JPH03248340A - 光記録媒体とこれを用いた光学的記録方法 - Google Patents
光記録媒体とこれを用いた光学的記録方法Info
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- JPH03248340A JPH03248340A JP2044635A JP4463590A JPH03248340A JP H03248340 A JPH03248340 A JP H03248340A JP 2044635 A JP2044635 A JP 2044635A JP 4463590 A JP4463590 A JP 4463590A JP H03248340 A JPH03248340 A JP H03248340A
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、相変化型の記録材料にて構成された記録層を
備え、この記録層へガスレーザや半導体レーザ等光源か
らの集束光を照射して、光学的に情報の記録・再生・消
去を行う書換え可能な光記録媒体並びにこの光記録媒体
を用いた光学的記録方法に係り、特に、書換え操作時間
の短縮化が図れ、しかも、消去率、Ｃ／Ｎ比等に優れた
光記録媒体並びに光学的記録方法の改良に関するもので
ある。
備え、この記録層へガスレーザや半導体レーザ等光源か
らの集束光を照射して、光学的に情報の記録・再生・消
去を行う書換え可能な光記録媒体並びにこの光記録媒体
を用いた光学的記録方法に係り、特に、書換え操作時間
の短縮化が図れ、しかも、消去率、Ｃ／Ｎ比等に優れた
光記録媒体並びに光学的記録方法の改良に関するもので
ある。
この種の光記録媒体について、片面側に相変化型記録材
料にて構成された記録層を備えるタイプを例に挙げて説
明すると、第５図に示すようにフォーカシング及びトラ
ッキングサーボ用のプリグループ（ｐｒｅ−ｇｒｏｏｖ
ｅ） （ａ ）が施された光透過性の基板（ｂ）と、
この基板（ｂ）全面に設けられた相変化型の記録層（ｃ
）と、必要に応じて上記記録層（ｃ）全面に設けられた
保護層（ｄ）とでその主要部を構成するものが知られて
いる。
料にて構成された記録層を備えるタイプを例に挙げて説
明すると、第５図に示すようにフォーカシング及びトラ
ッキングサーボ用のプリグループ（ｐｒｅ−ｇｒｏｏｖ
ｅ） （ａ ）が施された光透過性の基板（ｂ）と、
この基板（ｂ）全面に設けられた相変化型の記録層（ｃ
）と、必要に応じて上記記録層（ｃ）全面に設けられた
保護層（ｄ）とでその主要部を構成するものが知られて
いる。
そして、この光記録媒体（ｆ）への情報の書込みは、通
常、第５図〜第６図（Ａ）に示すように、光源（図示せ
ず）から高出力の円形状レーザスポットを光記録媒体（
ｆ）の記録層（ｃ）へ照射し、記録材料の融解温度Ｔ、
、、以上に加熱しかつ急冷する「加熱急冷処理」を施す
ことによりその照射部位を結晶質状態（ｃｒ）からアモ
ルファス状態（ａｍ）へ変化させて行う一方、この書き
込まれた情報の消去に際しては、第６図（Ｂ）に示すよ
うに、上記記録層（ｃ）へ低出力の長円形状レーザスポ
ットを照射し、記録材料の結晶化温度Ｔ１以上でその融
解温度Ｔ、以下に加熱しかつ比較的ゆつくりと冷却する
「加熱徐冷処理」を施すことにより記録部位をアモルフ
ァス状態（ａｍ）から結晶質状態（ｃｒ）へ変化させる
方法が採られている。
常、第５図〜第６図（Ａ）に示すように、光源（図示せ
ず）から高出力の円形状レーザスポットを光記録媒体（
ｆ）の記録層（ｃ）へ照射し、記録材料の融解温度Ｔ、
、、以上に加熱しかつ急冷する「加熱急冷処理」を施す
ことによりその照射部位を結晶質状態（ｃｒ）からアモ
ルファス状態（ａｍ）へ変化させて行う一方、この書き
込まれた情報の消去に際しては、第６図（Ｂ）に示すよ
うに、上記記録層（ｃ）へ低出力の長円形状レーザスポ
ットを照射し、記録材料の結晶化温度Ｔ１以上でその融
解温度Ｔ、以下に加熱しかつ比較的ゆつくりと冷却する
「加熱徐冷処理」を施すことにより記録部位をアモルフ
ァス状態（ａｍ）から結晶質状態（ｃｒ）へ変化させる
方法が採られている。
ところで、第７図において破線で示した照射パワーのレ
ーザスポットが照射されている間、上記記録層（Ｃ）は
第７図において実線で示すように温度の上昇を続けるか
、光記録媒体（ｆ）の回転に伴いレーザスポットの照射
部位が瞬時にずれて照射されなくなると、上記記録層（
ｃ）の温度は自然冷却により急激に低下することになる
。
ーザスポットが照射されている間、上記記録層（Ｃ）は
第７図において実線で示すように温度の上昇を続けるか
、光記録媒体（ｆ）の回転に伴いレーザスポットの照射
部位が瞬時にずれて照射されなくなると、上記記録層（
ｃ）の温度は自然冷却により急激に低下することになる
。
従って、低出力の長円形状レーザスポットを照射して記
録層（ｃ）の温度をその記録材料の結晶化温度Ｔｘ以上
でその融解温度Ｔ、以下の適宜温度に加熱し、その記録
層（Ｃ）をアモルファス状態（ａｍ）から結晶質状態（
ｃｒ）へ変化させて記録情報の消去を行う「加熱徐冷処
理」の際、このレーザスポットの出力が低すぎたり長円
形状レーザスポットの長さ寸法が小さすぎた場合、レー
ザスポットの照射が解かれた後における記録層（Ｃ）の
冷却速度が速くなり、しかも、レーザスポットが照射さ
れた照射スポットの周辺部位はその中心部位に較べて温
度が低くなっているため、記録材料の結晶化が不十分に
なって再生時におけるＣ／Ｎ比が低下するといった問題
点があった。
録層（ｃ）の温度をその記録材料の結晶化温度Ｔｘ以上
でその融解温度Ｔ、以下の適宜温度に加熱し、その記録
層（Ｃ）をアモルファス状態（ａｍ）から結晶質状態（
ｃｒ）へ変化させて記録情報の消去を行う「加熱徐冷処
理」の際、このレーザスポットの出力が低すぎたり長円
形状レーザスポットの長さ寸法が小さすぎた場合、レー
ザスポットの照射が解かれた後における記録層（Ｃ）の
冷却速度が速くなり、しかも、レーザスポットが照射さ
れた照射スポットの周辺部位はその中心部位に較べて温
度が低くなっているため、記録材料の結晶化が不十分に
なって再生時におけるＣ／Ｎ比が低下するといった問題
点があった。
そこで、従来、光記録媒体の回転速度を下げることによ
り、記録層（ｃ）の冷却速度を抑制して上記「加熱徐冷
処理」における最適温度条件を図る方法が採られている
が、回転速度を下げた分だけ消去速度が遅くなるため書
換え操作に長時間かかってしまう問題点があった。
り、記録層（ｃ）の冷却速度を抑制して上記「加熱徐冷
処理」における最適温度条件を図る方法が採られている
が、回転速度を下げた分だけ消去速度が遅くなるため書
換え操作に長時間かかってしまう問題点があった。
尚、この問題点は「結晶−アモルファス１間の相変化を
利用する上記光記録媒体に限った特有の問題でなく、パ
イノーダル分解又はスピノーダル分解に伴う「単相−二
相（パイノーダル又はスピノーダル状態）」間、又は「
パイノーダル状態−スピノーダル状態」間の相変化を利
用する光記録媒体においても、また、ｒ結晶−結晶１間
の相変化を利用する光記録媒体等、その到達温度と冷却
