JPH03270144A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03270144A JPH03270144A JP6815790A JP6815790A JPH03270144A JP H03270144 A JPH03270144 A JP H03270144A JP 6815790 A JP6815790 A JP 6815790A JP 6815790 A JP6815790 A JP 6815790A JP H03270144 A JPH03270144 A JP H03270144A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置の製造方法、特にテープオートメイテッドボ
ンディング方式におけるアウターリードボンディングに
関し、 アウターリードボンディングにおける品質の向上を目的
とし、 テープオートメイテッドボンディング方式を用い、その
Ｓｎ又はＰｂ−Ｓｎめっきされたアウターリードを基板
側のパターンに接合する半導体装置の製造方法において
、チップのアウターリードを基板側のパターンへチップ
が位置ずれしない範囲の温度で仮付けする工程と、押圧
治具で接合部に荷重を加えつつ水素還元雰囲気炉中で加
熱してアウターリードのＳｎ又はＰｂ−Ｓｎをリフロー
させて接合する工程とを有するように構成する。
ンディング方式におけるアウターリードボンディングに
関し、 アウターリードボンディングにおける品質の向上を目的
とし、 テープオートメイテッドボンディング方式を用い、その
Ｓｎ又はＰｂ−Ｓｎめっきされたアウターリードを基板
側のパターンに接合する半導体装置の製造方法において
、チップのアウターリードを基板側のパターンへチップ
が位置ずれしない範囲の温度で仮付けする工程と、押圧
治具で接合部に荷重を加えつつ水素還元雰囲気炉中で加
熱してアウターリードのＳｎ又はＰｂ−Ｓｎをリフロー
させて接合する工程とを有するように構成する。
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特にテープオ
ートメイテッドボンディング（以下ＴＡＢという）方式
におけるアウターリードボンディングに関する。
ートメイテッドボンディング（以下ＴＡＢという）方式
におけるアウターリードボンディングに関する。
第２図は従来のＴＡＢ法を用いた半導体装置の製造方法
を説明するための図である。これは先ず第２図（ａ）に
示すように、スプロケット孔ｌを有し、インナーリード
用の窓孔２及びアウターリード用の窓孔３が形成された
ポリイミドテープ４に第２図（ｂ）に示すように銅箔５
をはり付け、この銅箔５をエツチングして第２図（Ｃ）
に示すようにインナーリード６及びアウターリード７を
形成し、このインナーリード６及びアウターリード７に
Ｓｎ又はＰｂ−Ｓｎをめっきし、次いで第２図（ｄ）に
示すようにインナーリード６に半導体チップ８をバンブ
９を介してボンディングした後、Ａ−Ａ線及びＢ−Ｂ線
を切断し、これのアウターリード７を第２図（ｅ）に示
すように基板１０のＡｕめっきされたパターン１１にボ
ンディング（アウターリードボンディング）して完成す
る。
を説明するための図である。これは先ず第２図（ａ）に
示すように、スプロケット孔ｌを有し、インナーリード
用の窓孔２及びアウターリード用の窓孔３が形成された
ポリイミドテープ４に第２図（ｂ）に示すように銅箔５
をはり付け、この銅箔５をエツチングして第２図（Ｃ）
に示すようにインナーリード６及びアウターリード７を
形成し、このインナーリード６及びアウターリード７に
Ｓｎ又はＰｂ−Ｓｎをめっきし、次いで第２図（ｄ）に
示すようにインナーリード６に半導体チップ８をバンブ
９を介してボンディングした後、Ａ−Ａ線及びＢ−Ｂ線
を切断し、これのアウターリード７を第２図（ｅ）に示
すように基板１０のＡｕめっきされたパターン１１にボ
ンディング（アウターリードボンディング）して完成す
る。
第３図は上記アウターリードのボンディングに用いるボ
ンディングツールを示す図であり（ａ）は縦断面図、（
ｂ）は加熱部の斜視図である。このボンディングツール
は、ツール本体１２に半導体素子８を保持する真空チャ
ック１３と、アウターリードボンディング用の加熱部１
４とが設けられている。この加熱部１４は（ｂ）図に示
すようにアウタ＋ ＩＪ−ドアへの接触部１４ａは角形
の枠状をなしており、該接触部１４ａは電流通路を兼ね
た複数の支持柱１４ｂによりツール本体に支持されてい
る。そして矢印の如く電流ｌを流すことにより接触部１
４ａを発熱させ（ａ）図の如くアウターリード７を基板
１０のＡｕめっきパターン１１にボンディングすること
ができる。
ンディングツールを示す図であり（ａ）は縦断面図、（
ｂ）は加熱部の斜視図である。このボンディングツール
