JPH04259105A - 増幅回路 - Google Patents
増幅回路Info
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- JPH04259105A JPH04259105A JP3020714A JP2071491A JPH04259105A JP H04259105 A JPH04259105 A JP H04259105A JP 3020714 A JP3020714 A JP 3020714A JP 2071491 A JP2071491 A JP 2071491A JP H04259105 A JPH04259105 A JP H04259105A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば赤外線リモート
コントロール装置などの微小光電流信号の増幅に有用で
あり、直流成分を含んだ交流信号の増幅回路の改良に関
する。
コントロール装置などの微小光電流信号の増幅に有用で
あり、直流成分を含んだ交流信号の増幅回路の改良に関
する。
【0002】
【従来の技術】一般に、赤外線リモートコントロール装
置のプリアンプには、赤外線を検出する受光素子と、受
光素子で検出された信号を増幅する増幅回路とが設けら
れている。
置のプリアンプには、赤外線を検出する受光素子と、受
光素子で検出された信号を増幅する増幅回路とが設けら
れている。
【0003】この増幅回路の等価回路を図3に示す。
【0004】図3において、A21は入力インピーダン
ス∞、出力インピーダンス0Ω、オープンループゲイン
∞を有する理想的な差動増幅器(以下、アンプという)
、R21は帰還抵抗であり、帰還抵抗R21の一側端子
はアンプA21の入力端子に、他側端子はアンプA21
の出力端子に夫々接続されている。また、ダイオード接
続、すなわちコレクタ端子とベース端子を接続されたN
PNトランジスタQ21と、抵抗R22とが直列に接続
され、トランジスタQ21のエミツタ端子がアンプA2
1の入力端子に、抵抗R22のトランジスタQ21と接
続されていない端子が出力V0に夫々接続されている。 そして、赤外線を検出するための受光素子としてフオト
ダイオードが使用されており、フオトダイオードPDの
カソード側がアンプA21の入力端子に接続されている
。
ス∞、出力インピーダンス0Ω、オープンループゲイン
∞を有する理想的な差動増幅器(以下、アンプという)
、R21は帰還抵抗であり、帰還抵抗R21の一側端子
はアンプA21の入力端子に、他側端子はアンプA21
の出力端子に夫々接続されている。また、ダイオード接
続、すなわちコレクタ端子とベース端子を接続されたN
PNトランジスタQ21と、抵抗R22とが直列に接続
され、トランジスタQ21のエミツタ端子がアンプA2
1の入力端子に、抵抗R22のトランジスタQ21と接
続されていない端子が出力V0に夫々接続されている。 そして、赤外線を検出するための受光素子としてフオト
ダイオードが使用されており、フオトダイオードPDの
カソード側がアンプA21の入力端子に接続されている
。
【0005】なお、図中、Z21は帰還部分であるが、
以下に示す式において、Z21はそのインピーダンスを
表す。
以下に示す式において、Z21はそのインピーダンスを
表す。
【0006】上記構成において、フオトダイオードPD
の入力信号IPDが与えられたとき、出力電圧V0は、
以下の式で表される。
の入力信号IPDが与えられたとき、出力電圧V0は、
以下の式で表される。
【0007】V0=IPD×Z21
そこで、出力電圧V0の交流振幅v0は、v0=IPD
AC×Z21 となる。但し、IPDACは入力信号IPDの交流成分
である。
AC×Z21 となる。但し、IPDACは入力信号IPDの交流成分
である。
【0008】ここで、出力電圧V0の直流電圧がトラン
ジスタQ21のベース・エミツタ間電圧VBEを越えな
いときの出力の交流振幅v0は、 v0≒IPDAC×R21 となる。
ジスタQ21のベース・エミツタ間電圧VBEを越えな
