JPH03276555A - ショートアーク型水銀蒸気放電灯 - Google Patents

ショートアーク型水銀蒸気放電灯

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JPH03276555A
JPH03276555A JP2075731A JP7573190A JPH03276555A JP H03276555 A JPH03276555 A JP H03276555A JP 2075731 A JP2075731 A JP 2075731A JP 7573190 A JP7573190 A JP 7573190A JP H03276555 A JPH03276555 A JP H03276555A
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JP2075731A
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Kiyotada Nakamura
中村 清忠
Osamu Inoue
修 井上
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Ushio Denki KK
Ushio Inc
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Ushio Denki KK
Ushio Inc
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Discharge Lamp (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体やプリント基板の焼き付は等において
露光用光源として好適に使用されるショートアーク型水
銀蒸気放電灯に関する。
〔従来の技術〕
例えば半導体ウェハーの露光用光源としては、最近は、
より線幅の小さいパターンの焼き付けを効率的に達成す
ることが要求され、そのため光学系における色収差によ
る画像のボケを小さくするためにg線(波長436nm
)もしくは1線(波長365nm)の半値幅の狭い放電
灯の実現が求められている。
因みに、従来の露光用光源として用いられていた超高圧
水銀灯と呼ばれるショートアーク型水銀蒸気放電灯にお
いては、g線もしくは1線の半値幅は4〜5nm程度で
あり、現在では、半値幅が3nm以下のg線もしくは1
線が要望されている。
一方、半導体ウェハーの露光方式としては、枚の半導体
ウェハーをその微小区域ごとに順次露光していくステッ
プ・アンド・リピート方式が好適である。そして、この
ステップ・アンド・リピート方式を適用する場合には、
−の微小区域から次の微小区域へ移動する際の非露光時
における放電灯の消費電力を軽減する観点から、非露光
時には点灯電力を小さくして低レベルで点灯するととも
にンヤッターにより遮光し、露光時には点灯電力を大き
くして高レベルで点灯するパルス点灯方式が好適である
〔発明が解決しようとする課題〕
しかるに、g線もしくは1線の半値幅を3nm以下に狭
くするためには、水銀の封入量を少なくすることが有効
であるが、水銀の封入量を少なくすると放電電流が増加
し、陽極が受けるダメージが大きくなり、その結果放電
灯の使用寿命が短くなる問題がある。この問題は、放電
灯を特にパルス点灯方式により点灯する場合に顕著とな
り、またこの問題は陽極の体積を大きくすれば解決する
ことは従来より知られているが、陽極を大きくすると発
光空間膨出部も大きくしなければならず、パルス点灯と
の関係で、どの程度まで大きくできるかは、全く知られ
ていない。
そして、光学系との組合せの関係で、陽極を上側に陰極
を下側にして点灯する場合には、封入した水銀が蒸発し
にく(なるという問題があり、この問題は、やはりパル
ス点灯方式により点灯される場合に特に顕著となる。
本発明の目的は、g線もしくは1線の半値幅を狭くする
ことができるとともに、陽極のダメージを軽減しつつ、
点灯時における水銀の未蒸発を防止することができるシ
ョートアーク型水銀蒸気放電灯を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するため、本発明においては、発光管の
中央の発光空間膨出部内に陽極と陰極とが対向配置され
、当該発光空間膨出部内に水銀と希ガスとが封入されて
なり、陽極を上側に陰極を下側にして点灯されるショー
トアーク型水銀蒸気放電灯であって、点灯時におけるラ
ンプ入力がlKW以上で水銀蒸気圧が15気圧以下であ
り、かつ陽極の体積U (cc)と発光空間膨出部の内
容積V(cc)との比U/Vの値が0.1以上0.3未
満に規定されている構成を採用する。
〔作用〕
点灯時におけるランプ入力が1KW以上で水銀蒸気圧が
15気圧以下であるので、g線もしくは1線の半値幅の
狭い放射光が得られる。
しかるに、放電電流の増加により上側に位置された陽極
はダメージを受けやすい状態になるが、陽極の体積Uと
発光空間膨出部の内容積Vとの比U/Vの値を0.1以
上0.3未満に規定したので、陽極が受けるダメージが
相当に軽減されてパルス点灯方式により点灯する場合に
も長い使用寿命が確保されるうえ、水銀の蒸発が迅速に
なされてg線もしくは1線の放射強度が安定化するまで
に要する時間が短縮され、しかも点灯時における水銀の
未蒸発が防止されてg線もしくは1線の放射強度の安定
性が高くなる。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例について説明する。
本実施例においては、第1図に示すように、発光管1の
中央の発光空間膨出部11内に陽極2と陰極3とを対向
配置する。
そして、発光空間膨出部11内には水銀と希ガスとを封
入する。水銀の封入量は、点灯時における水銀蒸気圧が
15気圧以下で、好ましくは8〜15気圧となる範囲で
ある。
希ガスとしては、アルゴン、キセノン、クリプトン、ネ
オン等を用いることができ、2種以上のものを併用して
もよい。なお、希ガスの封入量は、封入時の圧力で0.