速度の大小によって情報の書換えがなされる他の相変化
型の光記録媒体においても、上記「加熱徐冷処理」の際
、同様に存在するものであった。
利用する上記光記録媒体に限った特有の問題でなく、パ
イノーダル分解又はスピノーダル分解に伴う「単相−二
相（パイノーダル又はスピノーダル状態）」間、又は「
パイノーダル状態−スピノーダル状態」間の相変化を利
用する光記録媒体においても、また、ｒ結晶−結晶１間
の相変化を利用する光記録媒体等、その到達温度と冷却
速度の大小によって情報の書換えがなされる他の相変化
型の光記録媒体においても、上記「加熱徐冷処理」の際
、同様に存在するものであった。
本発明は以上の問題点に着目してなされたもので、その
課題とするところは、書換え操作時間の短縮化が図れ、
しかも、その消去率やＣ／Ｎ比等に優れた光記録媒体と
これを用いた光学的記録方法を提供することにある。
課題とするところは、書換え操作時間の短縮化が図れ、
しかも、その消去率やＣ／Ｎ比等に優れた光記録媒体と
これを用いた光学的記録方法を提供することにある。
すなわち、請求項１に係る発明は、
基板と、この基板の少なくとも一面に形成され相変化型
の記録材料により構成された記録層とを備え、 この記録層へ光源からの集束光を照射し加熱徐冷処理又
は加熱急冷処理を施して光学的に情報の記録又は消去を
行う光記録媒体を前提とし、上記記録層の光照射面とは
反対面側に、その記録材料よりその融解温度が高い材料
にて構成され記録又は消去時においてその凝固に伴う熱
エネルギの放出により上記記録層の冷却速度を抑制して
その加熱徐冷処理を補助する徐冷補助層を設けたことを
特徴とするものであり、 一方、請求項２に係る発明は、 この請求項１に係る光記録媒体を用いて光学的に情報の
記録又は消去を行う光学的記録方法を前提とし、 記録層へ集束光を照射してこの記録層を加熱徐冷処理す
るための加熱設定温度が、上記徐冷補助層を構成する材
料の融解温度以上に設定されていると共に、 上記記録層を加熱急冷処理するための加熱設定温度が、
記録材料の融解温度以上で徐冷補助層を構成する材料の
融解温度以下に設定されていることを特徴とするもので
ある。
の記録材料により構成された記録層とを備え、 この記録層へ光源からの集束光を照射し加熱徐冷処理又
は加熱急冷処理を施して光学的に情報の記録又は消去を
行う光記録媒体を前提とし、上記記録層の光照射面とは
反対面側に、その記録材料よりその融解温度が高い材料
にて構成され記録又は消去時においてその凝固に伴う熱
エネルギの放出により上記記録層の冷却速度を抑制して
その加熱徐冷処理を補助する徐冷補助層を設けたことを
特徴とするものであり、 一方、請求項２に係る発明は、 この請求項１に係る光記録媒体を用いて光学的に情報の
記録又は消去を行う光学的記録方法を前提とし、 記録層へ集束光を照射してこの記録層を加熱徐冷処理す
るための加熱設定温度が、上記徐冷補助層を構成する材
料の融解温度以上に設定されていると共に、 上記記録層を加熱急冷処理するための加熱設定温度が、
記録材料の融解温度以上で徐冷補助層を構成する材料の
融解温度以下に設定されていることを特徴とするもので
ある。
このような技術的手段において、上記基板としては従来
と同様に、ガラス、ポリカーボネート、ポリアクリロニ
トリル、ポリメタクリル酸メチル、エポキシ樹脂、ポリ
ペンテン等の透明な単体材料、若しくはこれ等の積層材
料で構成してもよいし、アルミニウム等金属材料でもっ
てこれを構成してもよく任意である。尚、ポリカーボネ
ート等樹脂材料を適用した場合には、樹脂材料の熱的損
傷を防ぐため、この基板と記録層との間に、例え（ｉ、
ＳｉＯ□、 ＺｒＯ□、 ＺｎＳ等、あるいはこれ等の
混合物で構成される無機誘電体層を介装してもよ０゜次
に、上記基板の少なくとも一面に形成する相変化型の記
録材料としては、 「結晶−アモルファスｊ間の相変化を利用する、ＩｎＴ
ｅ （融解温度「ＴｆｆｉｚＪ ：６９６℃）ＧｅＴ
ｅ （７１１１２： ７２５°Ｃ）Ｇｅ＋ｏＴｅｓｏ
（Ｔ＋ｎ。：３８０℃）ＢｔｚＴｅ＋ （Ｔ ＋ｎｌ
： ５８５６Ｃ）等の二元系材料、 ５ｎＳｅＴｅ （Ｔ 、、、２： ６００°Ｃ）Ｇｅ２
Ｓｂ２Ｔｅｉ （Ｔ ｆｆ１２ ：６３０℃）Ｓｂ＋ｏ
Ｓｅ４ｓＴｅ＋ｓ （ＴＩＩ２ ： ５６０℃）ＩｎＳ
ｂｓＴｅ２（Ｔ １１２ ： ４５０°Ｃ）等の三元系
材料、及び、 Ｇｅ２ｏＴｅ４ｓｓｂｚｓｓｅ＋。（’ｌ’、２： ６
０４℃）及び、ＧｅａｏＴｅｓｏＳｂｓＳｅ＋ ｓ （
Ｔ Ｉ＝２ ： ６０４℃）等の四元系材料等があり、 また、パイノーダル分解又はスピノーダル分解に伴う「
単相−二相（パイノーダル又はスピノーダル状態）ｊ間
の相変化、又は「パイノーダル状態−スピノーダル状態
」間の相変化を利用する、例えば、Ｔｅａ、 、 Ｇｅ
−０，５ｎ−０，及び、Ｔｉ−０等があり、 また、「結晶−結晶１間の相変化を利用する、例えばＩ
ｎＳｂ等の材料群も適用できる。
と同様に、ガラス、ポリカーボネート、ポリアクリロニ
トリル、ポリメタクリル酸メチル、エポキシ樹脂、ポリ
ペンテン等の透明な単体材料、若しくはこれ等の積層材
料で構成してもよいし、アルミニウム等金属材料でもっ
てこれを構成してもよく任意である。尚、ポリカーボネ
ート等樹脂材料を適用した場合には、樹脂材料の熱的損
傷を防ぐため、この基板と記録層との間に、例え（ｉ、
ＳｉＯ□、 ＺｒＯ□、 ＺｎＳ等、あるいはこれ等の
混合物で構成される無機誘電体層を介装してもよ０゜次
に、上記基板の少なくとも一面に形成する相変化型の記
録材料としては、 「結晶−アモルファスｊ間の相変化を利用する、ＩｎＴ
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ｅ （７１１１２： ７２５°Ｃ）Ｇｅ＋ｏＴｅｓｏ
（Ｔ＋ｎ。：３８０℃）ＢｔｚＴｅ＋ （Ｔ ＋ｎｌ
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Ｓｂ２Ｔｅｉ （Ｔ ｆｆ１２ ：６３０℃）Ｓｂ＋ｏ
Ｓｅ４ｓＴｅ＋ｓ （ＴＩＩ２ ： ５６０℃）ＩｎＳ
ｂｓＴｅ２（Ｔ １１２ ： ４５０°Ｃ）等の三元系
材料、及び、 Ｇｅ２ｏＴｅ４ｓｓｂｚｓｓｅ＋。（’ｌ’、２： ６
０４℃）及び、ＧｅａｏＴｅｓｏＳｂｓＳｅ＋ ｓ （
Ｔ Ｉ＝２ ： ６０４℃）等の四元系材料等があり、 また、パイノーダル分解又はスピノーダル分解に伴う「
単相−二相（パイノーダル又はスピノーダル状態）ｊ間
の相変化、又は「パイノーダル状態−スピノーダル状態
」間の相変化を利用する、例えば、Ｔｅａ、 、 Ｇｅ
−０，５ｎ−０，及び、Ｔｉ−０等があり、 また、「結晶−結晶１間の相変化を利用する、例えばＩ
ｎＳｂ等の材料群も適用できる。
尚、これ等相変化型の記録材料で構成される記録層が溶
融後、固化するまでの変形を防止する目的、あるいは、
記録層の機械的損傷、酸化等を防止する目的で上記記録
層上に保護層を設けてもよい。この場合、この保護層を
構成する材料としては、上記無機誘電体層を構成する材
料と同一の材料の他、紫外線硬化樹脂、アクリル、ポリ
カーボネート、エポキシ等の樹脂材料、ガラス等が利用