いときの出力の交流振幅v0は、 v0≒IPDAC×R21 となる。
【0009】また、出力電圧V0の直流電圧がトランジ
スタQ21のベース・エミツタ間電圧VBEを越えたと
きの出力の交流振幅v0は、ほぼ帰還抵抗R21と抵抗
R22の並列抵抗値で決まるので、
スタQ21のベース・エミツタ間電圧VBEを越えたと
きの出力の交流振幅v0は、ほぼ帰還抵抗R21と抵抗
R22の並列抵抗値で決まるので、
【0010】
【数1】
【0011】となる。
【0012】従つて、出力電圧V0の直流電圧がトラン
ジスタQ21のベース・エミツタ間電圧VBEを越える
と、この回路の増幅率が低下する。すなわち、フオトダ
イオードPDに直流光がある量以上照射されると、増幅
率が低下するようになつている。
ジスタQ21のベース・エミツタ間電圧VBEを越える
と、この回路の増幅率が低下する。すなわち、フオトダ
イオードPDに直流光がある量以上照射されると、増幅
率が低下するようになつている。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】リモコン装置において
、受光素子(フオトダイオード)PDに太陽光や白熱灯
の光が照射されると、フオトダイオードPDの入力信号
IPDは、直流成分が増加する。これによつて発生する
雑音もそのまま増幅される。
、受光素子(フオトダイオード)PDに太陽光や白熱灯
の光が照射されると、フオトダイオードPDの入力信号
IPDは、直流成分が増加する。これによつて発生する
雑音もそのまま増幅される。
【0014】そこで、従来の増幅回路では、入力信号の
直流成分が増加し、出力電圧の直流電圧がトランジスタ
Q21のベース・エミツタ間電圧VBEを越えると、増
幅回路の交流増幅率を低下させて、雑音の増幅を抑えて
いる。
直流成分が増加し、出力電圧の直流電圧がトランジスタ
Q21のベース・エミツタ間電圧VBEを越えると、増
幅回路の交流増幅率を低下させて、雑音の増幅を抑えて
いる。
【0015】ところが、従来の増幅回路では、出力の直
流電圧がトランジスタQ21のベース・エミツタ間電圧
VBEを越えない領域では、増幅率が低下せず、雑音の
増幅を抑えることができない。
流電圧がトランジスタQ21のベース・エミツタ間電圧
VBEを越えない領域では、増幅率が低下せず、雑音の
増幅を抑えることができない。
【0016】本発明は、上記に鑑み、直流成分を含んだ
交流信号を増幅する場合に、直流成分が増加すると、直
ちにその量に応じて増幅率を低下させ、雑音の増幅を抑
制することができる増幅回路の提供を目的とする。
交流信号を増幅する場合に、直流成分が増加すると、直
ちにその量に応じて増幅率を低下させ、雑音の増幅を抑
制することができる増幅回路の提供を目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】(1)本発明請求項1に
よる課題解決手段は、図1の如く、差動電圧信号を増幅
する差動増幅器A1と、入力電流信号を電圧に変換する
ためにベース端子が定電圧に接地され、エミツタ端子か
ら定電流でバイアスされた第一トランジスタQ1と、該
第一トランジスタQ1のコレクタ端子に発生する電流の
直流成分を検出する検出回路Sと、該検出回路Sで検出
された直流成分でエミツタ端子からバイアスされ、ベー
ス端子が定電圧に接地された第二トランジスタQ2とを
備え、前記第一トランジスタQ1のエミツタ端子が差動
増幅器A1の一側入力端子に接続され、前記第二トラン
ジスタQ2のエミツタ端子が差動増幅器A1の他側入力
端子に接続されたものである。
よる課題解決手段は、図1の如く、差動電圧信号を増幅
する差動増幅器A1と、入力電流信号を電圧に変換する
ためにベース端子が定電圧に接地され、エミツタ端子か
ら定電流でバイアスされた第一トランジスタQ1と、該
第一トランジスタQ1のコレクタ端子に発生する電流の
直流成分を検出する検出回路Sと、該検出回路Sで検出
された直流成分でエミツタ端子からバイアスされ、ベー
ス端子が定電圧に接地された第二トランジスタQ2とを
備え、前記第一トランジスタQ1のエミツタ端子が差動
増幅器A1の一側入力端子に接続され、前記第二トラン
