JPH03263839A - ダイボンディング方法 - Google Patents

ダイボンディング方法

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JPH03263839A
JPH03263839A JP6352090A JP6352090A JPH03263839A JP H03263839 A JPH03263839 A JP H03263839A JP 6352090 A JP6352090 A JP 6352090A JP 6352090 A JP6352090 A JP 6352090A JP H03263839 A JPH03263839 A JP H03263839A
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JP
Japan
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semiconductor element
die
bonding
conductive paste
island
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JP6352090A
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Katsumasa Kosugi
小杉 勝正
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NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体素子組立工程のタイボンデインクに関し
、特にタイボンティング時の導電性ペーストの厚さをコ
ントロールするタイポンチインク方法に関する。
〔従来の技術〕
従来のダイボンディング方法は第4図(a)〜(C)に
示すように、半導体素子吸着用のコレット1にてピック
アップした半導体素子2を導電性ペースト3を塗布した
アイランド4上に一定荷重で押し込み、そのママの状態
でスクラブする手段かとられている。又、第5図に示す
ように、半導体素子吸着ノズル5にて半導体素子2をピ
ックアップした後、導電性ペースト3を塗布したアイラ
ンド4上へ一定荷重で押し込むだけの手段かとられてい
る。
〔発明が解決しようとする課題〕
この従来のタイボンデインク方法では、半導体素子をア
イランド面へ押しつけるという手段をとっていたため、
アイランド面と半導体素子裏面間のペースト厚のコント
ロールをすることができす、その厚みはホンディング前
に供給されるペースト量とホンディング荷重とによりか
なりのバラツキかあった。
最近、半導体素子のサイズか大型化するにつれタイボン
ティング後のペースト硬化工程であるキュア工程後に半
導体素子の反りが目立つようになってきた(第6図)。
この現象は、熱膨張係数の異なる半導体素子とアイラン
ドが密接しているために起こるものであり、実験的にペ
ースト厚を変化させると、ある厚さ以上で反りが低減す
ることがわかっている。ところか、ソルダー厚をどんど
ん厚くしてゆくと、次の組立工程であるワイヤーボンデ
ィング工程で不着という別の問題を起こしてしまう。そ
れゆえ、半導体素子の反りをおさえ、かつワイヤーボン
ディング性の良いダイボンディング品を作り上げるため
には、最適なペースト厚(T)をキープしたダイボンデ
ィングをする必要があるが(第7図)、従来のボンディ
ング方法ではペースト厚をコントロールすることができ
ないという問題があった。
本発明の目的は前記課題を解決したグイボンディング方
法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
前記目的を遠戚するため、本発明に係るダイボンディン
グ方法に於ては、半導体素子をリードフレーム上に導電
性ペーストにてボンディングするグイボンディング方法
であって、 リードフレーム上面と半導体素子下面の間の距離を任意
に設定ヒてボンティングするものである。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
(実施例1) 第1図は本発明のダイボンティング方法を実現する装置
を示す構成国である6 図において、1はコレット、6はボンティング荷重可変
ユニット、7はホンディングアーム、8は上下動ユニ・
yト、9はX−Y移動ユニット、10は吸着ホースであ
る。
第2図fa)〜(C)は本発明の実施例1を工程順に示
す図である。
図において、2は半導体素子、3は導電性ベースj〜、
4はアイランドである。ます、第1図において、コレッ
ト1がポンチインク荷重可変ユニ・ソト6によって設定
された低荷重により図示されない半導体素子をピンクア
ップする2次に半導体素子をピックアップした状態のま
ま、導電性ペースト3を塗布したアイランド4上へ移動
する(第2図(a))。このときホンディング荷重可変
ユニット6は設定荷重を切りかえ、十分に重くする。荷
重を重くする目的は半導体素子2をボンティングした際
、導電性ペースト3の反力で押しかえされないためであ
る。次にアイランド4を半導体素子2とのすき間がTと
なるように、あらかじめ設定されている高さまで上下動
ユニット8を下降させ、その後X−Y移動ユニット9に
てスクラブをかける(第2図(b))。
このスクラブ動作により、アイランド4と半導体素子2
の間で導電性ペースト3か均一厚となる。
スクラブにてペースト3がなされた後コレット1を上昇
させると、ペースト厚Tのダイボンディング品が完敗さ
れる(第2図(C))。
(実施例2) 第3図(a)〜(d)は本発明の実施例2を工程順に示
す図である。
第3図(a)において、コレット1は半導体素子2をピ
ックアップした状態で、導電性ペースト3を塗布したア
イランド4上へ位置している。
次にコレット1のホールド荷重を図示されないホンディ
ング荷重可変ユニット6にて十分に重くし、その後コレ
ット1をスクラブ動作させながら下降させる(第3図(
b) ) 。
次にコレット1がアイランド4と半導体素子2のすき間
をTとする高さまで下降したらコレット1の下降を止め
、次にスクラブ動作をストップする(第3図(C))。
次にコレット1を上昇させボンティングを終了する(第
3図(d))。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明はアイランドと半導体素子の
すき間をコントロールすることにより、導電性ペースト
厚をコントロールすることができ、ダイボンディング後
のキュアにおいて反りをおさえられるという効果かある
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の方法を実現する装置を示す構成国、第
2図(a)〜(C)は本発明の実施例1を工程順に示す
図、第3図(a)〜(d)は本発明の実蛯例2を工程順
に示す図、第4図(a)〜fc)及び第5図は従来例を
示す図、第6図は従来例におけるダイボンディング品の
キュア後の状態を示す図、第7図はペースト厚をコント
ロールした製品のキュア後の状態を示す図である。 l・・・コレット     2・・・半導体素子3・・
・導電性ベース1〜 4・・・アイランド5・・・吸着
ノズル 6・・・ボンティング荷重可変ユニット7・・・ボンデ
ィングアーム 8・・・上下動ユニット 9・・・X−Y移動ユニット 10・・・吸着ホース

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体素子をリードフレーム上に導電性ペースト
    にてボンディングするダイボンディング方法であって、 リードフレーム上面と半導体素子下面の間の距離を任意
    に設定してボンディングすることを特徴とするダイボン
    ディング方法。
JP6352090A 1990-03-14 1990-03-14 ダイボンディング方法 Expired - Lifetime JP2513059B2 (ja)

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US5662763A (en) * 1992-12-01 1997-09-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Mount apparatus

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