1〜3気圧の範囲がよい。
陽極2の大きさは、陽極2の体積U (cc)と発光空
間膨出部IIの内容積V <cc)との比U/Vの値が
0.1以上0.3未満となる範囲である。因みに、従来
の比U/Vの値は0.09程度以下である。
このショートアーク型水銀蒸気放電灯は、使用時には陽
極2を上側に陰極3を下側にして点灯されるものである
このように、点灯時における水銀蒸気圧と、陽極2の体
積Uと発光空間膨出部11の内容積Vとの比U/Vとを
上記の特定範囲に規定することにより、g線もしくは1
線の半値幅の狭い放射光が得られるうえ、使用時には上
側に位置されるにもかかわらず陽極が受けるダメージが
相当に軽減されて長い使用寿命が確保され、しかも水銀
の蒸発が迅速になされてg線もしくは1線の放射強度が
安定化するまでに要する時間が短縮され、そのうえ点灯
時における水銀の未蒸発が防止されてg線もしくは1線
の放射強度の安定性が高くなる。
これに対して、点灯時における水銀蒸気圧が15気圧を
超える場合には、半値幅が大きくなる。
また、陽極2の体積Uと発光空間膨出部11の内容積V
との比U/Vの値が0.1未満の場合には、水銀が蒸発
しにくくなり放電の安定性が悪くなる。
さらに、比U/Vの値が0.3以上の場合には、アーク
で発生したg線もしくは1線のうちアークより上向に放
射されるもののうちのほとんどが陽極2によって反射さ
れ、集光鏡等の焦点からずれるために集光効率が悪くな
る。
なお、第1図において、12は封止管部、21.31は
内部リード棒、4は口金である。また、図示はしないが
、各封止管B12においては、4枚の金属箔によって気
密ンールが達成されている。
本発明のショートアーク型水銀蒸気放電灯は、ステップ
・アンド・リピート方式およびパルス点灯方式による露
光に好適に用いることができる。
すなわち、パルス点灯方式においては、放電電流が大き
くなると点灯時において上側に位置された陽極2が大き
なダメージを受けやすいが、本発明のショートアーク型
水銀蒸気放電灯では、陽極2の体積Uと発光空間膨出部
11の内容積Vとの比U/Vの値を特定の範囲に規定し
ているため、陽極2が受けるダメージが相当に軽減され
、その結果、長時間にわたり初期の高い放射強度で安定
した点灯を繰返して行うことができ、しかも点灯時にお
ける水銀の蒸発が完全であって放電の安定性が高く、従
って、点灯電力を小さくして低レベルで点灯するときに
も放電が不安定となることがない。
〔実験例〕
以下、本発明の効果を確認するために行った実験例につ
いて説明する。
実験例1 点灯時における水銀蒸気圧が種々の値になるように水銀
の封入量を変更したほかは下記条件のショートアーク型
水銀蒸気放電灯を多数作製した。
各放電灯を、定格より小さい消費電力1.OKWで0.