ジスタQ2のエミツタ端子が差動増幅器A1の他側入力
端子に接続されたものである。
【0018】(2)請求項2による課題解決手段は、請
求項1記載の増幅回路において、第一トランジスタQ1
のコレクタ端子に発生する電流を減衰して検出し、その
後減衰した分だけ増幅して第二トランジスタQ2のエミ
ツタ端子からバイアスするよう構成されたものである。
求項1記載の増幅回路において、第一トランジスタQ1
のコレクタ端子に発生する電流を減衰して検出し、その
後減衰した分だけ増幅して第二トランジスタQ2のエミ
ツタ端子からバイアスするよう構成されたものである。
【0019】(3)請求項3による課題解決手段は、請
求項1,2記載の増幅回路において、増幅回路の入力端
子に光を受光して光電流を検出する受光素子PDが接続
されたものである。
求項1,2記載の増幅回路において、増幅回路の入力端
子に光を受光して光電流を検出する受光素子PDが接続
されたものである。
【0020】
【作用】上記課題解決手段において、第一トランジスタ
Q1のコレクタ端子に発生する電流の直流成分を検出回
路Sにて検出し、検出回路Sで検出された直流成分を第
二トランジスタQ2のバイアス電流とし、トランジスタ
Q1,Q2のエミツタ端子電圧を差動増幅器A1にて比
較して差電圧を増幅する。
Q1のコレクタ端子に発生する電流の直流成分を検出回
路Sにて検出し、検出回路Sで検出された直流成分を第
二トランジスタQ2のバイアス電流とし、トランジスタ
Q1,Q2のエミツタ端子電圧を差動増幅器A1にて比
較して差電圧を増幅する。
【0021】このため、直流成分を含んだ交流電流信号
の増幅においては、入力電流信号を第一トランジスタQ
1のベース・エミツタ間ダイオード抵抗で電圧に変換し
てから交流信号のみを増幅することとなる。
の増幅においては、入力電流信号を第一トランジスタQ
1のベース・エミツタ間ダイオード抵抗で電圧に変換し
てから交流信号のみを増幅することとなる。
【0022】このとき、ダイオード抵抗は、直流電流の
増加に伴つて低下するので、入力に直流電流が発生する
と、直ちにその量に応じて増幅率が低下する。
増加に伴つて低下するので、入力に直流電流が発生する
と、直ちにその量に応じて増幅率が低下する。
【0023】従つて、直流成分の増加による雑音の増幅
を抑えることができる。
を抑えることができる。
【0024】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図1,2に基づい
て説明する。
て説明する。
【0025】図1は本発明の一実施例に係る増幅回路の
等価回路を示す図、図2は同じく出力電圧振幅の低減曲
線を示す図である。
等価回路を示す図、図2は同じく出力電圧振幅の低減曲
線を示す図である。
【0026】図1の如く、本実施例の増幅回路は、赤外
線リモートコントロール装置に利用されるものであつて
、差動電圧信号を増幅する差動増幅器(以下、アンプと
いう)A1と、入力電流信号を電圧に変換するためにベ
ース端子が定電圧Vrefに接地され、エミツタ端子か
ら定電流I1でバイアスされたNPNトランジスタQ1
(以下、第一トランジスタQ1という)と、該第一トラ
ンジスタQ1のコレクタ端子に発生する電流の直流成分
を第一カレントミラー回路C1を介して検出する検出回
路Sと、第二カレントミラー回路C2を介して検出回路
Sで検出された直流成分でエミツタ端子からバイアスさ
れ、第一トランジスタQ1と同じくベース端子が定電圧
Vrefに接地されたNPNトランジスタQ2(以下、
第二トランジスタQ2という)とを備えている。
線リモートコントロール装置に利用されるものであつて
、差動電圧信号を増幅する差動増幅器(以下、アンプと
いう)A1と、入力電流信号を電圧に変換するためにベ
ース端子が定電圧Vrefに接地され、エミツタ端子か
ら定電流I1でバイアスされたNPNトランジスタQ1
(以下、第一トランジスタQ1という)と、該第一トラ
ンジスタQ1のコレクタ端子に発生する電流の直流成分
を第一カレントミラー回路C1を介して検出する検出回
路Sと、第二カレントミラー回路C2を介して検出回路
