JPH0228A - 光波長変換モジュール - Google Patents
光波長変換モジュールInfo
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- JPH0228A JPH0228A JP63224195A JP22419588A JPH0228A JP H0228 A JPH0228 A JP H0228A JP 63224195 A JP63224195 A JP 63224195A JP 22419588 A JP22419588 A JP 22419588A JP H0228 A JPH0228 A JP H0228A
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Landscapes
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、光源から発生させた基本波を光波長変換素子
によって172の波長の第2高調波に変換する光波長変
換モジュールに関するものである。
によって172の波長の第2高調波に変換する光波長変
換モジュールに関するものである。
(従来の技術)
従来より、非線形光学材料による第2高調波発生を利用
して、レーザー光を波長変換(短波長化)する試みが種
々なされている。このようにして波長変換を行なう光波
長変換素子として具体的には、例えば「光エレクトロニ
クスの基礎J A、YARIV著、多田邦雄、神谷武志
訳(丸善株式会社)のp200〜204に示されるよう
なバルク結晶型のものがよく知られている。ところがこ
の光波長変換素子は、位相整合条件を満たすために結晶
の複屈折を利用するので、非線形性が大きくても複屈折
性が無い材料あるいは小さい材料は利用できない、とい
う開局があった。
して、レーザー光を波長変換(短波長化)する試みが種
々なされている。このようにして波長変換を行なう光波
長変換素子として具体的には、例えば「光エレクトロニ
クスの基礎J A、YARIV著、多田邦雄、神谷武志
訳(丸善株式会社)のp200〜204に示されるよう
なバルク結晶型のものがよく知られている。ところがこ
の光波長変換素子は、位相整合条件を満たすために結晶
の複屈折を利用するので、非線形性が大きくても複屈折
性が無い材料あるいは小さい材料は利用できない、とい
う開局があった。
上記のような問題を解決できる光波長変換素子として、
いわゆるファイバー冑のものが提案されている。この光
波長変換素子は、クラッド内に非線形光学材料からなる
コアが充てんされた光ファイバーであり、応用物理学会
懇話会微小光学研究クループ機関誌VOL、3.k2.
p28〜32にはその一例が示されている。このファイ
バー型の光波長変換素子は、基本波と第2高調波との間
の位相整合をとることも容易であるので、最近ではこの
ファイバー型光波長変換素子についての研究が盛んにな
されている。
いわゆるファイバー冑のものが提案されている。この光
波長変換素子は、クラッド内に非線形光学材料からなる
コアが充てんされた光ファイバーであり、応用物理学会
懇話会微小光学研究クループ機関誌VOL、3.k2.
p28〜32にはその一例が示されている。このファイ
バー型の光波長変換素子は、基本波と第2高調波との間
の位相整合をとることも容易であるので、最近ではこの
ファイバー型光波長変換素子についての研究が盛んにな
されている。
上述のようなファイバー型の光波長変換素子の波長変換
効率を高めるためには、非線形光学定数の高い光学材料
をコアとして用いることが望ましい。非線形光−学定数
の高い光学材料としては従来より、例えば特開昭60−
250334号公報等に示されるMNA (2−メチル
−4−ニトロアニリン)、J、Opt、Soc、Am、
B Vol 4 p977 (1987)に記載
されているNPP (N−(4−ニトロフェニル)−L
−プロリノール) 、NPAN (N−(4−ニトロフ
ェニル)−N−メチルアミノアセトニトリル)等が知ら
れている。
効率を高めるためには、非線形光学定数の高い光学材料
をコアとして用いることが望ましい。非線形光−学定数
の高い光学材料としては従来より、例えば特開昭60−
250334号公報等に示されるMNA (2−メチル