5秒点灯する低レベル点灯と、定格消費電力1.5KW
で0.5秒点灯する高レベル点灯とを交互に繰返すパル
ス点灯方式により点灯する試験を行い、高レベル点灯時
におけるg線(435±3nm)の放射強度およびその
半値幅を測定したところ、第2図の曲線へで示すように
、点灯時における水銀蒸気圧が15気圧以下の範囲にあ
る場合には、g線の半値幅が3nm以下になる。そして
同図の曲線Bで示すように、点灯時の水銀蒸気圧が減少
すると放射強度も減少するので、水銀蒸気圧は8〜15
気圧程度が好ましい。なお、水銀蒸気圧は高レベル点灯
時のものである。
実験例2 実験例1において、水銀の封入量を高レベル点灯時にお
ける水銀蒸気圧が13気圧となる量に固定し、陽極20
体積Uを変えて比U/Vの値を種々の値に変更したほか
は同様にしてショートアーク型水銀蒸気放電灯を多数作
製した。
各放電灯を実験例1と同様にして点灯する試験を行い、
点灯を開始してから放電が安定するまでに要する時間を
調べたところ、第3図に示すように、比TJ/Vの値が
0.1以上である場合には短い時間で放電が安定化した
実験例3 実験例2と同様の構成の各放電灯を実験例1と同様にし
て点灯する試験を行い、高レベル点灯時および低レベル
点灯時におけるg線(435±3nm)の放射強度の安
定性を調べたところ、比U/Vの値が011以上である
場合には、いずれのレベルでの点灯時においても放射強
度の変動が±1%以下と小さくて安定性が優れていた。
これに対して、比U/Vの値が0.1未満である場合に
は、特に低レベル点灯時において放射強度の変動が13
%と大きくなり、安定性が劣ってぃた。
〔発明の効果〕
以上詳細に説明したように、本発明によれば、点灯時に
おける水銀蒸気圧、陽極の体積Uと発光空間膨出部の内
容積Vとの比U/Vの値がそれぞれ特定の範囲に規定さ
れているので、g線もしくは1線の半値幅が狭く、そし
て点灯時には上側に位置される陽極が受けるダメージが
少なくて使用寿命が長く、しかも点灯時における水銀の
蒸発が完全であって放電の安定性が高いショートアーク
型水銀蒸気放電灯が得られる。
従って、特に、陽極がダメージを受けやすいパルス点灯
方式によって点灯される場合にも、長時間にわたり、放
射強度が大きくかつ半値幅の狭いg線もしくは1線が安
定に放射される。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例に係るショートアーク型水銀蒸
気放電灯の概略図、第2図は実験例1の測定結果であっ
て点灯時における水銀蒸気圧を変化させたときのg線の
放射強度およびその半値幅の変化を示す線図、第3図は
実験例2の測定結果であって陽極の体積Uと発光空間呼
出部の内容積Vとの比U/Vの値を変化させたときの放
電安定時間との関係を示す線図である。 1・・・発光管      11・・・発光空間膨出部
12・・・封止管部     2・・・陽極3・・・陰
極       21.31・・・内部リード棒4・・
・口金 輯漬f!A廻(屡;1) O ぐ 〜 伽j?It) (兵譬V)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  発光管の中央の発光空間膨出部内に陽極と陰極とが対
    向配置され、当該発光空間膨出部内に水銀と希ガスとが
    封入されてなり、陽極を上側に陰極を下側にして点灯さ
    れるショートアーク型水銀蒸気放電灯であって、点灯時
    におけるランプ入力が1KW以上で水銀蒸気圧が15気
    圧以下であり、かつ陽極の体積U(cc)と発光空間膨
    出部の内容積V(cc)との比U/Vの値が0.1以上
    0.3未満に規定されていることを特徴とするショート
    アーク型水銀蒸気放電灯。
JP2075731A 1990-03-27 1990-03-27 ショートアーク型水銀蒸気放電灯 Expired - Fee Related JP2732456B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005056692A (ja) * 2003-08-05 2005-03-03 Ushio Inc ショートアーク型水銀蒸気放電ランプ

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JP2005056692A (ja) * 2003-08-05 2005-03-03 Ushio Inc ショートアーク型水銀蒸気放電ランプ

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