JPH03280540A - 絶縁膜の形成方法 - Google Patents
絶縁膜の形成方法Info
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- JPH03280540A JPH03280540A JP8272890A JP8272890A JPH03280540A JP H03280540 A JPH03280540 A JP H03280540A JP 8272890 A JP8272890 A JP 8272890A JP 8272890 A JP8272890 A JP 8272890A JP H03280540 A JPH03280540 A JP H03280540A
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は絶縁膜の形成方法に関し、特に半導体集積回路
の多層配線層間絶縁膜、表面保＠膜等に用いられるシリ
コン酸化窒化膜（Ｓｚ□０．Ｎ、）の形成方法に関する
。
の多層配線層間絶縁膜、表面保＠膜等に用いられるシリ
コン酸化窒化膜（Ｓｚ□０．Ｎ、）の形成方法に関する
。
従来、半導体基板上の保ｌＩ＆絶縁展または層間絶縁膜
は、モノ７ラン（Ｓ ｔ Ｈａ ）、アンモニア（Ｎｌ
−１，）を原料ガスとしてプラズマ化学気相成長法によ
り形成されるシリコン窒化膜、あるいはシリコン當化膜
よシも膜応力が小さく耐湿性にも優れている岬利点の多
い、モノシラン（Ｓ１Ｈ４）、アンモニア（ＮＨａ）お
よび亜酸化窒素（Ｎｔ Ｏ）を原料ガスとしてプラズマ
化学気相成長法によ多形成されるシリコン酸化窒化膜が
用いられている。
は、モノ７ラン（Ｓ ｔ Ｈａ ）、アンモニア（Ｎｌ
−１，）を原料ガスとしてプラズマ化学気相成長法によ
り形成されるシリコン窒化膜、あるいはシリコン當化膜
よシも膜応力が小さく耐湿性にも優れている岬利点の多
い、モノシラン（Ｓ１Ｈ４）、アンモニア（ＮＨａ）お
よび亜酸化窒素（Ｎｔ Ｏ）を原料ガスとしてプラズマ
化学気相成長法によ多形成されるシリコン酸化窒化膜が
用いられている。
しかしながら、上述したプラズマ化学気相成長法により
形成されるシリコン輩化膜あるいはシリコン窒化層ある
いはシリコン酸化窒化膜は、膜成長をすべき半導体基板
をプラズマに直接晒すため、半導体基板および形成され
た薄膜がプラズマ中の高速荷電粒子によって損傷される
。この膜面の損傷は通常、アニールの熱処理によって一
応快復せしめることができる。しかし、この熱処理温度
は一般に４５０℃以上の高温を必要とするので、製造さ
れた半導体集積回路素子の電気的特性を変動あるいは劣
化させるという欠点がある。
形成されるシリコン輩化膜あるいはシリコン窒化層ある
いはシリコン酸化窒化膜は、膜成長をすべき半導体基板
をプラズマに直接晒すため、半導体基板および形成され
た薄膜がプラズマ中の高速荷電粒子によって損傷される
。この膜面の損傷は通常、アニールの熱処理によって一
応快復せしめることができる。しかし、この熱処理温度
は一般に４５０℃以上の高温を必要とするので、製造さ
れた半導体集積回路素子の電気的特性を変動あるいは劣
化させるという欠点がある。
与えることなき絶縁膜の形成方法を提供することである
。
。
本発明によれば、絶縁膜の形成方法は、窒素（へ）を含
む有機ケイ素化合物とオゾン（Ｏ，）とを反応炉内に導
入し前記窒素（Ｎ）を含む有機ケイ素化合物を化学的に
活性なオゾン（Ｏ，）を用いて分解させ前記反応炉内に
設置され６００℃以下の一定温度に保たれた被処理物表
面上に堆積せしめるシリコン酸化窒化膜の化学気相成長
工程を含んで構成され、要すれば、上記化学気相成長に
より形成されたシリコン酸化窒化膜を紫外光照射下で０