できる。また、これ等材料の単一層で保護層を構成して
もよく、あるいは、上記材料を複数積層して構成しても
よく任意である。更に、上記記録層と接する部分が樹脂
材料の場合には、基板と同様にこれ等間に無機誘電体層
を介装してもよい。
融後、固化するまでの変形を防止する目的、あるいは、
記録層の機械的損傷、酸化等を防止する目的で上記記録
層上に保護層を設けてもよい。この場合、この保護層を
構成する材料としては、上記無機誘電体層を構成する材
料と同一の材料の他、紫外線硬化樹脂、アクリル、ポリ
カーボネート、エポキシ等の樹脂材料、ガラス等が利用
できる。また、これ等材料の単一層で保護層を構成して
もよく、あるいは、上記材料を複数積層して構成しても
よく任意である。更に、上記記録層と接する部分が樹脂
材料の場合には、基板と同様にこれ等間に無機誘電体層
を介装してもよい。
一方、徐冷補助層を構成する材料としては、上記相変化
型の記録材料より高い融解温度を有し、かつ、比較的大
きな凝固熱（融解熱）を有すると共に、上記基板等に着
膜可能なものなら任意であり、特定の融解温度（融点）
を有する材料や、ある程度幅をもった融解温度を有する
材料等が利用できる。
型の記録材料より高い融解温度を有し、かつ、比較的大
きな凝固熱（融解熱）を有すると共に、上記基板等に着
膜可能なものなら任意であり、特定の融解温度（融点）
を有する材料や、ある程度幅をもった融解温度を有する
材料等が利用できる。
以下、その融解温度（Ｔ４１で示す）を表示して具体的
に例を挙げると、Ｂｉ （Ｔ 、、 ＋ ２７１℃）Ｓ
ｅ （Ｔｆｆｉ、 ： ２１７°Ｃ） 、Ｓｎ （Ｔ、
、＋ ： ２３１℃）ＴＩ （Ｔ、、 ： ２０４°Ｃ
） 、Ｃｄ （Ｔｆｆｉ、 ： ３２０°Ｃ）Ｐｂ （
Ｔ、： ３２７°Ｃ） 、Ｔｅ （Ｔ１： ４５０°Ｃ
）Ａｓ （Ｔ 、、 ： ８３０°Ｃ’） 、Ｓｂ （
Ｔ、、 ： ６３０℃）Ｚｎ （Ｔ１： ４１９°Ｃ） 等の単一元素で構成される材料や、これ等元素を主成分
とする、例えば、 Ａｇ−Ｂｉ（後者の含有率 ９５％、 Ｔ、、 ： ２
７１℃）Ａｓ−Ｐｂ（後者の含有率７．４％、Ｔ、、：
２８８℃）Ａｓ−ＴＩ（後者の含有率１９．２％、７．
、、＋：２２０℃）Ａｕ−Ｂｉ（後者の含有率８１．１
％。
に例を挙げると、Ｂｉ （Ｔ 、、 ＋ ２７１℃）Ｓ
ｅ （Ｔｆｆｉ、 ： ２１７°Ｃ） 、Ｓｎ （Ｔ、
、＋ ： ２３１℃）ＴＩ （Ｔ、、 ： ２０４°Ｃ
） 、Ｃｄ （Ｔｆｆｉ、 ： ３２０°Ｃ）Ｐｂ （
Ｔ、： ３２７°Ｃ） 、Ｔｅ （Ｔ１： ４５０°Ｃ
）Ａｓ （Ｔ 、、 ： ８３０°Ｃ’） 、Ｓｂ （
Ｔ、、 ： ６３０℃）Ｚｎ （Ｔ１： ４１９°Ｃ） 等の単一元素で構成される材料や、これ等元素を主成分
とする、例えば、 Ａｇ−Ｂｉ（後者の含有率 ９５％、 Ｔ、、 ： ２
７１℃）Ａｓ−Ｐｂ（後者の含有率７．４％、Ｔ、、：
２８８℃）Ａｓ−ＴＩ（後者の含有率１９．２％、７．
、、＋：２２０℃）Ａｕ−Ｂｉ（後者の含有率８１．１
％。
Ａｕ−Ｐｂ（後者の含有率８４．４％。
Ａｕ−３ｎ（後者の含有率 ９４％。
Ｂａ−Ｐｂ（後者の含有率 ９３％。
Ｌｉ−旧（後者の含有率 ８６％。
Ｍｇ−Ｂｉ（後者の含有率９５．７％。
Ｍｎ−Ｂｉ（後者の含有率 ９７％。
Ｎａ−Ｂｉ（後者の含有率７８，２％。
Ｂｉ−Ｒｈ（後者の含有率１．４％。
Ｚｎ−Ｂｉ（後者の含有率９１．９％。
Ｃｄ −Ｐｂ （後者の含有率 ７２％。
Ｃｄ−５ｂ（後者の含有率 ７％。
Ｃｄ−ＴＩ（後者の含有率７２．８％。
Ｃｄ−Ｚｎ後者の含有率２６．５％。
Ｌｉ−Ｐｂ後者の含有率 ８３％。
Ｌｉ−Ｔｌ後者の含有率８４．８％。
Ｍｇ−Ｐｂ後者の含有率８４．３％。
Ｍｇ−３ｎ後者の含有率 ９１％。
Ｍｇ−Ｔｌ後者の含有率 ８０％。
Ｐｄ−Ｐｂ後者の含有率９０．７％。
Ｔ□、： ２４１ ℃）
Ｔ、、、： ２１Ｓ ℃）
Ｔ、、、： ２３２８Ｃ）
Ｔ、、 ： ２９３ ℃）
Ｔｆｆｉ、： ２７１ ’Ｃ）
Ｔｆｆ、ｌ：２６０ ℃）
Ｔユ、： ２７０ ℃）
Ｔ、、： ２１８ ℃）
ＴＩＮ、： ２６０ ℃）
Ｔ、、、： ２５４．５ ℃）
Ｔ□、： ２４８ ℃）
Ｔ、、： ２９０ ℃）
Ｔ ｆｆｉ、： ２０３．５ ℃）
Ｔｆｆｉ、： ２６６ ℃）
Ｔ７・２３５℃）
Ｔ□：２１１ ℃
Ｔ、、： ２５３ ℃
Ｔ□、： ２００ ℃
Ｔ、、ｌ、： ２００ ℃
Ｔｆｆｉ、： ２６Ｓ ℃
ｐｔ−ｐｂ後者の含有率９４．７％、Ｔ□、 ： ２９
０°Ｃｐｂ−ｓｂ後者の含有率１７，５％、Ｔａ、、：
２５２℃Ｔｌ−５Ｃ後者の含有率７０％〜、 Ｔ、、
： ２０２°ＣＺｎ−３Ｃ後者の含有率５０％〜、 Ｔ
、ｎ、 ： ２２０℃Ｔｌ−Ｔｅ後者の含有率 ６９％
、Ｔ、、：２００°ＣＡｇ−Ｐｂ後者の含有率９５．３
％、Ｔ□、 ： ３０４°ＣＡｇ−Ｔｅ後者の含有率
６７％、Ｔ、、：３５１℃）Ａｇ−Ｔｌ後者の含有率
９７％、Ｔ□、 ： ３０２°ＣＡｌ−Ｚｎ後者の含有
率８８．７％、 Ｔ、、、 ： ３８２℃Ａｕ−Ｇｅ（
後者の含有率 ２７％、’ｌ”、、、：３５６℃Ａｕ−
３ｂ後者の含有率 ３５％、”ｌ”、、：３６０℃Ａｕ
−８ｉ後者の含有率 ３１％、Ｔ、ｎｌ：３７０℃Ｃｏ
−Ｔｅ後者の含有率 ７０％、 Ｔ、、 ： ３４０°
ＣＧｅ−Ｔｅ後者の含有率 ８５％、’ｌ”ｌＩ、：３
７５°ＣＺｎ−Ｇｅ後者の含有率５．５％、Ｔｆｆｉ、
：４００℃に−Ｓｂ後者の含有率 ６８％、Ｔ、、：４
００℃Ｍｇ−Ｚｎ後者の含有率２８％の場合Ｔ、、 ：
３４３℃また後者の含有率９２．３％の場合Ｔ−＋：
３６７℃）Ｎａ−３ｂ（後者の含有率６０．６％、 Ｔ
、、 ： ４００℃）Ｎａ−Ｔｅ（後者の含有率 ５７
％、Ｔ、、：３１９℃）Ｚｎ−Ｐｂ（後者の含有率９８
．４％ ７□Ａｇ−５ （後者の含有率 ７０％ ７４
等、及び、 ＡＩＢｉ（Ｔ ｆｆ１ｌ ： ６５７°Ｃ）ＡｇＳｒ
（Ｔ １： ６８０°Ｃ） ＢｅＡｕｚ （’ｒｆｆｉｌ ： ６４５°Ｃ）ＢｅＡ
ｕ （Ｔｆｆｉ＋ ＋ ７３０℃）ＣｏＡｕ （Ｔｍ＋
： ８８０℃） ＣＯＡＵ２ （’ｌ、 ： ８６４℃）ＫｓＢｉ （Ｔ
Ｉｎ＋ ： ６７１ ’Ｃ）Ｂ１２Ｓｅｔ （Ｔ、、＋
： ７０６°Ｃ）Ｍｇ２Ｃｏ （Ｔｆｆｉ＋ ： ７
１４℃）ＣｅＣｕ２（Ｔｆｆｉ＋ ： ８２０℃）Ｍｇ
３Ｃｅ （Ｔ ＋ｎｌ ： ７９６°Ｃ）ＣｅＮｉ（Ｔ
１：６７０℃） ＣｕＬａ （Ｔ ｖ＋ ： ８３４℃）ＰｒＣＯ２（’
１１ ＋ ８４１ ’Ｃ）ＧａＳｂ （Ｔ、、 ＋ ７
０６℃） ＧａＴｅ （Ｔ ｍｌ ： ８２４℃）Ｇａ２Ｔｅａ
（Ｔｆｆｉ＋ ＋ ７９２℃）＝ ３２７ ； ７４０ ０Ｃ） ℃） Ｋ、Ｓｂ （Ｔｆｆｉ、 ： ８１２ °Ｃ）ＫＳｂ
（Ｔｆｆｉ、 ： ６０５ °Ｃ）ＬａＺｎ （Ｔ −
＋ ： ８１５ °Ｃ）ＭｇｚＳｎ （’ｒ、、、＋
： ７７８ °Ｃ）Ｍｇ２Ｓｒ （Ｔ、ｌ ： ６８０
’Ｃ）Ｓｂ２Ｓｅ＋ （Ｔ 、、Ｉ： ６１７ ℃）
Ｓｂ２Ｔｅ３（Ｔ ｍｌ ： ６２２°Ｃ）ＳｎＳｅ
（Ｔ ａ＋＋ ： ６５７°Ｃ）ＳｎＴｅ （Ｔ ｍｌ
： ７９０ ’Ｃ）ＩｎＴｅ （Ｔ ＩＩＩ ： ６
９６°Ｃ）Ｉｎ２Ｔｅ＋ （Ｔ ａ＋＋ ： ６６９℃
）等の多元材料等が利用できる。
