JPH03259230A - 光波長変換モジュール - Google Patents
光波長変換モジュールInfo
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- JPH03259230A JPH03259230A JP2058654A JP5865490A JPH03259230A JP H03259230 A JPH03259230 A JP H03259230A JP 2058654 A JP2058654 A JP 2058654A JP 5865490 A JP5865490 A JP 5865490A JP H03259230 A JPH03259230 A JP H03259230A
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Landscapes
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、光源から発生させた基本波を光波長変換素子
によって1/2の波長の第2高調波等に変換する光波長
変換モジュールに関するものである。
によって1/2の波長の第2高調波等に変換する光波長
変換モジュールに関するものである。
(従来の技術)
従来より、非線形光学材料による第2高調波発生を利用
して、レーザー光を波長変換(短波長化)する試みが種
々なされている。このようにして波長変換を行なう光波
長変換素子として具体的には、例えば「光エレクトロニ
クスの基礎J A、YARIV著、多田邦雄、神谷武志
訳(丸善株式会社)のp200〜204に示されるよう
なバルク結晶型のものがよく知られている。ところがこ
の光波長変換素子は、位相整合条件を満たすために結晶
の複屈折を利用するので、非線形性が大きくても複屈折
性が無い材料あるいは小さい材料は利用できない、とい
う問題があった。
して、レーザー光を波長変換(短波長化)する試みが種
々なされている。このようにして波長変換を行なう光波
長変換素子として具体的には、例えば「光エレクトロニ
クスの基礎J A、YARIV著、多田邦雄、神谷武志
訳(丸善株式会社)のp200〜204に示されるよう
なバルク結晶型のものがよく知られている。ところがこ
の光波長変換素子は、位相整合条件を満たすために結晶
の複屈折を利用するので、非線形性が大きくても複屈折
性が無い材料あるいは小さい材料は利用できない、とい
う問題があった。
上記のような問題を解決できる光波長変換素子として、
いわゆるファイバー型のものが提案されている。この光
波長変換素子は、クラッド内に非線形光学材料からなる
コアが充てんされた光ファイバーであり、特開昭64−
23232号公報にはその一例が示されている。このフ
ァイバー型の光波長変換素子は、基本波と波長変換波と
の間の位相整合をとることも容易であるので、最近では
このファイバー型光波長変換素子についての研究が盛ん
になされている。
いわゆるファイバー型のものが提案されている。この光
波長変換素子は、クラッド内に非線形光学材料からなる
コアが充てんされた光ファイバーであり、特開昭64−
23232号公報にはその一例が示されている。このフ
ァイバー型の光波長変換素子は、基本波と波長変換波と
の間の位相整合をとることも容易であるので、最近では
このファイバー型光波長変換素子についての研究が盛ん
になされている。
上述のようなファイバー型の光波長変換素子の波長変換
効率を高めるためには、非線形光学定数の高い光学材料
をコアとして用いることが望ましい。非線形光学定数の
高い光学材料としては従来より、例えば特開昭60−2
50334号公報等に示されるMNA (2−メチル−
4−ニトロアニリン) 、J、Opt、Soc、Am、
B Vol。
効率を高めるためには、非線形光学定数の高い光学材料
をコアとして用いることが望ましい。非線形光学定数の
高い光学材料としては従来より、例えば特開昭60−2
50334号公報等に示されるMNA (2−メチル−
4−ニトロアニリン) 、J、Opt、Soc、Am、
B Vol。
4 p977 (1987)に記載されているNPP
(N−(4−ニトロフェニル)−L−プロリノール)
