JPS58171640A - 受光回路 - Google Patents
受光回路Info
- Publication number
- JPS58171640A JPS58171640A JP57055046A JP5504682A JPS58171640A JP S58171640 A JPS58171640 A JP S58171640A JP 57055046 A JP57055046 A JP 57055046A JP 5504682 A JP5504682 A JP 5504682A JP S58171640 A JPS58171640 A JP S58171640A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- resistor
- photodiode
- capacitor
- circuit
- Prior art date
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- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract description 8
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/20—Automatic control
- H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
- H03G3/3084—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in receivers or transmitters for electromagnetic waves other than radiowaves, e.g. lightwaves
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は受光回路に関する。
一般に、光電スイッチなどの受光回路においては、太陽
光などの定常的な外乱光によるノ（イア７点の変化に対
してパルス光の増幅度の変動が小さいこと、また、信号
雑音比が優れていることなどが必要な条件となる。
光などの定常的な外乱光によるノ（イア７点の変化に対
してパルス光の増幅度の変動が小さいこと、また、信号
雑音比が優れていることなどが必要な条件となる。
従来の受光回路としては、第１図に示すように、ホトト
ランジスタ２０と抵抗２１．２２からなる電流帰還自己
バイアス回路で構成された回路が知られている。この回
路においては、外乱光がホトトランジスタ２０に照射さ
れると、ホトトランジスタ２０のコレクタ・ベース間に
発生した光電流は、バイアス抵抗２２とホトトランジス
タ２０のベース・エミッタ間に分流する。このベース・
エミッタ間に分流する電流成分が、ホトトランジスタ２
０のバイアヌ点全変化させ、この外乱光による光電流の
割合が増加すると、ホトトランジスタ２０はしゃ新領域
に達し、パルス光に対する増幅率を失なってしまう。ま
た、上述の回路では、バイア７抵抗２２に２ける熱雑音
がパルス光による充電流成分に重畳するため、信号雑音
比が低下したものとなる。
ランジスタ２０と抵抗２１．２２からなる電流帰還自己
バイアス回路で構成された回路が知られている。この回
路においては、外乱光がホトトランジスタ２０に照射さ
れると、ホトトランジスタ２０のコレクタ・ベース間に
発生した光電流は、バイアス抵抗２２とホトトランジス
タ２０のベース・エミッタ間に分流する。このベース・
エミッタ間に分流する電流成分が、ホトトランジスタ２
０のバイアヌ点全変化させ、この外乱光による光電流の
割合が増加すると、ホトトランジスタ２０はしゃ新領域
に達し、パルス光に対する増幅率を失なってしまう。ま
た、上述の回路では、バイア７抵抗２２に２ける熱雑音
がパルス光による充電流成分に重畳するため、信号雑音
比が低下したものとなる。
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであシ、その
目的は、定常的な外乱光によってホトダイオードに生じ
る光電流の直流成分がトランジスタに流入するのを阻止
してトランジスタの直流成分によるバイアス変動を防止
し、パルス光によってホトダイオードに生じる光電流の
交流成分がコンデンサを介してトランジスタに流入する
ようにして、パルス光に対する増幅率が変動せず且つ信
号雑音比が同上した受光回路を提供することである。
目的は、定常的な外乱光によってホトダイオードに生じ
る光電流の直流成分がトランジスタに流入するのを阻止
してトランジスタの直流成分によるバイアス変動を防止
し、パルス光によってホトダイオードに生じる光電流の
交流成分がコンデンサを介してトランジスタに流入する
ようにして、パルス光に対する増幅率が変動せず且つ信
号雑音比が同上した受光回路を提供することである。
以下、本発明の一実施例について図面にもとづいて説明
する。
する。
第２図に示すように、トランジスタ１のコレクタと電源
（図示せず）が接続される端子２との間に抵抗３が接続
