JPH03273610A - マスクの製造方法 - Google Patents
マスクの製造方法Info
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- JPH03273610A JPH03273610A JP1330447A JP33044789A JPH03273610A JP H03273610 A JPH03273610 A JP H03273610A JP 1330447 A JP1330447 A JP 1330447A JP 33044789 A JP33044789 A JP 33044789A JP H03273610 A JPH03273610 A JP H03273610A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
半導体デバイスの製造工程においてＸ線露光パターニン
グに使用されるマスクの製造方法に関し、 成膜条件の制御によらない手段で膜の応力を低下するこ
とができるマスクの製造方法を提供することを目的とし
、 Ｘ線吸収体の構成物質を基板に蒸着し、堆積し、基板に
堆積されている該構成物質に不活性ガスのイオンを照射
するように構成する。
グに使用されるマスクの製造方法に関し、 成膜条件の制御によらない手段で膜の応力を低下するこ
とができるマスクの製造方法を提供することを目的とし
、 Ｘ線吸収体の構成物質を基板に蒸着し、堆積し、基板に
堆積されている該構成物質に不活性ガスのイオンを照射
するように構成する。
［産業上の利用分野］
本発明はＸ線吸収体の成膜方法に関するものであり、さ
らに詳しく述べるならば、半導体デバイスの製造工程に
おいてＸ線露光パターニングに使用されるマスクを構成
するマスクの製造方法に関するものである。
らに詳しく述べるならば、半導体デバイスの製造工程に
おいてＸ線露光パターニングに使用されるマスクを構成
するマスクの製造方法に関するものである。
［従来の技術］
従来のＸ１１１吸収体はＷ、Ｔａなとの金属をスパッタ
で０．５〜１μｍのＸ線吸収効果がある厚みにスパッタ
し、その後デバイスを構成する素子形状にパターニング
して製作されていた。
で０．５〜１μｍのＸ線吸収効果がある厚みにスパッタ
し、その後デバイスを構成する素子形状にパターニング
して製作されていた。
近年、半導体デバイスがますます高集積度・微細化され
るにつれ、Ｘ線吸収体パターンを微細に製作する必要が
生じている。ここで重要になってくるのはスパッタで成
膜されたＷ、Ｔａなとは歪を有しているために、パター
ニング後の歪がマスク精度を低下させるという問題があ
る。例えば０．５μｍよりも微細な素子より構成される
デバイスを作るためにはマスクの歪を０．０５μｍ以内
に抑える必要があると言われている。
るにつれ、Ｘ線吸収体パターンを微細に製作する必要が
生じている。ここで重要になってくるのはスパッタで成
膜されたＷ、Ｔａなとは歪を有しているために、パター
ニング後の歪がマスク精度を低下させるという問題があ
る。例えば０．５μｍよりも微細な素子より構成される
デバイスを作るためにはマスクの歪を０．０５μｍ以内
に抑える必要があると言われている。
かかるスパッタ膜の歪に関する研究として、ＴＩ（Ｅ
ＣＯＭＰＲＥＳＳＩＶＥ ５ＴＲＥＳＳ ＴＲＡＮＳＩ
ＴＩＯＮ ＩＮ Ａｔ、Ｖ。
ＣＯＭＰＲＥＳＳＩＶＥ ５ＴＲＥＳＳ ＴＲＡＮＳＩ
ＴＩＯＮ ＩＮ Ａｔ、Ｖ。
Ｚｒ、Ｎｂ ＡＮＤ Ｗ ＭＥＴＡＬ ＦＩＬＭＳ ５
ＰＵＴＴＥＲＥＤ ＡＴ ＬＯＷＷＯＲＫＩＮＧ ＰＲ
ＥＳＳＵＲＥ、 Ｄ、Ｗ、Ｈｏｆｆｍａｎ Ｔｈｅ Ｓ
ｏｌｉｄＦｉｌｍｓ ４５ （１９７７）３８７−３９
