜10000、好ましくは500〜
5000である。 (II)のエポキシ当量は100〜
600が好ましい。
本発明において(I)、(I[)及び(III)の合計
エポキシ基と(IV)におけるフェノール性水酸基の当
量比は、通常、1:  0.6〜1.4好ましくは1:
0.75〜1.25である。0.6未満でも1.25を
越えてもエポキシ基とフェノール性水酸基硬化反応のバ
ランスが悪く、十分な強度の硬化物が得られない。
又、本発明における(I)及び(II)の合計量は、 
(I)、 (n)、 (m)及び(IV)の合計重量に
基づいて通常1〜100重量%、好ましくは2〜50重
量%である。1%未清では、応力低減効果が十分でなく
、また100%を越えると耐熱性が不十分である。
又、本発明における(I)と(II)の量比は重量比で
通常1:  1/10〜101 好ましくは1:115
〜5である。
本発明の樹脂組成物には硬化促進剤を配合することが出
来る。硬化促進剤としては、トリフェニルホスフィン、
亜リン酸トリフェニル等のリン系化合物類、2−メチル
イミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−ウンデ
シルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、2
−エチル−4−メチルイミダゾール、等のイミダゾール
類、2−(ジメチルアミノメチル)フェノール、2,4
.G、−)リス(ジメチルアミノメチル)フェノール、
ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルメチルア
ミン、l、8−ジアザビシクロ(S、4.0)ウンデセ
ン−7等の第3級アミン類が挙げられる。
硬化促進剤の添加量は(I[[)の100重量部に対し
、通常0. 1〜5.0重量部、好ましくは0゜2〜3
. 0重量部である。
また、本発明には、必要に応じて、例えば結晶性シリカ
粉、石英ガラス粉、アルミナ等の充填剤、高級脂肪酸ま
たはその金属塩、天然ワックス、合成ワックス、パラフ
ィンなどの離型剤、エポキシシラン、ビニルシラン等の
カップリング剤あるいは、アンチモンリン化合物等の難
燃化剤を使用することが出来る。
充填剤の添加量は(III)の100重量部に対し、通
常200〜800重量部である。離型剤、カップリング
剤および難燃化剤の添加量はそれぞれ(■)の100重
量部に対し、通常0.1〜5重量部である。
本発明における半導体封止用樹脂組成物の製造法は、 
(I)、 (n)、 (III)、 (IV)およびそ
の他の添加剤を同時に配合する方法[A:I、(I)と
(n)及び(IV)をあらかじめ反応させ、その予備反
応物と(III)およびその他の添加剤を配合する方法
[Bコ、(I)と(IV)をあらかじめ反応させ、その
予備反応物と(II)、(III)およびその他の添加
剤を配合する方法[C]、(II)と(IV)をあらか
じめ反応させ、その予備反応物と(I)と(III)お
よびその他の添加剤を配合する方法[Dコ、 (I)と
(IV)の予備反応物、 (II)と(IV)の予備反
応物、 (■)およびその他の添加剤を配合する方法[
E]が挙げられる。好ましくは[Bコの方法である。
(I)と(n)および(IV)との予備反応は(I)と
(II)および(IV)の混合物に触媒としてリン系化
合物、アミン系化合物あるいはイミダゾール系化合物な
どを加え窒素雰囲気下で通常100〜170℃、1〜2
0時間の条件で行うことが出来る。
同様に(I)と(IV)との予備反応、 (■)と(m
V)との予備反応も上記の方法で行うことができる。
このようにして得られた配合物を加熱ロールなどの混線