、NPAN (N−(4−ニトロフェニル)−N−メ
チルアミノアセトニトリル)等が知られている。
(N−(4−ニトロフェニル)−L−プロリノール)
、NPAN (N−(4−ニトロフェニル)−N−メ
チルアミノアセトニトリル)等が知られている。
(発明が解決しようとする問題点)
しかし上記のような非線形光学材料を用いてファイバー
型の光波長変換素子を形成する場合、各材料の最大の非
線形光学定数を利用し得る方向に結晶が配向しないので
、結局その光波長変換素子の波長変換効率はさほど高く
ないものとなってしまう。
型の光波長変換素子を形成する場合、各材料の最大の非
線形光学定数を利用し得る方向に結晶が配向しないので
、結局その光波長変換素子の波長変換効率はさほど高く
ないものとなってしまう。
また光波長変換素子の波長変換効率は素子が長いほど高
くなるが、上述のような材料は均一な単結晶を得るのが
難しく、そのため長い光波長変換素子を作成するのには
不向きであるという問題もある。
くなるが、上述のような材料は均一な単結晶を得るのが
難しく、そのため長い光波長変換素子を作成するのには
不向きであるという問題もある。
本発明は上記のような事情に鑑みてなされたものであり
、波長変換効率が高く、そして青色領域の波長変換波も
容易に得ることができる光波長変換モジュールを提供す
ることを目的とするものである。
、波長変換効率が高く、そして青色領域の波長変換波も
容易に得ることができる光波長変換モジュールを提供す
ることを目的とするものである。
(問題点を解決するための手段)
本発明の光波長変換モジュールは、先に述べたようなフ
ァイバー型の光波長変換素子と光源装置とから構成され
たものであり、上記光波長変換素子のコアとしては下記
の分子式 で示される非線形光学材料(2−エチル−1−(4−ニ
トロフェニル)イミダゾール:以下ENIMと称する)
を単結晶状態にして用い、またこのコアを構成するEN
IMの結晶配向方向を、そのC軸が略コアの長袖方向に
延びる向きに設定し、一方光源装置は、上記C軸と直交
する結晶のa軸あるいはb軸の方向に直線偏光した基本
波を光波長変換素子に入射させるように構成したことを
特徴とするものである。
ァイバー型の光波長変換素子と光源装置とから構成され
たものであり、上記光波長変換素子のコアとしては下記
の分子式 で示される非線形光学材料(2−エチル−1−(4−ニ
トロフェニル)イミダゾール:以下ENIMと称する)
を単結晶状態にして用い、またこのコアを構成するEN
IMの結晶配向方向を、そのC軸が略コアの長袖方向に
延びる向きに設定し、一方光源装置は、上記C軸と直交
する結晶のa軸あるいはb軸の方向に直線偏光した基本
波を光波長変換素子に入射させるように構成したことを
特徴とするものである。
(作 用)
上記ENIMは、本願出願人による特願昭61−538
84号明細書に開示されているものであり、非線形光学
効果を有することも該明細書中に示されているが、実際
にファイバー型の光波長変換素子を形成する上で、結晶
配向をどのように設定し、またそこに入射させる基本波
の偏光方向をどのような向きに設定すれば高い波長変換
効率が得られるかは、不明であった。
84号明細書に開示されているものであり、非線形光学
効果を有することも該明細書中に示されているが、実際
にファイバー型の光波長変換素子を形成する上で、結晶
配向をどのように設定し、またそこに入射させる基本波
の偏光方向をどのような向きに設定すれば高い波長変換
効率が得られるかは、不明であった。
以下、上述のように非線形光学材料の結晶配向および基
本波の直線偏光方向を設定することにより、高い波長変
換効率が得られる点について説明する。
本波の直線偏光方向を設定することにより、高い波長変
換効率が得られる点について説明する。
上記ENIMの結晶構造を第2A、2Bおよび2C図に
示す。図中、a −24,159人、b −10,65
8人、c−4,033人である。また第3図には、その
バルク結晶構造を示す。このENIMの結晶は斜方晶系
をなし、点群はmm2である。したがって非線形光学定
数のテンソルは、 となる。ここでd31は、第3図に示すように結晶軸a
Sb、cに対して定まる光学軸xSy、zを考えたとき
