JPH03290422A - 半導体封止用樹脂の製造方法 - Google Patents
半導体封止用樹脂の製造方法Info
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- JPH03290422A JPH03290422A JP2092129A JP9212990A JPH03290422A JP H03290422 A JPH03290422 A JP H03290422A JP 2092129 A JP2092129 A JP 2092129A JP 9212990 A JP9212990 A JP 9212990A JP H03290422 A JPH03290422 A JP H03290422A
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Landscapes
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- Silicon Polymers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はガラス転移点(以下Tgという)が高く、耐湿
性、相溶性に優れ、かつ低応力特性に優れた半導体封止
用樹脂の製造方法に関するものである。
性、相溶性に優れ、かつ低応力特性に優れた半導体封止
用樹脂の製造方法に関するものである。
(従来技術)
近年IC,LSI、トランジスター、ダイオードなどの
半導体素子や電子回路等の封止には特性、コスト等の点
からエポキシ樹脂組成物が一般的に用いられている。
半導体素子や電子回路等の封止には特性、コスト等の点
からエポキシ樹脂組成物が一般的に用いられている。
しかし、電子部品の量産性指向、高集積化や表面実装化
の方向に進んで来ておりこれに伴い封止樹脂に対する要
求は厳しくなってきている。
の方向に進んで来ておりこれに伴い封止樹脂に対する要
求は厳しくなってきている。
特に高集積化に伴うチップの大型化、パッケージの薄肉
化や表面実装時における半田浸漬(200〜300℃)
によって装置にクラックが発生し易くなっており、信頼
性向上のために半導体封止用樹脂としては低応力特性と
耐熱性が強く望まれている。
化や表面実装時における半田浸漬(200〜300℃)
によって装置にクラックが発生し易くなっており、信頼
性向上のために半導体封止用樹脂としては低応力特性と
耐熱性が強く望まれている。
半導体封止用樹脂としては現在エポキシ樹脂が主流であ
るが、耐熱性という点ではエポキシ樹脂を用いている限
り改良に限界があり、表面実装時の半田浸漬後の信頼性
の高いものが得られていない。
るが、耐熱性という点ではエポキシ樹脂を用いている限
り改良に限界があり、表面実装時の半田浸漬後の信頼性
の高いものが得られていない。
これらの半田耐熱性に対処するには樹脂特性として低応
力であり、かっTgが高く半田浴温度以上であることが
望まれている。
力であり、かっTgが高く半田浴温度以上であることが
望まれている。
エポキシ樹脂に変わる高耐熱性を有する樹脂としてはマ
レイミド樹脂が注目されてきているが、ビスマレイミド
と芳香族ジアミンとの反応によって得られるアミン変性
マレイミド樹脂は、乾燥時の耐熱性には優れているが、
吸水率が大きく、吸湿時の半田浸漬でクラックを発生し
、信頼性に乏しい欠点がある。
レイミド樹脂が注目されてきているが、ビスマレイミド
と芳香族ジアミンとの反応によって得られるアミン変性
マレイミド樹脂は、乾燥時の耐熱性には優れているが、
吸水率が大きく、吸湿時の半田浸漬でクラックを発生し
、信頼性に乏しい欠点がある。
マレイミド樹脂としては、この他に、ポリマレイミドと
アルケニルフェノール類またはアルケニルフェニルエー
テル類などを重合触媒存在下で反応させる例(特開昭5
2−994.58−117219.61−95012.
62−11716.63−230728号公報)もある
が、アミン変性マレイミド樹脂と同様に硬化物は堅いた
め、低応力特性に劣る欠点がある。
アルケニルフェノール類またはアルケニルフェニルエー
テル類などを重合触媒存在下で反応させる例(特開昭5
2−994.58−117219.61−95012.
