JPH0326331B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0326331B2 JPH0326331B2 JP57055046A JP5504682A JPH0326331B2 JP H0326331 B2 JPH0326331 B2 JP H0326331B2 JP 57055046 A JP57055046 A JP 57055046A JP 5504682 A JP5504682 A JP 5504682A JP H0326331 B2 JPH0326331 B2 JP H0326331B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- transistor
- base
- capacitor
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 14
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/20—Automatic control
- H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
- H03G3/3084—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in receivers or transmitters for electromagnetic waves other than radiowaves, e.g. lightwaves
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は受光回路に関する。
一般に、光電スイツチなどの受光回路において
は、太陽光などの定常的な外乱光によるバイアス
点の変化に対してパルス光の増幅度の変動が小さ
いこと、また、信号雑音比が優れていることなど
が必要な条件となる。
は、太陽光などの定常的な外乱光によるバイアス
点の変化に対してパルス光の増幅度の変動が小さ
いこと、また、信号雑音比が優れていることなど
が必要な条件となる。
従来の受光回路としては、第１図に示すよう
に、ホトトランジスタ２０と抵抗２１，２２から
なる電流帰還自己バイアス回路で構成された回路
が知られている。この回路においては、外乱光が
ホトトランジスタ２０に照射されると、ホトトラ
ンジスタ２０のコレクタ・ベース間に発生した光
電流は、バイアス邸抗２２とホトトランジスタ２
０のベース・エミツタ間に分流する。このベー
ス・エミツタ間に分流する電流成分が、ホトトラ
ンジスタ２０のバイアス点を変化させ、この外乱
光による光電流の割合が増加すると、ホトトラン
ジスタ２０はしや断領域に達し、パルス光に対す
る増幅率を失なつてしまう。また、上述の回路で
は、バイアス抵抗２２における熱雑音がパルス光
による光電流成分に重畳するため、信号雑音比が
低下したものとなる。
に、ホトトランジスタ２０と抵抗２１，２２から
なる電流帰還自己バイアス回路で構成された回路
が知られている。この回路においては、外乱光が
ホトトランジスタ２０に照射されると、ホトトラ
ンジスタ２０のコレクタ・ベース間に発生した光
電流は、バイアス邸抗２２とホトトランジスタ２
０のベース・エミツタ間に分流する。このベー
ス・エミツタ間に分流する電流成分が、ホトトラ
ンジスタ２０のバイアス点を変化させ、この外乱
光による光電流の割合が増加すると、ホトトラン
ジスタ２０はしや断領域に達し、パルス光に対す
る増幅率を失なつてしまう。また、上述の回路で
は、バイアス抵抗２２における熱雑音がパルス光
による光電流成分に重畳するため、信号雑音比が
低下したものとなる。
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであ
り、その目的は、定常的な外乱光によつてホトダ
イオード７に生じる。コンデンサ８が関与しない
直流成分に対しては、抗５および抵抗６の電流帰
還自己バイアスにより深い負帰還をかけて出力端
子４に出力されないようにし、他方、交流成分に
対しては、抵抗５およびコンデンサ８とによる積
分回路により、出力端子４に発生する電圧減少分
を吸収させて浅い負帰還をかけることにより、前
記交流成分の信号をトランジスタ１の出力端子４
に出力するようにした受光回路を提供することを
目的とする。
り、その目的は、定常的な外乱光によつてホトダ
イオード７に生じる。コンデンサ８が関与しない
直流成分に対しては、抗５および抵抗６の電流帰
還自己バイアスにより深い負帰還をかけて出力端
子４に出力されないようにし、他方、交流成分に
対しては、抵抗５およびコンデンサ８とによる積
分回路により、出力端子４に発生する電圧減少分
を吸収させて浅い負帰還をかけることにより、前
記交流成分の信号をトランジスタ１の出力端子４
に出力するようにした受光回路を提供することを
目的とする。
以下、本発明の一実施例について図面にもとづ
いて説明する。
いて説明する。
第２図に示すように、トランジスタ１のコレク
タと電源（図示せず）が接続される端子２との間
に抵抗３が接続され、さらに、トランジスタ１の
コレクタと抵抗３との接続点に出力端子４が接続