−4−ニトロアニリン)、J、Opt、Soc、Am、
B Vol 4 p977 (1987)に記載
されているNPP (N−(4−ニトロフェニル)−L
−プロリノール) 、NPAN (N−(4−ニトロフ
ェニル)−N−メチルアミノアセトニトリル)等が知ら
れている。
(発明が解決しようとする問題点)
しかし上紐のような非線形光学材料を用いてファイバー
型の光波長変換素子を形成する場合、各材料の最大の非
線形光学定数を利用し得る方向に結晶が配向しないので
、結局その光波長変換素子の波長変換効率はさほど高く
ないものとなつてしまう。
型の光波長変換素子を形成する場合、各材料の最大の非
線形光学定数を利用し得る方向に結晶が配向しないので
、結局その光波長変換素子の波長変換効率はさほど高く
ないものとなつてしまう。
また光波長変換素子の波長変換効率は素子が長いほど高
くなるが、上述のような材料は均一な単結晶を得るのが
難しく、そのため長い光波長変換素子を作成するのには
不向きであるという問題もある。
くなるが、上述のような材料は均一な単結晶を得るのが
難しく、そのため長い光波長変換素子を作成するのには
不向きであるという問題もある。
本発明は上記のような事情に鑑みてなされたものであり
、波長変換効率が高く、そして青色領域の第2高調波も
容易に得ることができる光波長変換モジュールを提供す
ることを目的とするものである。
、波長変換効率が高く、そして青色領域の第2高調波も
容易に得ることができる光波長変換モジュールを提供す
ることを目的とするものである。
(問題点を解決するための手段)
本発明の光波長変換モジュールは、先に述べたようなフ
ァイバー型の光波長変換素子と光源装置とから構成され
たものであり、上記光波長変換素子のコアとしては下記
の分子式 で示される非線形光学材料(3,5−ジメチル−1−(
4−ニトロフェニル) −1,2,4−)リアゾール:
以下TRIと称する)を単結晶状態にして用い、またこ
のコア策構成するTRIの結晶配向方向を、そのb軸が
略コアの長袖方向に延びる向きに設定し、一方光源装置
は、上記す軸と直交する結晶のa軸あるいはC軸の方向
に直線偏光した基本波を光波長変換素子に入射させる−
ように構成したことを特徴とするものである。
ァイバー型の光波長変換素子と光源装置とから構成され
たものであり、上記光波長変換素子のコアとしては下記
の分子式 で示される非線形光学材料(3,5−ジメチル−1−(
4−ニトロフェニル) −1,2,4−)リアゾール:
以下TRIと称する)を単結晶状態にして用い、またこ
のコア策構成するTRIの結晶配向方向を、そのb軸が
略コアの長袖方向に延びる向きに設定し、一方光源装置
は、上記す軸と直交する結晶のa軸あるいはC軸の方向
に直線偏光した基本波を光波長変換素子に入射させる−
ように構成したことを特徴とするものである。
(作 用)
上記TRIは、本願出願人による特願昭61−5388
4号明細書に開示されているものであり、非線形光学効
果を有する−こと、も該明細書中に示されているが、実
際にファイバー型の光波長変換素子を形成する上で、結
晶配向をどのように設定し、またそこに入射させる基本
波の偏光方向をどのような向きに設定すれば高い波長変
換効率が得られるかは、不明であった。
4号明細書に開示されているものであり、非線形光学効
果を有する−こと、も該明細書中に示されているが、実
際にファイバー型の光波長変換素子を形成する上で、結
晶配向をどのように設定し、またそこに入射させる基本
波の偏光方向をどのような向きに設定すれば高い波長変
換効率が得られるかは、不明であった。
以下、上述のように非線形光学材料の結晶配向および基
本波の直線偏光方向を設定−することにより、高い波長
変換効率が得られる点について説明する。
本波の直線偏光方向を設定−することにより、高い波長
変換効率が得られる点について説明する。
前記TRIの結晶構造−を第2A、2Bおよび20図に
示す。また第3図には、そのバルク結晶構造を示す。こ
のTRIの結晶は斜方晶系をなし、魚群はmm2である
。したがって非線形光学定数のテンソルは、 0 0 0 0 d550 d= 0 0 0 d240 0 −ditdi
zdi30 0 0 となる。ここでd□は、第3図に示すように結晶軸a、