０°Ｃｐｂ−ｓｂ後者の含有率１７，５％、Ｔａ、、：
２５２℃Ｔｌ−５Ｃ後者の含有率７０％〜、 Ｔ、、
： ２０２°ＣＺｎ−３Ｃ後者の含有率５０％〜、 Ｔ
、ｎ、 ： ２２０℃Ｔｌ−Ｔｅ後者の含有率 ６９％
、Ｔ、、：２００°ＣＡｇ−Ｐｂ後者の含有率９５．３
％、Ｔ□、 ： ３０４°ＣＡｇ−Ｔｅ後者の含有率
６７％、Ｔ、、：３５１℃）Ａｇ−Ｔｌ後者の含有率
９７％、Ｔ□、 ： ３０２°ＣＡｌ−Ｚｎ後者の含有
率８８．７％、 Ｔ、、、 ： ３８２℃Ａｕ−Ｇｅ（
後者の含有率 ２７％、’ｌ”、、、：３５６℃Ａｕ−
３ｂ後者の含有率 ３５％、”ｌ”、、：３６０℃Ａｕ
−８ｉ後者の含有率 ３１％、Ｔ、ｎｌ：３７０℃Ｃｏ
−Ｔｅ後者の含有率 ７０％、 Ｔ、、 ： ３４０°
ＣＧｅ−Ｔｅ後者の含有率 ８５％、’ｌ”ｌＩ、：３
７５°ＣＺｎ−Ｇｅ後者の含有率５．５％、Ｔｆｆｉ、
：４００℃に−Ｓｂ後者の含有率 ６８％、Ｔ、、：４
００℃Ｍｇ−Ｚｎ後者の含有率２８％の場合Ｔ、、 ：
３４３℃また後者の含有率９２．３％の場合Ｔ−＋：
３６７℃）Ｎａ−３ｂ（後者の含有率６０．６％、 Ｔ
、、 ： ４００℃）Ｎａ−Ｔｅ（後者の含有率 ５７
％、Ｔ、、：３１９℃）Ｚｎ−Ｐｂ（後者の含有率９８
．４％ ７□Ａｇ−５ （後者の含有率 ７０％ ７４
等、及び、 ＡＩＢｉ（Ｔ ｆｆ１ｌ ： ６５７°Ｃ）ＡｇＳｒ
（Ｔ １： ６８０°Ｃ） ＢｅＡｕｚ （’ｒｆｆｉｌ ： ６４５°Ｃ）ＢｅＡ
ｕ （Ｔｆｆｉ＋ ＋ ７３０℃）ＣｏＡｕ （Ｔｍ＋
： ８８０℃） ＣＯＡＵ２ （’ｌ、 ： ８６４℃）ＫｓＢｉ （Ｔ
Ｉｎ＋ ： ６７１ ’Ｃ）Ｂ１２Ｓｅｔ （Ｔ、、＋
： ７０６°Ｃ）Ｍｇ２Ｃｏ （Ｔｆｆｉ＋ ： ７
１４℃）ＣｅＣｕ２（Ｔｆｆｉ＋ ： ８２０℃）Ｍｇ
３Ｃｅ （Ｔ ＋ｎｌ ： ７９６°Ｃ）ＣｅＮｉ（Ｔ
１：６７０℃） ＣｕＬａ （Ｔ ｖ＋ ： ８３４℃）ＰｒＣＯ２（’
１１ ＋ ８４１ ’Ｃ）ＧａＳｂ （Ｔ、、 ＋ ７
０６℃） ＧａＴｅ （Ｔ ｍｌ ： ８２４℃）Ｇａ２Ｔｅａ
（Ｔｆｆｉ＋ ＋ ７９２℃）＝ ３２７ ； ７４０ ０Ｃ） ℃） Ｋ、Ｓｂ （Ｔｆｆｉ、 ： ８１２ °Ｃ）ＫＳｂ
（Ｔｆｆｉ、 ： ６０５ °Ｃ）ＬａＺｎ （Ｔ −
＋ ： ８１５ °Ｃ）ＭｇｚＳｎ （’ｒ、、、＋
： ７７８ °Ｃ）Ｍｇ２Ｓｒ （Ｔ、ｌ ： ６８０
’Ｃ）Ｓｂ２Ｓｅ＋ （Ｔ 、、Ｉ： ６１７ ℃）
Ｓｂ２Ｔｅ３（Ｔ ｍｌ ： ６２２°Ｃ）ＳｎＳｅ
（Ｔ ａ＋＋ ： ６５７°Ｃ）ＳｎＴｅ （Ｔ ｍｌ
： ７９０ ’Ｃ）ＩｎＴｅ （Ｔ ＩＩＩ ： ６
９６°Ｃ）Ｉｎ２Ｔｅ＋ （Ｔ ａ＋＋ ： ６６９℃
）等の多元材料等が利用できる。
尚、これ等の材料に更に他の元素を添加しこれを徐冷補
助層の構成材料としても当然のことながらよい。
助層の構成材料としても当然のことながらよい。
また、上記記録層と徐冷補助層とは、情報の書き込み時
若しくは消去時における「加熱徐冷処理」の際に互いに
溶融状態となるため、相互拡散を起こすことがある。従
って、この相互拡散を防止するため、上記記録層と徐冷
補助層との間に拡散防止層を介装してもよい。この拡散
防止層を構成する材料としては、記録層並びに徐冷補助
層を構成する材料に較べてその融解温度が高い材料であ
ることを必要とし、例えば、 Ａｇ （融点９６０℃） 、Ａｕ （融点１０６３°Ｃ
）Ｂｅ （融点１２８７℃） 、Ｃｕ （融点１０８３
°Ｃ）Ｎｂ （融点２５２０°Ｃ）、Ｒｕ（融点２２５
０℃）Ｔａ （融点２９９０°Ｃ） 、Ｃｒ （融点１
８９０’Ｃ）Ｔｉ （融点１６８０°Ｃ）、及び、Ｚｒ
（融点１８５５℃）等の高融点金属や、 ＺｎＳ’ （融点１７００℃） 、Ａ＋ｚｏｓ （融点
２０５０°Ｃ）ＰｂＳ （融点１１１４°Ｃ）、Ｓｉｎ
ｇ （融点１７００°Ｃ）ＧｅＯ２（融点１０８０°Ｃ
） 、Ｓｉ３Ｎ＋ （融点１８００°Ｃ）ＺｎＴｅ （
融点１２３９°Ｃ） 、ＡＩＮ （融点２２００°Ｃ）
ＴｉＮ （融点２０００℃以上） 、ＴｉＣ（融点３０
７０°Ｃ）ＴａＮ （融点２０００℃以上） 、ＴａＣ
（融点３７２０℃）及び、ＩｎｚＳｅｓ （融点９０
０℃）等の高融点化合物、若しくは合金等が利用できる
。
若しくは消去時における「加熱徐冷処理」の際に互いに
溶融状態となるため、相互拡散を起こすことがある。従
って、この相互拡散を防止するため、上記記録層と徐冷
補助層との間に拡散防止層を介装してもよい。この拡散
防止層を構成する材料としては、記録層並びに徐冷補助
層を構成する材料に較べてその融解温度が高い材料であ
ることを必要とし、例えば、 Ａｇ （融点９６０℃） 、Ａｕ （融点１０６３°Ｃ
）Ｂｅ （融点１２８７℃） 、Ｃｕ （融点１０８３
°Ｃ）Ｎｂ （融点２５２０°Ｃ）、Ｒｕ（融点２２５
０℃）Ｔａ （融点２９９０°Ｃ） 、Ｃｒ （融点１
８９０’Ｃ）Ｔｉ （融点１６８０°Ｃ）、及び、Ｚｒ
（融点１８５５℃）等の高融点金属や、 ＺｎＳ’ （融点１７００℃） 、Ａ＋ｚｏｓ （融点
２０５０°Ｃ）ＰｂＳ （融点１１１４°Ｃ）、Ｓｉｎ
ｇ （融点１７００°Ｃ）ＧｅＯ２（融点１０８０°Ｃ
） 、Ｓｉ３Ｎ＋ （融点１８００°Ｃ）ＺｎＴｅ （
融点１２３９°Ｃ） 、ＡＩＮ （融点２２００°Ｃ）
ＴｉＮ （融点２０００℃以上） 、ＴｉＣ（融点３０
７０°Ｃ）ＴａＮ （融点２０００℃以上） 、ＴａＣ
（融点３７２０℃）及び、ＩｎｚＳｅｓ （融点９０
０℃）等の高融点化合物、若しくは合金等が利用できる
。
尚、これ等拡散防止層、記録層、及び、徐冷補助層等の
形成方法としては、スパッタリング法や真空蒸着法等が
利用できる。
形成方法としては、スパッタリング法や真空蒸着法等が
利用できる。
次に、請求項１〜２に係る発明において「加熱徐冷処理
」とは、記録層を加熱しかつ比較的ゆっくりと冷却する
ことにより一方の相状態に変化させる処理をいい、例え
ば、「結晶−アモルファス」間の相変化を利用する光記
録媒体にあっては、アモルファス状態又は結晶質状態に
ある記録層を一方の相状態である結晶質状態へ変化させ
るための処理を意味し、同様に、「単相−二相（パイノ
ーダル又はスピノーダル状態）Ｊ間の相変化を利用する
光記録媒体にあっては、単相状態又は二相状態にある記
録層を一方の相状態である二相状態へ変化させるための
処理を意味し、また、「パイノーダル状態−スピノーダ
ル状態１間の相変化を利用する光記録媒体にあっては、
パイノーダル状態又はスピノーダル状態にある記録層を
一方の相状態であるパイノーダル状態へ変化させるため
の処理を意味し、また、「結晶−結晶１間の相変化を利
用する光記録媒体にあっては、結晶１（微小結晶粒状態
）又は結晶２（粗大結晶粒状態）の状態にある記録層を
一方の相状態である結晶２の状態へ変化させるための処
理を意味する。
」とは、記録層を加熱しかつ比較的ゆっくりと冷却する
ことにより一方の相状態に変化させる処理をいい、例え
ば、「結晶−アモルファス」間の相変化を利用する光記
録媒体にあっては、アモルファス状態又は結晶質状態に
ある記録層を一方の相状態である結晶質状態へ変化させ
るための処理を意味し、同様に、「単相−二相（パイノ
ーダル又はスピノーダル状態）Ｊ間の相変化を利用する