される。また、トランジスタ１のコレクタと抵抗
３との接続点とトランジスタ１のベースとの間に
抵抗５と抵抗６との直列回路が接続される。
タと電源（図示せず）が接続される端子２との間
に抵抗３が接続され、さらに、トランジスタ１の
コレクタと抵抗３との接続点に出力端子４が接続
される。また、トランジスタ１のコレクタと抵抗
３との接続点とトランジスタ１のベースとの間に
抵抗５と抵抗６との直列回路が接続される。
さらに、トランジスタ１のベースにホトダイオ
ード７のカソードが接続され、このホトダイオー
ドのアノードが抵抗５と抵抗６との接続点に接続
される。また、抵抗５と抵抗６との接続点にコン
デンサ８の一方の端子が接続され、このコンデン
サ８の他方の端子が接地される。さらに、上述の
トランジスタ１のエミツタが接地される。
ード７のカソードが接続され、このホトダイオー
ドのアノードが抵抗５と抵抗６との接続点に接続
される。また、抵抗５と抵抗６との接続点にコン
デンサ８の一方の端子が接続され、このコンデン
サ８の他方の端子が接地される。さらに、上述の
トランジスタ１のエミツタが接地される。
上述の回路においては、抵抗３と抵抗５によつ
てトランジスタ１に電流帰還自己バイアスが加え
られる。ホトダイオード７に発生する光電流のう
ち、外乱光による直流成分は抵抗６とトランジス
タ１のベースに分流する。この場合、トランジス
タ１のベースに流入する電流は、抵抗３，抵抗
５，トランジスタ１のベース、エミツタの経路を
流れるが、この経路にはトランジスタ１のベース
とエミツタがあるため、ベース・エミツタ間順方
向電圧降下を越える電圧が抵抗６に発生しない限
り、トランジスタ１のベースにはほとんど電流は
流れない。すなわち、外乱光による光電流の直流
成分は抵抗６をを流れ、トランジスタ１にはほと
んど流れず、したがつて、トランジスタ１のバイ
アス点は変動しない。
てトランジスタ１に電流帰還自己バイアスが加え
られる。ホトダイオード７に発生する光電流のう
ち、外乱光による直流成分は抵抗６とトランジス
タ１のベースに分流する。この場合、トランジス
タ１のベースに流入する電流は、抵抗３，抵抗
５，トランジスタ１のベース、エミツタの経路を
流れるが、この経路にはトランジスタ１のベース
とエミツタがあるため、ベース・エミツタ間順方
向電圧降下を越える電圧が抵抗６に発生しない限
り、トランジスタ１のベースにはほとんど電流は
流れない。すなわち、外乱光による光電流の直流
成分は抵抗６をを流れ、トランジスタ１にはほと
んど流れず、したがつて、トランジスタ１のバイ
アス点は変動しない。
一方、信号としてのパルス光によつてホトダイ
オード７に発生する光電流の交流成分は、抵抗６
を流れる経路と、トランジスタ１のベースととエ
ミツタ及びコンデンサ８を流れる経路とに分流す
る。この場合、コンデンサ８の容量を十分大きく
しておくと、光電流のほとんどはこのコンデンサ
８を介してトランジスタ１のベースに流入する。
このため、トランジスタ１においてパルス光に対
応した光電流が十分に増幅されることになる。ま
た、コンデンサ８によつて抵抗５に発生する熱雑
音が接地されるので、信号雑音比が優れた増幅が
行なわれる。なお信号パルス光は単発パルス光で
あつても、くり返しパルス光であつてもよい。
オード７に発生する光電流の交流成分は、抵抗６
を流れる経路と、トランジスタ１のベースととエ
ミツタ及びコンデンサ８を流れる経路とに分流す
る。この場合、コンデンサ８の容量を十分大きく
しておくと、光電流のほとんどはこのコンデンサ
８を介してトランジスタ１のベースに流入する。
このため、トランジスタ１においてパルス光に対
応した光電流が十分に増幅されることになる。ま
た、コンデンサ８によつて抵抗５に発生する熱雑
音が接地されるので、信号雑音比が優れた増幅が
行なわれる。なお信号パルス光は単発パルス光で
あつても、くり返しパルス光であつてもよい。
第３図は本発明の他の実施例を示しており、上
述の実施例の第２図の回路の抵抗５と抵抗６との
接続点とアースとの間に抵抗９が接続される。こ
の抵抗９を除いた他のの回路は第２図に示す回路
と同様である。この抵抗９と抵抗３，５によつて
分圧された電圧でトランジスタ１がバイアスさ
れ、トランジスタ１の動作レベルが調整される。
この場合の動作も第２図の回路の動作を同様であ
り、ホトダイオード７に生じる光電流の直流成分
はほとんど抵抗６を流れ、光電流の交流成分が、
コンデンサ８を介してトランジスタ１のベースに
流れ、トランジスタ１によつて増幅される。さら
に、抵抗５，９に発生する熱雑音ははコンデンサ
８によつて接地され、信号雑音比が優れた増幅が
行なわれる。
述の実施例の第２図の回路の抵抗５と抵抗６との
接続点とアースとの間に抵抗９が接続される。こ
の抵抗９を除いた他のの回路は第２図に示す回路
と同様である。この抵抗９と抵抗３，５によつて
分圧された電圧でトランジスタ１がバイアスさ
れ、トランジスタ１の動作レベルが調整される。
この場合の動作も第２図の回路の動作を同様であ
り、ホトダイオード７に生じる光電流の直流成分
はほとんど抵抗６を流れ、光電流の交流成分が、
コンデンサ８を介してトランジスタ１のベースに
流れ、トランジスタ１によつて増幅される。さら
