JPH03273667A - 樹脂封止型混成集積回路 - Google Patents
樹脂封止型混成集積回路Info
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- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 19
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、混成集積回路に関し、特に詳しくは湿気から
半導体チップを保護し、高信頼性のある混成集積回路に
関するものである。
半導体チップを保護し、高信頼性のある混成集積回路に
関するものである。
［従来の技術］
混成集積回路は、ＯＡ種機器通信機器、民生機器等に搭
載され、近年目覚ましい発展を遂げているが、従来の混
成集積回路は、第２図に示されるように、樹脂によって
封止されている。
載され、近年目覚ましい発展を遂げているが、従来の混
成集積回路は、第２図に示されるように、樹脂によって
封止されている。
即ち、第２図は、樹脂で封止された混成集積回路を示し
ており、回路を有する基板１の上Ｃ半導体チップ２が設
けられ、リード又はバッド３にボンディングワイヤ４に
よって接続した後、半導体チップ２は第１の樹脂７で覆
われて保護され、ついで第２の封止樹脂６で全体を覆っ
て湿気から保護することが行われている。
ており、回路を有する基板１の上Ｃ半導体チップ２が設
けられ、リード又はバッド３にボンディングワイヤ４に
よって接続した後、半導体チップ２は第１の樹脂７で覆
われて保護され、ついで第２の封止樹脂６で全体を覆っ
て湿気から保護することが行われている。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、第２図に示される封止構造では、半導体
チップの被覆を第１の樹脂及び第２の樹脂のように共に
樹脂を使用しているため、湿気等の吸湿に対して半導体
チップを十分に保護することができないので、混成集積
回路の信頼性が低いという問題があった。
チップの被覆を第１の樹脂及び第２の樹脂のように共に
樹脂を使用しているため、湿気等の吸湿に対して半導体
チップを十分に保護することができないので、混成集積
回路の信頼性が低いという問題があった。
そこで、本発明者は、この問題点について種々検討した
結果、第２図に示される封止構造において、第１の樹脂
にかえてキャップ状の蓋を被せることにより、良好な耐
湿性を有する混成集積回路が得られることを見出し、本
発明を完成するに至った。
結果、第２図に示される封止構造において、第１の樹脂
にかえてキャップ状の蓋を被せることにより、良好な耐
湿性を有する混成集積回路が得られることを見出し、本
発明を完成するに至った。
したがって、本発明の目的は、湿気から半導体チップを
保護し、高信頼性のある混成集積回路を提供することに
ある。
保護し、高信頼性のある混成集積回路を提供することに
ある。
［問題点を解決するための手段］
上記の本発明の目的は、回路基板上に半導体チップを搭
載した混成集積回路において、該半導体チップをキャッ
プ状の蓋を被せて覆い、更に全体に樹脂を設けて封止す
ることを特徴とする混成集積回路によって達成された。
載した混成集積回路において、該半導体チップをキャッ
プ状の蓋を被せて覆い、更に全体に樹脂を設けて封止す
ることを特徴とする混成集積回路によって達成された。
以下、本発明を更に具体的に説明する。
本発明は、半導体チップを気密に封止する点に特徴を有
し、該封止をキャップ状の蓋と樹脂とで行うことにある
。
し、該封止をキャップ状の蓋と樹脂とで行うことにある
。
このキャップ状の蓋の材質は、気密性があるものであれ
ば特に制限なく使用できるが、好ましくはセラミックス
又はガラス等が用いられる。
ば特に制限なく使用できるが、好ましくはセラミックス
又はガラス等が用いられる。
また蓋の形状は、平板上に搭載された半導体チップと、
これを回路基板表面に設置されたリード或はパッドとの
間で電気的接続をするためのボンディングワイヤとに接
触することなく覆うに必要な低部面積と高さとを必要と
し、したがってその形状は、キャップ型の一体構造が望
ましい。
これを回路基板表面に設置されたリード或はパッドとの
間で電気的接続をするためのボンディングワイヤとに接
触することなく覆うに必要な低部面積と高さとを必要と
し、したがってその形状は、キャップ型の一体構造が望
ましい。
このキャップ型の一体構造の製造方法は、成形方法が好
ましく、セラミックスの場合は、グリーンシートをプレ
スで打ち抜いた後、坑底する方法等が、またガラスの場
合には、加熱により軟化したガラス板をプレスで打ち抜
く等の方法が例示される。
ましく、セラミックスの場合は、グリーンシートをプレ
スで打ち抜いた後、坑底する方法等が、またガラスの場
合には、加熱により軟化したガラス板をプレスで打ち抜
く等の方法が例示される。
また蓋を構成する材質の厚さは、セラミックス及びガラ
ス共に気密性が維持できる厚さがあれば十分であるが、
特にセラミックスの場合は、ゾル−ゲル法により製造さ
れる薄厚のものが好ましく、例えば０．０５＋＋＋ｍ〜
０．２＋ａｍである。
ス共に気密性が維持できる厚さがあれば十分であるが、
特にセラミックスの場合は、ゾル−ゲル法により製造さ
れる薄厚のものが好ましく、例えば０．０５＋＋＋ｍ〜
０．２＋ａｍである。
蓋を構成するセラミックス及びガラスの線膨張係数は、
回路基板構成材料のそれに近いものが好ましい。
回路基板構成材料のそれに近いものが好ましい。
蓋と回路基板との接着は、二液性エポキシ樹脂接着剤等
の接着剤により固定するのがよい。
の接着剤により固定するのがよい。
封止樹脂としては、この技術分野において用いられる樹
脂が用いられるが、好ましくはエポキシ樹脂が挙げられ
る。
脂が用いられるが、好ましくはエポキシ樹脂が挙げられ
る。
回路基板としては、通常この技術分野において用いられ
るセラミックス基板、好ましくはアルミナ基板、更に好
ましくはゾル−ゲル法により製造されるアルミナ基板で
ある。
るセラミックス基板、好ましくはアルミナ基板、更に好
ましくはゾル−ゲル法により製造されるアルミナ基板で
ある。
［作用及び効果］
本発明は、半導体チップを気密性のある蓋で封止したの
で、気密性が得られ、湿気や水分等の侵入を防止するこ
とができる。また更にこの蓋を覆って樹脂を被覆してい