、X方向に直線偏光した光(以下、X偏光という。YS
zについても同様。)を基本波として入射させて2偏光
の波長変換波を取り出す場合の非線形光学定数であり、
同様にd3□はY偏光の基本波を入射させてZ偏光の波
長変換波を取り出す場合の非線形光学定数、d33はZ
偏光の基本波を入射させてZ偏光の波長変換波を取り出
す場合の非線形光学定数、d24はYとZ偏光の基本波
を入射させてY偏光の波長変換波を取り出す場合の非線
形光学定数、d15はXと2偏光の基本波を入射させて
X偏光の波長変換波を取り出す場合の非線形光学定数で
ある。以下、各非線形光学定数の大きさについて述べる
。
示す。図中、a −24,159人、b −10,65
8人、c−4,033人である。また第3図には、その
バルク結晶構造を示す。このENIMの結晶は斜方晶系
をなし、点群はmm2である。したがって非線形光学定
数のテンソルは、 となる。ここでd31は、第3図に示すように結晶軸a
Sb、cに対して定まる光学軸xSy、zを考えたとき
、X方向に直線偏光した光(以下、X偏光という。YS
zについても同様。)を基本波として入射させて2偏光
の波長変換波を取り出す場合の非線形光学定数であり、
同様にd3□はY偏光の基本波を入射させてZ偏光の波
長変換波を取り出す場合の非線形光学定数、d33はZ
偏光の基本波を入射させてZ偏光の波長変換波を取り出
す場合の非線形光学定数、d24はYとZ偏光の基本波
を入射させてY偏光の波長変換波を取り出す場合の非線
形光学定数、d15はXと2偏光の基本波を入射させて
X偏光の波長変換波を取り出す場合の非線形光学定数で
ある。以下、各非線形光学定数の大きさについて述べる
。
ENIMの屈折率は未だ明らかになっていないので、下
式 %式%) で非線形光学定数dlJKを導き出せるblJにの値を
示す。なお、Nは単位体積当りの分子数、f(ω)、f
(2ω)はそれぞれ、基本波、波長変換波に関する局所
電場修正因子である。
式 %式%) で非線形光学定数dlJKを導き出せるblJにの値を
示す。なお、Nは単位体積当りの分子数、f(ω)、f
(2ω)はそれぞれ、基本波、波長変換波に関する局所
電場修正因子である。
なおこれらのblJKの値は、X線結晶構造解析による
値であり、単位はcxio−3°esu]である。
値であり、単位はcxio−3°esu]である。
この表からd3□、d33、d24、d15が大きな値
をとりうろことが分かる。そこで第4図に示すように、
ENIMからなるコア11をクラッド12内に充てんさ
せてファイバー型の光波長変換素子10を形成するに当
り、ENIMの結晶をそのC軸(光学軸ではX軸)がコ
ア軸方向に延びるように配向させた上で(これは以下に
記す方法で実現可能である)、この光波長変換素子lO
に結晶のa軸(光学軸ではY軸)あるいはb軸(光学軸
ではZ軸)の方向に直線偏光した基本波を入射させれば
、上記の大きな非線形光学定数632、d33を利用で
きることになる。
をとりうろことが分かる。そこで第4図に示すように、
ENIMからなるコア11をクラッド12内に充てんさ
せてファイバー型の光波長変換素子10を形成するに当
り、ENIMの結晶をそのC軸(光学軸ではX軸)がコ
ア軸方向に延びるように配向させた上で(これは以下に
記す方法で実現可能である)、この光波長変換素子lO
に結晶のa軸(光学軸ではY軸)あるいはb軸(光学軸
ではZ軸)の方向に直線偏光した基本波を入射させれば
、上記の大きな非線形光学定数632、d33を利用で
きることになる。
なお非線形光学定数d24を利用するためには、Y、2
両偏光の基本波を、そして非線形光学定数d15を利用
するためには、XlZ両偏光の基本波をファイバー型光
波長変換素子に人力する必要があるので、ENIMの屈
折率異方性のため、シングルモード化して高効率化を図
ることが困難である。それに対してY偏光あるいはZ偏
光の基本波をファイバー型光波長変換素子に入力させる
場合は、十分にシングルモード化可能で高効率化を図る
ことができる。
両偏光の基本波を、そして非線形光学定数d15を利用
するためには、XlZ両偏光の基本波をファイバー型光
波長変換素子に人力する必要があるので、ENIMの屈