機で混練後、冷却、粉砕し必要に応じて打錠するという
一連の工程を経ることにより本発明の樹脂組成物を得る
ことができる。
本発明の樹脂組成物は必要により部分的に硬化(Bステ
ージ、半硬化状態)させて使用することができる。この
部分的な硬化は通常50〜150℃、5分〜5時間の条
件で行うことができる。
本発明の樹脂組成物を用いての半導体素子の封止は特に
限定されるものではなく、通常の方法、例えばトランス
ファー成形などの公知のモールド法により行うことがで
きる。トランスファー成形の場合、圧力は通常50〜9
0kg/cm’、温度は通常160〜200℃、時間は
通常60秒〜180秒である。このようにして得られた
(樹脂封止)半導体装置は封止樹脂の内部応力が小さく
パッケージクラックの発生数を低減させる。
[実施例] 以下、実施例により本発明をさらに説明するが、本発明
はこれに限定されるものではない。実施例および製造例
中の部は重量部である。
製造例1 (グリシジルエーテルノ合成) 水添ポリイソプレングリコール(PIF−H1平均分子
量2500、出光石油化学(株)製)  100部、エ
ピクロルヒドリン35部、粒状水酸化ナトリウム16部
、ベンジルトリメチルアンモニウムクロリド1部及びト
ルエン50部を仕込み、激しく撹拌しながら窒素雰囲気
下で50℃、5時間反応させた。反応後、水100部を
加え10分攪拌して水洗した。静置後、上層を分液し、
濾過後、過剰のエピクロルヒドリンとトルエンを減圧除
去し、残渣として水添ポリイソプレングリコールのグリ
シジルエーテル(イ)90部を得た。このグリシジルエ
ーテルのエポキシ当量はl650であった。
製造例2 (グリシジルエーテルの合成) 水添ポリイソプレングリコール(PIF−B、  平均
分子量2500、出光石油化学(株)製)100部、エ
ピクロルヒドリン9部、三フッ化ホウ素ジエチルエーテ
ル錯体0.15部およびトルエン50部を仕込み、激し
く攪拌しながら窒素雰囲気下で55℃、5時間付加反応
させた。その後、48%水酸化す) IJウム水溶液3
.5部を加え65℃、5時開閉環反応させた。反応後、
水100部を加え、あとの操作は製造例1と同様に行い
水添ポリイソプレングリコールのグリシジルエ−チル(
ロ)95部を得た。このグリシジルエーテルのエポキシ
当量は1430であった。
製造例3 (グリシジルエーテルの合成) 水添ポリブタジェングリコール(ポリテール■、平均分
子量2370.1,2−ブタジエン骨格/l、4−ブタ
ジエン骨格:20/8G、三菱化成(株)製)100部
、エピクロルヒドリン12部、三フッ化ホウ素ジエチル
エーテル錯体0.2部およびトルエン100部を仕込み
製造例2と同様に反応させ、あとの操作も同様に行い、
水添ポリブタジェングリコールのグリシジルエーテル(
ハ)85部を得た。このグリシジルエーテルのエポキシ
当量は152Gであった。
製造例4 (グリシジルエーテルの合成) 水添ポリブタジェングリコール(NISSOPB  G
1−1000、  平均分子量1450.1.2−ブタ
ジエン骨格/1゜4−ブタジエン骨格=90/10、日
本曹達(株)製)100部、エピクロルヒドリン25部
、粒状水酸化ナトリウム10部、ベンジルトリメチルア
ンモニウムクロリド1部およびトルエン50部を仕込み
製造例1と同様に反応させ、あとの操作も同様に行い、
水添ポリブタジェングリコールのグリシジルエーテル(
ニ) 90部を得た。このグリシジルエーテルのエポキ
シ当量は1030であった。
製造例5 (グリシジルエーテルの合成) 水添ポリブタジェングリコール(NISSOPHG1−
20001  平均分子量250011.2−ブタジエ
ン骨格/1゜4−ブタジエン骨格= 90/ 10. 