Sで検出された直流成分でエミツタ端子からバイアスさ
れ、第一トランジスタQ1と同じくベース端子が定電圧
Vrefに接地されたNPNトランジスタQ2(以下、
第二トランジスタQ2という)とを備えている。
【0027】そして、前記第一トランジスタQ1のエミ
ツタ端子がアンプA1の反転入力端子に接続され、第二
トランジスタQ2のエミツタ端子がアンプA1の非反転
入力端子に接続され、トランジスタQ1,Q2のエミツ
タ端子電圧を比較して差電圧を増幅するよう構成されて
いる。
ツタ端子がアンプA1の反転入力端子に接続され、第二
トランジスタQ2のエミツタ端子がアンプA1の非反転
入力端子に接続され、トランジスタQ1,Q2のエミツ
タ端子電圧を比較して差電圧を増幅するよう構成されて
いる。
【0028】前記第一カレントミラー回路C1は、PN
PトランジスタQ3(以下、第三トランジスタQ3とい
う)と、PNPトランジスタQ4(以下、第四トランジ
スタQ4という)とから構成されており、該トランジス
タQ3,Q4は互いにベース接続されている。
PトランジスタQ3(以下、第三トランジスタQ3とい
う)と、PNPトランジスタQ4(以下、第四トランジ
スタQ4という)とから構成されており、該トランジス
タQ3,Q4は互いにベース接続されている。
【0029】前記第二カレントミラー回路C2は、NP
NトランジスタQ5(以下、第五トランジスタQ5とい
う)と、NPNトランジスタQ6(以下、第六トランジ
スタQ6という)とから構成されており、該トランジス
タQ5,Q6は互いにベース接続されている。
NトランジスタQ5(以下、第五トランジスタQ5とい
う)と、NPNトランジスタQ6(以下、第六トランジ
スタQ6という)とから構成されており、該トランジス
タQ5,Q6は互いにベース接続されている。
【0030】前記検出回路Sは、コンデンサーCと抵抗
Rとから構成されている。そして、抵抗Rの一側端子は
第四トランジスタQ4を介して電源Vccに、他側端子
は第五トランジスタQ5を介してグランドGNDに夫々
接続されている。また、コンデンサーCは、抵抗Rと第
四トランジスタQ4との接続中間点からグランドGND
に接地されている。
Rとから構成されている。そして、抵抗Rの一側端子は
第四トランジスタQ4を介して電源Vccに、他側端子
は第五トランジスタQ5を介してグランドGNDに夫々
接続されている。また、コンデンサーCは、抵抗Rと第
四トランジスタQ4との接続中間点からグランドGND
に接地されている。
【0031】前記第一トランジスタQ1のコレクタ端子
は、第三トランジスタQ3を介して電源Vccに、前記
第二トランジスタQ2のコレクタ端子は、電源Vccに
夫々接続されている。
は、第三トランジスタQ3を介して電源Vccに、前記
第二トランジスタQ2のコレクタ端子は、電源Vccに
夫々接続されている。
【0032】また、第一トランジスタQ1のエミツタ端
子とアンプA1との接続中間点は、定電流源Kを介して
グランドGNDに接続されている。
子とアンプA1との接続中間点は、定電流源Kを介して
グランドGNDに接続されている。
【0033】これにより、第一トランジスタQ1のコレ
クタ端子に発生する電流I2は、第一カレントミラー回
路C1を介して検出回路Sで直流成分が検出され、第二
カレントミラー回路C2を介して定電圧Vrefにベー
ス接地された第二トランジスタQ2のバイアス電流とな
る。
クタ端子に発生する電流I2は、第一カレントミラー回
路C1を介して検出回路Sで直流成分が検出され、第二
カレントミラー回路C2を介して定電圧Vrefにベー
ス接地された第二トランジスタQ2のバイアス電流とな
る。
【0034】そして、アンプA1の入力端子となるVi
には、光を受光して光電流を検出する受光素子(フオト
ダイオード)PDが接続されている。なお、受光素子P
Dは、定電流源Kと並列に接続されている。
には、光を受光して光電流を検出する受光素子(フオト
ダイオード)PDが接続されている。なお、受光素子P
Dは、定電流源Kと並列に接続されている。
【0035】上記構成において、フオトダイオードPD