折率異方性のため、シングルモード化して高効率化を図
ることが困難である。それに対してY偏光あるいはZ偏
光の基本波をファイバー型光波長変換素子に入力させる
場合は、十分にシングルモード化可能で高効率化を図る
ことができる。
また、ENIMの溶媒中(濃度4XIO−’mol/1
、溶媒エタノール)の透過スペクトルを第5図に示すが
、図示されるようにこのENIMは、波長400nm近
辺の光を多く吸収することがない。したかって、このE
NIMをコアとして用いた光波長変換素子によれば、青
色領域の波長変換波を効率良く発生させることができる
。
、溶媒エタノール)の透過スペクトルを第5図に示すが
、図示されるようにこのENIMは、波長400nm近
辺の光を多く吸収することがない。したかって、このE
NIMをコアとして用いた光波長変換素子によれば、青
色領域の波長変換波を効率良く発生させることができる
。
(実 施 例)
く第1実施例〉
第1図は本発明の第1実施例による光波長変換モジュー
ルを示している。この光波長変換モジュールは、ファイ
バー型の光波長変換素子10と、この光波長変換素子l
Oに基本波を入力させる光源袋W20とから構成されて
いる。
ルを示している。この光波長変換モジュールは、ファイ
バー型の光波長変換素子10と、この光波長変換素子l
Oに基本波を入力させる光源袋W20とから構成されて
いる。
ここで、上記光波長変換素子IOの作成方法について説
明する。まずクラッド12となる中空のガラスファイバ
ー12°が用意される。このガラスファイバー12°
は−例として5FS3ガラスからなり、外径が100μ
m程度で、中空部の径が6μmのものである。そして第
6図に示すように、炉内等においてENIMを融液状態
に保ち、この融液11’内にガラスファイバー12°の
一端部を浸入させる。
明する。まずクラッド12となる中空のガラスファイバ
ー12°が用意される。このガラスファイバー12°
は−例として5FS3ガラスからなり、外径が100μ
m程度で、中空部の径が6μmのものである。そして第
6図に示すように、炉内等においてENIMを融液状態
に保ち、この融液11’内にガラスファイバー12°の
一端部を浸入させる。
すると毛細管現象により、融液状態のENIMがガラス
ファイバー12°の中空部内に進入する。なお該融液1
1’ の温度は、ENIMの分解を防止するため、その
融点(162℃)よりも僅かに高い温度とする。その後
ガラスファイバー12′ を急冷させると、中空部に進
入していたENIMが多結晶化する。
ファイバー12°の中空部内に進入する。なお該融液1
1’ の温度は、ENIMの分解を防止するため、その
融点(162℃)よりも僅かに高い温度とする。その後
ガラスファイバー12′ を急冷させると、中空部に進
入していたENIMが多結晶化する。
次いでこの光ファイバー12′ を、ENIMの融点よ
り高い温度(例えば163℃)に保たれた炉内から、該
融点より低い温度に保たれた炉外に徐々に引き出すこと
により、溶融状態のENIMを炉外への引出し部分から
単結晶化させる。それにより、50mm以上もの長い範
囲に亘って単結晶状態となり、結晶方位も一定に揃った
コア11が形成され、光波長変換素子lOを十分に長く
することができる。周知のようにこの種の光波長変換素
子の波長変換効率は素子の長さに比例するので、光波長
変換素子は長いほど実用的価値が高くなる。
り高い温度(例えば163℃)に保たれた炉内から、該
融点より低い温度に保たれた炉外に徐々に引き出すこと
により、溶融状態のENIMを炉外への引出し部分から
単結晶化させる。それにより、50mm以上もの長い範
囲に亘って単結晶状態となり、結晶方位も一定に揃った
コア11が形成され、光波長変換素子lOを十分に長く
することができる。周知のようにこの種の光波長変換素
子の波長変換効率は素子の長さに比例するので、光波長
変換素子は長いほど実用的価値が高くなる。
上述のようにしてEN IMをガラスファイバー12°
内に単結晶状態で充てんさせると、その結晶配向状態は
第4図図示のように、C軸(光学軸はX軸)がコア軸方
向に延びる状態となる。
内に単結晶状態で充てんさせると、その結晶配向状態は