 日本曹達(株)製)100部、エピクロルヒドリン3
0部、粒状水酸化ナトリウム13部、ベンジルトリメチ
ルアンモニウムクロリド1部およびトルエン50部を仕
込み、製造例1と同様に反応させ、あとの操作も同様に
行い、水添ポリブタジェングリコールのグリシジルエー
テル(ホ)85部を得た。このグリシジルエーテルのエ
ポキシ当量は1800であった。
製造例6 (グリシジルエーテルの合成) 水添ポリ(ブタジェン−イソプレン)グリコール[ブタ
ジェン50モル%およびイソプレン50モル%を過酸化
水素触媒で80℃、5時間重合させて得たもので平均分
子量2S00.1,2−ブタジエン骨格/I、4−ブタ
ジエン骨格= 20/ 80コ100部、エピクロルヒ
ドリン40部、粒状水酸化ナトリウム18部、ベンジル
トリメチルアンモニウムクロリド1部およびトルエン7
0部を仕込み製造例1と同様に反応させ、あとの操作も
同様に行い、水添ポリ(ブタジェン−イソプレン)グリ
コールのグリシジルエーテル(へ)80部を得た。この
グリシジルエーテルのエポキシ当量は1950であった
製造例7 [(I)と(n)および(IV)の予備反応物の合成コ フェノールノボラック樹脂(TAMANOL758、荒
J化学(株)製) 100部、製造例1で合成した水添
、ポリイソプレングリコールのグリシジルエーテル(イ
)20部、分子内にエポキシ基を含有するポリブタジェ
ン(日石ポリブタジェンE−1800−6,5、数平均
分子量1800、エポキシ当量240、日本石油化学(
株)製)20部およびトリフェニルホスフィン1部を窒
素を吹き込みながら150℃で3時間反応させ予備反応
物(ト)を得た。
製造例8 [(I)と(II)および(IV)の予備反応物の合成
コ フェノールノボラック樹脂(TAMANOL758、荒
」化学(株)製)100部、製造例2で合成した水添ポ
リイソプレングリコールのグリシジルエーテル(ロ)2
0部、分子内にエポキシ基を含有するポリブタジェン(
日石ポリブタジェンE−1000−8、数平均分子量1
000、エポキシ当量205、日本石油化学(株)製)
20部および2−エチル−4−メチルイミダゾール0.
5部を窒素を吹き込みながら IEiO℃で2時間反応
させ予備反応物(チ)を得た。
製造例9 [(I)と(n)および(IV)の予備反応物の合成コ フェノールノボラック樹脂(TAMANOL758、荒
)1化学(株)製)100部、製造例3で合成した水添
ボリプタジエングリコールのグリシジルエーテル(ハ)
40部、分子内にエポキシ基を含有するポリブタジェン
(8石ポリブタジェンE−1000−3,5、数平均分
子量10 GO、エポキシ当量400、日本石油化学(
株)製)20部およびトリフェニルホスフィン0.5部
を窒素を吹き込みながら150℃で3時間反応させ、予
備反応物(す)を得た。
製造例10 [(I)と(n)および(IV)の予備反応物の合成コ フェノールノボラック樹脂(TANANOL758、荒
川化学(株)製) 100部、製造例4で合成した水添
ポリブタジェングリコールのグリシジルエーテル(ニ)
27部、分子内にエポキシ基を含有するポリブタジェン
(8石ポリブタジェンE−1800−8,5、数平均分
子量18 Go、  エポキシ当量240、日本石油化
学(株)製) 13部およびトリフェニルホスフィン1
部を窒素を吹き込みながら150℃で2時間反応させ、
予備反応物(ヌ)を得た。
製造例11 [(I)と(II)および(mV)の予備反応物の合成
コ フェノールノボラック樹脂(TAMANOL758、荒
川化学(株)製)100部、製造例5で合成した水添ポ
リブタジェングリコールのグリシジルエーテル(ニ)3
0部、分子内にエポキシ基を含有するポリブタジェン(
8石ポリブタジェンE−1000−8、数平均分子量1
000、エポキシ当量205、日本石油化学(株)製)
 10部、!、8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウン
デセン−71部を窒素を吹き込みながら 150℃で3
時間反応させ、予備反応物(ル)を得た。
製造例12 [(I)と(II)および(mV)の予備反応物の合成
コ フェノールノボラック樹脂(TAMANOL758、荒
川化学(株)製)100部、製造例6で合成した水添ポ
リ(ブタジェン−イソプレン)グリコールのグリシジル
エーテル(へ) 13部、分子内にエポキシ基を含有す
るポリブタジェン(8石ポリブタジェンE−1000−
3,5、数平均分子量1000、エポキシ当量400、
日本石油化学(株)製)27部およびトリフェニルホス
フィン 1部を窒素を吹き込みながら 150℃で2時
間反応させ、予備反応物(ヲ)を得た。
製造例13 [(I)と(mV)の予備反応物の合成コツエノールノ
ボラック樹脂(TAMANOL758、荒」1化学(株
)製)100部、製造例1で合成した水添ポリイソプレ
ングリコールのグリシジルエーテル(イ)20部および