b%Cに対して定まる光学軸X%Y%2を考えたとき、
X方向に直線偏光した光(以下、X偏光という。Y12
についても同様。)を基本波として入射させてZ偏光の
第2高調波を取り出す場合の非線形光学定数であり、同
様に632はY偏光の基本波を入射させて2偏光の第2
高調波を取り出す場合の非線形光学定数、d33は2偏
光の基本波を入射させて2偏光の第2高調波を取り出す
場合の非線形光学定数、d24はYと2偏光の基本波を
入射させてY偏光の第2高調波を取り出す場合の非線形
光学定数、d15はXと2偏光の基本波を入射させてX
偏光の第2高調波を取り出す場合の非線形光学定数であ
る。以下、各非線形光学定数の大きさについて述べる。
示す。また第3図には、そのバルク結晶構造を示す。こ
のTRIの結晶は斜方晶系をなし、魚群はmm2である
。したがって非線形光学定数のテンソルは、 0 0 0 0 d550 d= 0 0 0 d240 0 −ditdi
zdi30 0 0 となる。ここでd□は、第3図に示すように結晶軸a、
b%Cに対して定まる光学軸X%Y%2を考えたとき、
X方向に直線偏光した光(以下、X偏光という。Y12
についても同様。)を基本波として入射させてZ偏光の
第2高調波を取り出す場合の非線形光学定数であり、同
様に632はY偏光の基本波を入射させて2偏光の第2
高調波を取り出す場合の非線形光学定数、d33は2偏
光の基本波を入射させて2偏光の第2高調波を取り出す
場合の非線形光学定数、d24はYと2偏光の基本波を
入射させてY偏光の第2高調波を取り出す場合の非線形
光学定数、d15はXと2偏光の基本波を入射させてX
偏光の第2高調波を取り出す場合の非線形光学定数であ
る。以下、各非線形光学定数の大きさについて述べる。
TRIの屈折率は未だ明らかになっていないので、下式
%式%
で非線形光学定数dlJKを導き出せるblJI[の値
を示す。なお、Nは単位体積当りの分子数、f(ω)、
f(2ω)はそれぞれ、基本波、第2高調波に関する局
所電場修正因子である。
を示す。なお、Nは単位体積当りの分子数、f(ω)、
f(2ω)はそれぞれ、基本波、第2高調波に関する局
所電場修正因子である。
lbi+ 1 1.93 1
1b321 5.85 1
1b331 1−26 1
I bus I 1.93 l
lbz41 5.85 +
なおこれらのblJKの値は、X線結晶構造解析による
値であり、単位は[XlO−” e s ulである。
値であり、単位は[XlO−” e s ulである。
この表からd32、dお、d24、d1%が大きな値を
とりうろことが分かる。そこで第4図に示すように、T
RIからなるコア11をクラッド12内に充てんさせて
ファイバー型の光波長変換素子10を形成するに当り、
TRIの結晶をそのb軸(光学軸ではX軸)がコア軸方
向に延びるように配向させた上で(これは以下に記す方
法で実現可能である)、この光波長変換素子10に結晶
のC軸(光学軸では2軸)あるいはa軸(光学軸ではY
軸)の方向に直線偏光した基本波を入射させれば、上記
の大きな非線形光学定数632、dllを利用できるこ
とになる。
とりうろことが分かる。そこで第4図に示すように、T
RIからなるコア11をクラッド12内に充てんさせて
ファイバー型の光波長変換素子10を形成するに当り、
TRIの結晶をそのb軸(光学軸ではX軸)がコア軸方
向に延びるように配向させた上で(これは以下に記す方
法で実現可能である)、この光波長変換素子10に結晶
のC軸(光学軸では2軸)あるいはa軸(光学軸ではY
軸)の方向に直線偏光した基本波を入射させれば、上記
の大きな非線形光学定数632、dllを利用できるこ
とになる。
なお非線形光学定数d24を利用するためには、Y、z
両部光を、また非線形光学定数632を利用するために
は、X1z両部光をファイバー型光波長変換素子に人力
する必要があるので、TRIの屈折率異方性のため、シ
ングルモード化して高効率化を図ることが困難である。
両部光を、また非線形光学定数632を利用するために
は、X1z両部光をファイバー型光波長変換素子に人力
する必要があるので、TRIの屈折率異方性のため、シ
ングルモード化して高効率化を図ることが困難である。
それに対してY偏光あるいは2偏光をファイバー型光波
長変換素子に入力させる場合は、十分にシングルモード
