JPH03263839A - ダイボンディング方法 - Google Patents
ダイボンディング方法Info
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- JPH03263839A JPH03263839A JP6352090A JP6352090A JPH03263839A JP H03263839 A JPH03263839 A JP H03263839A JP 6352090 A JP6352090 A JP 6352090A JP 6352090 A JP6352090 A JP 6352090A JP H03263839 A JPH03263839 A JP H03263839A
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- Japan
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- semiconductor element
- die
- bonding
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 abstract description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 241000219321 Caryophyllaceae Species 0.000 description 1
- 235000002845 Dianthus plumarius Nutrition 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子組立工程のタイボンデインクに関し
、特にタイボンティング時の導電性ペーストの厚さをコ
ントロールするタイポンチインク方法に関する。
、特にタイボンティング時の導電性ペーストの厚さをコ
ントロールするタイポンチインク方法に関する。
従来のダイボンディング方法は第４図（ａ）〜（Ｃ）に
示すように、半導体素子吸着用のコレット１にてピック
アップした半導体素子２を導電性ペースト３を塗布した
アイランド４上に一定荷重で押し込み、そのママの状態
でスクラブする手段かとられている。又、第５図に示す
ように、半導体素子吸着ノズル５にて半導体素子２をピ
ックアップした後、導電性ペースト３を塗布したアイラ
ンド４上へ一定荷重で押し込むだけの手段かとられてい
る。
示すように、半導体素子吸着用のコレット１にてピック
アップした半導体素子２を導電性ペースト３を塗布した
アイランド４上に一定荷重で押し込み、そのママの状態
でスクラブする手段かとられている。又、第５図に示す
ように、半導体素子吸着ノズル５にて半導体素子２をピ
ックアップした後、導電性ペースト３を塗布したアイラ
ンド４上へ一定荷重で押し込むだけの手段かとられてい
る。
この従来のタイボンデインク方法では、半導体素子をア
イランド面へ押しつけるという手段をとっていたため、
アイランド面と半導体素子裏面間のペースト厚のコント
ロールをすることができす、その厚みはホンディング前
に供給されるペースト量とホンディング荷重とによりか
なりのバラツキかあった。
イランド面へ押しつけるという手段をとっていたため、
アイランド面と半導体素子裏面間のペースト厚のコント
ロールをすることができす、その厚みはホンディング前
に供給されるペースト量とホンディング荷重とによりか
なりのバラツキかあった。
最近、半導体素子のサイズか大型化するにつれタイボン
ティング後のペースト硬化工程であるキュア工程後に半
導体素子の反りが目立つようになってきた（第６図）。
ティング後のペースト硬化工程であるキュア工程後に半
導体素子の反りが目立つようになってきた（第６図）。
この現象は、熱膨張係数の異なる半導体素子とアイラン
ドが密接しているために起こるものであり、実験的にペ
ースト厚を変化させると、ある厚さ以上で反りが低減す
ることがわかっている。ところか、ソルダー厚をどんど
ん厚くしてゆくと、次の組立工程であるワイヤーボンデ
ィング工程で不着という別の問題を起こしてしまう。そ
れゆえ、半導体素子の反りをおさえ、かつワイヤーボン
ディング性の良いダイボンディング品を作り上げるため
には、最適なペースト厚（Ｔ）をキープしたダイボンデ
ィングをする必要があるが（第７図）、従来のボンディ
ング方法ではペースト厚をコントロールすることができ
ないという問題があった。
ドが密接しているために起こるものであり、実験的にペ
ースト厚を変化させると、ある厚さ以上で反りが低減す
ることがわかっている。ところか、ソルダー厚をどんど
ん厚くしてゆくと、次の組立工程であるワイヤーボンデ
ィング工程で不着という別の問題を起こしてしまう。そ
れゆえ、半導体素子の反りをおさえ、かつワイヤーボン
ディング性の良いダイボンディング品を作り上げるため
には、最適なペースト厚（Ｔ）をキープしたダイボンデ
ィングをする必要があるが（第７図）、従来のボンディ
ング方法ではペースト厚をコントロールすることができ
ないという問題があった。
本発明の目的は前記課題を解決したグイボンディング方
法を提供することにある。
法を提供することにある。
前記目的を遠戚するため、本発明に係るダイボンディン
グ方法に於ては、半導体素子をリードフレーム上に導電
性ペーストにてボンディングするグイボンディング方法
であって、 リードフレーム上面と半導体素子下面の間の距離を任意
に設定ヒてボンティングするものである。
グ方法に於ては、半導体素子をリードフレーム上に導電
性ペーストにてボンディングするグイボンディング方法
であって、 リードフレーム上面と半導体素子下面の間の距離を任意
に設定ヒてボンティングするものである。
次に本発明について図面を参照して説明する。
（実施例１）
第１図は本発明のダイボンティング方法を実現する装置
を示す構成国である６ 図において、１はコレット、６はボンティング荷重可変
ユニット、７はホンディングアーム、８は上下動ユニ・
ｙト、９はＸ−Ｙ移動ユニット、１０は吸着ホースであ
る。
を示す構成国である６ 図において、１はコレット、６はボンティング荷重可変
ユニット、７はホンディングアーム、８は上下動ユニ・
ｙト、９はＸ−Ｙ移動ユニット、１０は吸着ホースであ
る。
第２図ｆａ）〜（Ｃ）は本発明の実施例１を工程順に示
す図である。
す図である。
図において、２は半導体素子、３は導電性ベースｊ〜、
４はアイランドである。ます、第１図において、コレッ
ト１がポンチインク荷重可変ユニ・ソト６によって設定
された低荷重により図示されない半導体素子をピンクア
ップする２次に半導体素子をピックアップした状態のま
ま、導電性ペースト３を塗布したアイランド４上へ移動
する（第２図（ａ））。このときホンディング荷重可変
ユニット６は設定荷重を切りかえ、十分に重くする。荷
重を重くする目的は半導体素子２をボンティングした際
、導電性ペースト３の反力で押しかえされないためであ
る。次にアイランド４を半導体素子２とのすき間がＴと
なるように、あらかじめ設定されている高さまで上下動
ユニット８を下降させ、その後Ｘ−Ｙ移動ユニット９に
てスクラブをかける（第２図（ｂ））。
４はアイランドである。ます、第１図において、コレッ
ト１がポンチインク荷重可変ユニ・ソト６によって設定
された低荷重により図示されない半導体素子をピンクア