．雰囲気にて熱処理し膜の緻密性を向上する工程が付加
される。
む有機ケイ素化合物とオゾン（Ｏ，）とを反応炉内に導
入し前記窒素（Ｎ）を含む有機ケイ素化合物を化学的に
活性なオゾン（Ｏ，）を用いて分解させ前記反応炉内に
設置され６００℃以下の一定温度に保たれた被処理物表
面上に堆積せしめるシリコン酸化窒化膜の化学気相成長
工程を含んで構成され、要すれば、上記化学気相成長に
より形成されたシリコン酸化窒化膜を紫外光照射下で０
．雰囲気にて熱処理し膜の緻密性を向上する工程が付加
される。
本発明方法において使用される化学気相成長のための原
料は、窒素を含む有機ケイ素化合物とオゾンである。
料は、窒素を含む有機ケイ素化合物とオゾンである。
上記有機ケイ素化合物は広範な物質群からなるが、さま
ざまな物質に関し検討を行った結果、窒素、炭素、水素
、酸素およびケイ素から成る化合物のすべてが利用でき
る０表１および表２にそのうちの一部を示す０表１に示
した有機ケイ素化合物はケイ素（Ｓｌ）と窒素（Ｎ）と
の直接結合をもつ化合物であル、オゾン（Ｏ，）との反
応によシ形成されるシリコン酸化窒化膜（ＳｔｘＯアＮ
、）の膜内に比較的高い窒素（Ｎ）含有量（７０チ以下
）を持つグループであり、他方、表２に示した有機ケイ
素化合物はケイ素（ｓｌ）と窒素（Ｎ）との直接結合を
もたず、形成される膜内に小さな窒素（Ｎ）含有量（２
（ｌ以下）をもつグループである。このように原料ガス
となる有機ケイ素化合物と成膜条件を選択することによ
り、任意の組成のシリコン酸化窒化膜（８１ｘＯ，Ｎ、
）を形成することができる。
ざまな物質に関し検討を行った結果、窒素、炭素、水素
、酸素およびケイ素から成る化合物のすべてが利用でき
る０表１および表２にそのうちの一部を示す０表１に示
した有機ケイ素化合物はケイ素（Ｓｌ）と窒素（Ｎ）と
の直接結合をもつ化合物であル、オゾン（Ｏ，）との反
応によシ形成されるシリコン酸化窒化膜（ＳｔｘＯアＮ
、）の膜内に比較的高い窒素（Ｎ）含有量（７０チ以下
）を持つグループであり、他方、表２に示した有機ケイ
素化合物はケイ素（ｓｌ）と窒素（Ｎ）との直接結合を
もたず、形成される膜内に小さな窒素（Ｎ）含有量（２
（ｌ以下）をもつグループである。このように原料ガス
となる有機ケイ素化合物と成膜条件を選択することによ
り、任意の組成のシリコン酸化窒化膜（８１ｘＯ，Ｎ、
）を形成することができる。
θ
θ
θ
■
◎
［相］
［株］
［株］
・
・
■
・
・
・
・
［株］
■
［相］
・
・
■
・
θ
θ
θ
０
［相］
・
・
・
・
・
■
・
［相］
■
・
［有］
［相］
・
■
■
［相］
・
・
■
・
・
・
・
・
・
ε
〔実施例〕
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の実施に使用する化学気相成長装置のプ
ロ、り構成図を示すもので、反応炉１０１゜シリコン基
板から成る試料１０２を載置するサセプター１０３、試
料１０２を加熱するピー２１０４％反応ガス導入管１０
５、反応ガス排気管１０６、酸素ガス供給管１０７、窒
素ガス供給管１０Ｂ、パルプ１０９、流量計１１０、
− 漬４１…判酸素ガス供給管１０７から導入された酸素（
Ｏ，）をオゾン（Ｏ１）に変換し、反応ガス導入管１０
５へ送り込む放電型オゾン発生器１１１゜Ｎを含んだ有
機シラン、すなわちジ（アミノージ（をブトキシ）−シ
リル）−アミン（ＮＨ，（をＣ４Ｈ＊Ｏ）＊ ５ｔ）ｔ
ＮＨを入れ窒素ガス供給管１０８からの窒素（Ｎ宜）
をキャリアガスとして用いて上記（ＮＨ＊（ｔ Ｃ＊
Ｈ＊０）ｔｓｉ：ＩｍＮＨを反応ガス導入管１０５へ送
り込み、０１と混合後反応炉１０１内へ導入するエバポ
レータ１１２およびこのエバポレータ１１２から反応炉