光記録媒体にあっては、単相状態又は二相状態にある記
録層を一方の相状態である二相状態へ変化させるための
処理を意味し、また、「パイノーダル状態−スピノーダ
ル状態１間の相変化を利用する光記録媒体にあっては、
パイノーダル状態又はスピノーダル状態にある記録層を
一方の相状態であるパイノーダル状態へ変化させるため
の処理を意味し、また、「結晶−結晶１間の相変化を利
用する光記録媒体にあっては、結晶１（微小結晶粒状態
）又は結晶２（粗大結晶粒状態）の状態にある記録層を
一方の相状態である結晶２の状態へ変化させるための処
理を意味する。
一方、「加熱急冷処理」とは、記録層を加熱しかつ急冷
することにより他方の相状態に変化させる処理をいい、
例えば、上記「結晶−アモルファス１間の相変化を利用
する光記録媒体にあっては、アモルファス状態又は結晶
質状態にある記録層を他方の相状態であるアモルファス
状態へ変化させるための処理を意味し、同様に、「単相
−二相（パイノーダル又はスピノーダル状態）ｊ間の相
変化を利用する光記録媒体にあっては、単相状態又は二
相状態にある記録層を他方の相状態である単相状態へ変
化させるための処理を意味し、また、ｒバイノーダル状
態−スピノーダル状態１間の相変化を利用する光記録媒
体にあっては、パイノーダル状態又はスピノーダル状態
にある記録層を他方の相状態であるスピノーダル状態へ
変化させるための処理を意味し、また、「結晶−結晶１
間の相変化を利用する光記録媒体にあっては、結晶１（
微小結晶粒状態）又は結晶２（粗大結晶粒状態）の状態
にある記録層を他方の相状態である結晶１の状態へ変化
させるための処理を意味する。
することにより他方の相状態に変化させる処理をいい、
例えば、上記「結晶−アモルファス１間の相変化を利用
する光記録媒体にあっては、アモルファス状態又は結晶
質状態にある記録層を他方の相状態であるアモルファス
状態へ変化させるための処理を意味し、同様に、「単相
−二相（パイノーダル又はスピノーダル状態）ｊ間の相
変化を利用する光記録媒体にあっては、単相状態又は二
相状態にある記録層を他方の相状態である単相状態へ変
化させるための処理を意味し、また、ｒバイノーダル状
態−スピノーダル状態１間の相変化を利用する光記録媒
体にあっては、パイノーダル状態又はスピノーダル状態
にある記録層を他方の相状態であるスピノーダル状態へ
変化させるための処理を意味し、また、「結晶−結晶１
間の相変化を利用する光記録媒体にあっては、結晶１（
微小結晶粒状態）又は結晶２（粗大結晶粒状態）の状態
にある記録層を他方の相状態である結晶１の状態へ変化
させるための処理を意味する。
そして、請求項２に係る発明においては、上記「加熱徐
冷処理」を行うための加熱設定温度か徐冷補助層を構成
する材料の融解温度以上に設定され、また、「加熱急冷
処理」を行うための加熱設定温度が記録材料の融解温度
以上で徐冷補助層を構成する材料の融解温度以下に設定
されていることを特徴とするものである。尚、上記「加
熱設定温度」は、半導体レーザ等光源の出力を増減する
ことにより、あるいは、加熱急冷用ビームと加熱徐冷用
ビームの二つのビームを選択的に使用することにより適
宜値に設定されるものである。
冷処理」を行うための加熱設定温度か徐冷補助層を構成
する材料の融解温度以上に設定され、また、「加熱急冷
処理」を行うための加熱設定温度が記録材料の融解温度
以上で徐冷補助層を構成する材料の融解温度以下に設定
されていることを特徴とするものである。尚、上記「加
熱設定温度」は、半導体レーザ等光源の出力を増減する
ことにより、あるいは、加熱急冷用ビームと加熱徐冷用
ビームの二つのビームを選択的に使用することにより適
宜値に設定されるものである。
また、この技術的手段における光記録媒体においては、
例えば、「結晶−アモルファス１間の相変化を利用する
光記録媒体の場合、記録層を構成する記録材料のアモル
ファス相を記録状態に対応させその結晶相を消去状態に
対応させてもよく、その反対に、上記アモルファス相を
消去状態に対応させその結晶相を記録状態に対応させて
もよくその選択は任意である。
例えば、「結晶−アモルファス１間の相変化を利用する
光記録媒体の場合、記録層を構成する記録材料のアモル
ファス相を記録状態に対応させその結晶相を消去状態に
対応させてもよく、その反対に、上記アモルファス相を
消去状態に対応させその結晶相を記録状態に対応させて
もよくその選択は任意である。
請求項１に係る発明によれば、
記録層の光照射面とは反対面側に、その記録本料よりそ
の融解温度が高い材料にて構成されたり冷補助層を設け
ているため、 「加熱徐冷処理」の際、記録層への集束光の用射が解か
れた後において上記徐冷補助層の凝固に伴う熱エネルギ
の放出により記録層の冷却速度杢抑制することが可能と
なり、 また、請求項２に係る発明によれば、 上記請求項１に係る光記録媒体を用いて光学かに情報の
記録又は消去を行う光学的記録方法に壜いて、 記録層へ集束光を照射してこの記録層を加熱急冷処理す
るための加熱設定温度が、上記徐冷補ル層を構成する材
料の融解温度以上に設定されているため、「加熱徐冷処
理」の際、上記徐冷補助層の融解並びに凝固作用により
記録層についてその冷却速度を小さくすることが可能と
なり、一方、上記記録層を加熱急冷処理するための加熱
設定温度か、記録材料の融解温度以上で徐冷補助層を構
成する材料の融解温度以下に設定されているため、「加
熱急冷処理」の際、上記徐冷補助層についてはその融解
も凝固も起こらないことから、記録層への集束光の照射
が解かれた後において上記記録層は自然冷却により急冷
され、上記徐冷補助層の存在にも拘らず記録層の「加熱
急冷処理」が可能となり、 更に、加熱徐冷処理と加熱急冷処理するための加熱設定
温度が共に記録材料の融解温度以上であり、各処理にお
いて高温加熱により一旦記録材料を溶融させた後に相変
化させているため、書換え前の履歴を完全に消去するこ
とが可能となる。
の融解温度が高い材料にて構成されたり冷補助層を設け
ているため、 「加熱徐冷処理」の際、記録層への集束光の用射が解か
れた後において上記徐冷補助層の凝固に伴う熱エネルギ
の放出により記録層の冷却速度杢抑制することが可能と
なり、 また、請求項２に係る発明によれば、 上記請求項１に係る光記録媒体を用いて光学かに情報の
記録又は消去を行う光学的記録方法に壜いて、 記録層へ集束光を照射してこの記録層を加熱急冷処理す
るための加熱設定温度が、上記徐冷補ル層を構成する材
料の融解温度以上に設定されているため、「加熱徐冷処
理」の際、上記徐冷補助層の融解並びに凝固作用により
記録層についてその冷却速度を小さくすることが可能と
なり、一方、上記記録層を加熱急冷処理するための加熱
設定温度か、記録材料の融解温度以上で徐冷補助層を構
成する材料の融解温度以下に設定されているため、「加
熱急冷処理」の際、上記徐冷補助層についてはその融解
も凝固も起こらないことから、記録層への集束光の照射
が解かれた後において上記記録層は自然冷却により急冷
され、上記徐冷補助層の存在にも拘らず記録層の「加熱