から入力される入力信号電流IPを IP=IPDC+iPAC とすると、第一トランジスタQ1のエミツタ端子に流れ
る電流IPD1は、 IPD1=IPDC+I1+iPAC…(1)となる。 但し、IPDCは直流電流成分、iPACは交流電流成
分である。
から入力される入力信号電流IPを IP=IPDC+iPAC とすると、第一トランジスタQ1のエミツタ端子に流れ
る電流IPD1は、 IPD1=IPDC+I1+iPAC…(1)となる。 但し、IPDCは直流電流成分、iPACは交流電流成
分である。
【0036】また、第二トランジスタQ2のバイアス電
流I5を I5=I5DC+i5AC…(2) とする。但し、I5DCは直流電流成分、I5ACは交
流電流成分である。
流I5を I5=I5DC+i5AC…(2) とする。但し、I5DCは直流電流成分、I5ACは交
流電流成分である。
【0037】ここで、NPNトランジスタQ1,Q5,
Q6およびPNPトランジスタQ3,Q4の電流増幅率
が充分大きく、また入力電流信号の周波数に対し検出回
路Sの抵抗RとコンデンサCの時定数が充分大きいと仮
定すると、以下の式が成り立つ。
Q6およびPNPトランジスタQ3,Q4の電流増幅率
が充分大きく、また入力電流信号の周波数に対し検出回
路Sの抵抗RとコンデンサCの時定数が充分大きいと仮
定すると、以下の式が成り立つ。
【0038】IPD1≒I2≒I3…(3)I4≒I5
≒I5DC…(4) I4≒I3DC ………(5) 但し、I3はトランジスタQ4のコレクタ端子から発生
する電流、I4は電流I3から検出された直流成分、I
5はトランジスタQ5のバイアス電流、I3DCはI3
の直流成分、I5DCはI5の直流成分である。
≒I5DC…(4) I4≒I3DC ………(5) 但し、I3はトランジスタQ4のコレクタ端子から発生
する電流、I4は電流I3から検出された直流成分、I
5はトランジスタQ5のバイアス電流、I3DCはI3
の直流成分、I5DCはI5の直流成分である。
【0039】ここで、(1),(3)式よりI3≒IP
DC+I1+iPAC…(6)となる。
DC+I1+iPAC…(6)となる。
【0040】(6)式から交流成分を除いて電流I3の
直流成分I3DCをみると、 I3DC≒IPDC+I1 となるので、(4),(5)式より I5≒IPDC+I1…(7) となる。
直流成分I3DCをみると、 I3DC≒IPDC+I1 となるので、(4),(5)式より I5≒IPDC+I1…(7) となる。
【0041】電流IPD1は、第一トランジスタQ1の
ベース・エミツタ間ダイオード抵抗によつて電圧に変換
されるので、第一トランジスタQ1のエミツタ端子電圧
V1は、 V1=V1DC+v1 (V1DCは直流成分、v1
は交流成分)
ベース・エミツタ間ダイオード抵抗によつて電圧に変換
されるので、第一トランジスタQ1のエミツタ端子電圧
V1は、 V1=V1DC+v1 (V1DCは直流成分、v1
は交流成分)
【0042】
【数2】
【0043】となる。但し、kはボルツマン定数、qは
電子の電荷、Tは絶対温度、IE0はトランジスタQ1
のベース・エミツタの逆方向飽和電流である。
電子の電荷、Tは絶対温度、IE0はトランジスタQ1
のベース・エミツタの逆方向飽和電流である。
【0044】また、第二トランジスタQ2のエミツタ端
子電圧V2は、 V2=V2DC+v2 (V2DCは直流成分、v2
は交流成分)
子電圧V2は、 V2=V2DC+v2 (V2DCは直流成分、v2
は交流成分)
【0045】
【数3】
【0046】となる。上式に(7)式を代入して
【00
47】
47】
【数4】
【0048】となる。
【0049】そして、出力電圧V0は、第一トランジス
タQ1のエミツタ端子電圧V1と第二トランジスタQ2
のエミツタ端子電圧V2の差電圧を増幅するので、V0
=(V2−V1)×A (AはアンプA1は増幅率)
となる。上式に(8),(9)式を代入して
タQ1のエミツタ端子電圧V1と第二トランジスタQ2
のエミツタ端子電圧V2の差電圧を増幅するので、V0
=(V2−V1)×A (AはアンプA1は増幅率)