１０１ｔでの配管を加熱し液体原料の配管内における析
出を防ぐ官シタ１１３とを含む。
ロ、り構成図を示すもので、反応炉１０１゜シリコン基
板から成る試料１０２を載置するサセプター１０３、試
料１０２を加熱するピー２１０４％反応ガス導入管１０
５、反応ガス排気管１０６、酸素ガス供給管１０７、窒
素ガス供給管１０Ｂ、パルプ１０９、流量計１１０、
− 漬４１…判酸素ガス供給管１０７から導入された酸素（
Ｏ，）をオゾン（Ｏ１）に変換し、反応ガス導入管１０
５へ送り込む放電型オゾン発生器１１１゜Ｎを含んだ有
機シラン、すなわちジ（アミノージ（をブトキシ）−シ
リル）−アミン（ＮＨ，（をＣ４Ｈ＊Ｏ）＊ ５ｔ）ｔ
ＮＨを入れ窒素ガス供給管１０８からの窒素（Ｎ宜）
をキャリアガスとして用いて上記（ＮＨ＊（ｔ Ｃ＊
Ｈ＊０）ｔｓｉ：ＩｍＮＨを反応ガス導入管１０５へ送
り込み、０１と混合後反応炉１０１内へ導入するエバポ
レータ１１２およびこのエバポレータ１１２から反応炉
１０１ｔでの配管を加熱し液体原料の配管内における析
出を防ぐ官シタ１１３とを含む。
上記化学気相成長装置の反応炉１０１の中にヒータ１０
４により加熱された試料１０２を設置すれば、有機ケイ
素化合物（ＮＨ＊（ｔ Ｃ４ＨｓＯ）ｔｓｉ）＊ＮＨ
とオゾン（Ｏ，）との反応によシ試料１０２のシリコン
基板上にはシリコン酸化窒化膜（Ｓｌ！ＯＦ ＮＫ ）
が形成される。この場合、化学的に活性なオゾン（Ｏ，
）を用いているため、常圧および減圧いずれの圧力下に
おいても、約１００”０の低温からでも充分高速にシリ
コン酸化窒化膜（ＳＩＩＯＦ ＮＳ ）の成長を行うこ
とができる。例えば、稀釈Ｎ１Ｎ１１２００ｓｃ、１５
０℃に加熱した有機ケイ素化合物（ＮＨ＊ （ｔ −Ｃ
４Ｈ＊０ ）ｔｓｉ ）＊ＮＨを１００ ｓｃｃｍ窒素
（Ｎ、）ガスによシバプリングし、４００ ｓｅｃｍ酸
素（Ｏ，）ガスを放電型オゾン発生器１１１によ！Ｉ）
１２％オゾン化するとき、成層温度２００℃において８
０ ｎｍ／ｍ ｉ ｎ 、 ４００’Ｏにおいて２００
ｎｍ／ｍ ｉ ｎの成長速度でシリコン酸化窒化膜（
ＳｉｘＯ，Ｎ、）が形成される。この成長膜をラブフォ
ード後方散乱分光法によシ測定するとｘ：ｙ：ｚ＝４７
：３４：１９の組成比を示した。
４により加熱された試料１０２を設置すれば、有機ケイ
素化合物（ＮＨ＊（ｔ Ｃ４ＨｓＯ）ｔｓｉ）＊ＮＨ
とオゾン（Ｏ，）との反応によシ試料１０２のシリコン
基板上にはシリコン酸化窒化膜（Ｓｌ！ＯＦ ＮＫ ）
が形成される。この場合、化学的に活性なオゾン（Ｏ，
）を用いているため、常圧および減圧いずれの圧力下に
おいても、約１００”０の低温からでも充分高速にシリ
コン酸化窒化膜（ＳＩＩＯＦ ＮＳ ）の成長を行うこ
とができる。例えば、稀釈Ｎ１Ｎ１１２００ｓｃ、１５
０℃に加熱した有機ケイ素化合物（ＮＨ＊ （ｔ −Ｃ
４Ｈ＊０ ）ｔｓｉ ）＊ＮＨを１００ ｓｃｃｍ窒素
（Ｎ、）ガスによシバプリングし、４００ ｓｅｃｍ酸
素（Ｏ，）ガスを放電型オゾン発生器１１１によ！Ｉ）
１２％オゾン化するとき、成層温度２００℃において８
０ ｎｍ／ｍ ｉ ｎ 、 ４００’Ｏにおいて２００
ｎｍ／ｍ ｉ ｎの成長速度でシリコン酸化窒化膜（
ＳｉｘＯ，Ｎ、）が形成される。この成長膜をラブフォ
ード後方散乱分光法によシ測定するとｘ：ｙ：ｚ＝４７
：３４：１９の組成比を示した。
本発明の方法によって形成されたシリコン酸化窒化（Ｓ
ｉ ！ Ｏｙ Ｎｓ ）膜は窒素を含む有機ケイ素化
合物ガスを化学的に活性なオゾン（Ｏ，）を用いて分解
して作られたものであるので成膜面は全く損傷されない
、従って、アニール処理を施さすともそのままの状態で
パッジページ璽ン膜その他の絶縁膜として用いることが