急冷処理」が可能となり、 更に、加熱徐冷処理と加熱急冷処理するための加熱設定
温度が共に記録材料の融解温度以上であり、各処理にお
いて高温加熱により一旦記録材料を溶融させた後に相変
化させているため、書換え前の履歴を完全に消去するこ
とが可能となる。
以下、請求項１〜２に係る発明を、ｒ結晶−アモルファ
ス１間の相変化を利用する光記録媒体とこの光記録媒体
を用いた記録方法に適用した実施例について図面を参照
して詳細に説明する。
ス１間の相変化を利用する光記録媒体とこの光記録媒体
を用いた記録方法に適用した実施例について図面を参照
して詳細に説明する。
この実施例に係る光記録媒体は、第１図に示すように表
面にプリグループ（１）が形成された厚さ１．２ｍｍの
アクリル製基板（２）と、この基板（２）上にスパッタ
リング法により着膜され基板（２）の熱的損傷を防止す
る厚さ１１００ｎのＳｉＯ２製無機誘電体層（３）と、
この無機誘電体層（３）上にＲＦマグネトロンスパッタ
リング法により着膜された厚さ５０ｎｍのＢｔｚＴｅｓ
（融解温度Ｔｆｆｉ２：５８５℃）製記録層（４）と
、この記録層（４）上にスパッタリング法により着膜さ
れた厚さ１０ｎｍの５ｉＯ７製拡散防止層（５）と、こ
の拡散防止層（５）上にスパッタリング法により着膜さ
れた厚さ５０ｎｎ＋のＳｂ（融解温度Ｔ、、 ： ６３
０℃）製徐冷補助層（６）と、この徐冷補助層（６）上
に形成された張り合わせ用の紫外線硬化樹脂層（７）と
、この紫外線硬化樹脂層（７）上に形成され上記記録層
（４）の熱的変形や機械的損傷を防止するアクリル製保
護板（８）とでその主要部が構成されているものである
。
面にプリグループ（１）が形成された厚さ１．２ｍｍの
アクリル製基板（２）と、この基板（２）上にスパッタ
リング法により着膜され基板（２）の熱的損傷を防止す
る厚さ１１００ｎのＳｉＯ２製無機誘電体層（３）と、
この無機誘電体層（３）上にＲＦマグネトロンスパッタ
リング法により着膜された厚さ５０ｎｍのＢｔｚＴｅｓ
（融解温度Ｔｆｆｉ２：５８５℃）製記録層（４）と
、この記録層（４）上にスパッタリング法により着膜さ
れた厚さ１０ｎｍの５ｉＯ７製拡散防止層（５）と、こ
の拡散防止層（５）上にスパッタリング法により着膜さ
れた厚さ５０ｎｎ＋のＳｂ（融解温度Ｔ、、 ： ６３
０℃）製徐冷補助層（６）と、この徐冷補助層（６）上
に形成された張り合わせ用の紫外線硬化樹脂層（７）と
、この紫外線硬化樹脂層（７）上に形成され上記記録層
（４）の熱的変形や機械的損傷を防止するアクリル製保
護板（８）とでその主要部が構成されているものである
。
尚、この光記録媒体における光吸収は可視光がら近赤外
光中にわたっており、少なくとも４００〜８６０ ｎｍ
の範囲で光記録媒体として使用可能であった。
光中にわたっており、少なくとも４００〜８６０ ｎｍ
の範囲で光記録媒体として使用可能であった。
そして、この光記録媒体の使用方法は、従来と同様に、
その記録材料のアモルファス相が記録状態に対応し、一
方、記録材料の結晶相が消去状態に対応している。
その記録材料のアモルファス相が記録状態に対応し、一
方、記録材料の結晶相が消去状態に対応している。
以下、この光記録媒体を用いた記録方法について説明す
ると、この方法においては「記録設定温度」が徐冷補助
層（６）の融解温度Ｔｆｆｉ、 （６３０℃）以下の６
００℃に、又、「消去設定温度」が上記徐冷補助層（６
）の融解温度Ｔ□、 （６３０’Ｃ）以上の６７０℃に
設定されている。
ると、この方法においては「記録設定温度」が徐冷補助
層（６）の融解温度Ｔｆｆｉ、 （６３０℃）以下の６
００℃に、又、「消去設定温度」が上記徐冷補助層（６
）の融解温度Ｔ□、 （６３０’Ｃ）以上の６７０℃に
設定されている。
すなわち、出力１４ｍＷのレーザビームを記録層（４）
へ照射して６００℃に加熱しかつ急冷することにより、
アモルファス状態又は結晶質状態にある記録層（４）を
アモルファス状態にして書き込みを行う一方、出力２０
ｍＷのレーザビームを照射して記録層（４）を６７０℃
に加熱しかつ徐冷することにより、結晶質状態又はアモ
ルファス状態にある記録層（４）を結晶質状態にして書
き込み情報の消去を行うようになっている。
へ照射して６００℃に加熱しかつ急冷することにより、
アモルファス状態又は結晶質状態にある記録層（４）を
アモルファス状態にして書き込みを行う一方、出力２０
ｍＷのレーザビームを照射して記録層（４）を６７０℃
に加熱しかつ徐冷することにより、結晶質状態又はアモ
ルファス状態にある記録層（４）を結晶質状態にして書
き込み情報の消去を行うようになっている。
この様に実施例に係る記録方法は、書き込み情報の消去
を行う際、上記レーザビームの照射が解かれた後におい
てｓｂで構成される徐冷補助層（６）の凝固に伴って４
．７Ｋｃａｌ／ｍｏｌ相当の熱エネルギか放出され、レ
ーザビームの照射が解かれた後においても記録層（４）
の冷却速度を小さくすることができるため、消去時にお
けるレーザビームの照射時間を短縮できる利点を有して
いる。
を行う際、上記レーザビームの照射が解かれた後におい
てｓｂで構成される徐冷補助層（６）の凝固に伴って４
．７Ｋｃａｌ／ｍｏｌ相当の熱エネルギか放出され、レ
ーザビームの照射が解かれた後においても記録層（４）
の冷却速度を小さくすることができるため、消去時にお
けるレーザビームの照射時間を短縮できる利点を有して
いる。
尚、第２図はこのことを示したもので、図中■の実線で
示された照射パワーのレーザビームを照射した場合、記
録層（４）の冷却速度が抑制されることが■の実線で示
された記録層（４）の熱履歴（特に、点ａの傾き）から
理解できる。
示された照射パワーのレーザビームを照射した場合、記
録層（４）の冷却速度が抑制されることが■の実線で示
された記録層（４）の熱履歴（特に、点ａの傾き）から
理解できる。
一方、上記記録層（４）へ出力１４ｍＷのレーザビーム
を照射して情報の書き込み（すなわち、情報の記録）を
行う際においては、その「記録設定温度」が上記徐冷補
助層（６）の融解温度（６３０℃）以下の６００℃に設
定されているため、徐冷補助層（６）を構成するｓｂは
この温度下において融解も凝固も起こらない。
を照射して情報の書き込み（すなわち、情報の記録）を
行う際においては、その「記録設定温度」が上記徐冷補
助層（６）の融解温度（６３０℃）以下の６００℃に設
定されているため、徐冷補助層（６）を構成するｓｂは
この温度下において融解も凝固も起こらない。
従って、レーザビームの照射が解かれた後において上記
記録層（４）は自然冷却により急冷されることとなるた
め、徐冷補助層（６）の存在にも拘らず記録層（４）の
「加熱急冷処理」に支障を来すことがない利点を有して
いる。
記録層（４）は自然冷却により急冷されることとなるた
め、徐冷補助層（６）の存在にも拘らず記録層（４）の
「加熱急冷処理」に支障を来すことがない利点を有して
いる。
第２図の一点鎖線はこのことを示したもので、図中■の
一点鎖線で示された照射パワーのレーザビームを照射し
た場合、記録層（４）の温度は急上昇した後急激に低下
することが■の一点鎖線で示された記録層（４）の熱履