ップする２次に半導体素子をピックアップした状態のま
ま、導電性ペースト３を塗布したアイランド４上へ移動
する（第２図（ａ））。このときホンディング荷重可変
ユニット６は設定荷重を切りかえ、十分に重くする。荷
重を重くする目的は半導体素子２をボンティングした際
、導電性ペースト３の反力で押しかえされないためであ
る。次にアイランド４を半導体素子２とのすき間がＴと
なるように、あらかじめ設定されている高さまで上下動
ユニット８を下降させ、その後Ｘ−Ｙ移動ユニット９に
てスクラブをかける（第２図（ｂ））。
このスクラブ動作により、アイランド４と半導体素子２
の間で導電性ペースト３か均一厚となる。
の間で導電性ペースト３か均一厚となる。
スクラブにてペースト３がなされた後コレット１を上昇
させると、ペースト厚Ｔのダイボンディング品が完敗さ
れる（第２図（Ｃ））。
させると、ペースト厚Ｔのダイボンディング品が完敗さ
れる（第２図（Ｃ））。
（実施例２）
第３図（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施例２を工程順に示
す図である。
す図である。
第３図（ａ）において、コレット１は半導体素子２をピ
ックアップした状態で、導電性ペースト３を塗布したア
イランド４上へ位置している。
ックアップした状態で、導電性ペースト３を塗布したア
イランド４上へ位置している。
次にコレット１のホールド荷重を図示されないホンディ
ング荷重可変ユニット６にて十分に重くし、その後コレ
ット１をスクラブ動作させながら下降させる（第３図（
ｂ） ） 。
ング荷重可変ユニット６にて十分に重くし、その後コレ
ット１をスクラブ動作させながら下降させる（第３図（
ｂ） ） 。
次にコレット１がアイランド４と半導体素子２のすき間
をＴとする高さまで下降したらコレット１の下降を止め
、次にスクラブ動作をストップする（第３図（Ｃ））。
をＴとする高さまで下降したらコレット１の下降を止め
、次にスクラブ動作をストップする（第３図（Ｃ））。
次にコレット１を上昇させボンティングを終了する（第
３図（ｄ））。
３図（ｄ））。
以上説明したように本発明はアイランドと半導体素子の
すき間をコントロールすることにより、導電性ペースト
厚をコントロールすることができ、ダイボンディング後
のキュアにおいて反りをおさえられるという効果かある
。
すき間をコントロールすることにより、導電性ペースト
厚をコントロールすることができ、ダイボンディング後
のキュアにおいて反りをおさえられるという効果かある
。
第１図は本発明の方法を実現する装置を示す構成国、第
２図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の実施例１を工程順に示す
図、第３図（ａ）〜（ｄ）は本発明の実蛯例２を工程順
に示す図、第４図（ａ）〜ｆｃ）及び第５図は従来例を
示す図、第６図は従来例におけるダイボンディング品の
キュア後の状態を示す図、第７図はペースト厚をコント
ロールした製品のキュア後の状態を示す図である。 ｌ・・・コレット ２・・・半導体素子３・・
・導電性ベース１〜 ４・・・アイランド５・・・吸着
ノズル ６・・・ボンティング荷重可変ユニット７・・・ボンデ
ィングアーム ８・・・上下動ユニット ９・・・Ｘ−Ｙ移動ユニット １０・・・吸着ホース
２図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の実施例１を工程順に示す
図、第３図（ａ）〜（ｄ）は本発明の実蛯例２を工程順
に示す図、第４図（ａ）〜ｆｃ）及び第５図は従来例を
示す図、第６図は従来例におけるダイボンディング品の
キュア後の状態を示す図、第７図はペースト厚をコント
ロールした製品のキュア後の状態を示す図である。 ｌ・・・コレット ２・・・半導体素子３・・
・導電性ベース１〜 ４・・・アイランド５・・・吸着
ノズル ６・・・ボンティング荷重可変ユニット７・・・ボンデ
ィングアーム ８・・・上下動ユニット ９・・・Ｘ−Ｙ移動ユニット １０・・・吸着ホース
Claims (1)
- （１）半導体素子をリードフレーム上に導電性ペースト
にてボンディングするダイボンディング方法であって、 リードフレーム上面と半導体素子下面の間の距離を任意
に設定してボンディングすることを特徴とするダイボン
ディング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6352090A JP2513059B2 (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | ダイボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6352090A JP2513059B2 (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | ダイボンディング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03263839A true JPH03263839A (ja) | 1991-11-25 |
| JP2513059B2 JP2513059B2 (ja) | 1996-07-03 |
Family
ID=13231579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6352090A Expired - Lifetime JP2513059B2 (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | ダイボンディング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2513059B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5662763A (en) * | 1992-12-01 | 1997-09-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mount apparatus |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013010156A (ja) * | 2011-06-28 | 2013-01-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 実装方法、実装装置、および実装治具 |
-
1990
- 1990-03-14 JP JP6352090A patent/JP2513059B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5662763A (en) * | 1992-12-01 | 1997-09-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mount apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2513059B2 (ja) | 1996-07-03 |
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