できる。ただし、若干のアニール処理を施すことによっ
て膜質をよシ緻密化することは可能である。
ｉ ！ Ｏｙ Ｎｓ ）膜は窒素を含む有機ケイ素化
合物ガスを化学的に活性なオゾン（Ｏ，）を用いて分解
して作られたものであるので成膜面は全く損傷されない
、従って、アニール処理を施さすともそのままの状態で
パッジページ璽ン膜その他の絶縁膜として用いることが
できる。ただし、若干のアニール処理を施すことによっ
て膜質をよシ緻密化することは可能である。
第２図は本発明による成膜のアニール効果を示す実験デ
ータ図であって、成膜温度２００℃〜８００℃で形成し
たシリコン酸化金化（ＳｉｘＯ，ＮりＩＩ！１のに５０
緩衝）、酸溶液によるエツチング速度がアニール前後の
比較データで示されている。ここで、集線Ａが有機ケイ
素化合物［（ｔ Ｃ４Ｈ１Ｏ）ｔＮＨ，Ｓ ｉ ）、
ＮＨを原料として形成したシリコン酸化窒化（Ｓ ｉｚ
Ｏｙ Ｎｓ ）膜のエツチング速度、点線Ｂが上記ｓ
ｉｘｏ、 ＮｘＪ［Ｉを１気圧の０．雰囲気中におい
て低圧水欽灯からの紫外光を照射しつつ４００℃で熱処
理した場合のエツチング速度をそれぞれ示す、この実峡
データから紫外光照射全行いつつ酸素雰囲中で熱処理す
ることによシ、膜がより緻密化されエツチング速度が減
少することが理解できる。
ータ図であって、成膜温度２００℃〜８００℃で形成し
たシリコン酸化金化（ＳｉｘＯ，ＮりＩＩ！１のに５０
緩衝）、酸溶液によるエツチング速度がアニール前後の
比較データで示されている。ここで、集線Ａが有機ケイ
素化合物［（ｔ Ｃ４Ｈ１Ｏ）ｔＮＨ，Ｓ ｉ ）、
ＮＨを原料として形成したシリコン酸化窒化（Ｓ ｉｚ
Ｏｙ Ｎｓ ）膜のエツチング速度、点線Ｂが上記ｓ
ｉｘｏ、 ＮｘＪ［Ｉを１気圧の０．雰囲気中におい
て低圧水欽灯からの紫外光を照射しつつ４００℃で熱処
理した場合のエツチング速度をそれぞれ示す、この実峡
データから紫外光照射全行いつつ酸素雰囲中で熱処理す
ることによシ、膜がより緻密化されエツチング速度が減
少することが理解できる。
第３図（ａ）〜（Ｃ）は本発明を用いて樹脂封止型半導
体装ｍを製造した場合の工程順序図である。本夾施例に
よれに１半導体チップ３０３のｉ［１３０４とリードフ
レームの外部導出線部３０１とが金属導線（ボンディン
グ・ワイヤ）３０５によシ接続された半導体チップ表面
が１本発明による窒素（Ｎ）を含む有機シランとオゾン
（Ｏ，）との化学気相成長法によ多形成したシリコン酸
化窒化（Ｓｉ！０７ＮＳ）膜によシ被覆され、樹脂封止
が行われる工程が示がマウントされボンディング・ワイ
ヤ（金縁）３０５により１４３０４とボンディングされ
る。
体装ｍを製造した場合の工程順序図である。本夾施例に
よれに１半導体チップ３０３のｉ［１３０４とリードフ
レームの外部導出線部３０１とが金属導線（ボンディン
グ・ワイヤ）３０５によシ接続された半導体チップ表面
が１本発明による窒素（Ｎ）を含む有機シランとオゾン
（Ｏ，）との化学気相成長法によ多形成したシリコン酸
化窒化（Ｓｉ！０７ＮＳ）膜によシ被覆され、樹脂封止
が行われる工程が示がマウントされボンディング・ワイ
ヤ（金縁）３０５により１４３０４とボンディングされ
る。
ここで、３０６はウェノ・工程最後にプラズマＣＶＤに
よ多形成されたパ、シペーシ、ン膜（シリコン窒化膜）
を示す。ついで、この半導体チップ３０３の全表面はリ
ードフレームの外部導出線部３０１お・よび素子マウン
ト部３０２と共に本発明方法によるシリコン酸化窒化（
ＳｉｘＯｙＮｓ ）ＩＪ ３０７によシ被覆される〔第
３図（ｂ）参照〕、このシリコン酸化窒化（ｓｔｘｏ、
Ｎ、） ｌｉ３０７の形成に祉既に述べた第１図の成膜
装偽が使用され、有機ケイ素化合物原料にトリエチル・