化可能で高効率化を図ることができる。
長変換素子に入力させる場合は、十分にシングルモード
化可能で高効率化を図ることができる。
また、TRIの溶媒中(濃度4XlO−mol/免、溶
媒エタノール)の透過スペクトルを第5図に示すが、図
示されるようにこのTRIは、波長400nm近辺の光
を多く吸収することがない。
媒エタノール)の透過スペクトルを第5図に示すが、図
示されるようにこのTRIは、波長400nm近辺の光
を多く吸収することがない。
したがって、このTRIをコアとして用いた光波長変換
素子によれば、青色領域の第2高調波を効率良く発生さ
せることができる。
素子によれば、青色領域の第2高調波を効率良く発生さ
せることができる。
(実 施 例)
〈第1実施例〉
第1図は本発明の第1実施例による光波長変換モジュー
ルを示している。この光波長変換モジュールは、ファイ
バー型の光波長変換素子10と、この光波長変換素子1
0に基本波を入力させる光源装置20とから構成される
装置 ここで、上記光波長変換素子10の作成方法について説
明する。まずクラッドl2となる中空のガラスファイバ
ー12°が用意される。このガラスファイバーl2°は
一例としてSFS3ガラスからなり、外径が100μm
程度で、中空部の径が6μmのものである。そして第6
図に示すように、炉内等においてTRIを融液状態に保
ち、この融液11。
ルを示している。この光波長変換モジュールは、ファイ
バー型の光波長変換素子10と、この光波長変換素子1
0に基本波を入力させる光源装置20とから構成される
装置 ここで、上記光波長変換素子10の作成方法について説
明する。まずクラッドl2となる中空のガラスファイバ
ー12°が用意される。このガラスファイバーl2°は
一例としてSFS3ガラスからなり、外径が100μm
程度で、中空部の径が6μmのものである。そして第6
図に示すように、炉内等においてTRIを融液状態に保
ち、この融液11。
内にガラスファイバー12°の一端部を浸入させる。
すると毛細管現象により、融液状態のTRIがガラスフ
ァイバー12′の中空部内に進入する。なお該融液11
の温度は、TRIの分解を防止するため、その融点(1
52℃)よりも僅かに高い温度とする。その後ガラスフ
ァイバーl2°を急冷させると、中空部に進入していた
TRIが多結晶化する。
ァイバー12′の中空部内に進入する。なお該融液11
の温度は、TRIの分解を防止するため、その融点(1
52℃)よりも僅かに高い温度とする。その後ガラスフ
ァイバーl2°を急冷させると、中空部に進入していた
TRIが多結晶化する。
次いでこの光ファイバーl2”を、TRIの融点より高
い温度(例えば153℃)に保たれた炉内から、該融点
より低い温度に保たれた炉外に徐々に引き出すことによ
り、溶融状態のTRIを炉外への引出し部分から単結晶
化させる。それにより、50mm以上もの長い範囲に亘
って単結晶状態となり、結晶方位も一定に揃ったコア1
1が形成され、光波長変換素子10を十分に長くするこ
とができる。
い温度(例えば153℃)に保たれた炉内から、該融点
より低い温度に保たれた炉外に徐々に引き出すことによ
り、溶融状態のTRIを炉外への引出し部分から単結晶
化させる。それにより、50mm以上もの長い範囲に亘
って単結晶状態となり、結晶方位も一定に揃ったコア1
1が形成され、光波長変換素子10を十分に長くするこ
とができる。
周知のようにこの種の光波長変換素子の波長変換効率は
素子の長さに比例するので、光波長変換素子は長いほど
実用的価値が高くなる。
素子の長さに比例するので、光波長変換素子は長いほど
実用的価値が高くなる。
上述のようにしてTRIをガラスファイバー12゜内に
単結晶状態で充てんさせると、その結晶配向状態は第4
図図示のように、b輪(光学軸はX軸)がコア軸方向に
延びる状態となる。
単結晶状態で充てんさせると、その結晶配向状態は第4
図図示のように、b輪(光学軸はX軸)がコア軸方向に
延びる状態となる。
なお上記のようにしてTRIを単結晶化させるためには
、例えば本願出願人による特願昭61−075078号
明細書に示されるようなブリッジマン炉を用いる方法が
利用可能である。またガラスファイバー12°の引出し
速度は、例えば5mm/h程度とするとよい。