され、さらに、トランジスタ１のコレクタと抵抗３との
接続点に出方端子４が接続される。また、トランジスタ
１のコレクタト抵抗３との接続点とトランジスタ１のペ
ースとの間に抵抗５と抵抗６との直列回路が接続される
。
（図示せず）が接続される端子２との間に抵抗３が接続
され、さらに、トランジスタ１のコレクタと抵抗３との
接続点に出方端子４が接続される。また、トランジスタ
１のコレクタト抵抗３との接続点とトランジスタ１のペ
ースとの間に抵抗５と抵抗６との直列回路が接続される
。
さらに、トランジスタ１のペースにホトダイオード７の
カソードが接続され、このホトダイオード７のアノード
が抵抗５と抵抗６との接続点に接続される。また、抵抗
５と抵抗６との接続点にコンデンサ８の一方の端子が接
続きれ、このコンデンサ８の他方の端子が接地される。
カソードが接続され、このホトダイオード７のアノード
が抵抗５と抵抗６との接続点に接続される。また、抵抗
５と抵抗６との接続点にコンデンサ８の一方の端子が接
続きれ、このコンデンサ８の他方の端子が接地される。
さらに、上述のトランジスタ１のエミッタが接地される
。
。
上述の回路においては、抵抗３と抵抗５によってトラン
ジスタ１に電流帰還自己バイアスが加えられる。ホトダ
イオード７に発生する光電流のうち、外乱光による直流
成分は抵抗６とトランジスタ１のペースに分流する。こ
の場合、トランジスタ１のペースに流入する電流は、抵
抗３．抵抗５゜トランジスタ１のベーヌ、エミッタの経
路を流れるが、この経路にはトランジスタ１のペースと
ニーミッタがあるため、ペース・エミッタ間順方向電圧
降下を越える電圧が抵抗６に発生しない限り、トランジ
スタ１のペースにはほとんど電流は流れない。すなわち
、外乱光による光電流の直流成分は抵抗６を流れ、トラ
ンジスタ１にはほとんど流れず、したがって、トランジ
スタ１のバイアス点は変動しない。
ジスタ１に電流帰還自己バイアスが加えられる。ホトダ
イオード７に発生する光電流のうち、外乱光による直流
成分は抵抗６とトランジスタ１のペースに分流する。こ
の場合、トランジスタ１のペースに流入する電流は、抵
抗３．抵抗５゜トランジスタ１のベーヌ、エミッタの経
路を流れるが、この経路にはトランジスタ１のペースと
ニーミッタがあるため、ペース・エミッタ間順方向電圧
降下を越える電圧が抵抗６に発生しない限り、トランジ
スタ１のペースにはほとんど電流は流れない。すなわち
、外乱光による光電流の直流成分は抵抗６を流れ、トラ
ンジスタ１にはほとんど流れず、したがって、トランジ
スタ１のバイアス点は変動しない。
一方、信号としてのパルス光によってホトダイオード７
に発生する光電流の交流成分は、抵抗６を流れる経路と
、トランジスタｌのべ一ヌとエミッタ及びコンデンサ８
を流れる経路とに分流する。
に発生する光電流の交流成分は、抵抗６を流れる経路と
、トランジスタｌのべ一ヌとエミッタ及びコンデンサ８
を流れる経路とに分流する。
この場合、コンデンサ８の容量を十分大きくしておくと
、光電流のほとんどはこのコンデンサ８を介してトラン
ジスタ１のペースに流入する。このため、トランジスタ
１においてパルス光に対応した光電流が十分に増幅され
ることになる。また、コンデンサ８によって抵抗５に発
生する熱雑音が接地されるので、信号雑音比が優れた増
幅が行なわれる。なお信号パルス光は単発パルス光であ
っても、くり返しパルス光であってもよい。
、光電流のほとんどはこのコンデンサ８を介してトラン
ジスタ１のペースに流入する。このため、トランジスタ
１においてパルス光に対応した光電流が十分に増幅され
ることになる。また、コンデンサ８によって抵抗５に発
生する熱雑音が接地されるので、信号雑音比が優れた増
幅が行なわれる。なお信号パルス光は単発パルス光であ
っても、くり返しパルス光であってもよい。
第３図は本発明の他の実施例を示しており、上述の実施
例の第２図の回路の抵抗５と抵抗６との接続点とアース
との間に抵抗９が接続される。この抵抗９を除いた他の
回路は第２図に示す回路と同様である。この抵抗９と抵
抗３．５によって分圧された電圧でトランジスタ１がバ
イアスされ、トランジスタ１の動作レベルが調整される
。この場合の動作も第２図の回路の動作と同様であり、
ホトダイオード７に生じる光電流の直流成分はほとんど
抵抗６ｖｉ−流れ、光電流の交流成分が、コンデンサ８
を介してトランジスタ１のぺ−７に流れ、トランジスタ
１によって増中畠される。さらに、抵抗５．９に発生す
る無雑音はコンデンサ８によって接地され、信号雑音比
が優れた増幅が行なわれる。
例の第２図の回路の抵抗５と抵抗６との接続点とアース
との間に抵抗９が接続される。この抵抗９を除いた他の
回路は第２図に示す回路と同様である。この抵抗９と抵
抗３．５によって分圧された電圧でトランジスタ１がバ
イアスされ、トランジスタ１の動作レベルが調整される
。この場合の動作も第２図の回路の動作と同様であり、
ホトダイオード７に生じる光電流の直流成分はほとんど
抵抗６ｖｉ−流れ、光電流の交流成分が、コンデンサ８
を介してトランジスタ１のぺ−７に流れ、トランジスタ