るので、−層の湿気や水分等の侵入を防止することがで
きる。
で、気密性が得られ、湿気や水分等の侵入を防止するこ
とができる。また更にこの蓋を覆って樹脂を被覆してい
るので、−層の湿気や水分等の侵入を防止することがで
きる。
したがって、信頼性のある混成集積回路が得られる。
［実施例］
次に本発明を図面を用いて説明するが、本発明はこれに
限定されるものではない。
限定されるものではない。
セラミックス基板１として、ゾル−ゲル法により製造さ
れた厚さ０．１＋ａｍのアルミナ基板を用い、この基板
に回路を設けた後、半導体チップ２をボンディングワイ
ヤ４でパッド３に接続して混成集積回路を作製した。
れた厚さ０．１＋ａｍのアルミナ基板を用い、この基板
に回路を設けた後、半導体チップ２をボンディングワイ
ヤ４でパッド３に接続して混成集積回路を作製した。
この混成集積回路において、半導体２、ボンディングワ
イヤ４、パッド３を含む三次元空間をセラミックスから
なるキャップ状のＭ５で覆った。
イヤ４、パッド３を含む三次元空間をセラミックスから
なるキャップ状のＭ５で覆った。
このセラミックスからなる蓋に代えてガラスの蓋を用い
ることもできる。
ることもできる。
この蓋の下部の周囲をエポキシ系接着剤で固定する。こ
のようにして半導体チップの第１の保護をする。次いで
、混成集積回路全体をエポキシ樹脂で覆い第２の保護を
する。樹脂による覆いはキャップを含む１部分を覆うこ
ともできる。
のようにして半導体チップの第１の保護をする。次いで
、混成集積回路全体をエポキシ樹脂で覆い第２の保護を
する。樹脂による覆いはキャップを含む１部分を覆うこ
ともできる。
このようにして得られた混成集積回路は、外部からの半
導体チップに対する水分の侵入を防止し、十分な保護が
できるので、高信頼性を有する混成集積回路が得られる
。
導体チップに対する水分の侵入を防止し、十分な保護が
できるので、高信頼性を有する混成集積回路が得られる
。
第１図は、キャップ状蓋を用いて封止した本発明の混成
集積回路の断面図である。 第２図は、従来の樹脂のみで封止した混成集積回路の断
面図である。 符合の説明 ・・基板 ２・ ・・リード又はパッド ・・ボンディングワイヤ ・・キャップ状の蓋 ・・第１の樹脂 ７・ ・半導体チップ ・第２の樹脂
集積回路の断面図である。 第２図は、従来の樹脂のみで封止した混成集積回路の断
面図である。 符合の説明 ・・基板 ２・ ・・リード又はパッド ・・ボンディングワイヤ ・・キャップ状の蓋 ・・第１の樹脂 ７・ ・半導体チップ ・第２の樹脂
Claims (1)
- 回路基板上に半導体チップを搭載した混成集積回路にお
いて、該半導体チップをキャップ状の蓋を被せて覆い、
更に全体に樹脂を設けて封止することを特徴とする混成
集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2073958A JPH03273667A (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | 樹脂封止型混成集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2073958A JPH03273667A (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | 樹脂封止型混成集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03273667A true JPH03273667A (ja) | 1991-12-04 |
Family
ID=13533100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2073958A Pending JPH03273667A (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | 樹脂封止型混成集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03273667A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5468910A (en) * | 1993-08-02 | 1995-11-21 | Motorola, Inc. | Semiconductor device package and method of making |
| US6140698A (en) * | 1998-12-21 | 2000-10-31 | Nortel Networks Corporation | Package for microwave and mm-wave integrated circuits |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6239036A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-20 | Shimadzu Corp | ハイブリツドｉｃ |
-
1990
- 1990-03-23 JP JP2073958A patent/JPH03273667A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6239036A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-20 | Shimadzu Corp | ハイブリツドｉｃ |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5468910A (en) * | 1993-08-02 | 1995-11-21 | Motorola, Inc. | Semiconductor device package and method of making |
| US6140698A (en) * | 1998-12-21 | 2000-10-31 | Nortel Networks Corporation | Package for microwave and mm-wave integrated circuits |
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