、例えば本願出願人による特願昭61−075078号
明細書に示されるようなブリッジマン炉を用いる方法が
利用可能である。またガラスファイバー12°の引出し
速度は、例えば5mm/h程度とするとよい。
以上述べたようにしてコア11が充てんされた後、ガラ
スファイバー12°の両端をファイバーカッターで切断
して、長さ10mmの光波長変換素子10を形成しk、
第1図図示のように、この光波長変換素子10を光源装
置20と組み合わせて光−波長変換モジュールが構成さ
れる。本実施例においては、基本波を発生する光源とし
て半導体レーザー21が用いられており、そこから発せ
られた波長820nmのレーザー光(基本波)15はコ
リメートレンズ22によって平行ビーム化され、次いで
アナモリフイックプリズムベアー23およびλ/2板2
5に通され、集光レンズ2Bで小さなビームスポットに
絞られた上で、光波長変換素子10の入射端面leaに
照射される。それにより、この基本波15が光波長変換
素子10内に入射する。前述した通り、コア11を構成
するTRIは、X軸がコア軸方向に延びる結晶配向状態
となっており、一方本例では、光源装置20のλ/2板
25を回転させることにより、Y偏光状態の基本波15
を光波長変換素子10に人力させる。
スファイバー12°の両端をファイバーカッターで切断
して、長さ10mmの光波長変換素子10を形成しk、
第1図図示のように、この光波長変換素子10を光源装
置20と組み合わせて光−波長変換モジュールが構成さ
れる。本実施例においては、基本波を発生する光源とし
て半導体レーザー21が用いられており、そこから発せ
られた波長820nmのレーザー光(基本波)15はコ
リメートレンズ22によって平行ビーム化され、次いで
アナモリフイックプリズムベアー23およびλ/2板2
5に通され、集光レンズ2Bで小さなビームスポットに
絞られた上で、光波長変換素子10の入射端面leaに
照射される。それにより、この基本波15が光波長変換
素子10内に入射する。前述した通り、コア11を構成
するTRIは、X軸がコア軸方向に延びる結晶配向状態
となっており、一方本例では、光源装置20のλ/2板
25を回転させることにより、Y偏光状態の基本波15
を光波長変換素子10に人力させる。
光波長変換素子10内に入射した基本波15は、コア1
1を構成するTRIにより、波長が1/2 (−410
nm)の第2高調波15°に変換される。この第2高調
波15”はクラブト12の外表面の間で全反射を繰り返
して素子10内を進行し、基本波15のコア部での導波
そードと、第2高調波15°のクラッド部への放射モー
ドとの間で位相整合がなされる(いわゆるチェレンコフ
放射)。
1を構成するTRIにより、波長が1/2 (−410
nm)の第2高調波15°に変換される。この第2高調
波15”はクラブト12の外表面の間で全反射を繰り返
して素子10内を進行し、基本波15のコア部での導波
そードと、第2高調波15°のクラッド部への放射モー
ドとの間で位相整合がなされる(いわゆるチェレンコフ
放射)。
光波長変換素子10の出射端面lObからは、上記第2
高調波15”と基本波15とが混合したビーム15゜が
出射する。この出射ビームI5°は、集光レンズ2丁に
通されて集光された後、上記410nmの第2高調波1
5°は良好に透過させる一方、820nmの基本波15
は吸収するバンドパスフィルター28に通され、第2高
調波15°のみが取り出される。
高調波15”と基本波15とが混合したビーム15゜が
出射する。この出射ビームI5°は、集光レンズ2丁に
通されて集光された後、上記410nmの第2高調波1
5°は良好に透過させる一方、820nmの基本波15
は吸収するバンドパスフィルター28に通され、第2高
調波15°のみが取り出される。
偏光板等を使用して、上記第2高調波15°は2偏光で
あることが確認された。つまり本例では、前述したTR
Iの非線形光学定数d32が利用されている。この第2
高調波15°の光強度を先パワーメータ29で測定して
、波長変換効率を求めたところ、IW換算で約1%であ
った。− (第2実施例) クラッドを構成するガラスファイバーとしてSF8ガラ
スからなるものを用い、他の条件は第1実施例と同様に
して、TRIをコアとする光波長変換素子を作成した。
