JPH03285075A - タングステンルツボの製造方法 - Google Patents

タングステンルツボの製造方法

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JPH03285075A
JPH03285075A JP8375290A JP8375290A JPH03285075A JP H03285075 A JPH03285075 A JP H03285075A JP 8375290 A JP8375290 A JP 8375290A JP 8375290 A JP8375290 A JP 8375290A JP H03285075 A JPH03285075 A JP H03285075A
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JP
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stainless steel
tungsten
crucible
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substrate
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JP8375290A
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Yasushi Sasaki
康 佐々木
Tomekichi Kimoto
木本止 喜知
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Nippon Steel Nisshin Co Ltd
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Nisshin Steel Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、気相成長法(CVD法)を利用してタングス
テンルツボな製造する方法に関する。
[従来の技術J タングステンルツボは、従来から粉末冶金法で製造され
たインゴットから作製されている。この方法では、イン
ゴットを切削加工して、所定のルツボ形状に仕上げてい
る。或いは、インゴットを千数百℃に加熱して鍛造した
後、更に数百℃に加熱しながら所定の板厚をもったタン
グステン板に圧延し、このタングステン板をプレス加工
して所定のルツボ形状としている。
しかし、タングステンは脆く、加工が困難な材料として
代表的なものである。そのため、切削加工が容易でなく
、インゴットから大きなルツボを切り出す作業はコスト
面から非常に高価なものとなる。また、切削加工である
ため、製品としてのルツボに使用されずに切削屑となる
割合が高く、歩留まりの低い作業である。これらの点か
ら、切削加工によって作製されるルツボは、小型のもの
に限られている。
他方、プレス加工は、切削加工よりも更に困難である。
そのため、この方法で作製されるルツボは、深さが1c
m程度のものに過ぎない。
何れの方法によるも、インゴットからルツボを作製する
方法では、作製可能なルツボの寸法に制約が加わり、任
意の形状、特に大きな内容積をもったルツボな作製する
ことは出来ない。しかも、加工自体が特殊な技術を必要
とすることから、得られたルツボは非常に高価なものと
なる。
これらの問題を克服するため、最終形状に近いものを作
ることができる気相成長法(CVD法)をルツボの作製
に適用することが考えられる。
[発明が解決しようとする課題] 通常の気相成長法では、析出用基板を反応容器内に配置
し、反応容器に原料ガスを導入して、この原料ガスから
所定の物質を基板表面に析出させている。この方法を単
にルツボの作製に適用すると、ルツボの形状に対応した
析出用基板が反応容器の内容積に比較して非常に小さな
ものである。
そのため、反応容器に導入された原料ガスが基板表面に
おける析出反応に有効に消費されず、反応容器の内部に
配置された各種部品の表面に析出したり、そのまま排ガ
スとして系外に排気されることになる。
特に、タングステン析出用の原料として使用されるWF
、等のハロゲン化タングステンは、高価なものである。
したがって、原料ガスを無駄に消費してしまうのでは、
製造コストが高いものになり、ひいてはルツボのコスト
を上昇させる原因となる。この点で、原料ガスを高い有
効消費効率で析出反応に使用することが要求される。
原料ガスの有効消費効率を上げるためには、析出用基板