シリラミン・オキサイド（（Ｃｔ）ｉｓ）ｓｓ ｉＮＨ
＊ｏ）を用いて成膜温度２５０℃にて行われる。この際
、適幽な治具全マスクとして用いれば外部導出線２０１
の一部のみに成ｋを行うことができる。
よ多形成されたパ、シペーシ、ン膜（シリコン窒化膜）
を示す。ついで、この半導体チップ３０３の全表面はリ
ードフレームの外部導出線部３０１お・よび素子マウン
ト部３０２と共に本発明方法によるシリコン酸化窒化（
ＳｉｘＯｙＮｓ ）ＩＪ ３０７によシ被覆される〔第
３図（ｂ）参照〕、このシリコン酸化窒化（ｓｔｘｏ、
Ｎ、） ｌｉ３０７の形成に祉既に述べた第１図の成膜
装偽が使用され、有機ケイ素化合物原料にトリエチル・
シリラミン・オキサイド（（Ｃｔ）ｉｓ）ｓｓ ｉＮＨ
＊ｏ）を用いて成膜温度２５０℃にて行われる。この際
、適幽な治具全マスクとして用いれば外部導出線２０１
の一部のみに成ｋを行うことができる。
ついで樹脂封止を行いリードルームの切断および整形を
行えば、第３図（ｃ）に示す如き半導体装置の完成品を
得る。ここで、３０８ｔ′ｉ封入樹脂、３０９は整形さ
れた外部導出電極（ピン）′に示す。
行えば、第３図（ｃ）に示す如き半導体装置の完成品を
得る。ここで、３０８ｔ′ｉ封入樹脂、３０９は整形さ
れた外部導出電極（ピン）′に示す。
かくして得られた半導体装ｔＬ半導体チップ３０３上の
電極３０４が本発明によるシリコン酸化窒化（ＳｉｘＯ
，ＮＫ）農３０７で被覆・保護されているため、封入樹
脂３０８とは直接接することがない。
電極３０４が本発明によるシリコン酸化窒化（ＳｉｘＯ
，ＮＫ）農３０７で被覆・保護されているため、封入樹
脂３０８とは直接接することがない。
その結果、半導体チップ３０３および電極２０４の耐湿
性は飛躍的に向上し、信頼性の格段に優れた半導体装置
を得ることが可能となる。
性は飛躍的に向上し、信頼性の格段に優れた半導体装置
を得ることが可能となる。
第４図は本発明による絶縁膜を用いて製造した上記実施
例半導体装置の耐湿性試験データ図を示すものである。
例半導体装置の耐湿性試験データ図を示すものである。
試料にはポンディング工程後保饅膜を形成せず樹脂封止
した従来の半導体装置［１）と、ボンディング後にトリ
エチル・シリラミン・オキサイド〔（Ｃ，ル）、ＳｉＮ
ルＯ〕 とオゾン（Ｏ，）の化学的気相成長法による本
発明のシリコン酸化金化（ＳｉｘＯアＮｉ）膜を被覆し
樹脂封止した上記実施例の半導体装置［１１）と、従来
のプラズマ化学気相成長法によるシリコン酸化窒化（Ｓ
ｓ Ｘ Ｏｙ Ｎｚ ）膜で被覆した後温度４５０℃
、時間３０分のＴＥ０１と０．の化学気相成長法により
Ｓ ｉｏ、膜を被覆しアニール処理を施した樹脂封止半
導体装置〔層〕との３種類のものが各々１００個づつ準
備されまれそれについて温度１５０℃、２気圧の水蒸気
釜に試料を入れ不良数を調べるグレアシャー・り、カー
試験（ＰＣＴ）が行われた。この際、従来のプラズマ化
学気相成長法による絶縁膜をもつ試料［１）は試験開始
前置に大部分のものが特性不良をおこしているので試験
対象から外し、試料（１）および［１１）についてのみ
試験を続行した結果、本発明方法によるシリコン酸化窒
化（ＳｉｚＯｙＮｘ ） ａをパ、シベーシ箇ン膜とし
て用いた試料［１１］がきわめて優れた結果を示すこと
が確かめられた。勿論この試料〔田〕には成膜前抜にお
いて半導体素子の電気的特性変動は認められず、成膜に
よる損傷のないことも示された。
した従来の半導体装置［１）と、ボンディング後にトリ
エチル・シリラミン・オキサイド〔（Ｃ，ル）、ＳｉＮ
ルＯ〕 とオゾン（Ｏ，）の化学的気相成長法による本
発明のシリコン酸化金化（ＳｉｘＯアＮｉ）膜を被覆し
樹脂封止した上記実施例の半導体装置［１１）と、従来
