JPS58171640A - 受光回路 - Google Patents
受光回路Info
- Publication number
- JPS58171640A JPS58171640A JP57055046A JP5504682A JPS58171640A JP S58171640 A JPS58171640 A JP S58171640A JP 57055046 A JP57055046 A JP 57055046A JP 5504682 A JP5504682 A JP 5504682A JP S58171640 A JPS58171640 A JP S58171640A
- Authority
- JP
- Japan
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- transistor
- resistor
- photodiode
- capacitor
- circuit
- Prior art date
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- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract description 8
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/20—Automatic control
- H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
- H03G3/3084—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in receivers or transmitters for electromagnetic waves other than radiowaves, e.g. lightwaves
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は受光回路に関する。
一般に、光電スイッチなどの受光回路においては、太陽
光などの定常的な外乱光によるノ(イア7点の変化に対
してパルス光の増幅度の変動が小さいこと、また、信号
雑音比が優れていることなどが必要な条件となる。
光などの定常的な外乱光によるノ(イア7点の変化に対
してパルス光の増幅度の変動が小さいこと、また、信号
雑音比が優れていることなどが必要な条件となる。
従来の受光回路としては、第1図に示すように、ホトト
ランジスタ20と抵抗21.22からなる電流帰還自己
バイアス回路で構成された回路が知られている。この回
路においては、外乱光がホトトランジスタ20に照射さ
れると、ホトトランジスタ20のコレクタ・ベース間に
発生した光電流は、バイアス抵抗22とホトトランジス
タ20のベース・エミッタ間に分流する。このベース・
エミッタ間に分流する電流成分が、ホトトランジスタ2
0のバイアヌ点全変化させ、この外乱光による光電流の
割合が増加すると、ホトトランジスタ20はしゃ新領域
に達し、パルス光に対する増幅率を失なってしまう。ま
た、上述の回路では、バイア7抵抗22に2ける熱雑音
がパルス光による充電流成分に重畳するため、信号雑音
比が低下したものとなる。
ランジスタ20と抵抗21.22からなる電流帰還自己
バイアス回路で構成された回路が知られている。この回
路においては、外乱光がホトトランジスタ20に照射さ
れると、ホトトランジスタ20のコレクタ・ベース間に
発生した光電流は、バイアス抵抗22とホトトランジス
タ20のベース・エミッタ間に分流する。このベース・
エミッタ間に分流する電流成分が、ホトトランジスタ2
0のバイアヌ点全変化させ、この外乱光による光電流の
割合が増加すると、ホトトランジスタ20はしゃ新領域
に達し、パルス光に対する増幅率を失なってしまう。ま
た、上述の回路では、バイア7抵抗22に2ける熱雑音
がパルス光による充電流成分に重畳するため、信号雑音
比が低下したものとなる。
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであシ、その
目的は、定常的な外乱光によってホトダイオードに生じ
る光電流の直流成分がトランジスタに流入するのを阻止
してトランジスタの直流成分によるバイアス変動を防止
し、パルス光によってホトダイオードに生じる光電流の
交流成分がコンデンサを介してトランジスタに流入する
ようにして、パルス光に対する増幅率が変動せず且つ信
号雑音比が同上した受光回路を提供することである。
目的は、定常的な外乱光によってホトダイオードに生じ
る光電流の直流成分がトランジスタに流入するのを阻止
してトランジスタの直流成分によるバイアス変動を防止
し、パルス光によってホトダイオードに生じる光電流の
交流成分がコンデンサを介してトランジスタに流入する
ようにして、パルス光に対する増幅率が変動せず且つ信
号雑音比が同上した受光回路を提供することである。
以下、本発明の一実施例について図面にもとづいて説明
する。
する。
第2図に示すように、トランジスタ1のコレクタと電源