の大きさに見合った内容積を持つ種々の反応容器を用意
しておき、作製しようとするルツボの大きさに応じて反
応容器を使い分けることが考えられる。しかし、このよ
うな手段では、多数の反応容器が必要となると共に設備
の稼動効率が低下するため、却ってルツボのコストを上
昇させることになる。したがって、現実的な解決策とは
いλない。
そこで、本発明は、原料ガスの有効利用を図るべく案出
されたものであり、ルツボ形状に対応した形状をもつ析
出用基体の周辺にのみ原料ガスを導入することにより、
供給された原料ガスを効率よ(析出反応に使用し、任意
の大きさをもち比較的安価なルツボな作製することを目
的とする。
[課題を解決するための手段] 本発明の製造方法は、その目的を達成するために、ルツ
ボ形状をもつステンレス鋼製基体の全体に被覆体を被せ
、前記ステンレス鋼製基体を加熱しながら前記ステンレ
ス鋼製基体と前記1)覆体との間の間隙にハロゲン化タ
ングステン及び水素を含有する原料ガスを導入し、該原
料ガスから前記ステンレス鋼製基体の表面に気相成長法
によってタングステンを析出させ、該タングステン析出
物を前記ステンレス鋼製基体から除去することを特徴と
する。
ここで、ステンレス鋼製基体を、その基体に直接供給さ
れる電流によって通電加熱することが好ましい。このと
きの通電方式としては、ステンレス鋼製基体の内側面か
ら離間し、底面で密着した状態で導電性部材を前記ステ
ンレス鋼製基体の内側に配置し、前記ステンレス鋼製基
体と前記導電性部材との開に加熱用電流を供給してもよ
い。
ステンレス鋼製基体の表面に析出したタングステンは、
熱膨張差を利用してステンレス鋼製基体から引き抜くこ
とができる。
[作用] タングステンが析出するステンレス鋼製基体は、それよ
り若干大きな被覆体で覆われている。
そして、ステンレス鋼製基体と被覆体の内面との間に形
成された隙間に、原料ガスが導入される。
導入された原料ガスは、ステンレス鋼製基体に効率よく
接触し、析出反応に消費される。また、反応容器全体に
原料ガスが拡散することがないので、原料ガスの無駄な
消費も抑制される。
また、基体を直接通電して加熱するとき、析出が盛んに
行われた部分では通電抵抗が低下するため、その部分に
発生するジュール熱が減少する。
その結果、その部分の温度が比較的低くなり、析出反応
が遅くなる。他方、析出物が少ない部分では、逆に通電
抵抗が高いため多量のジュール熱が発生し、析出反応を
促進させる。その結果、析出反応が自律的に調整され、
均一な厚みをもった析出物が得られる。
更に、タングステンが析出される基体は、表面保護膜が
形成されているステンレス鋼製であるので、析出したタ
ングステンの密着性が小さい。しかも、タングステンと
ステンレス鋼との熱膨張差が大きい。そのため、所定厚
みでタングステンを析出させた後、基体を冷却すること
によって、タングステン析出層と基体との間に隙間が形
成される。その結果、冷却後の基体から、単に手で引き
抜く等の簡単な作業によってタングステン析出物が基体
から分離され、タングステンルツボが得られる。
[実施例] 以下、実施例によって本発明を具体的に説明する。
本実施例においては、第1図に概略を示した反応装置を
使用した。
ステンレス鋼製基体lは、作製しようとするルツボの内
面形状に対応した外径30mm、高さ150mm、厚み
0.8mmの有底円筒状の形状をもっている。ステンレ
ス鋼製基体1の底面に、導電性部材として直径6mmの
ステンレス鋼製丸棒2を密着状態で溶接した。基体lの
胴部内面と丸棒2の間には、原料ガスが基体lの内側に
回り込むことを防止するため、セラミックファイバー3
を充填した。
基体1及び丸棒2の端部に水冷銅継ぎ手4及び5をそれ
ぞれ取り付け、リードを介して水冷銅継ぎ手4,5を直
流電源6の両極に接続した。このとき、水冷銅継ぎ手4
より上方にある基体lの長さが100mmとなる位置で
、水冷銅継ぎ手4を基体lに固定した。
また、ステンレス鋼製基体lの外側には、直径40mm
、高さ80mm、厚さ1mmのステンレス鋼製の被覆体
7を設置した。被覆体7の上部に内径4mmのステンレ
ス鋼製バイブ8を溶接し、バイブ8を被覆体7の上部内
面に開口させた。この被覆体7は、その下端が水冷銅継
ぎ手4よりも10mm上方に位置するように配置した。
組み立てられた基体1.丸棒2及び被覆体7を、内径4
00mmの反応容器9の内部にセットした。なお、バイ
ブ8の上部には覗き窓(図示せず)が設けられており、
覗き窓を通してたとえば光高温計によって析出面の温度
を測定することができる。