６がある。この研究によるとアルコンガス圧と膜厚が歪
の方向、すなわち引張応力かあるいは圧縮応力かに影響
し、また応力の絶対値にも影響することが解明されてい
る。
ＰＵＴＴＥＲＥＤ ＡＴ ＬＯＷＷＯＲＫＩＮＧ ＰＲ
ＥＳＳＵＲＥ、 Ｄ、Ｗ、Ｈｏｆｆｍａｎ Ｔｈｅ Ｓ
ｏｌｉｄＦｉｌｍｓ ４５ （１９７７）３８７−３９
６がある。この研究によるとアルコンガス圧と膜厚が歪
の方向、すなわち引張応力かあるいは圧縮応力かに影響
し、また応力の絶対値にも影響することが解明されてい
る。
［発明が解決しようとする課題］
前掲Ｔｈｅ ５ｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓに示すところから
すれば、膜厚およびアルゴン圧力の調節によって応力・
歪がゼロのＷ、Ｔａ等の膜をスパッタで成膜できるよう
に思われる。しかしながらスパッタ成膜においては膜の
応力はガス圧力、放電パワー等の成膜条件に非常に敏感
であり、その成膜条件を精密に制御しでもマスクに必要
とされる低応力を達成することは困難である。
すれば、膜厚およびアルゴン圧力の調節によって応力・
歪がゼロのＷ、Ｔａ等の膜をスパッタで成膜できるよう
に思われる。しかしながらスパッタ成膜においては膜の
応力はガス圧力、放電パワー等の成膜条件に非常に敏感
であり、その成膜条件を精密に制御しでもマスクに必要
とされる低応力を達成することは困難である。
したがって、本発明は成膜条件の制御によらない手段で
膜の応力を低下することができるマスクの製造方法を提
供することを目的とする。具体的には、マスク歪が前述
の０．０５μｍ未満となるようにするには、Ｔａｇよび
Ｗ吸収体の引張もしくは圧縮応力がＩ Ｘ １０’ ｄ
ｙｎ／ｃｍ” （絶対値）未満であること、膜応力には
局部的にＩ Ｘ １０’ ｄｙｎ／ｃｍ２を超える応力
がないこと、が必要とされるので、これらの値を達成す
ることが本発明の目的となる。
膜の応力を低下することができるマスクの製造方法を提
供することを目的とする。具体的には、マスク歪が前述
の０．０５μｍ未満となるようにするには、Ｔａｇよび
Ｗ吸収体の引張もしくは圧縮応力がＩ Ｘ １０’ ｄ
ｙｎ／ｃｍ” （絶対値）未満であること、膜応力には
局部的にＩ Ｘ １０’ ｄｙｎ／ｃｍ２を超える応力
がないこと、が必要とされるので、これらの値を達成す
ることが本発明の目的となる。
［課題を解決するための手段Ｊ
本発明は、Ｘ線露光のマスクに使用されるＸ線吸収体を
成膜する方法において、前記Ｘ線吸収体の構成物質を基
板に蒸着し、堆積し、基板に堆積されている該構成物質
に不活性ガスのイオンを照射することを特徴とするマス
クの製造方法である。
成膜する方法において、前記Ｘ線吸収体の構成物質を基
板に蒸着し、堆積し、基板に堆積されている該構成物質
に不活性ガスのイオンを照射することを特徴とするマス
クの製造方法である。
［作用］
本発明は、吸収体構成物質の蒸着と不活性ガスイオンの
照射を組合わせ、不活性ガスイオンによる打ち込みの効
果を受けながら吸収体が基板に堆積するようにして、膜
応力の絶対値を小さくし、その制御を容易にし、かつ膜
面内の応力分布を均一にするものである。
照射を組合わせ、不活性ガスイオンによる打ち込みの効
果を受けながら吸収体が基板に堆積するようにして、膜
応力の絶対値を小さくし、その制御を容易にし、かつ膜
面内の応力分布を均一にするものである。
蒸着されたＴａ、Ｗ等はＩ Ｘ １０” ｄｙｎ／ｃｍ
”にも達する強い引張応力を一般に示す。
”にも達する強い引張応力を一般に示す。
一方、スパッタで成膜したＴａ、Ｗ等は低ガス圧におい