は、ツール本体１２に半導体素子８を保持する真空チャ
ック１３と、アウターリードボンディング用の加熱部１
４とが設けられている。この加熱部１４は（ｂ）図に示
すようにアウタ＋ ＩＪ−ドアへの接触部１４ａは角形
の枠状をなしており、該接触部１４ａは電流通路を兼ね
た複数の支持柱１４ｂによりツール本体に支持されてい
る。そして矢印の如く電流ｌを流すことにより接触部１
４ａを発熱させ（ａ）図の如くアウターリード７を基板
１０のＡｕめっきパターン１１にボンディングすること
ができる。
上記従来の半導体装置の製造方法では、アウターリード
ボンディング用ツールのアウターリードへの接触部１４
ａに直接に電流を流して加熱するため、該接触部が熱膨
張し、取付部１４ｃに対し伸びるため第４図に示すよう
に該接触部１４ａが変形（反り）し、アウターリードに
充分な圧力が加わらない部分が生ずる。このため接合不
良部分が生じたり、接触部１４ａの高温となった部分で
は基板側パターンにダメージを与えるといった問題が生
じていた。
ボンディング用ツールのアウターリードへの接触部１４
ａに直接に電流を流して加熱するため、該接触部が熱膨
張し、取付部１４ｃに対し伸びるため第４図に示すよう
に該接触部１４ａが変形（反り）し、アウターリードに
充分な圧力が加わらない部分が生ずる。このため接合不
良部分が生じたり、接触部１４ａの高温となった部分で
は基板側パターンにダメージを与えるといった問題が生
じていた。
本発明は上記従来の問題点に鑑み、アウターリードボン
ディングにおける品質の向上を可能とした半導体装置の
製造方法を提供することを目的とする。
ディングにおける品質の向上を可能とした半導体装置の
製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明の半導体装置の製造方
法では、テープオートメイティドボンディング方式を用
い、そのＳｎ又はＰｂ−Ｓｎめっきされたアウターリー
ド７を基板１０側のパターン１１に接合する半導体装置
の製造方法において、チップ８のアウターリード７を基
板１０側のパターン１１ヘチツプ８が位置ずれしない範
囲の温度で仮付けする工程と、押圧治具１６で接合部に
荷重を加えつつ水素還元雰囲気炉中で加熱して接合部の
Ｓｎ又はＰｂ−Ｓｎをリフローさせて接合する工程とを
有することを特徴とする。
法では、テープオートメイティドボンディング方式を用
い、そのＳｎ又はＰｂ−Ｓｎめっきされたアウターリー
ド７を基板１０側のパターン１１に接合する半導体装置
の製造方法において、チップ８のアウターリード７を基
板１０側のパターン１１ヘチツプ８が位置ずれしない範
囲の温度で仮付けする工程と、押圧治具１６で接合部に
荷重を加えつつ水素還元雰囲気炉中で加熱して接合部の
Ｓｎ又はＰｂ−Ｓｎをリフローさせて接合する工程とを
有することを特徴とする。
アウターリードを基板に対して位置決めして仮付は腰そ
の後仮付けした接合部に荷重を加えつつ水素還元雰囲気
の炉中で加熱することにより接合部を平均して加熱する
ことができ、ツールの変形、異状高温部を生じないため
良好なボンディングが可能となる。
の後仮付けした接合部に荷重を加えつつ水素還元雰囲気
の炉中で加熱することにより接合部を平均して加熱する
ことができ、ツールの変形、異状高温部を生じないため
良好なボンディングが可能となる。
第１図は本発明の詳細な説明するための図であり、（ａ
）（ｂ）はその工程を示す。
）（ｂ）はその工程を示す。
本実施例は先ず（ａ）Ｅに示すようにＳｎ又はＰｂ−Ｓ
ｎがめっきされたインナーリード６をバンブ９を介して
ボンディングしたチップ８を基板１０に対して位置合わ
せすると共に該基板１０上のＡｕめっきされたパターン
１１上にアウターリード７を載置し、該アウターリード
７の上からアウターリードボンディング用ツール１５を
押圧し加熱してチップ８が位置ずれしない程度に仮接合
する。
ｎがめっきされたインナーリード６をバンブ９を介して
ボンディングしたチップ８を基板１０に対して位置合わ
せすると共に該基板１０上のＡｕめっきされたパターン
１１上にアウターリード７を載置し、該アウターリード
７の上からアウターリードボンディング用ツール１５を
押圧し加熱してチップ８が位置ずれしない程度に仮接合
する。
仮付は温度は接合金属によって異なるがツールの実温で
２００〜３００℃程度とする。
２００〜３００℃程度とする。
次に第１図（ｂ）に示すように、アウターリ−ドアと基
板１０上のパターン１１との接合部を押圧できる押圧治
具１６を該接合部の上に載置し、その上から図示なきク
リップ或いは重り等で荷重を加えつつ水素還元雰囲気炉
中で加熱し、アウターリード７のＳｎ又はＰｂ−Ｓｎを
溶融させ、基板１０上のパターン１１のＡｕと合金化さ
せ、その後冷却することにより、パターン１１とアウタ
ーリード７のボンディングを完了する。