第4図図示のように、C軸(光学軸はX軸)がコア軸方
向に延びる状態となる。
なお上記のようにしてENIMを単結晶化させるために
は、例えば特開昭64−35424号公報に示されるよ
うなブリッジマン炉を用いる方法が利用可能である。ま
たガラスファイバー12゛ の引出し速度は、例えば5
mm/h程度とするとよい。
は、例えば特開昭64−35424号公報に示されるよ
うなブリッジマン炉を用いる方法が利用可能である。ま
たガラスファイバー12゛ の引出し速度は、例えば5
mm/h程度とするとよい。
以上述べたようにしてコア11を充てんした後、ガラス
ファイバー12°の両端をファイバーカッターで切断し
て、長さ10mmの光波長変換素子10を形成した。第
1図図示のように、この光波長変換素子10を光源装置
20と組み合わせて光波長変換モジュールが構成される
。本実施例においては、基本波を発生する光源として半
導体レーザー21が用いられており、そこから発せられ
た波長820nmのレーザー光(基本波) 15はコリ
メートレンズ22によって平行ビーム化され、次いでア
ナモルフィックプリズムベアー23およびλ/2板25
に通され、集光レンズ26で小さなビームスポットに絞
られた上で、光波長変換素子10の入射端面10aに照
射される。それにより、この基本波15が光波長変換素
子10内に入射する。前述した通り、コア11を構成す
るENIMは、X軸がコア軸方向に延びる結晶配向状態
となっており、一方本例では、光源装置20のλ/2板
25を回転させることにより、Y偏光状態の基本波15
を光波長変換素子lOに入力させる。
ファイバー12°の両端をファイバーカッターで切断し
て、長さ10mmの光波長変換素子10を形成した。第
1図図示のように、この光波長変換素子10を光源装置
20と組み合わせて光波長変換モジュールが構成される
。本実施例においては、基本波を発生する光源として半
導体レーザー21が用いられており、そこから発せられ
た波長820nmのレーザー光(基本波) 15はコリ
メートレンズ22によって平行ビーム化され、次いでア
ナモルフィックプリズムベアー23およびλ/2板25
に通され、集光レンズ26で小さなビームスポットに絞
られた上で、光波長変換素子10の入射端面10aに照
射される。それにより、この基本波15が光波長変換素
子10内に入射する。前述した通り、コア11を構成す
るENIMは、X軸がコア軸方向に延びる結晶配向状態
となっており、一方本例では、光源装置20のλ/2板
25を回転させることにより、Y偏光状態の基本波15
を光波長変換素子lOに入力させる。
光波長変換素子10内に入射した基本波15は、コア1
1を構成するENIMにより、波長が172(=410
nm)の第2高調波15°に変換される。
1を構成するENIMにより、波長が172(=410
nm)の第2高調波15°に変換される。
この第2高調波15′ はクラッド12と周囲媒質との
界面で全反射を繰り返して素子lO内を進行し、基本波
15のコア部での導波モードと、第2高調波15’のク
ラッド部への放射モードとの間で位相整合が取られる(
いわゆるチェレンコフ放射の場合)。
界面で全反射を繰り返して素子lO内を進行し、基本波
15のコア部での導波モードと、第2高調波15’のク
ラッド部への放射モードとの間で位相整合が取られる(
いわゆるチェレンコフ放射の場合)。
光波長変換素子10の出射端面fobからは、上記第2
高調波15’ と基本波15とが混合したビーム15”
が出射する。この出射ビーム15”は、集光レンズ27
に通されて集光された後、上記410nmの第2高調波
15°は良好に透過させる一方、820nmの基本波1
5は吸収するバンドパスフィルター28に通され、第2
高調波15°のみが取り出される。
高調波15’ と基本波15とが混合したビーム15”
が出射する。この出射ビーム15”は、集光レンズ27
に通されて集光された後、上記410nmの第2高調波
15°は良好に透過させる一方、820nmの基本波1
5は吸収するバンドパスフィルター28に通され、第2
高調波15°のみが取り出される。
偏光板等を使用して、上記第2高調波15′ はZ偏光
であることが確認された。つまり本例では、前述したE