あることが確認された。つまり本例では、前述したTR
Iの非線形光学定数d32が利用されている。この第2
高調波15°の光強度を先パワーメータ29で測定して
、波長変換効率を求めたところ、IW換算で約1%であ
った。− (第2実施例) クラッドを構成するガラスファイバーとしてSF8ガラ
スからなるものを用い、他の条件は第1実施例と同様に
して、TRIをコアとする光波長変換素子を作成した。
なお本実施例でも、TRIの結晶はb軸がコア軸方向に
延びるように配向される。
延びるように配向される。
この光波長変換素子に波長1064nmの2偏光したY
AGレーザー光を基本波として人力させたところ、2偏
光の第2高調波発生が確認された。
AGレーザー光を基本波として人力させたところ、2偏
光の第2高調波発生が確認された。
つまりこの場合は、TRIの非線形光学定数d0が利用
される。このときの波長変換効率は、第1実施例におけ
るのと同様、IW換算で約1%であった。
される。このときの波長変換効率は、第1実施例におけ
るのと同様、IW換算で約1%であった。
(第3実施例)
クラッドを構成するガラスファイバーとしてSFIGガ
ラスからなるものを用い、他の条件は第1実施例と同様
にして、TRIをコアとする光波長変換素子を作成した
。なお本実施例でも、TRIの結晶はb軸がコア軸方向
に延びるように配向される。
ラスからなるものを用い、他の条件は第1実施例と同様
にして、TRIをコアとする光波長変換素子を作成した
。なお本実施例でも、TRIの結晶はb軸がコア軸方向
に延びるように配向される。
この光波長変換素子に波長1064nmのY偏光したY
AGレーザー光を基本波として入力させたところ、2偏
光の第2高調波発生が確認された。
AGレーザー光を基本波として入力させたところ、2偏
光の第2高調波発生が確認された。
つまりこの場合は、TRIの非線形光学定数d12が利
用される。このときの波長変換効率は、第1実施例にお
けるのと同様、IW換算で約1%であった。
用される。このときの波長変換効率は、第1実施例にお
けるのと同様、IW換算で約1%であった。
(発明の効果)
以上詳細に説明した通り本発明の光波長変換モジュール
によれば、TRIが有する高い非線形光学定数を実際に
ファイバー型の非線形光学材料において利用可能で、し
かも光波長変換素子を充分に長く形成可能であるので、
極めて高い波長変換効率を実現できる。またTRIは4
00nm近辺に吸収端を有するものであるから、この光
波長変換モジュールによれば、800nm程度のレーザ
ー光を基本波として用いて、青色領域の第2高調波を効
率良く取り出すことも可能となる。
によれば、TRIが有する高い非線形光学定数を実際に
ファイバー型の非線形光学材料において利用可能で、し
かも光波長変換素子を充分に長く形成可能であるので、
極めて高い波長変換効率を実現できる。またTRIは4
00nm近辺に吸収端を有するものであるから、この光
波長変換モジュールによれば、800nm程度のレーザ
ー光を基本波として用いて、青色領域の第2高調波を効
率良く取り出すことも可能となる。
第1図は本発明の一実施例を示す概略図、第2A、2B
および2C図はそれぞれ、本発明に用いられるTRIの
b軸、C軸、a軸方向の結晶構造図、 第3図は上記TRIのバルク結晶構造図、第4図は本発
明に係る光波長変換素子におけるコアの結晶配向を示す
概略図、 第5図は上記TRIの透過スペクトルを示すグラフ、 第6図は本発明に係る光波長変換素子を作成する方法を
説明する説明図である。 10−・・光波長変換素子 11・−・コア11−
TRI融液 12・・・クラッド12°・・・ガ
ラスファイバー 15・・・基本波15・・・第2高調
波 20・・・光源装置21・・・半導体レーザ
ー 22・・・コリメートレンズ23・・・アナモ
リフイックプリズムペアー25・−λ/2板
2B、 27・・・集光レンズ第8図 第3図 iY田l I 第4図 1人 第5図 會 。8[/ ヂ玉 (nm)
および2C図はそれぞれ、本発明に用いられるTRIの
b軸、C軸、a軸方向の結晶構造図、 第3図は上記TRIのバルク結晶構造図、第4図は本発
明に係る光波長変換素子におけるコアの結晶配向を示す