62−11716.63−230728号公報)もある
が、アミン変性マレイミド樹脂と同様に硬化物は堅いた
め、低応力特性に劣る欠点がある。
低応力特性の改善策として各種シリコーン化合物の添加
が試みられているが、相溶性が著しく劣り、強度が低下
し、吸水率が大きくて、耐湿性、信頼性に欠け、実用上
問題点が多く残る。
が試みられているが、相溶性が著しく劣り、強度が低下
し、吸水率が大きくて、耐湿性、信頼性に欠け、実用上
問題点が多く残る。
(発明が解決しようとする課題)
本発明の目的とするところは相溶性が良く、−般の特性
を低下させることなく、耐湿性、低応力特性に優れ、か
つ高耐熱性を有し、半田浸漬後の信頼性に非常に憬れた
半導体封止用樹脂の製造方法を提供することにある。
を低下させることなく、耐湿性、低応力特性に優れ、か
つ高耐熱性を有し、半田浸漬後の信頼性に非常に憬れた
半導体封止用樹脂の製造方法を提供することにある。
(課題を解決するための手段)
本発明は、(A)ポリマレイミド100重量部と、(B
)下記式CI)で示されるジヒドロ・ポリシロキサンと
、 (Rよ、R2:炭素数1〜4のアルキル基又はフェニル
基 n:l〜100) 下記式(II )の組成で示されるアリル化ヒドロキシ
スチレン・スチレン共重合樹脂とを(0<a、b、c、
d<100かっa+b+c+d=100a、b、c、d
は各組成の百分率を示す。)アリル基/ヒドロキシリル
基(Si−H)の比が271〜10/1で、ヒドロシリ
ル基の反応率が80%以上になるまで反応させて得られ
るアリル化ポリシロキサン30〜300重量部とを、生
成樹脂の融点が50〜120°Cになるまで反応させる
ことを特徴とする半導体封止用樹脂の製造方法である。
)下記式CI)で示されるジヒドロ・ポリシロキサンと
、 (Rよ、R2:炭素数1〜4のアルキル基又はフェニル
基 n:l〜100) 下記式(II )の組成で示されるアリル化ヒドロキシ
スチレン・スチレン共重合樹脂とを(0<a、b、c、
d<100かっa+b+c+d=100a、b、c、d
は各組成の百分率を示す。)アリル基/ヒドロキシリル
基(Si−H)の比が271〜10/1で、ヒドロシリ
ル基の反応率が80%以上になるまで反応させて得られ
るアリル化ポリシロキサン30〜300重量部とを、生
成樹脂の融点が50〜120°Cになるまで反応させる
ことを特徴とする半導体封止用樹脂の製造方法である。
(作用)
本発明において用いられるポリマレイミドの具体例とし
ては、N、N’−m−フェニレンビスマレイミド、N、
N’−p−フェニレンビスマレイミド、 N、N’ −
m−トルイレンビスマレイミド、N、N’−4,4’−
ビフェニレンビスマレイミド、N、N’−4,4’−(
3,3’−ジメチル−ビフェニレンビスマレイミド、N
、N’−4,4’−(3,3’−ジメチルジフェニルメ
タン〕ビスマレイミド、N、N’−4,4’−(3,3
’−ジエチルジフェニルメタン)ビスマレイミド、N、
N’−4,4’−ジフェニルメタンビスマレイミド、N
、N’−4,4’−ジフェニルブロパンビスマレイミド
、N、N’−4,4’−ジフェニルエーテルビスマレイ
ミド、N、N’−3,3″−ジフェニルスルホンビスマ
レイミド、N、N’−4,4’−ジフェニルスルホンビ
スマレイミド、−8式(m)又は(IV)で示される多
官能マレイミドなどを挙げることができる。これらは2
種以上台まれていても何ら差し支えない。
ては、N、N’−m−フェニレンビスマレイミド、N、
N’−p−フェニレンビスマレイミド、 N、N’ −
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、N、N’−4,4’−ジフェニルエーテルビスマレイ
ミド、N、N’−3,3″−ジフェニルスルホンビスマ
レイミド、N、N’−4,4’−ジフェニルスルホンビ
スマレイミド、−8式(m)又は(IV)で示される多
官能マレイミドなどを挙げることができる。これらは2
種以上台まれていても何ら差し支えない。
本発明に用いられるジヒドロ・ポリシロキサンは下記式
CI)で示されるポリシロキサンであり、その重合度n
は1〜100の範囲のものである。
CI)で示されるポリシロキサンであり、その重合度n
は1〜100の範囲のものである。