NIMの非線形光学定数d32が利用されている。この
第2高調波15’ の光強度を光パワーメータ29で測
定して、波長変換効率を求めたところ、IW換算で約1
%であった。
であることが確認された。つまり本例では、前述したE
NIMの非線形光学定数d32が利用されている。この
第2高調波15’ の光強度を光パワーメータ29で測
定して、波長変換効率を求めたところ、IW換算で約1
%であった。
〈第2実施例〉
クラッドを構成するガラスファイバーとしてSF5ガラ
スからなるものを用い、他の条件は第1実施例と同様に
して、ENIMをコアとする光波長変換素子を作成した
。なお本実施例でも、ENIMの結晶はC軸がコア軸方
向に延びるように配向される。
スからなるものを用い、他の条件は第1実施例と同様に
して、ENIMをコアとする光波長変換素子を作成した
。なお本実施例でも、ENIMの結晶はC軸がコア軸方
向に延びるように配向される。
この光波長変換素子に、波長11064nのZ偏光した
YAGレーザー光を基本波として入力させたところ、Z
偏光の第2高調波発生が確認された。つまりこの場合は
、ENIMの非線形光学定数d33が利用される。この
ときの波長変換効率は、第1実施例におけるのと同様、
IW換算で約1%であった。
YAGレーザー光を基本波として入力させたところ、Z
偏光の第2高調波発生が確認された。つまりこの場合は
、ENIMの非線形光学定数d33が利用される。この
ときの波長変換効率は、第1実施例におけるのと同様、
IW換算で約1%であった。
〈第3実施例〉
クラッドを構成するガラスファイバーとして5FIOガ
ラスからなるものを用い、他の条件は第1実施例と同様
にして、ENIMをコアとする光波長変換素子を作成し
た。なお本実施例でも、ENIMの結晶はC軸がコア軸
方向に延びるように配向される。
ラスからなるものを用い、他の条件は第1実施例と同様
にして、ENIMをコアとする光波長変換素子を作成し
た。なお本実施例でも、ENIMの結晶はC軸がコア軸
方向に延びるように配向される。
この光波長変換素子に、波長11064nのY偏光した
YAGレーザー光を基本波として入力させたところ、Z
偏光の第2高調波発生が確認された。つまりこの場合は
、ENIMの非線形光学定数d32が利用される。この
ときの波長変換効率は、第1実施例におけるのと同様、
IW換算で約1%であった。
YAGレーザー光を基本波として入力させたところ、Z
偏光の第2高調波発生が確認された。つまりこの場合は
、ENIMの非線形光学定数d32が利用される。この
ときの波長変換効率は、第1実施例におけるのと同様、
IW換算で約1%であった。
(発明の効果)
以上詳細に説明した通り本発明の光波長変換モジュール
によれば、ENIMが有する高い非線形光学定数を実際
にファイバー型の非線形光学材料において利用可能で、
しかも光波長変換素子を充分に長く形成可能であるので
、極めて高い波長変換効率を実現できる。またENIM
は300nmよりも短波長側に吸収端を有するものであ
るから、この光波長変換モジュールによれば、例えば8
00nm程度のレーザー光を基本波として用いて、青色
領域の波長変換波を効率良く取り出すことも可能となる
。
によれば、ENIMが有する高い非線形光学定数を実際
にファイバー型の非線形光学材料において利用可能で、
しかも光波長変換素子を充分に長く形成可能であるので
、極めて高い波長変換効率を実現できる。またENIM
は300nmよりも短波長側に吸収端を有するものであ
るから、この光波長変換モジュールによれば、例えば8
00nm程度のレーザー光を基本波として用いて、青色
領域の波長変換波を効率良く取り出すことも可能となる
。
第1図は本発明の一実施例を示す概略図、第2A、2B
および2c図はそれぞれ、本発明に用いられるENIM
のb軸、C軸、a軸方向の結晶構造図、 第3図は上記ENIMのバルク結晶構造図、第4図は本
発明に係る光波長変換素子におけるコアの結晶配向を示
す概略図、 第5図は上記ENIMの透過スペクトルを示すグラフ、 第6図は本発明に係る光波長変換素子を作成する方法を
説明する説明図である。 10・・・光波長変換素子 11・・・コア11’
・・・ENIM融液 12・・・クラッド12′