概略図、 第5図は上記TRIの透過スペクトルを示すグラフ、 第6図は本発明に係る光波長変換素子を作成する方法を
説明する説明図である。 10−・・光波長変換素子 11・−・コア11−
TRI融液 12・・・クラッド12°・・・ガ
ラスファイバー 15・・・基本波15・・・第2高調
波 20・・・光源装置21・・・半導体レーザ
ー 22・・・コリメートレンズ23・・・アナモ
リフイックプリズムペアー25・−λ/2板
2B、 27・・・集光レンズ第8図 第3図 iY田l I 第4図 1人 第5図 會 。8[/ ヂ玉 (nm)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 クラッド内に下記の分子式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で示される単結晶の非線形光学材料がコアとして充てん
され、該光学材料の結晶がそのb軸が略コア軸方向に延
びるように配向されてなる光波長変換素子と、 この光波長変換素子に、前記b軸と直交する結晶のa軸
あるいはc軸の方向に直線偏光した基本波を入射させる
光源装置とからなる光波長変換モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63224195A JPH07104538B2 (ja) | 1987-09-14 | 1988-09-07 | 光波長変換モジュール |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23066187 | 1987-09-14 | ||
JP62-230661 | 1987-09-14 | ||
JP63224195A JPH07104538B2 (ja) | 1987-09-14 | 1988-09-07 | 光波長変換モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0228A true JPH0228A (ja) | 1990-01-05 |
JPH07104538B2 JPH07104538B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=26525906
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63224195A Expired - Fee Related JPH07104538B2 (ja) | 1987-09-14 | 1988-09-07 | 光波長変換モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07104538B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6773531B2 (en) | 2001-05-21 | 2004-08-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process and apparatus for making multi-layered, multi-component filaments |
-
1988
- 1988-09-07 JP JP63224195A patent/JPH07104538B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6773531B2 (en) | 2001-05-21 | 2004-08-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process and apparatus for making multi-layered, multi-component filaments |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07104538B2 (ja) | 1995-11-13 |
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Legal Events
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