歴（特に、点ａ“の傾き）から理解できる。
一点鎖線で示された照射パワーのレーザビームを照射し
た場合、記録層（４）の温度は急上昇した後急激に低下
することが■の一点鎖線で示された記録層（４）の熱履
歴（特に、点ａ“の傾き）から理解できる。
（比較例）
以下、上記実施例に係る光記録媒体とその記録方法の効
果を確認するための比較例について説明する。
果を確認するための比較例について説明する。
◎第一比較例
第３図に示すように、徐冷補助層（６）が記録層（４）
を構成するＢｉ２Ｔｅ＋の融解温度Ｔ、２（５８５℃）
より低い融解温度（２７１°Ｃ）を有するＢｉで構成さ
れている点を除き、実施例に係る光記録媒体と路間−で
ある。
を構成するＢｉ２Ｔｅ＋の融解温度Ｔ、２（５８５℃）
より低い融解温度（２７１°Ｃ）を有するＢｉで構成さ
れている点を除き、実施例に係る光記録媒体と路間−で
ある。
◎第二比較例
第４図に示すように、徐冷補助層が設けられていない点
を除き、実施例並びに第一比較例に係る光記録媒体と路
間−である。
を除き、実施例並びに第一比較例に係る光記録媒体と路
間−である。
（確認試験）
以下、上記実施例並びに比較例に係る光記録媒体を用い
た記録方法について、「記録・消去に要するレーザビー
ムの照射時間」、及び、「光記録媒体の内周・外周につ
いて記録信号の品質を示すＣ／Ｎ比」の確認試験を行っ
た。尚、これ等方法においては、各光記録媒体を１８０
０ ｒｐｍの速度で回転させ、７８０ ｎｍの半導体レ
ーザを用いて記録層を均一な組成からアモルファス相の
状態に初期化して実験が行われている。
た記録方法について、「記録・消去に要するレーザビー
ムの照射時間」、及び、「光記録媒体の内周・外周につ
いて記録信号の品質を示すＣ／Ｎ比」の確認試験を行っ
た。尚、これ等方法においては、各光記録媒体を１８０
０ ｒｐｍの速度で回転させ、７８０ ｎｍの半導体レ
ーザを用いて記録層を均一な組成からアモルファス相の
状態に初期化して実験が行われている。
「記録・消去に要する
レーザビームの照射時間」
実施例においては、上記したようにｓｂ製の徐冷補助層
が加熱徐冷処理の際に作用して記録層の冷却速度を抑制
する一方、加熱急冷処理の際には徐冷補助層が作用せず
記録材料のアモルファス化に支障を来すことがない。
が加熱徐冷処理の際に作用して記録層の冷却速度を抑制
する一方、加熱急冷処理の際には徐冷補助層が作用せず
記録材料のアモルファス化に支障を来すことがない。
従って、その記録・消去に要するレーザビームの照射時
間は１００ ｎｓ以下であり、大幅な記録消去速度の改
善が確認された。尚、消去特性についてもこの光記録媒
体は３０ｄＢ以上あり、実用的な値が得られている。
間は１００ ｎｓ以下であり、大幅な記録消去速度の改
善が確認された。尚、消去特性についてもこの光記録媒
体は３０ｄＢ以上あり、実用的な値が得られている。
一方、第一比較例においても、Ｂｉ製の徐冷補助層が加
熱徐冷処理の際に作用して記録層の冷却速度を抑制する
ため、消去時におけるレーザビームの照射時間は１２０
ｎｓ程度であり、実施例と同様の改善が認められた。
熱徐冷処理の際に作用して記録層の冷却速度を抑制する
ため、消去時におけるレーザビームの照射時間は１２０
ｎｓ程度であり、実施例と同様の改善が認められた。
これ等に対し、第二比較例においては上記徐冷補助層を
具備していないため、その記録・消去に要するレーザビ
ームの照射時間は２００ ｎｓ以上であリ、記録消去速
度が極めて遅かった。
具備していないため、その記録・消去に要するレーザビ
ームの照射時間は２００ ｎｓ以上であリ、記録消去速
度が極めて遅かった。
［光記録媒体の内周・外周について
記録信号の品質を示すＣ／Ｎ比」
上記実施例においては加熱急冷処理の際徐冷補助層が作
用せず、記録材料のアモルファス化に支障を来すことが
ないため、回転速度が遅くなる光記録媒体の内周部にお
いても急冷処理がなされ、内周・外周部位のＣ／Ｎ比は
５０ｄＢ以上あった。
用せず、記録材料のアモルファス化に支障を来すことが
ないため、回転速度が遅くなる光記録媒体の内周部にお
いても急冷処理がなされ、内周・外周部位のＣ／Ｎ比は
５０ｄＢ以上あった。
更に、加熱徐冷処理と加熱急冷処理をするための加熱設
定温度が共に記録材料の融解温度以上であり、各処理に
おいて高温加熱により一旦記録材料を溶融させた後に相
変化させているため、処理前の履歴を完全に消去できそ
の消去率が極めて高かった。
定温度が共に記録材料の融解温度以上であり、各処理に
おいて高温加熱により一旦記録材料を溶融させた後に相
変化させているため、処理前の履歴を完全に消去できそ
の消去率が極めて高かった。
これに対し、第一比較例においては加熱急冷処理の際に
も徐冷補助層が作用するため、記録材料のアモルファス
化に支障を来すこととなる。従って、比較的回転速度の
速い外周部位ではアモルファス化されてそのＣ／Ｎ比が
４６ｄＢを示すが、内周部位ではアモルファス化に支障
を来し、そのＣ／Ｎ比は４０ｄＢ程度まで下がった。
も徐冷補助層が作用するため、記録材料のアモルファス
化に支障を来すこととなる。従って、比較的回転速度の
速い外周部位ではアモルファス化されてそのＣ／Ｎ比が
４６ｄＢを示すが、内周部位ではアモルファス化に支障
を来し、そのＣ／Ｎ比は４０ｄＢ程度まで下がった。
尚、第二比較例においては、徐冷補助層を具備していな
いため加熱急冷処理に支障はなく、従って、実施例と同
様なＣ／Ｎ比が得られている。
いため加熱急冷処理に支障はなく、従って、実施例と同
様なＣ／Ｎ比が得られている。
請求項１に係る発明によれば、
記録層の光照射面とは反対面側に、その記録材料よりそ
の融解温度が高い材料にて構成された徐冷補助層を設け
ているため、 「加熱徐冷処理」の際、記録層への集束光の照射が解か
れた後において上記徐冷補助層の凝固に伴う熱エネルギ
の放出により記録層の冷却速度を抑制することが可能と
なり、 また、請求項２に係る発明によれば、 上記請求項１に係る光記録媒体を用いて光学的に情報の
記録又は消去を行う光学的記録方法において、 記録層へ集束光を照射してこの記録層を加熱徐冷処理す
るための加熱設定温度が、上記徐冷補助層を構成する材
料の融解温度以上に設定されているため、「加熱徐冷処
理」の際、上記徐冷補助層の融解並びに凝固作用により
記録層についてその冷却速度を小さくすることが可能と
なり、一方、上記記録層を加熱急冷処理するための加熱
設定温度が、記録材料の融解温度以上で徐冷補助層を構
成する材料の融解温度以下に設定されているため、「加
熱急冷処理」の際、上記徐冷補助層についてはその融解
も凝固も起こらないことから、記録層への集束光の照射
が解かれた後において上記記録層は自然冷却により急冷
され、上記徐冷補助層の存在にも拘らず記録層の「加熱
急冷処理」が可能となり、 更に、加熱徐冷処理と加熱急冷処理するための加熱設定
温度が共に記録材料の融解温度以上であり、各処理にお
いて高温加熱により一旦記録材料を溶融させた後に相変
化させているため、書換え前の履歴を完全に消去するこ
とが可能となる。
の融解温度が高い材料にて構成された徐冷補助層を設け