に、抵抗５，９に発生する熱雑音ははコンデンサ
８によつて接地され、信号雑音比が優れた増幅が
行なわれる。
以上説明したように、本発明においては、トラ
ンジスタと、このトランジスタのベースに接続さ
れたホトダイオードと抵抗との並列回路と、この
並列回路のトランジスタのベースとは異なる接続
点に接続されたコンデンサとを有し、定常的な外
乱光によつてホトダイオードに生じる光電流の直
流成分がトランジスタに流入するのを阻止すると
ともにパルス光によつてホトダイオードに生じる
光電流の交流成分をトランジスタに流入させるよ
うにしたから、外乱光によるトランジスタのバイ
アス変化を防止してパルス光に対する増幅率の変
動を無くするとともに、熱雑音を上記コンデンサ
で接地して信号雑音比を高めることができる。
ンジスタと、このトランジスタのベースに接続さ
れたホトダイオードと抵抗との並列回路と、この
並列回路のトランジスタのベースとは異なる接続
点に接続されたコンデンサとを有し、定常的な外
乱光によつてホトダイオードに生じる光電流の直
流成分がトランジスタに流入するのを阻止すると
ともにパルス光によつてホトダイオードに生じる
光電流の交流成分をトランジスタに流入させるよ
うにしたから、外乱光によるトランジスタのバイ
アス変化を防止してパルス光に対する増幅率の変
動を無くするとともに、熱雑音を上記コンデンサ
で接地して信号雑音比を高めることができる。
第１図は受光回路の従来例を示す回路図、第２
図は本発明の一実施例を示す回路図、第３図は本
発明の他の実施例を示す回路図である。 １…トランジスタ、６…抵抗、７…ホトダイオ
ード、８…コンデンサ。
図は本発明の一実施例を示す回路図、第３図は本
発明の他の実施例を示す回路図である。 １…トランジスタ、６…抵抗、７…ホトダイオ
ード、８…コンデンサ。
Claims (1)
- １ コレクタを抵抗３を介して電源の端子２に接
続するとともにエミツタを接地した、トランジス
タ１のコレクタとベースとの間に直列接続の抵抗
５および抵抗６を接続し、両抵抗５，６の接続点
とトランジスタ１のベースとの間の抵抗６にホト
ダイオード７を並列に接続し、更に前記接続点を
コンデンサ８を介して接地したことを特徴とする
受光回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57055046A JPS58171640A (ja) | 1982-04-01 | 1982-04-01 | 受光回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57055046A JPS58171640A (ja) | 1982-04-01 | 1982-04-01 | 受光回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58171640A JPS58171640A (ja) | 1983-10-08 |
| JPH0326331B2 true JPH0326331B2 (ja) | 1991-04-10 |
Family
ID=12987722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57055046A Granted JPS58171640A (ja) | 1982-04-01 | 1982-04-01 | 受光回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58171640A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023219583A1 (en) | 2022-05-09 | 2023-11-16 | Inan Makina Sanayi Ve Ticaret Anonim Sirketi | Demolition attachment with articulated duct |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49112682A (ja) * | 1973-02-23 | 1974-10-26 |
-
1982
- 1982-04-01 JP JP57055046A patent/JPS58171640A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49112682A (ja) * | 1973-02-23 | 1974-10-26 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023219583A1 (en) | 2022-05-09 | 2023-11-16 | Inan Makina Sanayi Ve Ticaret Anonim Sirketi | Demolition attachment with articulated duct |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58171640A (ja) | 1983-10-08 |
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