(R工、R2:炭素数1〜4のアルキル基又はフェニル
基) (Rs : −H、アルキル基又はフェニル基 0
<i<10)(0<j<10) 重合度が100より大きい場合、相溶性が低下してしま
う。なお、アリル基との反応において、ゲル化させない
範囲で、3官能以上のポリヒドロ・ポリシロキサンを併
用しても構わない。
基) (Rs : −H、アルキル基又はフェニル基 0
<i<10)(0<j<10) 重合度が100より大きい場合、相溶性が低下してしま
う。なお、アリル基との反応において、ゲル化させない
範囲で、3官能以上のポリヒドロ・ポリシロキサンを併
用しても構わない。
アリル化ヒドロキシスチレン・スチレン共重合樹脂は、
ヒドロキシスチレン・スチレン共重合物(例えば、丸善
石油化学■製マルカ・リンカ−C8Tなど)を、塩化ア
リル又は臭化アリルと反応させ、アリル化したもので、
下記式(II )の組成で示されるもので、樹脂中にそ
れぞれの構造をもつ部分が全体としてa、b、c、dの
比で存在しているものである。
ヒドロキシスチレン・スチレン共重合物(例えば、丸善
石油化学■製マルカ・リンカ−C8Tなど)を、塩化ア
リル又は臭化アリルと反応させ、アリル化したもので、
下記式(II )の組成で示されるもので、樹脂中にそ
れぞれの構造をもつ部分が全体としてa、b、c、dの
比で存在しているものである。
(0< a 、b 、C、d < 100かつ a+b
+c+d=100a、b、c、dは、各組成の百分率(
%)を示す)好ましくは、lO≦a≦70.10≦b≦
40、lO≦d≦70が良い。
+c+d=100a、b、c、dは、各組成の百分率(
%)を示す)好ましくは、lO≦a≦70.10≦b≦
40、lO≦d≦70が良い。
a成分は、熱時強度の向上と吸水率を下げるのに効果が
あるが、ポリマレイミドとの樹脂生成反応においては、
殆ど反応しないため、多過ぎると樹脂が固形化せず、相
溶性、作業性が悪化する。
あるが、ポリマレイミドとの樹脂生成反応においては、
殆ど反応しないため、多過ぎると樹脂が固形化せず、相
溶性、作業性が悪化する。
b成分は、ポリマレイミドとの樹脂生成反応においてマ
レイミド基と反応し、ポリマレイミドとポリシロキサン
との相溶性を改善する重要な成分である。しかし、多過
ぎると硬化物中にフェノール性水酸基が増えるため、吸
水率が大きくなって好ましくない。
レイミド基と反応し、ポリマレイミドとポリシロキサン
との相溶性を改善する重要な成分である。しかし、多過
ぎると硬化物中にフェノール性水酸基が増えるため、吸
水率が大きくなって好ましくない。
d成分は、吸水率を下げ、信頼性の向上に著しい効果が
ある。しかし、多過ぎると樹脂生成反応及び硬化反応に
おける反応性が悪化して封止材料に適さない。
ある。しかし、多過ぎると樹脂生成反応及び硬化反応に
おける反応性が悪化して封止材料に適さない。
ジヒドロ・ポリシロキサンとアリル化ヒドロキシスチレ
ン・スチレン共重合樹脂との反応におけるアリル基/ヒ
ドロキシリル基(Si−H)の比は、271〜10/1
が良い。アリル基が少な過ぎると、ポリマレイミドとの
相溶性、成形性、硬化物の機械強度が悪化する。多過ぎ
ると、逆にポリシロキサンが減るので、低応力特性が改
善されない。
ン・スチレン共重合樹脂との反応におけるアリル基/ヒ
ドロキシリル基(Si−H)の比は、271〜10/1
が良い。アリル基が少な過ぎると、ポリマレイミドとの
相溶性、成形性、硬化物の機械強度が悪化する。多過ぎ
ると、逆にポリシロキサンが減るので、低応力特性が改
善されない。
反応条件は、特に限定されるものではないが、−例を示
すと、塩化白金酸存在下、トルエン溶媒中で90°C〜
還流温度で反応させ、反応後場化白金酸を水/トルエン
による抽出洗浄で除去し、トルエンを留去してアリル化
ポリシロキサンを得る。
すと、塩化白金酸存在下、トルエン溶媒中で90°C〜
還流温度で反応させ、反応後場化白金酸を水/トルエン
による抽出洗浄で除去し、トルエンを留去してアリル化
ポリシロキサンを得る。
反応は、ヒドロシリル基(Si−H)の反応率が80%
以上になるまで行うのが良い。反応率が80%未満の場
合は、成形品に遊離のポリシロキサン成分が滲み出し、
外観を悪化させたり金型くもりが発生する。