(図示せず)が接続される端子2との間に抵抗3が接続
され、さらに、トランジスタ1のコレクタと抵抗3との
接続点に出方端子4が接続される。また、トランジスタ
1のコレクタト抵抗3との接続点とトランジスタ1のペ
ースとの間に抵抗5と抵抗6との直列回路が接続される
。
(図示せず)が接続される端子2との間に抵抗3が接続
され、さらに、トランジスタ1のコレクタと抵抗3との
接続点に出方端子4が接続される。また、トランジスタ
1のコレクタト抵抗3との接続点とトランジスタ1のペ
ースとの間に抵抗5と抵抗6との直列回路が接続される
。
さらに、トランジスタ1のペースにホトダイオード7の
カソードが接続され、このホトダイオード7のアノード
が抵抗5と抵抗6との接続点に接続される。また、抵抗
5と抵抗6との接続点にコンデンサ8の一方の端子が接
続きれ、このコンデンサ8の他方の端子が接地される。
カソードが接続され、このホトダイオード7のアノード
が抵抗5と抵抗6との接続点に接続される。また、抵抗
5と抵抗6との接続点にコンデンサ8の一方の端子が接
続きれ、このコンデンサ8の他方の端子が接地される。
さらに、上述のトランジスタ1のエミッタが接地される
。
。
上述の回路においては、抵抗3と抵抗5によってトラン
ジスタ1に電流帰還自己バイアスが加えられる。ホトダ
イオード7に発生する光電流のうち、外乱光による直流
成分は抵抗6とトランジスタ1のペースに分流する。こ
の場合、トランジスタ1のペースに流入する電流は、抵
抗3.抵抗5゜トランジスタ1のベーヌ、エミッタの経
路を流れるが、この経路にはトランジスタ1のペースと
ニーミッタがあるため、ペース・エミッタ間順方向電圧
降下を越える電圧が抵抗6に発生しない限り、トランジ
スタ1のペースにはほとんど電流は流れない。すなわち
、外乱光による光電流の直流成分は抵抗6を流れ、トラ
ンジスタ1にはほとんど流れず、したがって、トランジ
スタ1のバイアス点は変動しない。
ジスタ1に電流帰還自己バイアスが加えられる。ホトダ
イオード7に発生する光電流のうち、外乱光による直流
成分は抵抗6とトランジスタ1のペースに分流する。こ
の場合、トランジスタ1のペースに流入する電流は、抵
抗3.抵抗5゜トランジスタ1のベーヌ、エミッタの経
路を流れるが、この経路にはトランジスタ1のペースと
ニーミッタがあるため、ペース・エミッタ間順方向電圧
降下を越える電圧が抵抗6に発生しない限り、トランジ
スタ1のペースにはほとんど電流は流れない。すなわち
、外乱光による光電流の直流成分は抵抗6を流れ、トラ
ンジスタ1にはほとんど流れず、したがって、トランジ
スタ1のバイアス点は変動しない。
一方、信号としてのパルス光によってホトダイオード7
に発生する光電流の交流成分は、抵抗6を流れる経路と
、トランジスタlのべ一ヌとエミッタ及びコンデンサ8
を流れる経路とに分流する。
に発生する光電流の交流成分は、抵抗6を流れる経路と
、トランジスタlのべ一ヌとエミッタ及びコンデンサ8
を流れる経路とに分流する。
この場合、コンデンサ8の容量を十分大きくしておくと
、光電流のほとんどはこのコンデンサ8を介してトラン
ジスタ1のペースに流入する。このため、トランジスタ
1においてパルス光に対応した光電流が十分に増幅され
ることになる。また、コンデンサ8によって抵抗5に発
生する熱雑音が接地されるので、信号雑音比が優れた増
幅が行なわれる。なお信号パルス光は単発パルス光であ
っても、くり返しパルス光であってもよい。
、光電流のほとんどはこのコンデンサ8を介してトラン
ジスタ1のペースに流入する。このため、トランジスタ
1においてパルス光に対応した光電流が十分に増幅され
ることになる。また、コンデンサ8によって抵抗5に発
生する熱雑音が接地されるので、信号雑音比が優れた増
幅が行なわれる。なお信号パルス光は単発パルス光であ
っても、くり返しパルス光であってもよい。
第3図は本発明の他の実施例を示しており、上述の実施
例の第2図の回路の抵抗5と抵抗6との接続点とアース
との間に抵抗9が接続される。この抵抗9を除いた他の
回路は第2図に示す回路と同様である。この抵抗9と抵
抗3.5によって分圧された電圧でトランジスタ1がバ
イアスされ、トランジスタ1の動作レベルが調整される
。この場合の動作も第2図の回路の動作と同様であり、
ホトダイオード7に生じる光電流の直流成分はほとんど
抵抗6vi−流れ、光電流の交流成分が、コンデンサ8
を介してトランジスタ1のぺ−7に流れ、トランジスタ
1によって増中畠される。さらに、抵抗5.9に発生す
る無雑音はコンデンサ8によって接地され、信号雑音比
が優れた増幅が行なわれる。
例の第2図の回路の抵抗5と抵抗6との接続点とアース
との間に抵抗9が接続される。この抵抗9を除いた他の
回路は第2図に示す回路と同様である。この抵抗9と抵
抗3.5によって分圧された電圧でトランジスタ1がバ
イアスされ、トランジスタ1の動作レベルが調整される
。この場合の動作も第2図の回路の動作と同様であり、
ホトダイオード7に生じる光電流の直流成分はほとんど
抵抗6vi−流れ、光電流の交流成分が、コンデンサ8
を介してトランジスタ1のぺ−7に流れ、トランジスタ