・・・ガラスファイバー 15・・・基本波15’
・・・第2高調波 20・・・光源装置21・・
・半導体レーザー 22・・・コリメートレンズ2
3・・・アナモルフィックプリズムペアー25・・・λ
/2板 26.27・・・集光レンズ第1図 第2c図 第3図 第4図 b(Z) 第 5 図 淳玉 (nm)
および2c図はそれぞれ、本発明に用いられるENIM
のb軸、C軸、a軸方向の結晶構造図、 第3図は上記ENIMのバルク結晶構造図、第4図は本
発明に係る光波長変換素子におけるコアの結晶配向を示
す概略図、 第5図は上記ENIMの透過スペクトルを示すグラフ、 第6図は本発明に係る光波長変換素子を作成する方法を
説明する説明図である。 10・・・光波長変換素子 11・・・コア11’
・・・ENIM融液 12・・・クラッド12′
・・・ガラスファイバー 15・・・基本波15’
・・・第2高調波 20・・・光源装置21・・
・半導体レーザー 22・・・コリメートレンズ2
3・・・アナモルフィックプリズムペアー25・・・λ
/2板 26.27・・・集光レンズ第1図 第2c図 第3図 第4図 b(Z) 第 5 図 淳玉 (nm)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 クラッド内に下記の分子式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で示される単結晶の非線形光学材料がコアとして充てん
され、該光学材料の結晶がそのc軸が略コア軸方向に延
びるように配向されてなる光波長変換素子と、 この光波長変換素子に、前記c軸と直交する結晶のa軸
あるいはb軸の方向に直線偏光した基本波を入射させる
光源装置とからなる光波長変換モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2058654A JPH03259230A (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 光波長変換モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2058654A JPH03259230A (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 光波長変換モジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03259230A true JPH03259230A (ja) | 1991-11-19 |
Family
ID=13090575
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2058654A Pending JPH03259230A (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 光波長変換モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03259230A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009528564A (ja) * | 2006-03-01 | 2009-08-06 | サントル ナショナル ドゥ ラ ルシェルシュ スィヤンティフィック(セーエヌエルエス) | 漏洩モードを含む位相整合により広帯域スペクトル源を生成する方法 |
-
1990
- 1990-03-09 JP JP2058654A patent/JPH03259230A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009528564A (ja) * | 2006-03-01 | 2009-08-06 | サントル ナショナル ドゥ ラ ルシェルシュ スィヤンティフィック(セーエヌエルエス) | 漏洩モードを含む位相整合により広帯域スペクトル源を生成する方法 |
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