以上になるまで行うのが良い。反応率が80%未満の場
合は、成形品に遊離のポリシロキサン成分が滲み出し、
外観を悪化させたり金型くもりが発生する。
ポリマレイミドとアリル化ポリシロキサンとの反応は、
反応条件を特に限定するものではないが、−例を示すと
、アリル化ポリシロキサンを130〜150°Cに加熱
し、これにポリマレイミドを添加して行う。アリル化ポ
リシロキサンの量は、ポリマレイミド100重量部に対
し、30〜300重量部が良い。
反応条件を特に限定するものではないが、−例を示すと
、アリル化ポリシロキサンを130〜150°Cに加熱
し、これにポリマレイミドを添加して行う。アリル化ポ
リシロキサンの量は、ポリマレイミド100重量部に対
し、30〜300重量部が良い。
少な過ぎると低応力特性が得られない。多過ぎると機械
強度、Tgが下がり、半田浸漬時にクラックを発生する
。反応の終点は、得られた樹脂の融点が50〜120℃
の範囲となるまで反応させる。なお、反応の終点を確認
するには、反応系より少量の樹脂を取り出し、冷却し、
融点を測定し、確認する。
強度、Tgが下がり、半田浸漬時にクラックを発生する
。反応の終点は、得られた樹脂の融点が50〜120℃
の範囲となるまで反応させる。なお、反応の終点を確認
するには、反応系より少量の樹脂を取り出し、冷却し、
融点を測定し、確認する。
又、得られた樹脂を用いて成形材料化するには硬化促進
剤、エポキシ樹脂、無機充填材、滑剤、難燃剤、離型剤
、シランカップリング剤等を必要に応じて適宜配合添加
し、加熱混練することによって材料化できる。
剤、エポキシ樹脂、無機充填材、滑剤、難燃剤、離型剤
、シランカップリング剤等を必要に応じて適宜配合添加
し、加熱混練することによって材料化できる。
本発明の半導体封止用樹脂組成物を成形材料として製造
する一般的な方法としては、これらの必須成分に各種添
加剤を加えて均一に混合した組成物をニーダ−5熱ロー
ル等により混線処理を行い、冷却後粉砕して成形材料と
する。
する一般的な方法としては、これらの必須成分に各種添
加剤を加えて均一に混合した組成物をニーダ−5熱ロー
ル等により混線処理を行い、冷却後粉砕して成形材料と
する。
得られた成形材料を半導体の封止用として用いれば高T
gであり、しかも低応力特性に優れ、非常に信頼性の高
い半導体封止用樹脂組成物を得ることができる。
gであり、しかも低応力特性に優れ、非常に信頼性の高
い半導体封止用樹脂組成物を得ることができる。
(実施例)
【アリル化ヒドロキシスチレン・スチレン共重合樹脂の
合成J 合成例1 撹拌装置、還流冷却器、温度計及び滴下ロートを付けた
反応容器に、第1表の処方に従って、水酸化カリウムと
、水/アセトン(1/1)の混合溶媒を入れて溶解させ
、これにヒドロキシスチレン・スチレン共重合物を添加
し、溶解させた。
合成J 合成例1 撹拌装置、還流冷却器、温度計及び滴下ロートを付けた
反応容器に、第1表の処方に従って、水酸化カリウムと
、水/アセトン(1/1)の混合溶媒を入れて溶解させ
、これにヒドロキシスチレン・スチレン共重合物を添加
し、溶解させた。
この溶液を加熱し、臭化アリルを添加して、還流下3時
間反応させた。その後、塩酸で中和して、アセトンと未
反応の臭化アリルを留去し、トルエン1リツトルを添加
した。分液ロートに移し、水洗を3同行い、エバポレー
ターで溶媒を除去した。
間反応させた。その後、塩酸で中和して、アセトンと未
反応の臭化アリルを留去し、トルエン1リツトルを添加
した。分液ロートに移し、水洗を3同行い、エバポレー
ターで溶媒を除去した。
更に、175°C14時間加熱処理をして、アリル化ヒ
ドロキシスチレン・スチレン共重合樹脂を得た。生成物
の組成は第1表に示した。
ドロキシスチレン・スチレン共重合樹脂を得た。生成物
の組成は第1表に示した。
参考例1
合成例1のヒドロキシスチレン・スチレン共重合物を、
フェノール樹脂に置き換えて、同様に反応させたもので
ある。
フェノール樹脂に置き換えて、同様に反応させたもので
ある。
実施例1〜2
撹拌装置、還流冷却器及び温度計を付けた反応容器に、
合成例1のアリル化ヒドロキシスチレン・スチレン共重
合樹脂とトルエンを第2表の処方に従って入れ、均一に
溶解してから、塩化白金酸イソプロパツール溶液を添加