１によって増中畠される。さらに、抵抗５．９に発生す
る無雑音はコンデンサ８によって接地され、信号雑音比
が優れた増幅が行なわれる。
以上説明したように、本発明においては、トランジスタ
と、このトランジスタのべ−７に接続されたホトダイオ
ードと抵抗との並列回路と、この並列回路のトランジス
タのペースとは異なる接続点に接続されたコンデンサと
を有し、定常的な外乱光によってホトダイオードに生じ
る光電流の直流成分がトランジスタに流入するのを阻止
するとトモにパルス光によってホトダイオードに生じる
光電流の交流成分をトランジスタに流入させるようにし
たから、外乱光によるトランジスタのバイアス変化を防
止してパルス光に対する増幅率の変動を無くするととも
に、熱雑音を上記コンデンサで接地して信号雑音比を高
めることができる。
と、このトランジスタのべ−７に接続されたホトダイオ
ードと抵抗との並列回路と、この並列回路のトランジス
タのペースとは異なる接続点に接続されたコンデンサと
を有し、定常的な外乱光によってホトダイオードに生じ
る光電流の直流成分がトランジスタに流入するのを阻止
するとトモにパルス光によってホトダイオードに生じる
光電流の交流成分をトランジスタに流入させるようにし
たから、外乱光によるトランジスタのバイアス変化を防
止してパルス光に対する増幅率の変動を無くするととも
に、熱雑音を上記コンデンサで接地して信号雑音比を高
めることができる。
第１図は受光回路の従来例を示す回路図、第２図は本発
明の一突施例を示す回路図、第３図は本発明の他の実施
例を示す回路図である。 １・・・トランジスタ、 ６・・・抵抗、 ７・・・ホ
トダイオード、 ８・・・コンデンサ。 特許出願人 立石電機株式会社
明の一突施例を示す回路図、第３図は本発明の他の実施
例を示す回路図である。 １・・・トランジスタ、 ６・・・抵抗、 ７・・・ホ
トダイオード、 ８・・・コンデンサ。 特許出願人 立石電機株式会社
Claims (1)
- （１）トランジスタと、該トランジスタのべ−７に接続
された抵抗に並列に接続されたホトダイオードと、上記
トランジスタのベースとの接続点とは異なる側の上記抵
抗と上記ホトダイオードとの接続点に接続されたコンデ
ンサとを備え、定常的な外乱光によってホトダイオード
に生じる光電流の直流成分が上記抵抗を通ることにより
トランジスタに流入するのを阻止するとともにノ（ルス
光によってホ）ダイオードに生じる光電流の交流成分が
コンデンサを介してトランジスタに流入するようにした
ことを特徴とする受光回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57055046A JPS58171640A (ja) | 1982-04-01 | 1982-04-01 | 受光回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57055046A JPS58171640A (ja) | 1982-04-01 | 1982-04-01 | 受光回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58171640A true JPS58171640A (ja) | 1983-10-08 |
| JPH0326331B2 JPH0326331B2 (ja) | 1991-04-10 |
Family
ID=12987722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57055046A Granted JPS58171640A (ja) | 1982-04-01 | 1982-04-01 | 受光回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58171640A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023219583A1 (en) | 2022-05-09 | 2023-11-16 | Inan Makina Sanayi Ve Ticaret Anonim Sirketi | Demolition attachment with articulated duct |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49112682A (ja) * | 1973-02-23 | 1974-10-26 |
-
1982
- 1982-04-01 JP JP57055046A patent/JPS58171640A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49112682A (ja) * | 1973-02-23 | 1974-10-26 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0326331B2 (ja) | 1991-04-10 |
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