て圧縮応力を示すことが知られている（前掲Ｔｈｅ ５
ｏｌｉｄ Ｆｉｌｉｍｓ、とくに第３９０頁のＦｉｇ、
１（ｅ） ）。これは、低圧ではＡｒ”″イオンは相
互の衝突が少なく膜に多く衝突する結果圧縮応力を発生
させるためであり、Ａｒ”イオン打込み効果と称されて
いる。さらに、スパッタ膜の圧縮応力の度合いは打込ま
れたＡｒ＋イオン濃度と強い相関を示すことが知られて
いる（ＩＮＴＥＲＮＡＬ ５ＴＲＥ−３Ｓ ＩＮ ＭＥ
ＴＡＬＬＩＣＦＩＬＭＳ ＤＥＰＯ３ＩＴＥＤ ＢＹ
ＣＹＬＩＮＤＲＩ−ＣＡＬ ＭＡＧＮＥＴＲＯＮ ５Ｐ
ＵＴＴＥＲＩＮＧ、 Ｔｈ１ｎ ５ｏｌｉｄ Ｆｉｌｍ
ｓ ６４（１９７９） １１１−１１９．とくに第１１
４頁第３図）。そこで、本発明においては、Ｗ、Ｔａ等
の蒸着現とは別に設けた不活性ガスのイオンビームを、
スパッタ法の様にＷ、Ｔａなとの金属に向けるのではな
く、成膜中の基板に向かって照射することによって、蒸
着により堆積しつつある膜の引張応力に圧縮応力を附加
して応力の絶対値を小さくするものである。すなわち、
スパッタ法で知られている諸現象の中からＡｒ“イオン
打込み効果のみを取り出し、ＡｒがＴａ、Ｗなどを叩出
す効果は取り出さないようにすることにより応力絶対値
を少なくするものである。また、Ａｒガス圧が膜の応力
に強い影響を及ぼすのは、Ａｒガス圧により膜の堆積速
度などが影響されるからであり、Ａｒ◆イオン打込み効
果だけを取り出した場合は成膜条件とは独立な制御とな
るから、Ａｒ”イオン打込条件は応力に対して緩やかな
影響を及ぼし、この結果応力の制御が容易になる。さら
に、Ａｒ”イオン打込を後述のシャワー状に行った場合
は膜面内の応力分布も改善される。
て圧縮応力を示すことが知られている（前掲Ｔｈｅ ５
ｏｌｉｄ Ｆｉｌｉｍｓ、とくに第３９０頁のＦｉｇ、
１（ｅ） ）。これは、低圧ではＡｒ”″イオンは相
互の衝突が少なく膜に多く衝突する結果圧縮応力を発生
させるためであり、Ａｒ”イオン打込み効果と称されて
いる。さらに、スパッタ膜の圧縮応力の度合いは打込ま
れたＡｒ＋イオン濃度と強い相関を示すことが知られて
いる（ＩＮＴＥＲＮＡＬ ５ＴＲＥ−３Ｓ ＩＮ ＭＥ
ＴＡＬＬＩＣＦＩＬＭＳ ＤＥＰＯ３ＩＴＥＤ ＢＹ
ＣＹＬＩＮＤＲＩ−ＣＡＬ ＭＡＧＮＥＴＲＯＮ ５Ｐ
ＵＴＴＥＲＩＮＧ、 Ｔｈ１ｎ ５ｏｌｉｄ Ｆｉｌｍ
ｓ ６４（１９７９） １１１−１１９．とくに第１１
４頁第３図）。そこで、本発明においては、Ｗ、Ｔａ等
の蒸着現とは別に設けた不活性ガスのイオンビームを、
スパッタ法の様にＷ、Ｔａなとの金属に向けるのではな
く、成膜中の基板に向かって照射することによって、蒸
着により堆積しつつある膜の引張応力に圧縮応力を附加
して応力の絶対値を小さくするものである。すなわち、
スパッタ法で知られている諸現象の中からＡｒ“イオン
打込み効果のみを取り出し、ＡｒがＴａ、Ｗなどを叩出
す効果は取り出さないようにすることにより応力絶対値
を少なくするものである。また、Ａｒガス圧が膜の応力
に強い影響を及ぼすのは、Ａｒガス圧により膜の堆積速
度などが影響されるからであり、Ａｒ◆イオン打込み効
果だけを取り出した場合は成膜条件とは独立な制御とな
るから、Ａｒ”イオン打込条件は応力に対して緩やかな
影響を及ぼし、この結果応力の制御が容易になる。さら
に、Ａｒ”イオン打込を後述のシャワー状に行った場合
は膜面内の応力分布も改善される。
［実施例］
第１図は本発明方法を実施するための成膜装置であって
、電子ビーム蒸着装置に不活性ガスイオン発生装置を取
付けた基本構成である。
、電子ビーム蒸着装置に不活性ガスイオン発生装置を取
付けた基本構成である。
図中１は真空チャンバーを構成する容器壁、２はチャン