した。これにジヒドロポリシロキサンを加え、90°C
で2時間反応させた。反応後、分液ロートに移し、水洗
を3回行い、エバポレーターで溶媒を除去して、アリル
化ポリシロキサンを得た。ヒドロシリル基の反応率はい
ずれも80%以上である。
合成例1のアリル化ヒドロキシスチレン・スチレン共重
合樹脂とトルエンを第2表の処方に従って入れ、均一に
溶解してから、塩化白金酸イソプロパツール溶液を添加
した。これにジヒドロポリシロキサンを加え、90°C
で2時間反応させた。反応後、分液ロートに移し、水洗
を3回行い、エバポレーターで溶媒を除去して、アリル
化ポリシロキサンを得た。ヒドロシリル基の反応率はい
ずれも80%以上である。
次に、撹拌装置、減圧蒸留装置及び温度計を付けた反応
容器に、得られたアリル化ポリシロキサンを第3表の処
方に従って入れ、130°Cに加熱してから、ポリマレ
イミドを加え、減圧下(約20mmHg)で反応させた
。得られたシリコーン変性マレイミド樹脂は、均質で、
融点を第3表に示した。
容器に、得られたアリル化ポリシロキサンを第3表の処
方に従って入れ、130°Cに加熱してから、ポリマレ
イミドを加え、減圧下(約20mmHg)で反応させた
。得られたシリコーン変性マレイミド樹脂は、均質で、
融点を第3表に示した。
比較例1
実施例1のアリル化ヒドロキシスチレン・スチレン共重
合樹脂を減らし、ジヒドロポリシロキサンの量を増やし
て、実施例1と同様に反応させた。
合樹脂を減らし、ジヒドロポリシロキサンの量を増やし
て、実施例1と同様に反応させた。
得られたシリコーン変性マレイミド樹脂は、第3表に示
したように不均質で、油状のシリコーン成分が滲み出し
ていた。
したように不均質で、油状のシリコーン成分が滲み出し
ていた。
比較例2
重合度(n)の大きいジヒドロポリシロキサンを用いて
、同様に反応させた。相溶性が非常に悪く、得られたシ
リコーン変性マレイミド樹脂は不均質で、油状のシリコ
ーン成分の滲み出しもあった。
、同様に反応させた。相溶性が非常に悪く、得られたシ
リコーン変性マレイミド樹脂は不均質で、油状のシリコ
ーン成分の滲み出しもあった。
比較例3
参考例1を用いて、実施例1と同様に反応させた。
実施例3〜4
第4表に示す配合に従って、実施例1〜2で得たシリコ
ーン変性マレイミド樹脂に、シリカ粉末、硬化促進剤、
アミノシラン、着色剤および離型剤を加え、熱ロールで
混練して成形材料を得た。得られた成形材料をトランス
ファー成形により180°C93分で成形しフクレの無
い光沢の有る成形品が得られた。この成形品をさらに1
80℃、8時間後硬化を行い特性を評価した。結果を第
4表に示す。
ーン変性マレイミド樹脂に、シリカ粉末、硬化促進剤、
アミノシラン、着色剤および離型剤を加え、熱ロールで
混練して成形材料を得た。得られた成形材料をトランス
ファー成形により180°C93分で成形しフクレの無
い光沢の有る成形品が得られた。この成形品をさらに1
80℃、8時間後硬化を行い特性を評価した。結果を第
4表に示す。
実施例1〜2の樹脂を用いた実施例3〜4の成形材料は
、シリコーンを含まない比較例Sに比べ常温での曲げ弾
性率が小さく、低応力で、内部応力も小さい。しかも、
ガラス転移点温度が高く、260°Cでの曲げ強度も大
きく、耐熱性、耐半田クラック性に優れ、吸水率も小さ
い。
、シリコーンを含まない比較例Sに比べ常温での曲げ弾
性率が小さく、低応力で、内部応力も小さい。しかも、
ガラス転移点温度が高く、260°Cでの曲げ強度も大
きく、耐熱性、耐半田クラック性に優れ、吸水率も小さ
い。
比較例5〜8
実施例3〜4と比較のため、第4表に示す配合で同様に
成形材料を作成し成形した。
成形材料を作成し成形した。
比較例5は、比較例1の樹脂(アリル基/ヒドロシリル
基= 1/1 )を用いたものであるが、金型くもりな
どがあって成形性及び成形品の外観が悪く、曲げ強度も
低い。
基= 1/1 )を用いたものであるが、金型くもりな
どがあって成形性及び成形品の外観が悪く、曲げ強度も
低い。
比較例6は、参考例1の芳香族炭化水素を含まないフェ
ノール樹脂 を用いたもので、曲げ強度は大きく、ガラス転移温度は
高いが、吸水率が大きいため、耐半田クラック性は充分
でない。