板１０上のパターン１１との接合部を押圧できる押圧治
具１６を該接合部の上に載置し、その上から図示なきク
リップ或いは重り等で荷重を加えつつ水素還元雰囲気炉
中で加熱し、アウターリード７のＳｎ又はＰｂ−Ｓｎを
溶融させ、基板１０上のパターン１１のＡｕと合金化さ
せ、その後冷却することにより、パターン１１とアウタ
ーリード７のボンディングを完了する。
なお上記の押圧治具１６は接合用金属と反応しない例え
ば表面を酸化処理したアルミニウム、セラミック等で作
成する。また該治具１６に加える荷重は５００ｇ〜５ｋ
ｇとし、水素還元雰囲気炉には電気炉を用い加熱温度は
２００〜３５０℃程度とする。
ば表面を酸化処理したアルミニウム、セラミック等で作
成する。また該治具１６に加える荷重は５００ｇ〜５ｋ
ｇとし、水素還元雰囲気炉には電気炉を用い加熱温度は
２００〜３５０℃程度とする。
以上の本実施例によれば接合部を押圧治具１６で押圧し
、電気炉中で加熱するため押圧治具の変形は少なく、ま
た異常高温部も生じないため、基板側パターンにダメー
ジを与えることなく均一なアウターボンディングができ
る。
、電気炉中で加熱するため押圧治具の変形は少なく、ま
た異常高温部も生じないため、基板側パターンにダメー
ジを与えることなく均一なアウターボンディングができ
る。
なお以上の実施例では、接合金属にＳｎ又はＰｂ−Ｓｎ
系を用いたが、他の金属でも溶融接合するものであれば
本発明法を適用することができる。
系を用いたが、他の金属でも溶融接合するものであれば
本発明法を適用することができる。
以上説明した様に、本発明によれば、アウターリードを
基板側のパターンに仮接合した後、該接合部を押圧治具
で押圧しながら加熱炉中でリフローさせることにより均
一な接合ができ従来に比し接合品質の向上と歩留りの向
上が可能となる。
基板側のパターンに仮接合した後、該接合部を押圧治具
で押圧しながら加熱炉中でリフローさせることにより均
一な接合ができ従来に比し接合品質の向上と歩留りの向
上が可能となる。
第１図は本発明の詳細な説明するための図、第２図は従
来のＴＡＢ方式による半導体装置の製造方を説明するた
めの図、 第３図は従来のアウターリードボンディング用ツールを
示す図、 第４図は本発明が解決しようとする課題を説明するため
の図である。 図において、 ６はインナーリード、 ７はアウターリード、 ８はチップ、 ９はバンプ、 ｌＯは基板、 １１はパターン、 １５はアウターリードボンディング用ツール、１６は押
圧治具 を示す。 熱圧着 荷重
来のＴＡＢ方式による半導体装置の製造方を説明するた
めの図、 第３図は従来のアウターリードボンディング用ツールを
示す図、 第４図は本発明が解決しようとする課題を説明するため
の図である。 図において、 ６はインナーリード、 ７はアウターリード、 ８はチップ、 ９はバンプ、 ｌＯは基板、 １１はパターン、 １５はアウターリードボンディング用ツール、１６は押
圧治具 を示す。 熱圧着 荷重
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、テープオートメイテッドボンディング方式を用い、
そのＳｎ又はＰｂ−Ｓｎめっきされたアウターリード（
７）を基板（１０）側のパターン（１１）に接合する半
導体装置の製造方法において、チップ（８）のアウター
リード（７）を基板（１０）側のパターン（１１）へチ
ップ（８）が位置ずれしない範囲の温度で仮付けする工
程と、押圧治具（１６）で接合部に荷重を加えつつ水素
還元雰囲気炉中で加熱してアウターリード（７）のＳｎ
又はＰｂ−Ｓｎをリフローさせて接合する工程、 とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6815790A JPH03270144A (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6815790A JPH03270144A (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03270144A true JPH03270144A (ja) | 1991-12-02 |
Family
ID=13365639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6815790A Pending JPH03270144A (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03270144A (ja) |
-
1990
- 1990-03-20 JP JP6815790A patent/JPH03270144A/ja active Pending
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