バーに固着された基板ホルダー、３は基板、４は基板３
を必要時に蒸着源と不活性ガスイオン源に対し遮蔽する
シャッター、５は回転自在なホルダー軸である。成膜を
行うときにはホルダー軸５とともにシャッター４回転さ
せて基板３外の領域に移す。
バーに固着された基板ホルダー、３は基板、４は基板３
を必要時に蒸着源と不活性ガスイオン源に対し遮蔽する
シャッター、５は回転自在なホルダー軸である。成膜を
行うときにはホルダー軸５とともにシャッター４回転さ
せて基板３外の領域に移す。
６はＴａ、Ｗなどの金属を容れるるつぼであって、図示
されていない正電源に接続されている。
されていない正電源に接続されている。
７は２０ｋＶの負電源８に接続されたヒーターであって
、矢印で示すような運動をする熱電子を発生させ、これ
がるつぼ６内の金属２５に衝突して、金属１５を溶解・
蒸発させる。真空チャンバー１内は出口１ａを介して５
Ｘ １０−”丁ｏｒｒ程度に真空排気されているので
、Ｔａ、Ｗなどが蒸発し、基板３上に堆積する。
、矢印で示すような運動をする熱電子を発生させ、これ
がるつぼ６内の金属２５に衝突して、金属１５を溶解・
蒸発させる。真空チャンバー１内は出口１ａを介して５
Ｘ １０−”丁ｏｒｒ程度に真空排気されているので
、Ｔａ、Ｗなどが蒸発し、基板３上に堆積する。
１０はプラズマＣＶＤなどで公知の電子サイクロトロン
共鳴（ＥＣＲ）条件をつくり出して、Ａｒなどの不活性
ガスを効率的にイオン化するためのＥＣＲイオン源であ
る。１１はＡｒガス供給管、１２はμ波導入管、１３は
電磁石であり、何れもＥＣＲプラズマＣＶＤ装置におい
て公知のものである。１４はメツシュ状の一５０〜１０
０Ｖの負電極でＡｒ”をＥＣＲイオン源１０から真空チ
ャンバー１内に引張り出す。したがって、Ｔａ、Ｗなど
が基板３に堆積し成膜している時に、成膜中のＴａ％Ｗ
などにビームのように小径ではなく大面積のシャワー状
で基板３に向かって来るＡｒ”イオンが打込まれる。こ
の打込みの効果を高＜シ（低くシ）て、膜の応力を強く
（弱く）圧縮応力方向に転換するには、メツシュ状負電
極１４の電圧絶対値を大きくする。真空蒸着されるＴａ
、Ｗ等の引張応力は膜厚に比例し、真空度に反比例する
ので、これらの成膜条件を最も応力が小さくなるように
Ａｒ”イオン打込み効果を調節する。Ａｒ”イオン打込
量（膜面積当りの原子個数）は膜の厚みに依存し、極端
に多いか少ない場合を除きこの量により応力が調節され
るということはない。
共鳴（ＥＣＲ）条件をつくり出して、Ａｒなどの不活性
ガスを効率的にイオン化するためのＥＣＲイオン源であ
る。１１はＡｒガス供給管、１２はμ波導入管、１３は
電磁石であり、何れもＥＣＲプラズマＣＶＤ装置におい
て公知のものである。１４はメツシュ状の一５０〜１０
０Ｖの負電極でＡｒ”をＥＣＲイオン源１０から真空チ
ャンバー１内に引張り出す。したがって、Ｔａ、Ｗなど
が基板３に堆積し成膜している時に、成膜中のＴａ％Ｗ
などにビームのように小径ではなく大面積のシャワー状
で基板３に向かって来るＡｒ”イオンが打込まれる。こ
の打込みの効果を高＜シ（低くシ）て、膜の応力を強く
（弱く）圧縮応力方向に転換するには、メツシュ状負電
極１４の電圧絶対値を大きくする。真空蒸着されるＴａ
、Ｗ等の引張応力は膜厚に比例し、真空度に反比例する
ので、これらの成膜条件を最も応力が小さくなるように
Ａｒ”イオン打込み効果を調節する。Ａｒ”イオン打込
量（膜面積当りの原子個数）は膜の厚みに依存し、極端
に多いか少ない場合を除きこの量により応力が調節され
るということはない。
以下、第２図（ａ）〜（ｇ）を参照としてＸ線吸収体成
膜の実施例を説明する。