トリフェニルホスフィン 1部を窒素を吹き込みながら
150℃で2時間反応させ予備反応物(ワ)を得た。
製造例14 [(I)と(mV)の予備反応物の合成コツエノールノ
ボラック樹脂(TA)IANOL758、荒川化学(株
)製) 100部、製造例4で合成した水添ポリブタジ
ェングリコールのグリシジルエーテル(ニ)20部およ
びトリフェニルホスフィン 0.5部を窒素を吹き込み
ながら150℃で2時間反応させ、予備反応物(力)を
得た。
製造例15 [(■)と(IV)の予備反応物の合成コツエノールノ
ボラック樹脂(TAMANOL758、荒川化学(株)
製’) 100部、分子内にエポキシ基を含有するポリ
ブタジェン(8石ポリブタジェンE−1800−B、5
、数平均分子量l800、エポキシ当量240、日本石
油化学(株)製) 20部およびトリフェニルホスフィ
ン 0.5部を窒素を吹き込みながら150℃で2時間
反応させ予備反応物(ヨ)を得た。
実施例1 タレゾールノボラックエポキシ樹脂(スミエポキシES
CN220L1  エポキシ当量210、住友化学(株
)製) 100部、フェノールノボラック樹脂(TAM
ANOL758、荒川化学(株)製) 50部、 (I
)として製造例1で合成した水添ポリイソプレングリコ
ールのグリシジルエーテル(イ)10部、 (■)とし
て分子内にエポキシ基を含有するポリブタジェン(8石
ポリブタジェンE−1800−[i、5、数平均分子量
1800、エポキシ当量240、日本石油化学(株)製
)10部、硬化促進剤としてトリフェニルホスフィン 
1部、充填剤として溶融シリカ 300部、シランカッ
プリング剤 1部、カルナバワックス 1部、三酸化ア
ンチモン 2部及びカーボンブラック 1部を混合した
のち、加熱ロールにより混線後、冷却し、粉砕して本発
明の組成物を調製した。
得られた組成物を175℃73分の条件で成形し、18
0℃716時間の後硬化を行い、硬化試験片を作製した
。得られた成形品の曲げ弾性率、ガラス転移点及び12
0℃、2気圧、200時間のプレッシャークツカーテス
ト前後の体積抵抗率を測定した。結果を第1表に示す。
また得られた組成物を用い48p1nフラツトパツケー
ジにSl半導体素子を載せ、175℃7120秒でトラ
ンスファー成形でモールドし、その後175℃15時間
のアフターキュアを行った。このようにして得られた第
1図に示される半導体装置(各10個)について−19
6℃/2分〜150℃72分の1000回の温度サイク
ルテスト(TCTテスト)を行い、パッケージクラック
発生数を測定した。結果を第2表に示す。
実施例2 クレゾールノボラックエポキシ樹脂(スミエポキシES
CN220L、  エポキシ当量21G、 住友化学(
株)製) 100部、製造例7で作製した(I)と(n
)および(IV)の予備反応物())70部、硬化促進
剤としてトリフェニルホスフィン 1部、充填剤として
溶融シリカ 300部、シランカップリング剤 1部、
カルナバワックス 1部、三酸化アンチモン2部及びカ
ーボンブラック 1部を混合し、その他は実施例1と同
様に操作し1  組成物を調製し評価した。
実施例3 (I)と(II)および(fV)の予備反応物として製
造例8で作製した予備反応物(チ)70部、硬化促進剤
として2−エチル−4−メチルイミダゾール1部を使用
し、その他は実施例2のごとくの量比で同様に操作し、
組成物を調製し、評価した。
実施例4 (I)と(II)および(IV)の予備反応物として製
造例9で作製した予備反応物(!J)70部を使用し、
その他は実施例2のごとくの量比で同様に操作し、組成
物を調製し、評価した。
実施例5 (I)と(II)および(IV)の予備反応物として製
造例10で作製した予備反応物(ヌ) 70部を使用し
、その他は実施例2のごとくの量比で同様に操作し、組
成物を調製し、評価した。
実施例6 (I)と(■)および(IV)の予備反応物として製造
例11で作製した予備反応物(ル) 70部を使用し、
その他は実施例2のごとくの量比で同様に操作し、組成
物を調製し、評価した。
実・施例7 (I)、!−(II)および(IV)の予備反応物とし
て製造例12で作製した予備反応物(ヲ) 70部を使
用し、その他は実施例2のごとくの量比で同様に操作し
、組成物を調製し、評価した。
実施例8 クレゾールノボラックエポキシ樹脂(スミエポキシES
CN220L、  xボキシ当量21o1  住友化学
(株)製)100部、製造例13で作製した(I)と(
IV)の予備反応物(ワ)60部、 (■)として分子
内にエポキシ基を含有するポリブタジェン(0石ポリブ
タジェンE−1000−8、数平均分子量l000、エ
ポキシ当量205、日本石油化学(株)製) 10部、
硬化促進剤としてトリフェニルホスフィン 1部、充填
剤として溶融シリカ 300部、シランカップリング剤
 1部、カルナバワックス 1部、三酸化アンチモン2
