JPH0325235A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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JPH0325235A
JPH0325235A JP15895989A JP15895989A JPH0325235A JP H0325235 A JPH0325235 A JP H0325235A JP 15895989 A JP15895989 A JP 15895989A JP 15895989 A JP15895989 A JP 15895989A JP H0325235 A JPH0325235 A JP H0325235A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
main body
air
suction
suction port
semiconductor manufacturing
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Pending
Application number
JP15895989A
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English (en)
Inventor
Mari Muta
牟田 真理
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置の製造過程にレいて1吏用され
る,半導体製造装置に関するものであるO 〔従来の技術〕 @4図は従来のクリーンルーム内に釦けるダウンフはー
の流れを示す正面図、第5図は第◆図のダウンフローの
途中に物体を置いた場合の気流を示す正面図である。
図のように、天井面(1カに空気の吹き出し口があり,
床而01はすのこ状で空気の逃げ道となつていた。
又、第6図のように物体(l4lが置かれても、天井面
リカ、床面0濁はそのま筐であった。
次に動作について説明する。クリーンルーム内に何も障
害物がない場合、第1図のようiC空気は上から下へ流
れ、正常な気ftIl1Jが発生するが、第S図のよう
に、物体α慟がある場合、床而α国のような空気の逃げ
道がなくなり、乱気151j uolが発生する。この
乱気fi (101は.ゴミ等も巻き上げることもあり
、発厘の原因となっている。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来のクリーンルームは以上のようVC構或されている
ので、乱気流が発生し、1た,それにより発塵するなど
の問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、空気の逃げ道を作り、乱気流の発生を押さえ
ることのできる、半導体製造装置を得ること金目的とす
る■ 〔&!l題を解決す・るための手段〕 この発明に係る半導体製造装置は、クリーンルーム内の
乱気流が発生する場所1c置くことによって、乱気ft
t吸引し,気流の乱れを解消させ、発塵を押さえたもの
である。
〔作用〕
この発明にかける乱気流の吸引口は、乱気流の発生する
ところに手軽に置け,空気の逃げ道金提供する。
〔実施的〕
以下、この発明の一夷施例を図について説明する。第1
図は半導体製造装置の斜視図、lXs図は乱気流の発生
個所Kkける気ftを示すfPIr視図、第8図は乱気
流の発生する場所VC第1図に示す装置倉設置した状況
を示す斜視図である。
図にかいて,田は吸引口、{!)は吸引を行う本体、l
31H吸引口+11と本体(對を継ぐホース、ioは排
気口、1組はスイッチ、161はコンセン}、+71#
1気流(吸気) . t81は気It(排気)である。
尚、本体{2}はモーターと羽を備えた換気扇である。
次VC#作について第8図及び#X8図により説明する
乱気流の発生する場所t9+ K吸引口…金置きスイッ
チを入れる。本体{21の中の羽が回り吸引を開始して
、乱気流{IO}の逃げ道となる。気l5!(吸気)1
71 t’! ,床面01より下にある本体(2:の排
気口(4)より排気される。
なレ,上記実施例は本体(!lによって吸引金行ってい
るが、予め,工場などに排気設備がある場合は、間にダ
ンバーを設けて、ホース(3)を排気設備に継いでもよ
い。
〔発明の効果〕
以上のように,この発明によれば、乱気流の発生してい
る点にのみ装置を付設するように構成したので,装置が
安価にでき,筐た、精度の高いものが得られる効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例による半導体製造装置の斜
視図、第3図は乱気流の発生部分の斜視図、第3図は第
1図に示す装置金設置した状況を示す斜視図、第4図は
従来のクリーンル一ム内Vcカケるダウンフロ一の流れ
を示す正面図、第5図はダウンフローの途中・に物体を
置いた場合の気ftf!r:示す正面図である。 図にシいて,巾は吸引口,(2}は本体、(31はホー
ス、14+ ij排気口、.61はスイッチ、(61は
コンセント,171は気ft(吸気) , +81は気
流(排気).(9)ハ乱気流の発生する場所、1lαは
乱気流、Gυは気流、(+のは天井面、13は床面,α
慟は物体である。 なか、図中、同一符号は同一 又は相当部分金示す●

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. クリーンルーム内に使用する半導体製造装置において、
    室内に発生する乱気流を吸引するによつて、気流の流れ
    を解消し、発塵を押さえたことを特徴とする半導体製造
    装置。
JP15895989A 1989-06-20 1989-06-20 半導体製造装置 Pending JPH0325235A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5874365A (en) * 1993-11-04 1999-02-23 Nippondenso Co., Ltd. Semiconductor wafer etching method
KR20030019087A (ko) * 2001-08-27 2003-03-06 이시자키 시자이 가부시키가이샤 흡인용 노즐을 구비한 탈기대, 흡인용 노즐 및 탈기대

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5874365A (en) * 1993-11-04 1999-02-23 Nippondenso Co., Ltd. Semiconductor wafer etching method
US6251542B1 (en) 1993-11-04 2001-06-26 Nippondenso Co., Ltd. Semiconductor wafer etching method
KR20030019087A (ko) * 2001-08-27 2003-03-06 이시자키 시자이 가부시키가이샤 흡인용 노즐을 구비한 탈기대, 흡인용 노즐 및 탈기대

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