JP2513059B2 - ダイボンディング方法 - Google Patents

ダイボンディング方法

Info

Publication number
JP2513059B2
JP2513059B2 JP6352090A JP6352090A JP2513059B2 JP 2513059 B2 JP2513059 B2 JP 2513059B2 JP 6352090 A JP6352090 A JP 6352090A JP 6352090 A JP6352090 A JP 6352090A JP 2513059 B2 JP2513059 B2 JP 2513059B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor element
bonding
die bonding
island
bonding method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP6352090A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH03263839A (ja
Inventor
勝正 小杉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP6352090A priority Critical patent/JP2513059B2/ja
Publication of JPH03263839A publication Critical patent/JPH03263839A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2513059B2 publication Critical patent/JP2513059B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Die Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体素子組立工程のダイボンディングに関
し、特にダイボンディング時の導電性ペーストの厚さを
コントロールするダイボンディング方法に関する。
〔従来の技術〕
従来のダイボンディング方法は第4図(a)〜(c)
に示すように、半導体素子吸着用のコレット1にてピッ
クアップした半導体素子2を導電性ペースト3を塗布し
たアイランド4上に一定荷重で押し込み、そのままの状
態でスクラブする手段がとられている。又、第5図に示
すように、半導体素子吸着ノズル5にて半導体素子2を
ピックアップした後、導電性ペースト3を塗布したアイ
ランド4上へ一定荷重で押し込むだけの手段がとられて
いる。
〔発明が解決しようとする課題〕
この従来のダイボンディング方法では、半導体素子を
アイランド面へ押しつけるという手段をとっていたた
め、アイランド面と半導体素子裏面間のペースト厚のコ
ントロールをすることができず、その厚みはボンディン
グ前に供給されるペースト量とボンディング荷重とによ
りかなりのバラツキがあった。
最近、半導体素子のサイズが大型化するにつれダイボ
ンディング後のペースト硬化工程であるキュア工程後に
半導体素子の反りが目立つようになってきた(第6
図)。この現象は、熱膨張係数の異なる半導体素子とア
イランドが密接しているために起こるものであり、実験
的にペースト厚を変化させると、ある厚さ以上で反りが
低減することがわかっている。ところが、ソルダー厚を
どんどん厚くしてゆくと、次の組立工程であるワイヤー
ボンディング工程で不着という別の問題を起こしてしま
う。それゆえ、半導体素子の反りをおさえ、かつワイヤ
ーボンディング性の良いダイボンディング品を作り上げ
るためには、最適なペースト厚(T)をキープしたダイ
ボンディングをする必要があるが(第7図)、従来のボ
ンディング方法ではペースト厚をコントロールすること
ができないという問題があった。
本発明の目的は前記課題を解決したダイボンディング
方法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
前記目的を達成するため、本発明に係るダイボンディ
ング方法に於ては、半導体素子をリードフレーム上に導
電性ペーストにてボンディングするダイボンディング方
法であって、 リードフレーム上面と半導体素子下面の間の距離を任
意に設定してボンディングするものである。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
(実施例1) 第1図は本発明のダイボンディング方法を実現する装
置を示す構成図である。
図において、1はコレット、6はボンディング荷重可
変ユニット、7はボンディングアーム、8は上下動ユニ
ット、9はX−Y移動ユニット、10は吸着ホースであ
る。
第2図(a)〜(c)は本発明の実施例1を工程順に
示す図である。
図において、2は半導体素子、3は導電性ペースト、
4はアイランドである。まず、第1図において、コレッ
ト1がボンディング荷重可変ユニット6によって設定さ
れた低荷重により図示されない半導体素子をピックアッ
プする。次に半導体素子をピックアップした状態のま
ま、導電性ペースト3を塗布したアイランド4上へ移動
する(第2図(a))。このときボンディング荷重可変
ユニット6は設定荷重を切りかえ、十分に重くする。荷
重を重くする目的は半導体素子2をボンディングした
際、導電性ペースト3の反力で押しかえされないためで
ある。次にアイランド4を半導体素子2とのすき間がT
となるように、あらかじめ設定されている高さまで上下
動ユニット8を下降させ、その後X−Y移動ユニット9
にてスクラブをかける(第2図(b))。
このスクラブ動作により、アイランド4と半導体素子
2の間で導電性ペースト3が均一厚となる。スクラブに
てペースト3がなされた後コレット1を上昇させると、
ペースト厚Tのダイボンディング品が完成される。(第
2図(c))。
(実施例2) 第3図(a)〜(d)は本発明の実施例2を工程順に
示す図である。
第3図(a)において、コレット1は半導体素子2を
ピックアップした状態で、導電性ペースト3を塗布した
アイランド4上へ位置している。
次にコレット1のホールド荷重を図示されないボンデ
ィング荷重可変ユニット6にて十分に重くし、その後コ
レット1をスクラブ動作させながら下降させる(第3図
(b))。
次にコレット1がアイランド4と半導体素子2のすき
間をTとする高さまで下降したらコレット1の下降を止
め、次にスクラブ動作をストップする(第3図
(c))。
次にコレット1を上昇させボンディングを終了する
(第3図(d))。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明はアイランドと半導体素子
のすき間をコントロールすることにより、導電性ペース
ト厚をコントロールすることができ、ダイボンディング
後のキュアにおいて反りをおさえられるという効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の方法を実現する装置を示す構成図、第
2図(a)〜(c)は本発明の実施例1を工程順に示す
図、第3図(a)〜(d)は本発明の実施例2を工程順
に示す図、第4図(a)〜(c)及び第5図は従来例を
示す図、第6図は従来例におけるダイボンディング品の
キュア後の状態を示す図、第7図はペースト厚をコント
ロールした製品のキュア後の状態を示す図である。 1……コレット、2……半導体素子 3……導電性ペースト、4……アイランド 5……吸着ノズル 6……ボンディング荷重可変ユニット 7……ボンディングアーム 8……上下動ユニット 9……X−Y移動ユニット 10……吸着ホース