部及びカーボンブラック 1部を混合し、その他は実施
例1と同様に操作し、組成物を調製し評価した。
実施例9 (I)と(IV)の予備反応物として製造例14で作製
した予備反応物(力)60部、 (■)として分子内に
エポキシ基を含有するポリブタジェン(0石ポリブタジ
ェンE−1000−3,5、数平均分子量1000、エ
ポキシ当量400、日本石油化学(株)製)10部)を
使用し、その他は実施例8のととくの量比で同様に操作
し、組成物を調製し、評価した。
実施例10 クレゾールノボラックエポキシ樹脂(スミエポキシES
CN220L、  エポキシ当量210、住友化学(株
)製)100部、製造例15で作製した(II)と(r
V)の予備反応物(ヨ)60部、 (I)として製造例
4で作製した水添ポリブタジェングリコールのグリシジ
ルエーテル10部、硬化促進剤としてトリフェニルホス
フィン 1部、充填剤として溶融シリカ 300部、シ
ランカップリング剤 1部、カルナバワックス 1部、
二酸化アンチモン 2部及びカーボンブラック 1部を
混合し、その他は実施例1と同様に操作し、組成物を調
製し評価した。
実施例11 タレゾールノボラックエポキシ樹脂(スミエポキンES
C!1220L、  エポキシ当量21O1住友化学(
株)製)100部、製造例13で作製した(1)と(m
V)の予備反応物(ワ)30部、製造例15で作製した
(n)と(IV)の予備反応物(ヨ)30部、硬化促進
剤としてトリフェニルホスフィン 1部、充填剤として
溶融シリカ 300部、シランカップリング剤 1部、
カルナバワックス 1部、三酸化アンチモン 2部及び
カーボンブラック 1部を混合し、その他は実施例1と
同様に操作し、組成物を調製し評価した。
比較例1 (I)および(n)を使用せずその他は実施例1のごと
くの量比で同様に操作し、組成物を調製し、評価した。
第1表 第2表 〔発明の効果〕 本発明の樹脂組成物は耐熱性が優れ、高温時に酸化され
るようなことがない。また、熱応力が低減されたもので
あるのでチップやリードフレームと封止樹脂との線膨張
率の差による熱応力により、チップにクラックが生じた
り、ボンディング線が切断されるなど、半導体部品の信
頼性が低下することがない。また、シリコーン樹脂など
と比較した場合、金属との接着性が優れ、透湿性が小さ
いため耐湿性を保持する。しかも低弾性率である。
上記効果を奏することから、本発明の樹脂組成物は半導
体封止用樹脂組成物として好適である。
本発明の半導体装置は封止樹脂の内部応力が小さく、耐
湿信頼性、耐熱信頼性に著しく優れている。半田実装に
おけるような過酷な条件下においてもパッケージクラッ
クが生じることもなく表面実装型の半導体装置に好適で
あるといえる。
【図面の簡単な説明】
第1図は半導体装置の断面図である。 1・・・リードフレーム 2・・・ 半導体素子3・・
・ボンディング線 4・・・ダイパッド5・・・保護被
膜樹脂  6・・・モールド樹脂図 面 第 図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、水素化された共役ジエン重合体のグリシジルエーテ
    ル( I )と分子内にエポキシ基を含有するポリブタジ
    エン(II)とエポキシ樹脂(III)とフェノール系化合
    物のホルムアルデヒド反応物(IV)とを必須成分とする
    半導体封止用樹脂組成物。 2、水素化された共役ジエン重合体のグリシジルエーテ
    ル( I )と分子内にエポキシ基を含有するポリブタジ
    エン(II)とフェノール系化合物のホルムアルデヒド反
    応物(IV)とをあらかじめ反応させたものと、エポキシ
    樹脂(III)とを必須成分とする半導体封止用樹脂組成
    物。 3、水素化された共役ジエン重合体が、水素化された、
    ブタジエンおよび/またはイソプレンの(共)重合体で
    ある請求項1または2記載の組成物。 4、共役ジエン重合体が1、2−ブタジエン骨格を含む
    請求項1〜3のいずれか記載の樹脂組成物。 5、分子内にエポキシ基を含有するポリブタジエン(I
    I)のエポキシ当量が100〜600である請求項1〜
    4にいずれか記載の組成物。 6、請求項1〜5のいずれか記載の組成物を部分的に硬
    化させてなる半導体封止用樹脂組成物。 7、請求項1〜6のいずれか記載の樹脂組成物を用いて
    半導体素子を封止してなる半導体装置。
JP2092864A 1990-04-06 1990-04-06 半導体封止用樹脂組成物および装置 Pending JPH03290427A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2092864A JPH03290427A (ja) 1990-04-06 1990-04-06 半導体封止用樹脂組成物および装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2092864A JPH03290427A (ja) 1990-04-06 1990-04-06 半導体封止用樹脂組成物および装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03290427A true JPH03290427A (ja) 1991-12-20