この装置を使用して、次の条件下で基体lの表面にタン
グステン10を析出させ、タングステンルツボを作製し
た。
バイブ8から反応容器9の内部に水素ガスを400cc
/分の流量で導入しながら、直接通電によってステンレ
ス鋼製基体lを昇温した。また、反応容器9内の圧力は
、自動圧力制御装置を使用して反応中宮に75トールに
維持されるように制御した。
ステンレス鋼製基体1の表面温度が700℃に到達した
時点で、流量75cc/分でWF、ガスを水素ガスに加
えた原料ガス1)をバイブ8から基体1と被覆体7との
間の隙間12に供給し、析出反応を開始させた。
反応開始と共に、タングステンlOが基体lの表面に析
出した。タングステン10の析出に伴って、基体lの表
面温度が低下し始めた。そこで、自動温度調節器を使用
して基体lに供給される電力を増加させ、基体lの表面
温度を常に700℃に維持した。
この条件下で析出反応を6時間継続させた。そして、W
F、ガスの供給を停止して、電源を切リ、水素雰囲気中
で基体lを室温まで冷却した。
冷却後、反応容器9から基体lを取り出した。
基体1の表面に析出したタングステン析出物lOは、単
に手で引き抜くだけで基体lから簡単に分離することが
でき、所定形状のタングステンルツボが得られた。この
分離をより容易且つ確実に行うためには、基体1の表面
を少なくとも4400以上の平滑度をもった状態に予め
研磨しておくことが望ましい。
作製されたタングステンルツボは、平均で1゜5mmの
厚みをもっていた。その厚みは、大きく変動することな
く、ルツボ全体にわたって均一であった。また、供給し
た原料ガス1)の流量及びタングステン10の析出量か
ら計算した有効ガス利用率は、92%であった。これに
対し、被覆体7を取り除いて、他は同じ条件下で析出反
応を行ってタングステンルツボを作製したところ、ガス
の有効利用効率は54%に過ぎなかった。
この対比から明らかなように、被覆体7を基体1に被せ
、基体lと被覆体7との間の隙間12に原料ガスを導入
することにより、原料ガスの有効利用効率が大幅に向上
することが確認された。
[発明の効果] 以上に説明したように、本発明においては、ルツボ形状
をした基体を被覆体で覆い、基体と被覆体との間に原料
ガスを導入することによって、原料ガスを析出反応に効
率よく消費している。そして、基体及び被覆体は、作製
しようとするルツボの大きさ、サイズ等に合わせて所定
のものを使用することができるため、反応容器に対して
析出用基体が小さいものであるにも拘らず、高い利用効
率で原料ガスが消費されるため、各種火きさ、サイズ等
をもったタングステンルツボな安価に作製することが可
能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明実施例で使用した反応装置の概略を示
す。 1ニステンレス鋼製基体、2ニステンレス鋼製丸棒、3
:セラミックファイバー、4.5:水冷銅継ぎ手、6:
直流電源、7:被覆体、8ニステンレス鋼製パイプ、9
:反応容器、lO:タングステン析出物、1):原料ガ
ス、12:基体と被覆体との間の隙間

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ルツボ形状をもつステンレス鋼製基体の全体に被
    覆体を被せ、前記ステンレス鋼製基体を加熱しながら前
    記ステンレス鋼製基体と前記被覆体との間の間隙にハロ
    ゲン化タングステン及び水素を含有する原料ガスを導入
    し、該原料ガスから前記ステンレス鋼製基体の表面に気
    相成長法によってタングステンを析出させ、該タングス
    テン析出物を前記ステンレス鋼製基体から除去すること
    を特徴とするタングステンルツボの製造方法。
  2. (2)請求項1記載のステンレス鋼製基体が直接供給さ
    れる電流によって通電加熱されることを特徴とするタン
    グステンルツボの製造方法。
  3. (3)請求項2記載のステンレス鋼製基体の内側面から
    離間し、底面で密着した状態で導電性部材を前記ステン
    レス鋼製基体の内側に配置し、前記ステンレス鋼製基体
    と前記導電性部材との間に加熱用電流を供給することを
    特徴とするタングステンパイプの製造方法。
  4. (4)請求項1記載のタングステン析出物を、熱膨張差
    を利用してステンレス鋼製基体から引き抜くことを特徴
    とするタングステンルツボの製造方法。
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