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体素子をリードフレーム上に導電性ペ
    ーストにてボンディングするダイボンディング方法であ
    って、 リードフレーム上面と半導体素子下面の間の距離を任意
    に設定してボンディングすることを特徴とするダイボン
    ディング方法。
JP6352090A 1990-03-14 1990-03-14 ダイボンディング方法 Expired - Lifetime JP2513059B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6352090A JP2513059B2 (ja) 1990-03-14 1990-03-14 ダイボンディング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6352090A JP2513059B2 (ja) 1990-03-14 1990-03-14 ダイボンディング方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03263839A JPH03263839A (ja) 1991-11-25
JP2513059B2 true JP2513059B2 (ja) 1996-07-03

Family

ID=13231579

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6352090A Expired - Lifetime JP2513059B2 (ja) 1990-03-14 1990-03-14 ダイボンディング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2513059B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013010156A (ja) * 2011-06-28 2013-01-17 Sumitomo Electric Ind Ltd 実装方法、実装装置、および実装治具

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2955435B2 (ja) * 1992-12-01 1999-10-04 株式会社東芝 マウント装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013010156A (ja) * 2011-06-28 2013-01-17 Sumitomo Electric Ind Ltd 実装方法、実装装置、および実装治具

Also Published As

Publication number Publication date
JPH03263839A (ja) 1991-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002158257A (ja) フリップチップボンディング方法
JP3011694B2 (ja) ダイボンディング装置
US6086641A (en) Die bonder for a semiconductor producing apparatus
JP2513059B2 (ja) ダイボンディング方法
US4844325A (en) Method and apparatus for die-bonding semiconductor chip bonding
JPH01249280A (ja) テープボンデイング方法
US11145617B2 (en) Semiconductor structure
JP2000349099A (ja) はんだ接合方法および、半導体装置の製造方法
KR100459602B1 (ko) 범프본더
JPH1187420A (ja) 接着剤塗布方法、接着剤塗布装置、及び半導体部品実装方法
JP2000068300A (ja) バンプ付きic封止剤塗布方法及びバンプ付きic封止剤塗布装置
JP3479005B2 (ja) ダイボンダ
JP2928590B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JP3212881B2 (ja) 半導体装置の製造装置および製造方法
JP3392562B2 (ja) 半導体装置の実装方法
JPH08213398A (ja) 半導体素子のバンプレベリング方法とその装置
JP3393708B2 (ja) 半導体パッケージの製造方法
JP2765201B2 (ja) 熱圧着用ボンディングヘッド
JPH08115944A (ja) リードボンディング方法および装置
JP3303684B2 (ja) 導電性ボール搭載装置及び導電性ボール搭載方法
KR100280483B1 (ko) 반도체다이본딩장비의에폭시온리드프레임방지장치
JP2949872B2 (ja) 電子部品接合装置
JP2519903B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH06302628A (ja) ダイボンド方法及びその装置
KR100198661B1 (ko) 반도체 제조시의 칩 본딩 공정용 전도성 본드 코팅방법