膜の実施例を説明する。
直径が１００ｍｍのＳｉ基板２０の全面に高温ＬＰＣＶ
Ｄ法により厚みが２μｍのＳｉＣ皮膜２１を成膜した（
第２図（ａ））。
Ｄ法により厚みが２μｍのＳｉＣ皮膜２１を成膜した（
第２図（ａ））。
表面の凹凸（０，１ミクロン程度のもの）を軽減・平坦
化のためにＳｉＣ皮膜２１にＡｒをスパッタした後に裏
面のＳｉＣ皮膜２１をエッチバックしてＳｉ基板２０を
部分的に表出させた（第２図（ｂ））。
化のためにＳｉＣ皮膜２１にＡｒをスパッタした後に裏
面のＳｉＣ皮膜２１をエッチバックしてＳｉ基板２０を
部分的に表出させた（第２図（ｂ））。
続いて、電子ビーム蒸着によりＴａ皮膜２２を６０分で
厚み０．８μｍに成膜し、かつ同時にＴａ皮膜２２にＡ
ｒ”イオンの打込みを行った（第２図（Ｃ））。
厚み０．８μｍに成膜し、かつ同時にＴａ皮膜２２にＡ
ｒ”イオンの打込みを行った（第２図（Ｃ））。
この時の条件は、Ａｒ”″イオンエネルギーマイナス５
０〜１５０ｅＶ真空度−１，５Ｘ１０−’Ｔｏｒｒであ
った。
０〜１５０ｅＶ真空度−１，５Ｘ１０−’Ｔｏｒｒであ
った。
次に、厚さ５ ｍ ｍのＳｉＣセラミックスをＸ線マス
クの支持枠２３として、裏面のＳｉＣ皮膜２１に接着し
た（第２図（ｄ））。
クの支持枠２３として、裏面のＳｉＣ皮膜２１に接着し
た（第２図（ｄ））。
Ｓｉ基板２０を裏面からエッチバックし、次に洗浄しく
第２図（ｅ））、レジスト２４のパターンを形成しく第
２図（ｆ））、最後にレジスト２４をマスクとしてＴａ
皮膜２２のマスクパターン２２′を作った（第２図（ｇ
））。
第２図（ｅ））、レジスト２４のパターンを形成しく第
２図（ｆ））、最後にレジスト２４をマスクとしてＴａ
皮膜２２のマスクパターン２２′を作った（第２図（ｇ
））。
第２図（ｄ）の状態で１０日間放置後Ｔａ皮膜２２の歪
を市販の光学的測定器で測定したところ、歪は０．０５
μｍ応力はｉ Ｘ １０ ’ ｄｙｎ／ｃｍ”（面内一
定）であり、歪と応力は引張歪・応力であることが分か
った。
を市販の光学的測定器で測定したところ、歪は０．０５
μｍ応力はｉ Ｘ １０ ’ ｄｙｎ／ｃｍ”（面内一
定）であり、歪と応力は引張歪・応力であることが分か
った。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、不活性ガスイオン
による打込み条件を成膜条件とは独立して制御すること
ができ、また大きな膜面積に不活性ガスイオンを均一に
打込むことができるので、膜の応力分布を良く制御する
ことができ、Ｘ線露光マスクの歪低減に寄与するところ
が大きい。
による打込み条件を成膜条件とは独立して制御すること
ができ、また大きな膜面積に不活性ガスイオンを均一に
打込むことができるので、膜の応力分布を良く制御する
ことができ、Ｘ線露光マスクの歪低減に寄与するところ
が大きい。
第１図は本発明方法を実施する装置の一実施例を示す図
、 第２図（ａ）〜（ｇ）は本発明法を応用してＸ線マスク
を製作する工程図で、（ａ）図はＳｉＣ成膜工程、（ｂ
）図はＡｒスパッタ・裏面エッチバック工程、（ｃ）図
は本請求項１の実施例に該当する工程、（ｄ）図はＳｉ
Ｃ支持枠接着工程、（ｅ）図はＳｉエッチバック・洗浄
工程、（ｆ）図はレジストバターニング工程、（ｇ）図
はＴａ皮膜エツチング工程をそれぞれ示す図である。 １−容器壁、２一基板ホルダー、３一基板、４−シャッ
ター、５−ホルダー軸、６−るつぼ、７−コイル状ヒー
ター、８−負電源、１Ｏ−ＥＣＲイオン源、１ｌ−Ａｒ
ガス供給管、１２−μ液導入管、１３−電磁石、１４−
メツシュ状負電極、２Ｏ−３ｉ基板、２ｌ−Ｓｉｃ皮膜
、２２−Ｔａ皮膜、２３−支持枠、２４−レジスト万Ｘ