のプラズマ化学気相成長法によるシリコン酸化窒化（Ｓ
ｓ Ｘ Ｏｙ Ｎｚ ）膜で被覆した後温度４５０℃
、時間３０分のＴＥ０１と０．の化学気相成長法により
Ｓ ｉｏ、膜を被覆しアニール処理を施した樹脂封止半
導体装置〔層〕との３種類のものが各々１００個づつ準
備されまれそれについて温度１５０℃、２気圧の水蒸気
釜に試料を入れ不良数を調べるグレアシャー・り、カー
試験（ＰＣＴ）が行われた。この際、従来のプラズマ化
学気相成長法による絶縁膜をもつ試料［１）は試験開始
前置に大部分のものが特性不良をおこしているので試験
対象から外し、試料（１）および［１１）についてのみ
試験を続行した結果、本発明方法によるシリコン酸化窒
化（ＳｉｚＯｙＮｘ ） ａをパ、シベーシ箇ン膜とし
て用いた試料［１１］がきわめて優れた結果を示すこと
が確かめられた。勿論この試料〔田〕には成膜前抜にお
いて半導体素子の電気的特性変動は認められず、成膜に
よる損傷のないことも示された。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、窒素を含
む有機ケイ素化合物とオゾン（Ｏａ）とを反応させ化学
気相成長せしめることによシ極めて緻密性に富み耐顕性
の高いシリコン酸化窒化膜を被処理物表面上に損傷を与
えずに形成することができるので、例えば、パ、シベー
シ冒ン膜の形成に実施すれば、樹脂封止型半導体装置の
信頼性の向上に顕著な効果を奏し得る。
む有機ケイ素化合物とオゾン（Ｏａ）とを反応させ化学
気相成長せしめることによシ極めて緻密性に富み耐顕性
の高いシリコン酸化窒化膜を被処理物表面上に損傷を与
えずに形成することができるので、例えば、パ、シベー
シ冒ン膜の形成に実施すれば、樹脂封止型半導体装置の
信頼性の向上に顕著な効果を奏し得る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施に使用する化学気相成長装置のプ
ロ、り構成図、第２図は本発明による成膜のアニール効
果を示す実験データ図、第３図（ａ）〜（Ｃ）は本発明
を用いて樹脂封止型半導体装置を製造した場合の工程順
序回、第４図は本発明による絶縁膜を用いて製造した上
記実施例半導体装置の耐湿性試験データ図である。 １０１・・・・・・反応炉、１０２・・・・・・試料、
１０３・・・・・・サセプター １０４・・・・・・ヒ
ータ、１０５・・・・・・反応ガス導入管、１０６・・
・・・・反応ガス排気管、１０７・・・・・・酸素ガス
供給管、１０８・・・・・・窒素ガス供給管、１０９・
・・・・・パルプ、１１０・・・・・・流量計、１１１
・・・・・・オゾン発生器、１１２・・団・エバポレー
タ、１１３・・・・・・配管加熱ヒータ、３ｏ１・・・
・・・す：′）ドフレーム外部導出線部、３０２・・・
・・・リードフレーム素子マウント部、３０３・・・・
・・半導体チップ、３ｏ４・旧・・電極、３０５・・・
・・・ボンディング・ワイヤー、３ｏ６・・・・・・パ
ッシヘーシ■ンＩｌｌ、３０７・・・・・・シリコン隈
化窒化膜、３０８・・・・・・封入樹脂、３０９・・団
・外部導出電極（ピン）。
ロ、り構成図、第２図は本発明による成膜のアニール効
果を示す実験データ図、第３図（ａ）〜（Ｃ）は本発明
を用いて樹脂封止型半導体装置を製造した場合の工程順
序回、第４図は本発明による絶縁膜を用いて製造した上
記実施例半導体装置の耐湿性試験データ図である。 １０１・・・・・・反応炉、１０２・・・・・・試料、
１０３・・・・・・サセプター １０４・・・・・・ヒ
ータ、１０５・・・・・・反応ガス導入管、１０６・・
・・・・反応ガス排気管、１０７・・・・・・酸素ガス
供給管、１０８・・・・・・窒素ガス供給管、１０９・
・・・・・パルプ、１１０・・・・・・流量計、１１１