ノール樹脂 を用いたもので、曲げ強度は大きく、ガラス転移温度は
高いが、吸水率が大きいため、耐半田クラック性は充分
でない。
比較例7は、実施例3とほぼ同じ組成であるが、単に配
合時に混ぜたものである。比較例5と同様に成形品の外
観が悪く、曲げ強度が低い。
合時に混ぜたものである。比較例5と同様に成形品の外
観が悪く、曲げ強度が低い。
比較例8は、ポリシロキサンを含まないものである。成
形品の外観、曲げ強度、ガラス転移温度は比較例6と同
様に良好であるが、曲げ弾性率と吸水率が大きいため、
耐半田クラック性は充分でない。
形品の外観、曲げ強度、ガラス転移温度は比較例6と同
様に良好であるが、曲げ弾性率と吸水率が大きいため、
耐半田クラック性は充分でない。
第1表
(発明の効果)
本発明の製造方法による半導体封止用樹脂を用いた成形
物は高Tgであり、耐湿性及び熱時の強度に優れている
ため封止体の耐半田クラック性が良く、かつ低応力であ
り耐ヒートサイクル性にも優れており、半導体封止用樹
脂組成物として非常に信頼性の高い優れたものである。
物は高Tgであり、耐湿性及び熱時の強度に優れている
ため封止体の耐半田クラック性が良く、かつ低応力であ
り耐ヒートサイクル性にも優れており、半導体封止用樹
脂組成物として非常に信頼性の高い優れたものである。
(注);)側影禮1浦嬰
マルカリン力−C3T70
P R−51470
手続補正書
平成2年
7月
11日
Claims (1)
- (1)(A)ポリマレイミド100重量部と、(B)下
記式〔 I 〕で示されるジヒドロ・ポリシロキサンと、 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・〔 I 〕 (R_1、R_2:炭素数1〜4のアルキル基又はフェ
ニル基 n:1〜100) 下記式〔II〕の組成で示されるアリル化ヒドロキシスチ
レン・スチレン共重合樹脂とを ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・・〔I
I〕 (0<a、b、c、d<100かつa+b+c+d=1
00a、b、c、dは各組成の百分率を示す。)アリル
基/ヒドロキシリル基(Si−H)の比が2/1〜10
/1で、ヒドロシリル基の反応率が80%以上になるま
で反応させて得られるアリル化ポリシロキサン30〜3
00重量部とを、生成樹脂の融点が50〜120℃にな
るまで反応させることを特徴とする半導体封止用樹脂の
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2092129A JP2857217B2 (ja) | 1990-04-09 | 1990-04-09 | 半導体封止用樹脂の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2092129A JP2857217B2 (ja) | 1990-04-09 | 1990-04-09 | 半導体封止用樹脂の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03290422A true JPH03290422A (ja) | 1991-12-20 |
JP2857217B2 JP2857217B2 (ja) | 1999-02-17 |
Family
ID=14045828
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2092129A Expired - Lifetime JP2857217B2 (ja) | 1990-04-09 | 1990-04-09 | 半導体封止用樹脂の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2857217B2 (ja) |
-
1990
- 1990-04-09 JP JP2092129A patent/JP2857217B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2857217B2 (ja) | 1999-02-17 |
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