ているため、 「加熱徐冷処理」の際、記録層への集束光の照射が解か
れた後において上記徐冷補助層の凝固に伴う熱エネルギ
の放出により記録層の冷却速度を抑制することが可能と
なり、 また、請求項２に係る発明によれば、 上記請求項１に係る光記録媒体を用いて光学的に情報の
記録又は消去を行う光学的記録方法において、 記録層へ集束光を照射してこの記録層を加熱徐冷処理す
るための加熱設定温度が、上記徐冷補助層を構成する材
料の融解温度以上に設定されているため、「加熱徐冷処
理」の際、上記徐冷補助層の融解並びに凝固作用により
記録層についてその冷却速度を小さくすることが可能と
なり、一方、上記記録層を加熱急冷処理するための加熱
設定温度が、記録材料の融解温度以上で徐冷補助層を構
成する材料の融解温度以下に設定されているため、「加
熱急冷処理」の際、上記徐冷補助層についてはその融解
も凝固も起こらないことから、記録層への集束光の照射
が解かれた後において上記記録層は自然冷却により急冷
され、上記徐冷補助層の存在にも拘らず記録層の「加熱
急冷処理」が可能となり、 更に、加熱徐冷処理と加熱急冷処理するための加熱設定
温度が共に記録材料の融解温度以上であり、各処理にお
いて高温加熱により一旦記録材料を溶融させた後に相変
化させているため、書換え前の履歴を完全に消去するこ
とが可能となる。
従って、光記録媒体の回転速度を速めた場合においても
記録層の冷却速度を小さくできるため、書換え操作時間
の短縮化が図れ、しかも、消去率やＣ／Ｎ比等が向上す
る効果を有している。
記録層の冷却速度を小さくできるため、書換え操作時間
の短縮化が図れ、しかも、消去率やＣ／Ｎ比等が向上す
る効果を有している。
第１図は本発明の実施例に係る光記録媒体の断面図、第
２図はこの実施例に係る光記録媒体の記録層についてそ
の記録・消去時における熱履歴を示すグラフ図、第３図
〜第４図は第−比較例並びに第二比較例に係る光記録媒
体の断面図をそれぞれ示し、また、第５図は従来の光記
録媒体の構成を示す部分断面斜視図、第６図（Ａ）〜（
Ｂ）は「相変化型Ｊの光記録媒体における情報の記録と
消去原理説明図、第７図は従来の光記録媒体についてそ
の記録層の消去時における熱履歴を示すグラフ図である
。 〔符号説明〕 （２）・・・基板 （４）・・・記録層 （６）・・・徐冷補助層
２図はこの実施例に係る光記録媒体の記録層についてそ
の記録・消去時における熱履歴を示すグラフ図、第３図
〜第４図は第−比較例並びに第二比較例に係る光記録媒
体の断面図をそれぞれ示し、また、第５図は従来の光記
録媒体の構成を示す部分断面斜視図、第６図（Ａ）〜（
Ｂ）は「相変化型Ｊの光記録媒体における情報の記録と
消去原理説明図、第７図は従来の光記録媒体についてそ
の記録層の消去時における熱履歴を示すグラフ図である
。 〔符号説明〕 （２）・・・基板 （４）・・・記録層 （６）・・・徐冷補助層
Claims (2)
- （１）基板と、この基板の少なくとも一面に形成され相
変化型の記録材料により構成された記録層とを備え、こ
の記録層へ光源からの集束光を照射し加熱徐冷処理又は
加熱急冷処理を施して光学的に情報の記録又は消去を行
う光記録媒体において、上記記録層の光照射面とは反対
面側に、その記録材料よりその融解温度が高い材料にて
構成され記録又は消去時においてその凝固に伴う熱エネ
ルギの放出により上記記録層の冷却速度を抑制してその
加熱徐冷処理を補助する徐冷補助層を設けたことを特徴
とする光記録媒体。 - （２）特許請求の範囲第１項記載の光記録媒体を用いて
光学的に情報の記録又は消去を行う光学的記録方法にお
いて、 記録層へ集束光を照射してこの記録層を加熱徐冷処理す
るための加熱設定温度が、上記徐冷補助層を構成する材
料の融解温度以上に設定されていると共に、 上記記録層を加熱急冷処理するための加熱設定温度が、
記録材料の融解温度以上で徐冷補助層を構成する材料の
融解温度以下に設定されていることを特徴とする光学的
記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2044635A JPH03248340A (ja) | 1990-02-27 | 1990-02-27 | 光記録媒体とこれを用いた光学的記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2044635A JPH03248340A (ja) | 1990-02-27 | 1990-02-27 | 光記録媒体とこれを用いた光学的記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03248340A true JPH03248340A (ja) | 1991-11-06 |
Family
ID=12696891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2044635A Pending JPH03248340A (ja) | 1990-02-27 | 1990-02-27 | 光記録媒体とこれを用いた光学的記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03248340A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004531360A (ja) * | 2000-11-23 | 2004-10-14 | ユィロス・アクチボラグ | マイクロチャネルシステムでの制御された加熱を行う装置および方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01130343A (ja) * | 1987-11-16 | 1989-05-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光記録媒体 |
-
1990
- 1990-02-27 JP JP2044635A patent/JPH03248340A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01130343A (ja) * | 1987-11-16 | 1989-05-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光記録媒体 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004531360A (ja) * | 2000-11-23 | 2004-10-14 | ユィロス・アクチボラグ | マイクロチャネルシステムでの制御された加熱を行う装置および方法 |
| US7668443B2 (en) | 2000-11-23 | 2010-02-23 | Gyros Ab | Device and method for the controlled heating in micro channel systems |
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