・・・・・・オゾン発生器、１１２・・団・エバポレー
タ、１１３・・・・・・配管加熱ヒータ、３ｏ１・・・
・・・す：′）ドフレーム外部導出線部、３０２・・・
・・・リードフレーム素子マウント部、３０３・・・・
・・半導体チップ、３ｏ４・旧・・電極、３０５・・・
・・・ボンディング・ワイヤー、３ｏ６・・・・・・パ
ッシヘーシ■ンＩｌｌ、３０７・・・・・・シリコン隈
化窒化膜、３０８・・・・・・封入樹脂、３０９・・団
・外部導出電極（ピン）。
Claims (1)
- 窒素（Ｎ）を含む有機ケイ素化合物とオゾン（Ｏ＿３
）とを反応炉内に導入し前記窒素（Ｎ）を含む有機ケイ
素化合物を化学的に活性なオゾン（Ｏ＿３）を用いて分
解させ前記反応炉内に設置され一定温度に保たれる被処
理物表面上に堆積せしめるシリコン酸化窒化膜（Ｓｉ＿
ｘＯ＿ｙＮ＿ｚ）の化学気相成長工程を含むことを特徴
とする絶縁膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8272890A JPH03280540A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 絶縁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8272890A JPH03280540A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 絶縁膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03280540A true JPH03280540A (ja) | 1991-12-11 |
Family
ID=13782483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8272890A Pending JPH03280540A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03280540A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6586163B1 (en) | 1999-06-02 | 2003-07-01 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. | Method of forming fine pattern |
| KR100379651B1 (ko) * | 1996-11-27 | 2003-07-22 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 반도체장치의제조방법 |
-
1990
- 1990-03-29 JP JP8272890A patent/JPH03280540A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100379651B1 (ko) * | 1996-11-27 | 2003-07-22 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 반도체장치의제조방법 |
| US6586163B1 (en) | 1999-06-02 | 2003-07-01 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. | Method of forming fine pattern |
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