Family

ID=14066298

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2092864A Pending JPH03290427A (ja) 1990-04-06 1990-04-06 半導体封止用樹脂組成物および装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03290427A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019035032A (ja) * 2017-08-17 2019-03-07 日本曹達株式会社 グリシジルエーテル変性ポリブタジエンまたはグリシジルエーテル変性水素添加ポリブタジエンの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019035032A (ja) * 2017-08-17 2019-03-07 日本曹達株式会社 グリシジルエーテル変性ポリブタジエンまたはグリシジルエーテル変性水素添加ポリブタジエンの製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI647275B (zh) 密封用環氧樹脂成形材料及電子零件裝置
EP0174510A2 (en) Epoxy resin composition for encapsulation of semiconductor device
KR970004948B1 (ko) 수지 봉지형 반도체 장치
US5162437A (en) Epoxy resin composition with hydrogenated diene glycidyl ether
JP5176075B2 (ja) 封止用エポキシ樹脂成形材料及びこれを用いて封止された素子を備えてなる電子部品装置
JPH05259316A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2862718B2 (ja) 半導体装置
JP3890681B2 (ja) 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品
JPH03290427A (ja) 半導体封止用樹脂組成物および装置
JP2000109647A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
JPH03263422A (ja) 半導体封止用樹脂組成物および装置
JP4325000B2 (ja) 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP3994511B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
JPH06216280A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
JP4633249B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP3624499B2 (ja) 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置
JPH11269349A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
JP2509842B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂改質剤および樹脂組成物
JPH0521651A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料
JP2006077096A (ja) 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP3310447B2 (ja) エポキシ樹脂組成物
JPH05132543A (ja) エポキシ樹脂組成物
JPH11269347A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
JP2005350500A (ja) 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JPH0530862B2 (ja)