となる。上式に(8),(9)式を代入して
【0050
】
】
【数5】
【0051】となる。
【0052】(10)式の結果より、出力電圧V0は、
交流振幅のみとなり、入力電流の直流成分IPDCと定
電流I1の和に反比例して、振幅が減衰することがわか
る。
交流振幅のみとなり、入力電流の直流成分IPDCと定
電流I1の和に反比例して、振幅が減衰することがわか
る。
【0053】結果として、本回路においては、入力電流
の直流成分の増加に伴つて、交流信号の増幅率を低下さ
せる。
の直流成分の増加に伴つて、交流信号の増幅率を低下さ
せる。
【0054】図2に出力電圧振幅の低減曲線の例を示す
。この場合、定電流I1を1μAとした。
。この場合、定電流I1を1μAとした。
【0055】ところで、図1において、入力電流の直流
成分が大幅に増大すると、直流成分を検出する検出回路
Sの抵抗Rの電圧降下が増加し、PNPトランジスタQ
4のコレクタ端子電圧V3が上昇する。これにより、P
NPトランジスタQ4が飽和し、正常に動作しなくなる
。
成分が大幅に増大すると、直流成分を検出する検出回路
Sの抵抗Rの電圧降下が増加し、PNPトランジスタQ
4のコレクタ端子電圧V3が上昇する。これにより、P
NPトランジスタQ4が飽和し、正常に動作しなくなる
。
【0056】この症状を抑制するために、例えば、PN
PトランジスタQ3,Q4の各エミツタ面積比を変える
などして、電流I2を減衰させて電流I3を作る。
PトランジスタQ3,Q4の各エミツタ面積比を変える
などして、電流I2を減衰させて電流I3を作る。
【0057】I3=(1/n)×I2…(11)とする
と、I3から検出された直流成分I4は、(5),(6
),(11)式より I4≒I3DC≒(1/n)×(IPDC+I1)…(
12)となる。
と、I3から検出された直流成分I4は、(5),(6
),(11)式より I4≒I3DC≒(1/n)×(IPDC+I1)…(
12)となる。
【0058】この電流I4を、さらにNPNトランジス
タQ5,Q6のエミツタ面積比を変えるなどして、n倍
することにより、NPNトランジスタQ2のバイアス電
流I5は、 I5=n×I4 となるので、(12)式より I5≒IPDC+I1 となり、(7)式と同じ結果を得る。
タQ5,Q6のエミツタ面積比を変えるなどして、n倍
することにより、NPNトランジスタQ2のバイアス電
流I5は、 I5=n×I4 となるので、(12)式より I5≒IPDC+I1 となり、(7)式と同じ結果を得る。
【0059】この結果、電流I4を減少させることがで
きるので、PNPトランジスタQ4を飽和しにくくして
、より広範囲な直流電流に対して、正常な回路動作を提
供できる。
きるので、PNPトランジスタQ4を飽和しにくくして
、より広範囲な直流電流に対して、正常な回路動作を提
供できる。
【0060】なお、本発明は、上記実施例に限定される
ものではなく、本発明の範囲内で上記実施例に多くの修
正および変更を加え得ることは勿論である。
ものではなく、本発明の範囲内で上記実施例に多くの修
正および変更を加え得ることは勿論である。
【0061】
【発明の効果】以上の説明から明らかな通り、本発明に
よると、第一トランジスタのコレクタ端子に発生する電
流の直流成分を検出回路にて検出し、検出回路で検出さ
れた直流電流成分を第二トランジスタのバイアス電流と
し、第一、第二トランジスタのエミツタ端子電圧を差動
増幅器にて比較して差電圧を増幅する。
よると、第一トランジスタのコレクタ端子に発生する電
流の直流成分を検出回路にて検出し、検出回路で検出さ
れた直流電流成分を第二トランジスタのバイアス電流と
し、第一、第二トランジスタのエミツタ端子電圧を差動
増幅器にて比較して差電圧を増幅する。
【0062】このため、直流成分を含んだ交流信号を増
幅する場合に、直流成分が増加すると、直ちにその量に
応じ増幅率を低下させ、雑音の増幅を抑制することがで
きるといつた優れた効果がある。
幅する場合に、直流成分が増加すると、直ちにその量に
応じ増幅率を低下させ、雑音の増幅を抑制することがで
きるといつた優れた効果がある。