1によって増中畠される。さらに、抵抗5.9に発生す
る無雑音はコンデンサ8によって接地され、信号雑音比
が優れた増幅が行なわれる。
以上説明したように、本発明においては、トランジスタ
と、このトランジスタのべ−7に接続されたホトダイオ
ードと抵抗との並列回路と、この並列回路のトランジス
タのペースとは異なる接続点に接続されたコンデンサと
を有し、定常的な外乱光によってホトダイオードに生じ
る光電流の直流成分がトランジスタに流入するのを阻止
するとトモにパルス光によってホトダイオードに生じる
光電流の交流成分をトランジスタに流入させるようにし
たから、外乱光によるトランジスタのバイアス変化を防
止してパルス光に対する増幅率の変動を無くするととも
に、熱雑音を上記コンデンサで接地して信号雑音比を高
めることができる。
と、このトランジスタのべ−7に接続されたホトダイオ
ードと抵抗との並列回路と、この並列回路のトランジス
タのペースとは異なる接続点に接続されたコンデンサと
を有し、定常的な外乱光によってホトダイオードに生じ
る光電流の直流成分がトランジスタに流入するのを阻止
するとトモにパルス光によってホトダイオードに生じる
光電流の交流成分をトランジスタに流入させるようにし
たから、外乱光によるトランジスタのバイアス変化を防
止してパルス光に対する増幅率の変動を無くするととも
に、熱雑音を上記コンデンサで接地して信号雑音比を高
めることができる。
第1図は受光回路の従来例を示す回路図、第2図は本発
明の一突施例を示す回路図、第3図は本発明の他の実施
例を示す回路図である。 1・・・トランジスタ、 6・・・抵抗、 7・・・ホ
トダイオード、 8・・・コンデンサ。 特許出願人 立石電機株式会社
明の一突施例を示す回路図、第3図は本発明の他の実施
例を示す回路図である。 1・・・トランジスタ、 6・・・抵抗、 7・・・ホ
トダイオード、 8・・・コンデンサ。 特許出願人 立石電機株式会社
Claims (1)
- (1)トランジスタと、該トランジスタのべ−7に接続
された抵抗に並列に接続されたホトダイオードと、上記
トランジスタのベースとの接続点とは異なる側の上記抵
抗と上記ホトダイオードとの接続点に接続されたコンデ
ンサとを備え、定常的な外乱光によってホトダイオード
に生じる光電流の直流成分が上記抵抗を通ることにより
トランジスタに流入するのを阻止するとともにノ(ルス
光によってホ)ダイオードに生じる光電流の交流成分が
コンデンサを介してトランジスタに流入するようにした
ことを特徴とする受光回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57055046A JPS58171640A (ja) | 1982-04-01 | 1982-04-01 | 受光回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57055046A JPS58171640A (ja) | 1982-04-01 | 1982-04-01 | 受光回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58171640A true JPS58171640A (ja) | 1983-10-08 |
JPH0326331B2 JPH0326331B2 (ja) | 1991-04-10 |
Family
ID=12987722
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57055046A Granted JPS58171640A (ja) | 1982-04-01 | 1982-04-01 | 受光回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58171640A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023219583A1 (en) | 2022-05-09 | 2023-11-16 | Inan Makina Sanayi Ve Ticaret Anonim Sirketi | Demolition attachment with articulated duct |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49112682A (ja) * | 1973-02-23 | 1974-10-26 |
-
1982
- 1982-04-01 JP JP57055046A patent/JPS58171640A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49112682A (ja) * | 1973-02-23 | 1974-10-26 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0326331B2 (ja) | 1991-04-10 |
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