１笑 士モ １【 第１図 手 続 補 正 書 （方式） ％式％ 工、事件の表示 平成Ｏ１年手持願第３３０４４７号 事件との関係 特許出願人 住所 神奈川県用崎市中原区上小田中１名称 （５２２
）富士通株式会社 代表者 関 澤 義
、 第２図（ａ）〜（ｇ）は本発明法を応用してＸ線マスク
を製作する工程図で、（ａ）図はＳｉＣ成膜工程、（ｂ
）図はＡｒスパッタ・裏面エッチバック工程、（ｃ）図
は本請求項１の実施例に該当する工程、（ｄ）図はＳｉ
Ｃ支持枠接着工程、（ｅ）図はＳｉエッチバック・洗浄
工程、（ｆ）図はレジストバターニング工程、（ｇ）図
はＴａ皮膜エツチング工程をそれぞれ示す図である。 １−容器壁、２一基板ホルダー、３一基板、４−シャッ
ター、５−ホルダー軸、６−るつぼ、７−コイル状ヒー
ター、８−負電源、１Ｏ−ＥＣＲイオン源、１ｌ−Ａｒ
ガス供給管、１２−μ液導入管、１３−電磁石、１４−
メツシュ状負電極、２Ｏ−３ｉ基板、２ｌ−Ｓｉｃ皮膜
、２２−Ｔａ皮膜、２３−支持枠、２４−レジスト万Ｘ
１笑 士モ １【 第１図 手 続 補 正 書 （方式） ％式％ 工、事件の表示 平成Ｏ１年手持願第３３０４４７号 事件との関係 特許出願人 住所 神奈川県用崎市中原区上小田中１名称 （５２２
）富士通株式会社 代表者 関 澤 義
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｘ線露光のマスクに使用されるＸ線吸収体を成膜す
る方法において、 前記Ｘ線吸収体の構成物質を基板に蒸着し、堆積させる
と同時に、該基板に堆積されている該構成物質に不活性
ガスのイオンを照射することを特徴とするマスクの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1330447A JPH03273610A (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1330447A JPH03273610A (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03273610A true JPH03273610A (ja) | 1991-12-04 |
Family
ID=18232720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1330447A Pending JPH03273610A (ja) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03273610A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012069925A (ja) * | 2010-08-19 | 2012-04-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Ｕｖ又はｅｕｖリソグラフィ用の光学素子 |
-
1989
- 1989-12-20 JP JP1330447A patent/JPH03273610A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012069925A (ja) * | 2010-08-19 | 2012-04-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Ｕｖ又はｅｕｖリソグラフィ用の光学素子 |
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