【図1】図1は本発明の一実施例に係る増幅回路の等価
回路を示す図である。
回路を示す図である。
【図2】図2は同じく出力電圧振幅の低減曲線を示す図
である。
である。
【図3】図3は従来の増幅回路に係る等価回路を示す図
である。
である。
A1 差動増幅器
PD 受光素子
Q1 第一トランジスタ
Q2 第二トランジスタ
S 検出回路
Claims (3)
- 【請求項1】 差動電圧信号を増幅する差動増幅器と
、入力電流信号を電圧に変換するためにベース端子が定
電圧に接地され、エミツタ端子から定電流でバイアスさ
れた第一トランジスタと、該第一トランジスタのコレク
タ端子に発生する電流の直流成分を検出する検出回路と
、該検出回路で検出された直流成分でエミツタ端子から
バイアスされ、ベース端子が定電圧に接地された第二ト
ランジスタとを備え、前記第一トランジスタのエミツタ
端子が差動増幅器の一側入力端子に接続され、前記第二
トランジスタのエミツタ端子が差動増幅器の他側入力端
子に接続されたことを特徴とする増幅回路。 - 【請求項2】 請求項1記載の増幅回路において、第
一トランジスタのコレクタ端子に発生する電流を減衰し
て検出し、その後減衰した分だけ増幅して第二トランジ
スタのエミツタ端子からバイアスするよう構成されたこ
とを特徴とする増幅回路。 - 【請求項3】 請求項1,2記載の増幅回路において
、増幅回路の入力端子に光を受光して光電流を検出する
受光素子が接続されたことを特徴とする増幅回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3020714A JP2645918B2 (ja) | 1991-02-14 | 1991-02-14 | 増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3020714A JP2645918B2 (ja) | 1991-02-14 | 1991-02-14 | 増幅回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04259105A true JPH04259105A (ja) | 1992-09-14 |
JP2645918B2 JP2645918B2 (ja) | 1997-08-25 |
Family
ID=12034827
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3020714A Expired - Fee Related JP2645918B2 (ja) | 1991-02-14 | 1991-02-14 | 増幅回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2645918B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08279717A (ja) * | 1995-04-07 | 1996-10-22 | Nec Corp | 光受信器の前置増幅回路 |
JPH098563A (ja) * | 1995-06-20 | 1997-01-10 | Nec Miyagi Ltd | 光受信前置増幅器 |
-
1991
- 1991-02-14 JP JP3020714A patent/JP2645918B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08279717A (ja) * | 1995-04-07 | 1996-10-22 | Nec Corp | 光受信器の前置増幅回路 |
JPH098563A (ja) * | 1995-06-20 | 1997-01-10 | Nec Miyagi Ltd | 光受信前置増幅器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2645918B2 (ja) | 1997-08-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |