JPH03247086A - 自己走査型イメージセンサーを用いた画像処理装置 - Google Patents
自己走査型イメージセンサーを用いた画像処理装置Info
- Publication number
- JPH03247086A JPH03247086A JP2401631A JP40163190A JPH03247086A JP H03247086 A JPH03247086 A JP H03247086A JP 2401631 A JP2401631 A JP 2401631A JP 40163190 A JP40163190 A JP 40163190A JP H03247086 A JPH03247086 A JP H03247086A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pulse
- circuit
- output
- image sensor
- charge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 47
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 36
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 34
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 241001342895 Chorus Species 0.000 description 1
- 101150114751 SEM1 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- HAORKNGNJCEJBX-UHFFFAOYSA-N cyprodinil Chemical compound N=1C(C)=CC(C2CC2)=NC=1NC1=CC=CC=C1 HAORKNGNJCEJBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Focusing (AREA)
- Automatic Focus Adjustment (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
[0001]
この発明は、電荷蓄積部及び電荷蓄積用の転送部を有す
る自己走査型イメージセンサ−の画像信号を処理する、
例えばカメラの焦点検出装置に有用な画像処理装置に関
する。 [0002]
る自己走査型イメージセンサ−の画像信号を処理する、
例えばカメラの焦点検出装置に有用な画像処理装置に関
する。 [0002]
従来上記のようなカメラの焦点検出装置としては、CC
D(Charge Coupled Device
)を自己走査型イメージセンサ−として用いたものが知
られており、CCDに積分クリアパルスと呼ばれる正パ
ルスが入力されるとCCDのイメージセンサ−アレイを
構成する各フォトダイオードは−1電源電圧レベルまで
充電され、次にその積分クリアパルスが消滅することに
よって放電(以下これを負の電荷の蓄積と考えて電荷蓄
積と呼ぶ)を開始する。この後、シフトパルスと呼ばれ
る正パルスをCCDに入力させると、積分クリアパルス
の消滅からシフトパルスの入力までの間に各フォトダイ
オードに蓄積された電荷がCCDシフトレジスタの対応
するセルに転送され、転送りロックパルスが二〇〇CD
シフトレジスタに入力される毎にそこから順次蓄積電荷
が画像信号出力回路に転送される。この画像信号出力回
路はCCDシフトレジスタから転送される蓄積電荷を順
次電圧信号として出力し、次々に出力されるその電圧信
号がイメージセンサ−アレイ上における光強度分布、す
なわちその上に形成されている像の強度分布を示すこと
になる。この画像信号出力回路が出力する電圧信号はA
/D変換器によってディジタル信号に変換された後、所
定のプログラムにしたがって例えばマイクロコンピュー
タで処理演算され、その結果撮影レンズの焦点調節状態
が判定される。 [0003]
D(Charge Coupled Device
)を自己走査型イメージセンサ−として用いたものが知
られており、CCDに積分クリアパルスと呼ばれる正パ
ルスが入力されるとCCDのイメージセンサ−アレイを
構成する各フォトダイオードは−1電源電圧レベルまで
充電され、次にその積分クリアパルスが消滅することに
よって放電(以下これを負の電荷の蓄積と考えて電荷蓄
積と呼ぶ)を開始する。この後、シフトパルスと呼ばれ
る正パルスをCCDに入力させると、積分クリアパルス
の消滅からシフトパルスの入力までの間に各フォトダイ
オードに蓄積された電荷がCCDシフトレジスタの対応
するセルに転送され、転送りロックパルスが二〇〇CD
シフトレジスタに入力される毎にそこから順次蓄積電荷
が画像信号出力回路に転送される。この画像信号出力回
路はCCDシフトレジスタから転送される蓄積電荷を順
次電圧信号として出力し、次々に出力されるその電圧信
号がイメージセンサ−アレイ上における光強度分布、す
なわちその上に形成されている像の強度分布を示すこと
になる。この画像信号出力回路が出力する電圧信号はA
/D変換器によってディジタル信号に変換された後、所
定のプログラムにしたがって例えばマイクロコンピュー
タで処理演算され、その結果撮影レンズの焦点調節状態
が判定される。 [0003]
ところで、従来各フォトダイオードの電荷蓄積は、先の
焦点検出動作の終了後つまり上述のマイクロコンピュー
タによる信号の処理演算の終了後に開始されるように構
成するのが普通であった。すなわち、その処理演算が終
了した時点で次の積分クリアパルスを発生させていた。 ところが、各フォトダイオードの電荷蓄積速度は被写体
輝度によって変化し、被写体輝度が低くなると、比較的
長時間電荷蓄積を継続させる必要があり、被写体輝度に
応じてシフトパルスの発生のタイミングを制御する。こ
のため、被写体輝度が低い場合、電荷蓄積時間が長くな
って一回の焦点検出動作に要する時間も長くなり、一定
時間内に行い得る焦点検出動作の回数が少なくなること
になる。 [0004] 今、連続的に焦点検出を行い、各回の焦点検出結果にも
とづいて撮影レンズを駆動してその焦点調節を行う場合
、一定時間内に行われる焦点検出動作の回数が多い程短
時間で撮影レンズを合焦させることができるから、この
ように先の焦点検出動作が終了した時点で各フォトダイ
オードに電荷蓄積を開始させていたのでは、被写体輝度
が低いときには撮影レンズが合焦するまでに時間ががが
り、撮影チャンスを逸することになる。 [0005] この発明は、電荷蓄積時間が長い場合でも、−回の画像
処理に要する時間が比較的短くて済む画像処理装置を提
供することを目的としている。 [0006]
焦点検出動作の終了後つまり上述のマイクロコンピュー
タによる信号の処理演算の終了後に開始されるように構
成するのが普通であった。すなわち、その処理演算が終
了した時点で次の積分クリアパルスを発生させていた。 ところが、各フォトダイオードの電荷蓄積速度は被写体
輝度によって変化し、被写体輝度が低くなると、比較的
長時間電荷蓄積を継続させる必要があり、被写体輝度に
応じてシフトパルスの発生のタイミングを制御する。こ
のため、被写体輝度が低い場合、電荷蓄積時間が長くな
って一回の焦点検出動作に要する時間も長くなり、一定
時間内に行い得る焦点検出動作の回数が少なくなること
になる。 [0004] 今、連続的に焦点検出を行い、各回の焦点検出結果にも
とづいて撮影レンズを駆動してその焦点調節を行う場合
、一定時間内に行われる焦点検出動作の回数が多い程短
時間で撮影レンズを合焦させることができるから、この
ように先の焦点検出動作が終了した時点で各フォトダイ
オードに電荷蓄積を開始させていたのでは、被写体輝度
が低いときには撮影レンズが合焦するまでに時間ががが
り、撮影チャンスを逸することになる。 [0005] この発明は、電荷蓄積時間が長い場合でも、−回の画像
処理に要する時間が比較的短くて済む画像処理装置を提
供することを目的としている。 [0006]
この発明の画像処理装置は、シフトパルスの発生に応答
して電荷蓄積動作開始信号出力手段の動作を再開させる
制御手段を備えたことを特徴とする。 [0007]
して電荷蓄積動作開始信号出力手段の動作を再開させる
制御手段を備えたことを特徴とする。 [0007]
シフトパルス発生によりイメージセンサ−の転送部に転
送された蓄積電荷が、転送りロックパルスにより順次画
像信号出力回路へされると、はぼ同時に制御手段の作動
によりイメージセンサ−の電荷蓄積部は新たな電荷蓄積
を開始する。 [0008]
送された蓄積電荷が、転送りロックパルスにより順次画
像信号出力回路へされると、はぼ同時に制御手段の作動
によりイメージセンサ−の電荷蓄積部は新たな電荷蓄積
を開始する。 [0008]
次にこの発明の一実施例を図1乃至図11を参照して説
明する。 [0009] まず、この実施例の全体回路を示す図1において、(1
)は、後述するように例えばCCDのような自己走査型
イメージセンサ−と、画像信号出力回路、輝度モニター
用受光素子、輝度モニター回路、及び基準信号発生回路
とを備えた光電変換ブロックである。(10)は転送ブ
ロックパルス発生ブロック、 (20)は光電変換ブロ
ック(1)からの信号にもとづいて撮影レンズの焦点調
節状態判定の基礎となるディジタル信号を形成する回路
ブロックである。(30)は回路ブロック(20)から
のディジタル信号にもとづいて撮影レンズの焦点調節状
態を判別する一方、各回路ブロックの制御動作を行うマ
イクロコンピュータである[0010] 又、(40)は光電変換ブロック(1)内の輝度モニタ
ー回路の出力にもとづいて、回路ブロック(20)内の
増幅器の増幅率制御を行う一方、光電変換ブロック(1
)内の自己走査型イメージセンサ−の電荷蓄積時間(光
電流積分時間)を制御する輝度判断回路である。(AN
)(AN2)はオア回路(OR)と共11 にゲート手段を構成するアンド回路、(DFl)は後述
のフリップフロップ(FFo)(FF1)乃至(FF6
)をリセットするリセットパルスを発生するDフルツブ
フロップ、 (DF2)はイメージセンサ−内において
電荷蓄積部に蓄積された電荷を転送する転送するシフト
パルスを発生するDフリップフロップである。 (CLl)は基準クロックパルスを発生するクロック回
路、 (FFo)はR−Sフロップフロップである。 [0011] 図2は上述の光電変換ブロック(1)を示したもので、
フォトダイオード列(Pl)(R2)(R3)・・・(
Pn−2)(Pn−1)(Pn)から成るイメージセン
サ−アレイ(PA) 積分クリアゲート(ICG)、
シフトゲート(SG) CCDシフトレジスタ(SR
)により上述の自己走査型イメージセンサ−が構成され
ている。ここで、転送部であるCCDシフトレジスタ(
SR)のセル数は電荷蓄積部であるイメージセンサ−ア
レイ(PA)のフォトダイオード数(画素数)よりも3
個多く、セル(R1)(R2)(R3)は後述の空送り
用であり、イメージセンサ−アレイ(PA)の各フォト
ダイオード(Pl)(R2)(R3)・・・(Pn−2
)(Pn−1)(Pn)の蓄積電荷はセル(R4)(R
5)(R6)・・・(Rn+1)(Rn+2)(Rn+
3)に転送される。 [0012] 各フォトダイオードは、図3に示したように、電源(十
■)に対して積分クリアゲート(ICG)に相当するス
イッチ(S)を介して互いに並列接続された一対のダイ
オード(Dl)(D2)とFET(Qlo)から成り、
一方のダイオード(Dl)が光を受けるように設置され
ている。FET(Qlo)はダイオード(Dl)の両端
の電圧を略一定に保ち、ダイオード(Dl)の容量分を
無視できるように設けたもので、そのゲートは接地され
ている。今、スイッチ(S)が閉じるとダイオード(D
2)のアノード、カソード間に電荷が蓄積され、そのカ
ソード電圧は電源電圧に等しくなる。そして、次にスイ
ッチ(S)が開かれると、ダイオード(D2)はダイオ
ード(Dl)の光電流によってFET(Dlo)を介し
て放電しそのカソード電圧は時間の経過と共に降下する
。すなわち、これはダイオード(D )に入射する光の
強度に応じた速度でダイオード(D2)のアノードに負
の1 電荷が蓄積されると考えてよく、したがって、各フォト
ダイオードは入射光強度に応じた速度で、電荷の蓄積を
行うものとして説明する。 [0013] 上記スイッチ(S)は実際には積分クリアゲート(IC
G)に入力される積分クリアパルスによって導通し、そ
のパルスが消滅すると不導通となる半導体アナログスイ
ッチで構成される。シフトゲート(SG)はフォトダイ
オード(Pl)(P)(P)−・・(Pn−2)(Pn
−1)(Pn)の蓄積電荷を後述のシフトパルス3 を受けてCCDシフトレジスタ(SR)のセル(R)
(R) (R6)・・・(Rn+15 )(R)(R)に並列的に転送する。フォトダイオード
(P ) (P2) (n+2 n+
3
1P)・・・(P
n−2)(Pn−1)(Pn)の電荷蓄積はシフトパル
スのシフトゲート(SG)への入力によって終了する。 又、CCDシフトレジスタ(SR)は後述の転送りロッ
クパルス(φ1)(φ2)が入力される前に、転送りロ
ックパルス(φ1)の立下りで1セル分の蓄積電荷を順
次後述の画像信号出力回路へ出力する。 なお、イメージセンサ−アレイ(PA)の一端から数え
て所定個(10個)のフォトダイオード(P ) (
P )・・・(Plo)はアルミニウム膜で覆われてお
り、後2 述のように暗出力補正用として用いられる。図2の(T
8)(T9)は上述のイメージセンサ−回路(MC)(
R8)(■S)に電源(十v)を供給スルタメノ電源端
子である。 [0014] ところで、イメージセンサ−アレイ(PA)をカメラに
おいてどのような位置に配置するかは、焦点検出方式に
よって異なる。図4は、この発明を適用可能な焦点検出
光学系の一例を示しており、(TL)は撮影レンズ、(
CL)はコンデンサーレンズ、 (Ll)(R2)は撮
影レンズ(TL)の主光軸(1)に関して対称に配置さ
れた一対の再結像レンズ、(M)はマスク、(F)はカ
メラのフィルム面と等価な撮影レンズ(TL)の予定結
像面である。 [0015] この光学系によれば、撮影レンズ(TL)により所定結
像面(F)上乃至はその前後に被写体像が結像されると
、再結像レンズ(Ll)(R2)がその被写体像をイメ
ージセンサ−アレイ(PA)上に第1、第2像として再
形成するカミイメージセンサ−アレイ(PA)上でのそ
の第1、第2像の間隔は撮影レンズ(TL)の焦点調節
状態、すなわちそれによって形成される被写体像の予定
結像面(F)に対するずれ状態によって変化する。した
がって、イメージセンサ−アレイ(PA)の各画素の出
力にもとづいて第1、第2像の間隔を検出すれば撮影レ
ンズ(TL)の焦点調節状態を示すデフォーカス量及び
デフォーカス方式を判定できるが、それに必要な出力処
理方法については後述する。なお、図4において、イメ
ージセンサ−アレイ(PA)は、コンデンサーレンズ(
CL)及び一対の再結像レンズ(Ll)(L2)に関し
て予定結像面(F)と共役な位置乃至はその近傍に配置
される。 [0016] 再び図2において、(MP)は輝度モニター用の受光素
子であるフォトダイオード、(MC)は輝度モニター回
路、(R3)は基準信号発生回路、(V S )は画像
信号出力回路である。輝度モニター回路(M C)はF
ET(Ql)(O2)(Q)とコンデンサー(C)から
成る。FET (Ql)はそのゲートが上記イメ1 −ジセンサーの積分クリアゲート(ICG)に接続され
ており、その積分クリアゲート(ICG)を通過した積
分クリアパルスによって導通し、これによりコンデンサ
ー(C)が電源電圧(十V)のレベルまで充電される。 FET (Ql)とコンデンサ(C)の接続点(Jl)
はFET(O12)を介してフォトダイオード(MP)
のアノードに接続される一方、FET(O2)のゲート
に接続されている。FET(O12)はゲートが接地さ
れており、フォトダイオード(MP)の両端の電圧を略
一定に保ち、その容量分の影響を無視することができる
ように設けられている。FET(O2)(O3)は電源
に対して互いに直列接続され、出力インピーダンスが低
く、入力インピーダンスの高いバッファを構成しており
、FET (Q )はソースフォロアーで用いられてい
るため、FET(O2)(O3)の接続点から引き出さ
れた出力端子(T1)からは、接続点(Jl)の電位に
対応した電圧(Vm)が出力される。上記積分クリアパ
ルスが消滅するとFET (Ql)は不導通となり、コ
ンデンサ(C1)はフォトダイオード(MP)の光電流
によって放電され、それに応じて端子(T1)の出力電
圧が降下する。図5はこの[0017] Vref) として用いることができる。 [0018] 続されている。 [0019] てコンデンサ(C3)は電源電圧(十■)のレベルまで
充電され、画像信号出力回路(VS)がリセットされる
が、その各転送パルス(≠1)により転送されるCCD
シフトレジスタ(SR)の蓄積電荷に応じて繰り返して
放電する。結局、低出力インピーダンス高入力インピー
ダンスのバッファを構成しているFET (Q)と(Q
)の接続点から引出された出力端子(T3)からは、
イメージセン9 サーの画素である各フォトダイオードの蓄積電荷に対応
した出力が順次電圧信号(Vos)として出力され、そ
れらが全体で画像信号を形成する。 [0020] ナオ、上述の回路(MC)(R8)(vS)における(
C)(C)(C3)2 は説明の便宜上コンデンサであるとして説明したが、ダ
イオードのPN接合に置換えることができ、これらの回
路を集積化する場合には、夫々ダイオードとして作成す
る。又、モニター用受光素子であるフォトダイオード(
MP)はイメージセンサ−アレイ(PA)の近傍に撮影
レンズを通過した光の一部を受光するように配置される
。 [0021] 次に図1を再び参照して、転送りロックパルス(φ)(
≠2)を発生する転送クロックパルス発生ブロック(1
0)の回路構成の例を説明する。(FF1)(FF2)
・・・(FF6)は分周回路を形成するフリップフロッ
プ回路であり、初段のフリップフロップ(FF1)のT
入力にはクロック回路(CLl)からのクロックパルス
(周期2μ秒)が入力される。フリップフロップ(FF
3)(FF4)(FF)(FF6)のQ出力はオア回路
(OR2)にて夫々人力されており、その第子回路(O
R)の出力はアンド回路(AN4)の一方の入力に入力
される。アンド回路(AN4)のもう一方の入力はイン
バータ(INl)を介してマイクロコンピュータ(30
)の端子(T )に接続されていて、端子(T22)
が0′°の信2 号を出力するとき、このアンド回路(AN )からはオ
ア回路(OR2)の′1′。 の信号が出力される。一方、アンド回路(AN5)は一
方の入力がクロック回路(CL)に接続され、他方の入
力が上述の端子(T22)に接続されており、しま たがって上述の端子(T22)が” 1 ”の信号を出
力するとき、クロック回路(CL2)からのクロックパ
ルスを出力する。ここで、クロック回路(CL2)から
出力されるクロックパルスの周期はクロック回路(CL
l)から出力されるクロックパルスを分周したフリップ
フロップFF6の出力(Q6)の周期よりも数十倍短く
設定されている。オア回路(○R3)は、アンド回路(
AN4)(AN5)のいずれかの出力信号が′1″のと
き“1′°の信号を転送りロックパルス(φ2)として
光電変換ブロック(1)内のCCDシフトレジスタ(S
R)へ出力する。 又、オア回路(OR3)にはインバータ(1N2)が接
続されていて、このインバータ(1N2)は(φ2)と
は逆位相の信号を転送りロックパルス(φ1)として光
電変換ブロック(1)内のCCDシフトレジスタ(SR
)及び画像信号出力回路(VS)へ出力する(図2参照
)。なお、マイクロコンピュータ(30)の端子(T2
2)からのII I Hの信号はイニシャライズ作動を
イメージセンサ−に行わせるための信号である。 [0022] 図6は輝度判定回路(40)及び回路ブロック(20)
の−例を示している。 この図で(Tlo)(T11)(T12)は夫々図2に
端子(T1)(T2)(T3)に接続される端子であり
、端子(T13)(T15)(T16)には後述のよう
に夫々マイクロコンピュータ(30)からデータバス(
DBl)を介してラッチパルス、サンプル指定パルス、
サンプル指定リセットパルスが入力される。又、端子(
T14)は図1のアンド回路(AN2)の1つの入力に
接続されている。 [0023] まず、輝度判定回路(40)から説明すると、この回路
は上述の輝度モニター回路(M C)の出力電圧(V
m )の積分クリアパルス消滅後の降下の程度を段階的
に判別するための比較器(ACl)(AC2)(AC3
)(AC4)を備えている。これらの比較器の反転入力
はバッファ(B1)を介して端子(Tlo)に夫夫接続
されている。一方、これらの比較器(AC)(AC2)
(AC3)(AC4)の非反転入力は、抵抗(R1)と
定電流源(T1)の接続点(J4) 抵抗(R2)と
定電流源(T2)の接続点(J5) 抵抗(R3)と
定電流(T3)の接続点(J6) 抵抗(R4)と定電
流源(T4)の接続点(J7)に夫々接続されており、
抵抗(R)(R2)(R3)(R4)はバッファ(B2
)を介して端子(TH)に接続かれている。 [0024] このような回路接続であれば、接続点(J4)(J5)
(J6)(J7)には端子(TH)に印加される上述の
基準電圧発生回路(R3)の電圧(Vref)から夫々
抵抗(R1)(R2)(R3)(R4)での電圧降下を
差引いた電圧が発生しており、対抗(R1)(R2)(
R3)(R4)の抵抗値及び定電流源(T1)(T2)
(T3)(T4)の電流値を選ぶことによって、端子(
Tlo)に入力される上述の輝度モニター回路(M C
)の出力電圧(Vm)の電圧降下程度に応じて、比較器
(AC)(AC2)(AC3)(AC4)の出力が順次
“0″から“1″に反転すす る。(DF3)(DF4)(DF5)は夫々D入力が比
較器(ACl)(AC2)(AC3)の出力に接続され
たDフリップフロップであり、これらのCP大入力は図
1のマイクロコンピュータ(30)からのラッチパルス
が端子(T13)を介して積分クリアパルスの立下りか
ら所定時間(100m秒)後にあるいはその所定時間が
経過する前の時点でシフトパルスが発生する場合にはそ
れに同期して入力される。そして、そのラッチパルスが
入力されると、Dフリップフロップ(DF3)(DF)
(DF5)は、直前の比較器(ACl)(AC2)(A
C3)の出力を夫々Q出力に出力し、反転Q出力からは
反転出力を出力する。 [0025] (AN6)は一方の入力がDフリップフロップ(DF3
)のQ出力に、もう一方の人力がDフリップフロップ(
DF4)のQ出力に接続されたアンド回路、 (AN7
)は一方の入力がDフリップフロップ(DF4)反転Q
の出力に、もう一方の入力がDフリップフロップ(DF
5)の反転Q出力に接続されたアンド回路であり、アン
ド回路(AN6)(AN7)(7)出力(b)(c)
Dフリップフロップ(DF3)の反転Q出力(a )
(D F s) (7) Q出力(d) さらに
比較器(AC4)の出力(e)が輝度判定回路(40)
の出力となる。すなわち、それらの出力がモニター用受
光素子(PM)で検出した輝度レベルを示す信号となる
。 [0026] これを図5を参照してさらに詳しく説明すると、図5で
(11)(12)(13) (14)は積分クリアパ
ルス消滅時点(to)から上述の所定の時間(100m
秒)経過時点(t3)までに生じる電圧降下が夫々0.
35V未満の場合、O935vから0.7v未満ノth
合、087■から1.4v未満ノ場合、1.4vから2
.8v未満の場合の輝度モニター回路(M C)の出力
電圧変化を示しており又、(1)は積分クリアパルス消
滅時点(to)から上述の所定時間(100m秒)経過
前の時点(t2)で2.8■の電圧降下が生じる場合の
同モニター回路(M C)の出力電圧変化を示している
。(11)(12)(13)(14)(15)のいずれ
の電圧降下となるかは上述のようにモニター用受光素子
(DM)の光電流の大きさに依存しており、輝度モニタ
ー回路(MC)の出力電圧変化が(1)(l )(13
)(14)のようになる場合は低輝度の場合、(15)
のように2 なる場合は高輝度の場合である。 [0027] 今、端子(J4)(J5)(J6)(J7)の電圧が夫
々端子(TH)に人力される基準電圧発生回路(R5)
の出力電圧(Vref)よりも、夫々0.35V、0.
7v、1.4v、2.8v低くナルヨうに、上述の抵抗
(R) (R2) (R3)(R4)の抵抗値及び
定電流源(■1)(■2)(■3)(■4)の電流値を
設定すると、ラッチパルス発生後における(11)(1
2)(13)(14)(15)に対応したDフリップフ
ロップ(DF3)(DF4)(DF5)のQ出力、反転
Q出力、及び輝度モニター回路(MC)(7)出力(a
)(b)(C)(d)(e)は次の表1に示す通りとな
る。 [0028]
明する。 [0009] まず、この実施例の全体回路を示す図1において、(1
)は、後述するように例えばCCDのような自己走査型
イメージセンサ−と、画像信号出力回路、輝度モニター
用受光素子、輝度モニター回路、及び基準信号発生回路
とを備えた光電変換ブロックである。(10)は転送ブ
ロックパルス発生ブロック、 (20)は光電変換ブロ
ック(1)からの信号にもとづいて撮影レンズの焦点調
節状態判定の基礎となるディジタル信号を形成する回路
ブロックである。(30)は回路ブロック(20)から
のディジタル信号にもとづいて撮影レンズの焦点調節状
態を判別する一方、各回路ブロックの制御動作を行うマ
イクロコンピュータである[0010] 又、(40)は光電変換ブロック(1)内の輝度モニタ
ー回路の出力にもとづいて、回路ブロック(20)内の
増幅器の増幅率制御を行う一方、光電変換ブロック(1
)内の自己走査型イメージセンサ−の電荷蓄積時間(光
電流積分時間)を制御する輝度判断回路である。(AN
)(AN2)はオア回路(OR)と共11 にゲート手段を構成するアンド回路、(DFl)は後述
のフリップフロップ(FFo)(FF1)乃至(FF6
)をリセットするリセットパルスを発生するDフルツブ
フロップ、 (DF2)はイメージセンサ−内において
電荷蓄積部に蓄積された電荷を転送する転送するシフト
パルスを発生するDフリップフロップである。 (CLl)は基準クロックパルスを発生するクロック回
路、 (FFo)はR−Sフロップフロップである。 [0011] 図2は上述の光電変換ブロック(1)を示したもので、
フォトダイオード列(Pl)(R2)(R3)・・・(
Pn−2)(Pn−1)(Pn)から成るイメージセン
サ−アレイ(PA) 積分クリアゲート(ICG)、
シフトゲート(SG) CCDシフトレジスタ(SR
)により上述の自己走査型イメージセンサ−が構成され
ている。ここで、転送部であるCCDシフトレジスタ(
SR)のセル数は電荷蓄積部であるイメージセンサ−ア
レイ(PA)のフォトダイオード数(画素数)よりも3
個多く、セル(R1)(R2)(R3)は後述の空送り
用であり、イメージセンサ−アレイ(PA)の各フォト
ダイオード(Pl)(R2)(R3)・・・(Pn−2
)(Pn−1)(Pn)の蓄積電荷はセル(R4)(R
5)(R6)・・・(Rn+1)(Rn+2)(Rn+
3)に転送される。 [0012] 各フォトダイオードは、図3に示したように、電源(十
■)に対して積分クリアゲート(ICG)に相当するス
イッチ(S)を介して互いに並列接続された一対のダイ
オード(Dl)(D2)とFET(Qlo)から成り、
一方のダイオード(Dl)が光を受けるように設置され
ている。FET(Qlo)はダイオード(Dl)の両端
の電圧を略一定に保ち、ダイオード(Dl)の容量分を
無視できるように設けたもので、そのゲートは接地され
ている。今、スイッチ(S)が閉じるとダイオード(D
2)のアノード、カソード間に電荷が蓄積され、そのカ
ソード電圧は電源電圧に等しくなる。そして、次にスイ
ッチ(S)が開かれると、ダイオード(D2)はダイオ
ード(Dl)の光電流によってFET(Dlo)を介し
て放電しそのカソード電圧は時間の経過と共に降下する
。すなわち、これはダイオード(D )に入射する光の
強度に応じた速度でダイオード(D2)のアノードに負
の1 電荷が蓄積されると考えてよく、したがって、各フォト
ダイオードは入射光強度に応じた速度で、電荷の蓄積を
行うものとして説明する。 [0013] 上記スイッチ(S)は実際には積分クリアゲート(IC
G)に入力される積分クリアパルスによって導通し、そ
のパルスが消滅すると不導通となる半導体アナログスイ
ッチで構成される。シフトゲート(SG)はフォトダイ
オード(Pl)(P)(P)−・・(Pn−2)(Pn
−1)(Pn)の蓄積電荷を後述のシフトパルス3 を受けてCCDシフトレジスタ(SR)のセル(R)
(R) (R6)・・・(Rn+15 )(R)(R)に並列的に転送する。フォトダイオード
(P ) (P2) (n+2 n+
3
1P)・・・(P
n−2)(Pn−1)(Pn)の電荷蓄積はシフトパル
スのシフトゲート(SG)への入力によって終了する。 又、CCDシフトレジスタ(SR)は後述の転送りロッ
クパルス(φ1)(φ2)が入力される前に、転送りロ
ックパルス(φ1)の立下りで1セル分の蓄積電荷を順
次後述の画像信号出力回路へ出力する。 なお、イメージセンサ−アレイ(PA)の一端から数え
て所定個(10個)のフォトダイオード(P ) (
P )・・・(Plo)はアルミニウム膜で覆われてお
り、後2 述のように暗出力補正用として用いられる。図2の(T
8)(T9)は上述のイメージセンサ−回路(MC)(
R8)(■S)に電源(十v)を供給スルタメノ電源端
子である。 [0014] ところで、イメージセンサ−アレイ(PA)をカメラに
おいてどのような位置に配置するかは、焦点検出方式に
よって異なる。図4は、この発明を適用可能な焦点検出
光学系の一例を示しており、(TL)は撮影レンズ、(
CL)はコンデンサーレンズ、 (Ll)(R2)は撮
影レンズ(TL)の主光軸(1)に関して対称に配置さ
れた一対の再結像レンズ、(M)はマスク、(F)はカ
メラのフィルム面と等価な撮影レンズ(TL)の予定結
像面である。 [0015] この光学系によれば、撮影レンズ(TL)により所定結
像面(F)上乃至はその前後に被写体像が結像されると
、再結像レンズ(Ll)(R2)がその被写体像をイメ
ージセンサ−アレイ(PA)上に第1、第2像として再
形成するカミイメージセンサ−アレイ(PA)上でのそ
の第1、第2像の間隔は撮影レンズ(TL)の焦点調節
状態、すなわちそれによって形成される被写体像の予定
結像面(F)に対するずれ状態によって変化する。した
がって、イメージセンサ−アレイ(PA)の各画素の出
力にもとづいて第1、第2像の間隔を検出すれば撮影レ
ンズ(TL)の焦点調節状態を示すデフォーカス量及び
デフォーカス方式を判定できるが、それに必要な出力処
理方法については後述する。なお、図4において、イメ
ージセンサ−アレイ(PA)は、コンデンサーレンズ(
CL)及び一対の再結像レンズ(Ll)(L2)に関し
て予定結像面(F)と共役な位置乃至はその近傍に配置
される。 [0016] 再び図2において、(MP)は輝度モニター用の受光素
子であるフォトダイオード、(MC)は輝度モニター回
路、(R3)は基準信号発生回路、(V S )は画像
信号出力回路である。輝度モニター回路(M C)はF
ET(Ql)(O2)(Q)とコンデンサー(C)から
成る。FET (Ql)はそのゲートが上記イメ1 −ジセンサーの積分クリアゲート(ICG)に接続され
ており、その積分クリアゲート(ICG)を通過した積
分クリアパルスによって導通し、これによりコンデンサ
ー(C)が電源電圧(十V)のレベルまで充電される。 FET (Ql)とコンデンサ(C)の接続点(Jl)
はFET(O12)を介してフォトダイオード(MP)
のアノードに接続される一方、FET(O2)のゲート
に接続されている。FET(O12)はゲートが接地さ
れており、フォトダイオード(MP)の両端の電圧を略
一定に保ち、その容量分の影響を無視することができる
ように設けられている。FET(O2)(O3)は電源
に対して互いに直列接続され、出力インピーダンスが低
く、入力インピーダンスの高いバッファを構成しており
、FET (Q )はソースフォロアーで用いられてい
るため、FET(O2)(O3)の接続点から引き出さ
れた出力端子(T1)からは、接続点(Jl)の電位に
対応した電圧(Vm)が出力される。上記積分クリアパ
ルスが消滅するとFET (Ql)は不導通となり、コ
ンデンサ(C1)はフォトダイオード(MP)の光電流
によって放電され、それに応じて端子(T1)の出力電
圧が降下する。図5はこの[0017] Vref) として用いることができる。 [0018] 続されている。 [0019] てコンデンサ(C3)は電源電圧(十■)のレベルまで
充電され、画像信号出力回路(VS)がリセットされる
が、その各転送パルス(≠1)により転送されるCCD
シフトレジスタ(SR)の蓄積電荷に応じて繰り返して
放電する。結局、低出力インピーダンス高入力インピー
ダンスのバッファを構成しているFET (Q)と(Q
)の接続点から引出された出力端子(T3)からは、
イメージセン9 サーの画素である各フォトダイオードの蓄積電荷に対応
した出力が順次電圧信号(Vos)として出力され、そ
れらが全体で画像信号を形成する。 [0020] ナオ、上述の回路(MC)(R8)(vS)における(
C)(C)(C3)2 は説明の便宜上コンデンサであるとして説明したが、ダ
イオードのPN接合に置換えることができ、これらの回
路を集積化する場合には、夫々ダイオードとして作成す
る。又、モニター用受光素子であるフォトダイオード(
MP)はイメージセンサ−アレイ(PA)の近傍に撮影
レンズを通過した光の一部を受光するように配置される
。 [0021] 次に図1を再び参照して、転送りロックパルス(φ)(
≠2)を発生する転送クロックパルス発生ブロック(1
0)の回路構成の例を説明する。(FF1)(FF2)
・・・(FF6)は分周回路を形成するフリップフロッ
プ回路であり、初段のフリップフロップ(FF1)のT
入力にはクロック回路(CLl)からのクロックパルス
(周期2μ秒)が入力される。フリップフロップ(FF
3)(FF4)(FF)(FF6)のQ出力はオア回路
(OR2)にて夫々人力されており、その第子回路(O
R)の出力はアンド回路(AN4)の一方の入力に入力
される。アンド回路(AN4)のもう一方の入力はイン
バータ(INl)を介してマイクロコンピュータ(30
)の端子(T )に接続されていて、端子(T22)
が0′°の信2 号を出力するとき、このアンド回路(AN )からはオ
ア回路(OR2)の′1′。 の信号が出力される。一方、アンド回路(AN5)は一
方の入力がクロック回路(CL)に接続され、他方の入
力が上述の端子(T22)に接続されており、しま たがって上述の端子(T22)が” 1 ”の信号を出
力するとき、クロック回路(CL2)からのクロックパ
ルスを出力する。ここで、クロック回路(CL2)から
出力されるクロックパルスの周期はクロック回路(CL
l)から出力されるクロックパルスを分周したフリップ
フロップFF6の出力(Q6)の周期よりも数十倍短く
設定されている。オア回路(○R3)は、アンド回路(
AN4)(AN5)のいずれかの出力信号が′1″のと
き“1′°の信号を転送りロックパルス(φ2)として
光電変換ブロック(1)内のCCDシフトレジスタ(S
R)へ出力する。 又、オア回路(OR3)にはインバータ(1N2)が接
続されていて、このインバータ(1N2)は(φ2)と
は逆位相の信号を転送りロックパルス(φ1)として光
電変換ブロック(1)内のCCDシフトレジスタ(SR
)及び画像信号出力回路(VS)へ出力する(図2参照
)。なお、マイクロコンピュータ(30)の端子(T2
2)からのII I Hの信号はイニシャライズ作動を
イメージセンサ−に行わせるための信号である。 [0022] 図6は輝度判定回路(40)及び回路ブロック(20)
の−例を示している。 この図で(Tlo)(T11)(T12)は夫々図2に
端子(T1)(T2)(T3)に接続される端子であり
、端子(T13)(T15)(T16)には後述のよう
に夫々マイクロコンピュータ(30)からデータバス(
DBl)を介してラッチパルス、サンプル指定パルス、
サンプル指定リセットパルスが入力される。又、端子(
T14)は図1のアンド回路(AN2)の1つの入力に
接続されている。 [0023] まず、輝度判定回路(40)から説明すると、この回路
は上述の輝度モニター回路(M C)の出力電圧(V
m )の積分クリアパルス消滅後の降下の程度を段階的
に判別するための比較器(ACl)(AC2)(AC3
)(AC4)を備えている。これらの比較器の反転入力
はバッファ(B1)を介して端子(Tlo)に夫夫接続
されている。一方、これらの比較器(AC)(AC2)
(AC3)(AC4)の非反転入力は、抵抗(R1)と
定電流源(T1)の接続点(J4) 抵抗(R2)と
定電流源(T2)の接続点(J5) 抵抗(R3)と
定電流(T3)の接続点(J6) 抵抗(R4)と定電
流源(T4)の接続点(J7)に夫々接続されており、
抵抗(R)(R2)(R3)(R4)はバッファ(B2
)を介して端子(TH)に接続かれている。 [0024] このような回路接続であれば、接続点(J4)(J5)
(J6)(J7)には端子(TH)に印加される上述の
基準電圧発生回路(R3)の電圧(Vref)から夫々
抵抗(R1)(R2)(R3)(R4)での電圧降下を
差引いた電圧が発生しており、対抗(R1)(R2)(
R3)(R4)の抵抗値及び定電流源(T1)(T2)
(T3)(T4)の電流値を選ぶことによって、端子(
Tlo)に入力される上述の輝度モニター回路(M C
)の出力電圧(Vm)の電圧降下程度に応じて、比較器
(AC)(AC2)(AC3)(AC4)の出力が順次
“0″から“1″に反転すす る。(DF3)(DF4)(DF5)は夫々D入力が比
較器(ACl)(AC2)(AC3)の出力に接続され
たDフリップフロップであり、これらのCP大入力は図
1のマイクロコンピュータ(30)からのラッチパルス
が端子(T13)を介して積分クリアパルスの立下りか
ら所定時間(100m秒)後にあるいはその所定時間が
経過する前の時点でシフトパルスが発生する場合にはそ
れに同期して入力される。そして、そのラッチパルスが
入力されると、Dフリップフロップ(DF3)(DF)
(DF5)は、直前の比較器(ACl)(AC2)(A
C3)の出力を夫々Q出力に出力し、反転Q出力からは
反転出力を出力する。 [0025] (AN6)は一方の入力がDフリップフロップ(DF3
)のQ出力に、もう一方の人力がDフリップフロップ(
DF4)のQ出力に接続されたアンド回路、 (AN7
)は一方の入力がDフリップフロップ(DF4)反転Q
の出力に、もう一方の入力がDフリップフロップ(DF
5)の反転Q出力に接続されたアンド回路であり、アン
ド回路(AN6)(AN7)(7)出力(b)(c)
Dフリップフロップ(DF3)の反転Q出力(a )
(D F s) (7) Q出力(d) さらに
比較器(AC4)の出力(e)が輝度判定回路(40)
の出力となる。すなわち、それらの出力がモニター用受
光素子(PM)で検出した輝度レベルを示す信号となる
。 [0026] これを図5を参照してさらに詳しく説明すると、図5で
(11)(12)(13) (14)は積分クリアパ
ルス消滅時点(to)から上述の所定の時間(100m
秒)経過時点(t3)までに生じる電圧降下が夫々0.
35V未満の場合、O935vから0.7v未満ノth
合、087■から1.4v未満ノ場合、1.4vから2
.8v未満の場合の輝度モニター回路(M C)の出力
電圧変化を示しており又、(1)は積分クリアパルス消
滅時点(to)から上述の所定時間(100m秒)経過
前の時点(t2)で2.8■の電圧降下が生じる場合の
同モニター回路(M C)の出力電圧変化を示している
。(11)(12)(13)(14)(15)のいずれ
の電圧降下となるかは上述のようにモニター用受光素子
(DM)の光電流の大きさに依存しており、輝度モニタ
ー回路(MC)の出力電圧変化が(1)(l )(13
)(14)のようになる場合は低輝度の場合、(15)
のように2 なる場合は高輝度の場合である。 [0027] 今、端子(J4)(J5)(J6)(J7)の電圧が夫
々端子(TH)に人力される基準電圧発生回路(R5)
の出力電圧(Vref)よりも、夫々0.35V、0.
7v、1.4v、2.8v低くナルヨうに、上述の抵抗
(R) (R2) (R3)(R4)の抵抗値及び
定電流源(■1)(■2)(■3)(■4)の電流値を
設定すると、ラッチパルス発生後における(11)(1
2)(13)(14)(15)に対応したDフリップフ
ロップ(DF3)(DF4)(DF5)のQ出力、反転
Q出力、及び輝度モニター回路(MC)(7)出力(a
)(b)(C)(d)(e)は次の表1に示す通りとな
る。 [0028]
【表1】
[0029]
なお、(15)の場合、比較器(Ac1)の出力(d)
は積分クリアパルス消滅時点(to)から所定時間(1
00m秒)が経過する前の時点(t2)で゛O″が図6
の残りの回路は図1の回路ブロック(20)を構成する
。(22)はバッファ(Bを介して端子(T12)から
入力される画像信号出力回路(VS)の出力電圧(Vo
s)と、バッファ(B )を介して端子(TH)から入
力される基車信号発生回路(R3)の出力電圧(Vre
f)との差に対応する出力(vl)を発生する減算回路
である。(24)はイメージセンサ−アレイ(PA)に
おけるアルミニウム膜で覆われた所定個(10個)分の
フォトダイオード(R2)から(P )のうち両端のダ
イオード(P ) (R9)を除いたものの蓄積電荷
に対2 応する画像信号のピーク値(R2)(最低レベルの画素
信号)を検知し、それらをラッチして出力するピーク値
検出回路であり、これにより、アルミニウム皮膜で覆わ
れていない、上述の第1、第2像を受けているイメージ
センサ−アレイ(PA)におけるフォトダイオードの蓄
積電荷に対応する画素信号に対し、いわゆる暗出力補正
用の信号■2が形成される。すなわち、マイクロコンピ
ュータ(30)は、転送りロックパルス(φ )(φ2
)によりCCDシフトレジスタ(SR)から順次蓄積電
荷が画像信号出力回路(VS)に転送される場合、セル
(R5)の蓄積電荷の転送開始と同時にサンプル指定パ
ルスをデータバス(DBl)を介して端子(T )に
出力し、次いでセル(R12)の蓄積電荷の転送終了と
同時5 にサンプル指定リセットパルスをデータバス(DB)を
介して端子(T16)に出力する。したがって、ピーク
値検出回路(24)はセル(R)から(R12)の蓄積
電荷、換言すればフォトダイオード(P )から(R9
)の蓄積電荷の対応する画像信号を取込み、それらのう
ちのピーク値を検出することになる。 [00301 (26)は回路(22)及び(24)の出力信号(■)
(R2)を差動増幅すす る増幅器であり、その増幅率が上述の輝度判定回路(4
0)の出力(a)(b)(C)(d)によって制御され
るように構成された増幅器である。この増幅器において
、 (OP)は演算増幅器であり、その入力端子(f)
(g)は入力抵抗(R)(R)を介して回路(22)及
び(24)に夫々接続されている。(R76 )乃至(R14)は演算増幅器(OP)の増幅率設定の
ために設けられた抵抗であ679− (R)(R)は2rの抵抗値、 (R) (R14)
は4rの抵抗値をもってU)9 13
10る。(AS)乃至(AS)はアナロ
グスイッチであり、このうち(A S 1)乃8 至(AS4)は出力(a)(b)(C)(d)に応じて
抵抗(R7)乃至(Rlo)を選択的に有効化して演算
増幅(OP)の帰還抵抗値を設定するのに対し、(AS
)乃至(AS8)は出力(a)(b)(C)(d)に応
じて抵抗(RH)乃至(R14)を選択的に有効化して
同増幅器(OP)のバイアス抵抗値を設定する。 すなわち、上述(1) (1)(1) (1)
(15)の各電圧降下が生じる場1 2 3 4 合のそれらのアナログスイッチの状態及び有効化される
抵抗は次の表2の通りとなる。 [0031]
は積分クリアパルス消滅時点(to)から所定時間(1
00m秒)が経過する前の時点(t2)で゛O″が図6
の残りの回路は図1の回路ブロック(20)を構成する
。(22)はバッファ(Bを介して端子(T12)から
入力される画像信号出力回路(VS)の出力電圧(Vo
s)と、バッファ(B )を介して端子(TH)から入
力される基車信号発生回路(R3)の出力電圧(Vre
f)との差に対応する出力(vl)を発生する減算回路
である。(24)はイメージセンサ−アレイ(PA)に
おけるアルミニウム膜で覆われた所定個(10個)分の
フォトダイオード(R2)から(P )のうち両端のダ
イオード(P ) (R9)を除いたものの蓄積電荷
に対2 応する画像信号のピーク値(R2)(最低レベルの画素
信号)を検知し、それらをラッチして出力するピーク値
検出回路であり、これにより、アルミニウム皮膜で覆わ
れていない、上述の第1、第2像を受けているイメージ
センサ−アレイ(PA)におけるフォトダイオードの蓄
積電荷に対応する画素信号に対し、いわゆる暗出力補正
用の信号■2が形成される。すなわち、マイクロコンピ
ュータ(30)は、転送りロックパルス(φ )(φ2
)によりCCDシフトレジスタ(SR)から順次蓄積電
荷が画像信号出力回路(VS)に転送される場合、セル
(R5)の蓄積電荷の転送開始と同時にサンプル指定パ
ルスをデータバス(DBl)を介して端子(T )に
出力し、次いでセル(R12)の蓄積電荷の転送終了と
同時5 にサンプル指定リセットパルスをデータバス(DB)を
介して端子(T16)に出力する。したがって、ピーク
値検出回路(24)はセル(R)から(R12)の蓄積
電荷、換言すればフォトダイオード(P )から(R9
)の蓄積電荷の対応する画像信号を取込み、それらのう
ちのピーク値を検出することになる。 [00301 (26)は回路(22)及び(24)の出力信号(■)
(R2)を差動増幅すす る増幅器であり、その増幅率が上述の輝度判定回路(4
0)の出力(a)(b)(C)(d)によって制御され
るように構成された増幅器である。この増幅器において
、 (OP)は演算増幅器であり、その入力端子(f)
(g)は入力抵抗(R)(R)を介して回路(22)及
び(24)に夫々接続されている。(R76 )乃至(R14)は演算増幅器(OP)の増幅率設定の
ために設けられた抵抗であ679− (R)(R)は2rの抵抗値、 (R) (R14)
は4rの抵抗値をもってU)9 13
10る。(AS)乃至(AS)はアナロ
グスイッチであり、このうち(A S 1)乃8 至(AS4)は出力(a)(b)(C)(d)に応じて
抵抗(R7)乃至(Rlo)を選択的に有効化して演算
増幅(OP)の帰還抵抗値を設定するのに対し、(AS
)乃至(AS8)は出力(a)(b)(C)(d)に応
じて抵抗(RH)乃至(R14)を選択的に有効化して
同増幅器(OP)のバイアス抵抗値を設定する。 すなわち、上述(1) (1)(1) (1)
(15)の各電圧降下が生じる場1 2 3 4 合のそれらのアナログスイッチの状態及び有効化される
抵抗は次の表2の通りとなる。 [0031]
【表2】
[0032]
上表においてAは演算増幅器(OP)の増幅率で、この
増幅器(OP)の出力電圧は、V o u t =E
+ (V2 Vl) X Aで表され、これがA/D
変換器(ADC)に入力される。但し、Eは定電圧源(
E)の電圧であり、A/D変換器(ADC)の入力レベ
ル範囲に合わせて適当に設定される。そして、各画素信
号に対応したA/D変換器(ADC)の各出力は図1の
マイクロコンピュータの端子(T )にデータバス(D
Bl)を介して取込まれ、所定のプログラムにもとづく
2 ディジタル演算によって、撮影レンズの焦点調節状態が
検出される。このように図1の増幅器(26)は輝度判
定回路(50)の出力に応じて増幅率を変化させ、A/
D変換器(ADC)での信号処理に適した信号を出力す
るから、広範な輝度域で撮影レンズの焦点状態の調節が
可能である。 [0033] 再度図1について説明すると、マイクロコンピュータ(
30)の端子(T17)は積分クリアパリスの出力端子
である。又、マイクロコンピュータ(30)の端子(T
19)からは、シフトパルスの発生を許可する場合”
1 ”の信号が出力され後述のようにイメージセンサ−
アレイ(PA)からCCDシフトレジスタ(SR)への
蓄積電荷の転送中はシフトパルスの発生を禁止する信号
” o ”が出力される。さらにマイクロコンピュータ
(30)の端子(T18)からは、積分クリアパルスの
消滅時点(to)から上述の所定時間が経過すると、あ
るいはその所定時間経過前にシフトパルスが発生する場
合はそのシフトパルスの発生に応答して“1°゛の信号
が出力される。この信号は輝度判定回路(40)に対す
るラッチパルスとなる。端子(T17)から出力される
積分クリアパルスは端子(T6)を介して光電変換ブロ
ック(1)におけるイメージセンサ−の積分クリアゲー
ト(■CG)に入力される一方、フリップフロップ(F
Fo)をセットし、そのQ出方を1″にして、アンド回
路(ANl)を開かせる。又、フリップフロップ(FF
o)がセットされた状態で端子(T19)からシフトパ
ルスの発生を許可する1″の信号が出力されると、アン
ド回路(AN2)も開かれる。 [0034] 輝度判定回路(40)の出力端子(T14)からは、図
5の(15)で示されるから所定時間(100m秒)経
過する前の時点(t2)で“1′′の信号(e)が出力
される。これに対し、図5の(1)(12)(13)(
14)で示される場合のように、被写体輝度が低い場合
は、マイクロコンピュータ(30)の端子(T18)の
出力が(t3)の時点で1″ となり、輝度判定回路(
40)の出方端子(T )の出力(e)は゛0゛′に
保たれる。したがって、被写体輝度が高い場合5 はアンド回路(AN2)の出力が(t2)の時点で゛1
′°になり、被写体輝度が低い場合は(t3)の時点で
アンド回路(ANl)の出力が“1′°になり、いずれ
か一方の” 1 ”の出力がオア回路(OR)を介して
Dフリップフロップ(DFl)のD入力に入力される。 このDフリップフロップのCK (クロック)入力には
クロック回路(CLl)からの基準クロックパルス(周
期2μ秒)が入力されているため、図6に示すように、
D入力に“′1″の信号が入力された直後のその基準ク
ロックパルスの立下りでDフリップフロップ(DFl)
のQ出力は1“となり、フリップフロップ(FFo)が
リセットされ、開かれていたアンド回路(AN)又は(
AN2)が閉じると共に、転送りロックパルス発生ブロ
ック(10)内のフリップフロップ(FF1)乃至(F
F6)がリセットされ、それらのQ出方(Q )乃至(
Q6)がすべて“′O″になる。そして、アンド回路(
ANl)又は(AN2)がそのようにして閉じると、次
の基準クロックパルスの立下りでDフリップフロップ(
DFl)のQ出力は” o ”に戻り、結局そのQ出力
からは2μ秒の時間幅の正パルスが出力されたことにな
る。この正パルスがリセットパルスである。一方、Dフ
リップフロップ(DF2)はDフリップフロップ(DF
l)のQ出力が′1″になった直後のクロック回路(C
Ll)からの基準クロックパルスの立下りでQ出力が”
1 ”になり、Dフリップフロップ(DFl)のQ出
力がO“′に戻った直後の同クロック回路の基準パルス
の立下りでQ出力が°゛0′°に戻る。したがってDフ
リップフロップ(DF2)のQ出力には、リセットパル
スの立下りと周期して立上る2μ秒の時間幅の正パルス
が生じるが、これがシフトパルスである。このシフトパ
ルスはマイクロコンピュータ(30)の端子(T21)
に入力されると共に、端子(T7)を介して光電変換ブ
ロック(1)におけるイメージセンサ−のシフトゲート
(SG)に入力される。 [0035] 以上は図1の全体の回路構成とそれを構成する回路ブロ
ックについての説明であるが、次に全体の作動を説明す
るに先立ち、図7、図8を参照して各部での信号につい
て説明しておく。 [0036] 図7はDフリップフロップ(DFl)のQ出力に生じる
リセットパルスによりリセットサれた直後のフリップフ
ロップ(FF1)乃至(FF6)の出方と、転送関係を
示している。上述のようにリセットパルスの立上りでフ
リップフロップ()は1“に立上る。そして、2μ秒が
経過すると、リセットパルスが立下り、これと同時にシ
フトパルスが“′1″に立上って、このシフトパルスは
さらに2μリセツトパルスがO′″に立下ってから8μ
秒後であり、結局、転送りロックパルス(φ1)は10
μ秒゛″1″の状態に保たれる。シフトパルスはこの転
送りロックパルス(φ1)が′1″の状態にある間に発
生して消滅する。 [0037] このように、 (t )又は(t3)の時点の直後に
転送りロックパルス発生プロ続している間にシフトパル
スを発生させるのは、イメージセンサ−アレイ(PA)
(P)の電荷蓄積(積分)の終了時点が不必要に遅くな
るのを避けるためで3)の時点から最大でほぼ転送りロ
ックパルスの1周期の時間フォトダイオードれる可能性
があり、被写体がきわめて明るい場合には電荷蓄積が飽
和して、正しどの時点でシフトパルスが発生するから必
ずしも一定しないから、画像信号レベ t3)の時点から基準クロックパルスの2周期(4μ秒
)内には必ずシフトパル [0038] なお、図7に示したように、次の転送りロックパルス(
φ)は出力(Q3)(Q ) (Q ) (Q6)
がすべて“0″ となる120μ秒後に“′1“となり
、この5 状態が保たれる時間は8μ秒である。この転送りロック
パルス以降の転送りロックパルスはすべて8μ秒間“1
′”の状態でその後120μ秒間″“0パの状態となる
。したがって、転送りロックパルス(φ1)の周期は1
28μ秒で、そのデユーティサイクルは1/2ではなく
、 “1″の状態と0″の状態の継続時間比は1/15
となる。このようにしておけば、CCDシフトレジスタ
(SR)の1セルからの蓄積電荷の画像信号出力回路(
VS)への転送はクロックパルスの立下りで行われるか
ら、信号処理、特にA/D変換器(ADC)でのA/D
時間を十分に確保することができ、変換速度が遅い安価
なA/D変換器を(ADC)としで使用することができ
るから、これを使用するカメラのコストダウンを達成す
ることが可能となる。 [0039] 図8はイメージセンサ−のシフトパルス発生後の画像信
号出力回路(VS)及び増幅器(26)の出力を転送り
ロックパルス(911) (φ2)及び基準信号発生
回路(R3)の出力と共に示している。図7の場合、シ
フトパルスが発生した時点では、CCDシフトレジスタ
(SR)は空の状態になっているものとしである。この
空の状態をつくりには、フォトダイオード(Pl)(R
2)(R3)・・・(Pn−2)(Pn−1)(Pn)
の蓄積電荷をCCDシフトレジスタ(SR)に転送する
ことなく、CCDシフトレジスタ(SR)のセル数分だ
け転送りロックパルス(φ1)(φ2)をそのレジスタ
に与えればよい。例えば、そのレジスタ(SR)のセル
数が100であるときは、100個の転送りロックパル
ス(φ)及び(φ2)を与えれば、そのレジスタの蓄積
電荷はすべて排出されてしまう。但し、イメージセンサ
−を起動させた当初は一回の電荷排出動作ではCCDシ
フトレジスタ(SR)の蓄積電荷は完全に排出されない
のが実際であるため、この場合は通常数回の排出動作を
繰返すことによって完全な空状態を作る。このような一
連の動作をイメージセンサ−のイニシャライズ作動と言
う。 [0040] 図8において、シフトパルスの発生によりフォトダイオ
ード(P ) (R2) (R3)・・・(Pn−
2)(Pn−1)(Pn)の蓄積電荷がCCDシフトレ
ジスタ(SR)に並列的に転送され、第1番目の転送り
ロックパルス(φ1)の立下りでセル(R1)の蓄積電
荷が画像信号出力回路(VS)に転送される。その結果
画像信号出力回路(V S )は端子(T3)にセル(
R1)の蓄積電荷に対応した呂カ(V。 (R)−(R) (7)蓄積電荷に対応した出力(Vo
s2) (Vo s3) = (V。 S n+3 Sn+3)が順次画像信号回路(VS)がら出力される
。それらの出方のうち、(Vos )(Vos )(V
os )は空送り用セル(R1)(R2)(R3)ノ蓄
積1 2 3 電荷に対応する出力であり、又、(V o S 4)乃
至(V o S 13)はアルミニウム被覆されたフォ
トダイオード(Pl)乃至(Plo) すなわちセル
(R4)乃至(R)の蓄積電荷に対応する暗出力である
。これら2種類の出力間には、△Sで3 示したように、フォトダイオード(Pl)乃至(Plo
)に発生する暗電流にもとづく蓄積電荷量に相当する差
が生じる。(vl)で示した演算回路(22)の出力は
、各(Vos)についてV1=Vr e f−Vosの
演算によって得られたものであり、上記暗出力(V o
S 4)乃至(V o S 13)に対応した演算回
路(22)の出力うち(Vos)乃至(Vos )に
対応するものが上述のピーク値検12 出回路(24)に取込まれる。そして、それらのうちの
最大値を有するものがピーク値検出回路(24)から(
R2)として出力される。図8では、破線がこの2)×
Aで表される増幅器(26)の出力に対応する。 [0041] 次に、図9のフローチャートを参照して図1に示したマ
イクロコンピュータ(30)の動作とそれによる回路全
体の作用を説明する。 まず、図示しないスイッチの操作によりマイクロコンピ
ュータ(30)にスタート信号が与えられると、#1の
ステップでマイクロコンピュータ(3o)は端子(T2
2)に“′1″の信号を出力して、イメージセンサ−の
イニシャライズ作動を行う。すなわち、転送りロックパ
ルス(φ1)(φ2)としてクロック回路(cL)から
の周期の早いクロックパルスが端子(T4)(T5)を
介してCCDシ2 フトレジスタ(SR)に入力される。このとき、端子(
T19)からはシフトパルスの発生を禁止する信号”
o ”が出力されており、シフトパルスは発生しないか
ら、CCDシフトレジスタ(SR)はイメージセンサ−
アレイ(PA)から蓄積電荷を受取ることなく、自身の
蓄積電荷を順次排出する。(あるいは、シフトパルスの
発生を禁止せず、通常のCCD駆動と同様に積分クリア
パルスを発生し、その後蓄積電荷を無視できるように直
ちにシフトパルスを発生させ、次に転送りロックパルス
によりCCDシフトレジスタの蓄積電荷排出を行せても
よい。)この排出動作は上述のように数回繰返され、そ
れによってCCDシフトレジスタ(SR)は空状態とな
る。ここで、1回の排出動作はCCDシフトレジスタ(
SR)のセル数だけ転送りロックパルス(φ1)(φ2
)が与えられることによって終了する。 [0042] その数回の排出動作を保証する所定時間が経過すると、
マイクロコンピュータ(30)は端子(T22)の出力
を“0″にして、クロック回路(CLl)からの基準ク
ロックパルスにもとづいて形成される“1“状態と“O
″状態継続時間比が1/15のパルスを転送りロックパ
ルス(φ1)とし、それと逆位相のパルスを転送りロッ
クパルス(φ2)として、CCDシフトレジスタ(SR
)に入力させる。つぎにマイクロコンピュータ(30)
は#2のステップで端子(T19)からシフトパルスの
発生を許可する“1″の信号を出力し、これによりアン
ド回路(AN2)が開かれる。そして、#3のステップ
で端子(T17)から積分クリアパルスが出力されると
、フリップフロップ(FFo)がセットされ、アンド回
路(ANl)も開かれる。同時にその積分クリアパルス
が積分クリアゲ−) (ICG)に入力され、イメージ
センサ−アレイ(PA)の各フォトダイオードの蓄積電
荷がクリアされる一方、FET(Ql)(Q4)が導通
してコンデンサー(C1)(C2)が電源電圧のレベル
まで充電される。この積分クリアパルスは(t。 )の時点で消滅し、これによりイメージセンサ−アレイ
(PA)の各フォトダイオードが電荷蓄積を開始すると
共に、モニター用受光素子(PM)で検出される被写体
輝度に応じた速度で輝度モニター回路(MC)の出力電
圧(Vm)が図5に示すように降下し始める。又、マイ
クロコンピュータ(30)は積分クリアパルスが消滅す
ると同時に、内部のプログラマブルプリセットカウンタ
を#4のスッテップでセットし、二〇カウンタが所定時
間である100m秒をカウントし始める。 [0043] 次にマイクロコンピュータ(30)は#5のステップで
輝度モニター回路(M)に入力される輝度判定回路(4
0)の出力(e)にもとづいて判定し、出力(e)が′
1″で、図5に(15)で示した場合であることを判定
すると、#9のステップに移行して端子(Tlg)の出
力を0″にし、シフトパルスの発生を禁止する。但し、
出力(e)が′1″になると、図6に示したように、き
わめて短時間のうちにDフリップフロップ(DFl)が
らりセットパルスが続いてDフリップフロップ(DF2
)からシフトパルスがされ、そのリセットパルスによっ
て閉じるから、#9のステップで発生を禁止するシフト
パルスは、後述の#10のステップ以降に新たに発生す
る可能性のあるシフトパルスである。これに対し、で示
したいずれかの場合であることを判定すると、マイクロ
コンピュータ(30)は#6のステップで上述のプログ
ラマブルプリセットカウンタの内容がら1″を感じ、#
7のステップでそのカウンタの内容が°゛0″になった
がどうかを判定する。そして、その内容が” o ”に
なっていなければ#5のステップに戻り、#6のステッ
プを経て#7のステップで再びプログラマブルプリセッ
トカウンタの内容が110 I+になったかどうかを判
定する。ここで、#5・#6・#7のステップサイクル
に要する時間をtsとすれば、tsXN=100m秒と
なるように設定されており、したがって、N回#5、#
6、#7のステップを繰返せば、プログラマブルプリセ
ットカウンタの内容は°′O″になる。すなわち、#4
のステップでこのカウンタがセットされてから100m
秒が経過すると、マイクロコン)からリセットパルスが
出力され、フリップフロップ(DFl)のD入力に入力
される。したがって、Dフリップフロップ(FFo)が
リセットされてアンド回路(AN )(AN )が閉じ
る一方、続いてDフリップフロップ(DF2)から2 シフトパルスが発生する。但し、この場合も、さらに時
間が経過し、輝度モニター回路(M C)の出力電圧(
Vm)の降下量が2.8vに達すると、輝度判定回路(
40)の出力(e)が1°°になり、それが#5のステ
ップで判定されるため、端子(T19)からは以降シフ
トパルスの発生を禁止する0″の信号が出力される。 [0044] 上述のようにして発生したシフトパルスはマイクロコン
ピュータ(30)の端子(T21)に入力されると共に
、端子(T7)を介してシフトゲート(SC)に入力さ
れる。これによってイメージセンサ−アレイ(PA)の
各フォトダイオードの蓄積電荷がCCDシフトレジスタ
(SR)の対応するセルに転送され、さらに転送りロッ
クパルス(φ1)(φ2)によって順次そのレジスタ(
SR)の各セルの蓄積電荷が画像信号出力回路(VS)
に転送される。すると、画像信号出力回路(vs)の出
力端子(T3)からは画像信号(Vo sl) (V
o s2) −(VO8n+3)が順次出力され、増幅
器(26)からはvout=E+(vl−v2)Aで表
される信号が順次出力される。これらの信号は逐次A/
D変換器(ADC)でディジタル信号に変換され、デー
タバス(DBl)を介してマイクロコンピュータ(30
)に入力される。 [0045] 一方、マイクロコンピュータ(30)は上述のシフトパ
ルスが端子(T21)に入力すると、#10のステップ
で端子(T17)から積分クリアパルスを出力する。こ
のため、イメージセンサ−アレイ(PA)の各フォトダ
イオードの蓄積電荷がクリアーされ、その積分クリアパ
ルスの消滅と同時に各フォトダイオードの電荷蓄積が再
開される。もちろん、輝度モニター回路(MC)の出力
も上述したと同様モニター用受光素子(PM)により検
出された被写体輝度に応じた速度で降下し始める。すな
わち、第2回目の電荷蓄積サイクルが開始されるカミマ
イクロクンピユータ(30)は積分クリアパルスの消滅
と同時に内部のプログラマブルプリセットカウンタを今
度はCCDシフトレジスタ(SR)のセルの数をカウン
トするようにセットする。これが#11のステップであ
る。マイクロコンピュタ−(30)は、その各セルの蓄
積電荷に対応したディジタル信号をA/D変換器(AD
C)から受取ってそれを内部のランダムアクセスメモリ
ーにストアしく#12のステップ) その度毎にプログ
ラマブルプリセットカウンターの内容から1を減じて(
#13のステップ) その内容が” o ”になったが
どうかを#14のステップで判定する。#11のステッ
プでセットされたプログラマブルプリセットカウンタ内
容が“0″になると、次の#15のステップに移行する
。このステップでは、マイクロコンピュータ(30)は
例えば次のような演算を行って撮影レンズ(TL)の焦
点調節状態、すなわち予定焦点面(F)に対するデフォ
ーカス量及びデフォーカス方向を算出する。すなわち、
上記イメージセンサ−アレP)から(Pl)乃至(Pl
o)を除いたもののうち、図4において上述の第1像が
形成される領域に含まれるものを基準部のフォトダイオ
ード、第2像が形成される領域に含まれるものを参照部
のフォトダイオードとし、この基準部及び参照部のフォ
トダイオードをイメージセンサ−アレイ(PA)の一方
の側から夫々(積された電荷に対応したA/D変換器(
ADC)からのディジタル信号を夫々([0046]
増幅器(OP)の出力電圧は、V o u t =E
+ (V2 Vl) X Aで表され、これがA/D
変換器(ADC)に入力される。但し、Eは定電圧源(
E)の電圧であり、A/D変換器(ADC)の入力レベ
ル範囲に合わせて適当に設定される。そして、各画素信
号に対応したA/D変換器(ADC)の各出力は図1の
マイクロコンピュータの端子(T )にデータバス(D
Bl)を介して取込まれ、所定のプログラムにもとづく
2 ディジタル演算によって、撮影レンズの焦点調節状態が
検出される。このように図1の増幅器(26)は輝度判
定回路(50)の出力に応じて増幅率を変化させ、A/
D変換器(ADC)での信号処理に適した信号を出力す
るから、広範な輝度域で撮影レンズの焦点状態の調節が
可能である。 [0033] 再度図1について説明すると、マイクロコンピュータ(
30)の端子(T17)は積分クリアパリスの出力端子
である。又、マイクロコンピュータ(30)の端子(T
19)からは、シフトパルスの発生を許可する場合”
1 ”の信号が出力され後述のようにイメージセンサ−
アレイ(PA)からCCDシフトレジスタ(SR)への
蓄積電荷の転送中はシフトパルスの発生を禁止する信号
” o ”が出力される。さらにマイクロコンピュータ
(30)の端子(T18)からは、積分クリアパルスの
消滅時点(to)から上述の所定時間が経過すると、あ
るいはその所定時間経過前にシフトパルスが発生する場
合はそのシフトパルスの発生に応答して“1°゛の信号
が出力される。この信号は輝度判定回路(40)に対す
るラッチパルスとなる。端子(T17)から出力される
積分クリアパルスは端子(T6)を介して光電変換ブロ
ック(1)におけるイメージセンサ−の積分クリアゲー
ト(■CG)に入力される一方、フリップフロップ(F
Fo)をセットし、そのQ出方を1″にして、アンド回
路(ANl)を開かせる。又、フリップフロップ(FF
o)がセットされた状態で端子(T19)からシフトパ
ルスの発生を許可する1″の信号が出力されると、アン
ド回路(AN2)も開かれる。 [0034] 輝度判定回路(40)の出力端子(T14)からは、図
5の(15)で示されるから所定時間(100m秒)経
過する前の時点(t2)で“1′′の信号(e)が出力
される。これに対し、図5の(1)(12)(13)(
14)で示される場合のように、被写体輝度が低い場合
は、マイクロコンピュータ(30)の端子(T18)の
出力が(t3)の時点で1″ となり、輝度判定回路(
40)の出方端子(T )の出力(e)は゛0゛′に
保たれる。したがって、被写体輝度が高い場合5 はアンド回路(AN2)の出力が(t2)の時点で゛1
′°になり、被写体輝度が低い場合は(t3)の時点で
アンド回路(ANl)の出力が“1′°になり、いずれ
か一方の” 1 ”の出力がオア回路(OR)を介して
Dフリップフロップ(DFl)のD入力に入力される。 このDフリップフロップのCK (クロック)入力には
クロック回路(CLl)からの基準クロックパルス(周
期2μ秒)が入力されているため、図6に示すように、
D入力に“′1″の信号が入力された直後のその基準ク
ロックパルスの立下りでDフリップフロップ(DFl)
のQ出力は1“となり、フリップフロップ(FFo)が
リセットされ、開かれていたアンド回路(AN)又は(
AN2)が閉じると共に、転送りロックパルス発生ブロ
ック(10)内のフリップフロップ(FF1)乃至(F
F6)がリセットされ、それらのQ出方(Q )乃至(
Q6)がすべて“′O″になる。そして、アンド回路(
ANl)又は(AN2)がそのようにして閉じると、次
の基準クロックパルスの立下りでDフリップフロップ(
DFl)のQ出力は” o ”に戻り、結局そのQ出力
からは2μ秒の時間幅の正パルスが出力されたことにな
る。この正パルスがリセットパルスである。一方、Dフ
リップフロップ(DF2)はDフリップフロップ(DF
l)のQ出力が′1″になった直後のクロック回路(C
Ll)からの基準クロックパルスの立下りでQ出力が”
1 ”になり、Dフリップフロップ(DFl)のQ出
力がO“′に戻った直後の同クロック回路の基準パルス
の立下りでQ出力が°゛0′°に戻る。したがってDフ
リップフロップ(DF2)のQ出力には、リセットパル
スの立下りと周期して立上る2μ秒の時間幅の正パルス
が生じるが、これがシフトパルスである。このシフトパ
ルスはマイクロコンピュータ(30)の端子(T21)
に入力されると共に、端子(T7)を介して光電変換ブ
ロック(1)におけるイメージセンサ−のシフトゲート
(SG)に入力される。 [0035] 以上は図1の全体の回路構成とそれを構成する回路ブロ
ックについての説明であるが、次に全体の作動を説明す
るに先立ち、図7、図8を参照して各部での信号につい
て説明しておく。 [0036] 図7はDフリップフロップ(DFl)のQ出力に生じる
リセットパルスによりリセットサれた直後のフリップフ
ロップ(FF1)乃至(FF6)の出方と、転送関係を
示している。上述のようにリセットパルスの立上りでフ
リップフロップ()は1“に立上る。そして、2μ秒が
経過すると、リセットパルスが立下り、これと同時にシ
フトパルスが“′1″に立上って、このシフトパルスは
さらに2μリセツトパルスがO′″に立下ってから8μ
秒後であり、結局、転送りロックパルス(φ1)は10
μ秒゛″1″の状態に保たれる。シフトパルスはこの転
送りロックパルス(φ1)が′1″の状態にある間に発
生して消滅する。 [0037] このように、 (t )又は(t3)の時点の直後に
転送りロックパルス発生プロ続している間にシフトパル
スを発生させるのは、イメージセンサ−アレイ(PA)
(P)の電荷蓄積(積分)の終了時点が不必要に遅くな
るのを避けるためで3)の時点から最大でほぼ転送りロ
ックパルスの1周期の時間フォトダイオードれる可能性
があり、被写体がきわめて明るい場合には電荷蓄積が飽
和して、正しどの時点でシフトパルスが発生するから必
ずしも一定しないから、画像信号レベ t3)の時点から基準クロックパルスの2周期(4μ秒
)内には必ずシフトパル [0038] なお、図7に示したように、次の転送りロックパルス(
φ)は出力(Q3)(Q ) (Q ) (Q6)
がすべて“0″ となる120μ秒後に“′1“となり
、この5 状態が保たれる時間は8μ秒である。この転送りロック
パルス以降の転送りロックパルスはすべて8μ秒間“1
′”の状態でその後120μ秒間″“0パの状態となる
。したがって、転送りロックパルス(φ1)の周期は1
28μ秒で、そのデユーティサイクルは1/2ではなく
、 “1″の状態と0″の状態の継続時間比は1/15
となる。このようにしておけば、CCDシフトレジスタ
(SR)の1セルからの蓄積電荷の画像信号出力回路(
VS)への転送はクロックパルスの立下りで行われるか
ら、信号処理、特にA/D変換器(ADC)でのA/D
時間を十分に確保することができ、変換速度が遅い安価
なA/D変換器を(ADC)としで使用することができ
るから、これを使用するカメラのコストダウンを達成す
ることが可能となる。 [0039] 図8はイメージセンサ−のシフトパルス発生後の画像信
号出力回路(VS)及び増幅器(26)の出力を転送り
ロックパルス(911) (φ2)及び基準信号発生
回路(R3)の出力と共に示している。図7の場合、シ
フトパルスが発生した時点では、CCDシフトレジスタ
(SR)は空の状態になっているものとしである。この
空の状態をつくりには、フォトダイオード(Pl)(R
2)(R3)・・・(Pn−2)(Pn−1)(Pn)
の蓄積電荷をCCDシフトレジスタ(SR)に転送する
ことなく、CCDシフトレジスタ(SR)のセル数分だ
け転送りロックパルス(φ1)(φ2)をそのレジスタ
に与えればよい。例えば、そのレジスタ(SR)のセル
数が100であるときは、100個の転送りロックパル
ス(φ)及び(φ2)を与えれば、そのレジスタの蓄積
電荷はすべて排出されてしまう。但し、イメージセンサ
−を起動させた当初は一回の電荷排出動作ではCCDシ
フトレジスタ(SR)の蓄積電荷は完全に排出されない
のが実際であるため、この場合は通常数回の排出動作を
繰返すことによって完全な空状態を作る。このような一
連の動作をイメージセンサ−のイニシャライズ作動と言
う。 [0040] 図8において、シフトパルスの発生によりフォトダイオ
ード(P ) (R2) (R3)・・・(Pn−
2)(Pn−1)(Pn)の蓄積電荷がCCDシフトレ
ジスタ(SR)に並列的に転送され、第1番目の転送り
ロックパルス(φ1)の立下りでセル(R1)の蓄積電
荷が画像信号出力回路(VS)に転送される。その結果
画像信号出力回路(V S )は端子(T3)にセル(
R1)の蓄積電荷に対応した呂カ(V。 (R)−(R) (7)蓄積電荷に対応した出力(Vo
s2) (Vo s3) = (V。 S n+3 Sn+3)が順次画像信号回路(VS)がら出力される
。それらの出方のうち、(Vos )(Vos )(V
os )は空送り用セル(R1)(R2)(R3)ノ蓄
積1 2 3 電荷に対応する出力であり、又、(V o S 4)乃
至(V o S 13)はアルミニウム被覆されたフォ
トダイオード(Pl)乃至(Plo) すなわちセル
(R4)乃至(R)の蓄積電荷に対応する暗出力である
。これら2種類の出力間には、△Sで3 示したように、フォトダイオード(Pl)乃至(Plo
)に発生する暗電流にもとづく蓄積電荷量に相当する差
が生じる。(vl)で示した演算回路(22)の出力は
、各(Vos)についてV1=Vr e f−Vosの
演算によって得られたものであり、上記暗出力(V o
S 4)乃至(V o S 13)に対応した演算回
路(22)の出力うち(Vos)乃至(Vos )に
対応するものが上述のピーク値検12 出回路(24)に取込まれる。そして、それらのうちの
最大値を有するものがピーク値検出回路(24)から(
R2)として出力される。図8では、破線がこの2)×
Aで表される増幅器(26)の出力に対応する。 [0041] 次に、図9のフローチャートを参照して図1に示したマ
イクロコンピュータ(30)の動作とそれによる回路全
体の作用を説明する。 まず、図示しないスイッチの操作によりマイクロコンピ
ュータ(30)にスタート信号が与えられると、#1の
ステップでマイクロコンピュータ(3o)は端子(T2
2)に“′1″の信号を出力して、イメージセンサ−の
イニシャライズ作動を行う。すなわち、転送りロックパ
ルス(φ1)(φ2)としてクロック回路(cL)から
の周期の早いクロックパルスが端子(T4)(T5)を
介してCCDシ2 フトレジスタ(SR)に入力される。このとき、端子(
T19)からはシフトパルスの発生を禁止する信号”
o ”が出力されており、シフトパルスは発生しないか
ら、CCDシフトレジスタ(SR)はイメージセンサ−
アレイ(PA)から蓄積電荷を受取ることなく、自身の
蓄積電荷を順次排出する。(あるいは、シフトパルスの
発生を禁止せず、通常のCCD駆動と同様に積分クリア
パルスを発生し、その後蓄積電荷を無視できるように直
ちにシフトパルスを発生させ、次に転送りロックパルス
によりCCDシフトレジスタの蓄積電荷排出を行せても
よい。)この排出動作は上述のように数回繰返され、そ
れによってCCDシフトレジスタ(SR)は空状態とな
る。ここで、1回の排出動作はCCDシフトレジスタ(
SR)のセル数だけ転送りロックパルス(φ1)(φ2
)が与えられることによって終了する。 [0042] その数回の排出動作を保証する所定時間が経過すると、
マイクロコンピュータ(30)は端子(T22)の出力
を“0″にして、クロック回路(CLl)からの基準ク
ロックパルスにもとづいて形成される“1“状態と“O
″状態継続時間比が1/15のパルスを転送りロックパ
ルス(φ1)とし、それと逆位相のパルスを転送りロッ
クパルス(φ2)として、CCDシフトレジスタ(SR
)に入力させる。つぎにマイクロコンピュータ(30)
は#2のステップで端子(T19)からシフトパルスの
発生を許可する“1″の信号を出力し、これによりアン
ド回路(AN2)が開かれる。そして、#3のステップ
で端子(T17)から積分クリアパルスが出力されると
、フリップフロップ(FFo)がセットされ、アンド回
路(ANl)も開かれる。同時にその積分クリアパルス
が積分クリアゲ−) (ICG)に入力され、イメージ
センサ−アレイ(PA)の各フォトダイオードの蓄積電
荷がクリアされる一方、FET(Ql)(Q4)が導通
してコンデンサー(C1)(C2)が電源電圧のレベル
まで充電される。この積分クリアパルスは(t。 )の時点で消滅し、これによりイメージセンサ−アレイ
(PA)の各フォトダイオードが電荷蓄積を開始すると
共に、モニター用受光素子(PM)で検出される被写体
輝度に応じた速度で輝度モニター回路(MC)の出力電
圧(Vm)が図5に示すように降下し始める。又、マイ
クロコンピュータ(30)は積分クリアパルスが消滅す
ると同時に、内部のプログラマブルプリセットカウンタ
を#4のスッテップでセットし、二〇カウンタが所定時
間である100m秒をカウントし始める。 [0043] 次にマイクロコンピュータ(30)は#5のステップで
輝度モニター回路(M)に入力される輝度判定回路(4
0)の出力(e)にもとづいて判定し、出力(e)が′
1″で、図5に(15)で示した場合であることを判定
すると、#9のステップに移行して端子(Tlg)の出
力を0″にし、シフトパルスの発生を禁止する。但し、
出力(e)が′1″になると、図6に示したように、き
わめて短時間のうちにDフリップフロップ(DFl)が
らりセットパルスが続いてDフリップフロップ(DF2
)からシフトパルスがされ、そのリセットパルスによっ
て閉じるから、#9のステップで発生を禁止するシフト
パルスは、後述の#10のステップ以降に新たに発生す
る可能性のあるシフトパルスである。これに対し、で示
したいずれかの場合であることを判定すると、マイクロ
コンピュータ(30)は#6のステップで上述のプログ
ラマブルプリセットカウンタの内容がら1″を感じ、#
7のステップでそのカウンタの内容が°゛0″になった
がどうかを判定する。そして、その内容が” o ”に
なっていなければ#5のステップに戻り、#6のステッ
プを経て#7のステップで再びプログラマブルプリセッ
トカウンタの内容が110 I+になったかどうかを判
定する。ここで、#5・#6・#7のステップサイクル
に要する時間をtsとすれば、tsXN=100m秒と
なるように設定されており、したがって、N回#5、#
6、#7のステップを繰返せば、プログラマブルプリセ
ットカウンタの内容は°′O″になる。すなわち、#4
のステップでこのカウンタがセットされてから100m
秒が経過すると、マイクロコン)からリセットパルスが
出力され、フリップフロップ(DFl)のD入力に入力
される。したがって、Dフリップフロップ(FFo)が
リセットされてアンド回路(AN )(AN )が閉じ
る一方、続いてDフリップフロップ(DF2)から2 シフトパルスが発生する。但し、この場合も、さらに時
間が経過し、輝度モニター回路(M C)の出力電圧(
Vm)の降下量が2.8vに達すると、輝度判定回路(
40)の出力(e)が1°°になり、それが#5のステ
ップで判定されるため、端子(T19)からは以降シフ
トパルスの発生を禁止する0″の信号が出力される。 [0044] 上述のようにして発生したシフトパルスはマイクロコン
ピュータ(30)の端子(T21)に入力されると共に
、端子(T7)を介してシフトゲート(SC)に入力さ
れる。これによってイメージセンサ−アレイ(PA)の
各フォトダイオードの蓄積電荷がCCDシフトレジスタ
(SR)の対応するセルに転送され、さらに転送りロッ
クパルス(φ1)(φ2)によって順次そのレジスタ(
SR)の各セルの蓄積電荷が画像信号出力回路(VS)
に転送される。すると、画像信号出力回路(vs)の出
力端子(T3)からは画像信号(Vo sl) (V
o s2) −(VO8n+3)が順次出力され、増幅
器(26)からはvout=E+(vl−v2)Aで表
される信号が順次出力される。これらの信号は逐次A/
D変換器(ADC)でディジタル信号に変換され、デー
タバス(DBl)を介してマイクロコンピュータ(30
)に入力される。 [0045] 一方、マイクロコンピュータ(30)は上述のシフトパ
ルスが端子(T21)に入力すると、#10のステップ
で端子(T17)から積分クリアパルスを出力する。こ
のため、イメージセンサ−アレイ(PA)の各フォトダ
イオードの蓄積電荷がクリアーされ、その積分クリアパ
ルスの消滅と同時に各フォトダイオードの電荷蓄積が再
開される。もちろん、輝度モニター回路(MC)の出力
も上述したと同様モニター用受光素子(PM)により検
出された被写体輝度に応じた速度で降下し始める。すな
わち、第2回目の電荷蓄積サイクルが開始されるカミマ
イクロクンピユータ(30)は積分クリアパルスの消滅
と同時に内部のプログラマブルプリセットカウンタを今
度はCCDシフトレジスタ(SR)のセルの数をカウン
トするようにセットする。これが#11のステップであ
る。マイクロコンピュタ−(30)は、その各セルの蓄
積電荷に対応したディジタル信号をA/D変換器(AD
C)から受取ってそれを内部のランダムアクセスメモリ
ーにストアしく#12のステップ) その度毎にプログ
ラマブルプリセットカウンターの内容から1を減じて(
#13のステップ) その内容が” o ”になったが
どうかを#14のステップで判定する。#11のステッ
プでセットされたプログラマブルプリセットカウンタ内
容が“0″になると、次の#15のステップに移行する
。このステップでは、マイクロコンピュータ(30)は
例えば次のような演算を行って撮影レンズ(TL)の焦
点調節状態、すなわち予定焦点面(F)に対するデフォ
ーカス量及びデフォーカス方向を算出する。すなわち、
上記イメージセンサ−アレP)から(Pl)乃至(Pl
o)を除いたもののうち、図4において上述の第1像が
形成される領域に含まれるものを基準部のフォトダイオ
ード、第2像が形成される領域に含まれるものを参照部
のフォトダイオードとし、この基準部及び参照部のフォ
トダイオードをイメージセンサ−アレイ(PA)の一方
の側から夫々(積された電荷に対応したA/D変換器(
ADC)からのディジタル信号を夫々([0046]
【数1】
[0047]
のに組の演算を行い、CC・・・、CCのうちで最小と
なるものを求め1’ 2= k−1=
kる。例えば、Cの値が最小となれば、基準部のフォ
トダイオード(A1)(A2)・・・(A )に形成さ
れる像に参照部のフォトダイオード(B2)(A3)・
・・(Bm)(8m+1)に形成される像が最も合致し
ている。したがってこの場合イメージセンサ−アレイ(
PA)上におけるフォトダイオード(A )と(B2)
の間の間隔が上述の第1、第2像の間隔であり、これを
焦点検出光学系によって定まる合焦時における第1、第
2像の所定の間隔と比較すれば、撮影レンズのそのとき
のデフォーカス量及びデフォーカス方向を算出できる。 なお、ここで述べた演算の仕方は一例であって、より正
確にデフォーカス量を判定するには、例えば本出願人が
特願昭58−2622号、特願昭58−113936号
において提案している演算方法を用いればよい。 [0048] #15のステップでの上述の演算が終わると、マイクロ
コンピュータ(30)は再び輝度判定回路(40)の出
力(e)にもとづいて、輝度モニター回路(MC)の出
力(V m )の電圧降下量がステップ#11から#1
5の期間において28■に達したかどうかを#16のス
テップで判定する。なお#11から#15までのステッ
プの実行には例えば50m秒を要するものとする。出力
(e)が゛1パであり、出力(V m )の電圧降下量
が2.8■に達しておれば、#17のステップで再び積
分クリアパルスを端子(T17)から出力して、#12
から#15のステップの実行中にイメージセンサ−アレ
イ(PA)の各フォトダイオードに蓄積された電荷をク
リアし、再度それらに電荷蓄積を開始させる。このよう
にするのは、#16のステップでの判定時に出力(e)
が“1゛′であると、イメージセンサ−アレイ(PA)
の各フォトダイオードの電荷蓄積がすでに飽和している
恐れがあるからである。この場合、マイクロコンピュー
タ(30)は積分クリアパルスが消滅すると同時に#1
7のステップで内部のプログラマブルプリセットカウン
タを100m秒をカウントするようにセットし、続いて
#18のステップで端子(T19)からシフトパルスの
発生を許可する゛1パの信号を出力する。そして、これ
以後は#5のステップに戻って、順次上述のステップを
繰返す。 これに対し、#16のステップで出力(e)が“0″で
あり、出力(Vm)の電圧降下量が2.8■に達してい
なければ、#20のステップでマイクロコンピュータ(
30)は上記プログラマブルプリセットカウンタを50
m秒をカウントするようにセットし、続いて上記の#1
9のステップに移行する。このとき、50m秒をカウン
トするようにカウンタをセットするのは、上記のように
#10のステップで出力された積分クリアパルスが消滅
してからすでに約50m秒が経過しており、残り50m
秒をそのカウンタでカウントさせれば、合計100m秒
間の電荷蓄積をイメージセンサ−アレイ(PA)の各フ
ォトダイオードに許容することになるからである。すな
わち、この場合は、#5、#7、#8のステップサイク
ルが最大50/ls回繰返される。もちろん、プログラ
マブルプリセットカウンタを他の目的と兼用せず、専用
に用いることができる場合は、#10のステップの終了
後そのプログラマブルプリセットカウンタを100m秒
のカウントを行うようにセットすればよく、#20のス
テップは不要となる。 [0049] 以上、図9を参照してマイクロコンピュータ(30)の
動作とそれによる回路全体の作用について説明したが、
以上述べたところからも理解されるようにこの実施例で
は、シフトパルスによってイメージセンサ−アレイ(P
A)のフォトダイオードの蓄積電荷の転送が始まってか
らマイクロコンピュータ(30)でのデフォーカス量及
びデフォーカス方向の演算が終了するまでは新たなシフ
トパルスの発生を禁止しており、又イメージセンサ−ア
レイ(PA)の各フォトダイオードには、その演算終了
を持つことなく前回のシフトパルス発生の直後から電荷
蓄積を開始させている。この理由は次の通りである。 すなわち、焦点検出にもとづいて撮影レンズを駆動し、
その焦点調節を行う場合、一定時間内に行われる焦点検
出動作の回数が多い程短時間で撮影レンズを合焦させる
ことができる。そこで、1回の焦点検出動作に要する時
間を考えると、それは、CCDのイメージセンサ−アレ
イ(PA)での電荷蓄積(光電流積分)時間Tiと、そ
のイメージセンサ−アレイの蓄積電荷をCCDシフトレ
ジスタ(SR)を介して画像信号出力回路(VS)へ転
送し、続いてそれの信号処理とデフォーカス量及びデフ
ォーカス方向の算出を行うのに必要な時間Td (これ
を便宜上データ処理時間と呼ぶ)の和(Ti+Td)で
あり、焦点検出動作を繰返し連続的に行う場合、先の検
出動作が完了してから次の検出動作を行うようにすると
、n回の検出動作を行わせるのに必要な時間(Ti+T
d)Xnとなる。ところが、CCDのイメージセンサ−
アレイ(PA)での電荷蓄積(光電流積分)の速度はそ
れに入射する光の強度に依存しており、入射光強度が低
いとその速度は遅くなり、長時間電荷蓄積を行わせなけ
ればならない。このため、1回の焦点検出動作に要する
時間が長くなって、一定の時間内に行える焦点検出動作
の回数が制約を受け、短時間で撮影レンズを合焦させる
ことができなくなる。一方、CCDの場合、シフトレジ
スタ(SR)から画像信号出力回路(VS)に蓄積電荷
を転送しているときにイメージセンサ−アレイ(PA)
に電荷蓄積を行わせても何ら問題はない。したがって、
シフトパルスが発生した直後に積分クリアパルスを発生
させることができ、こうしておけば上述のデータ処理時
間Tdの間にイメ−ジセンサーアレイ(PA)が新たな
電荷蓄積を行うので、入射光強度が低い場合でも1回の
焦点検出動作に要する時間が短くなり、一定時間内に行
われる焦点検出動作の回数が多くなって、短時間に撮影
レンズを合唱させることができるようになる。しかしな
がら、一方でCCDシフトレジスタ(SR)の蓄積電荷
が画像信号出力回路(VS)に転送されている途中で新
たな蓄積電荷がCCDシフトレジスタ(SR)に転送さ
れると(これはCCDの構造上は可能である) CC
Dシフトレジスタ(SR)内で新旧の蓄積電荷が混ざり
合い、誤った画像信号が出力される。又、マイクロコン
ピュータ(30)においても、#15のステップでの演
算中はランダムアクセスメモリーのデータを保持してお
かねばならないから新たな信号を受は付けることはでき
ない。したがって、上述のデータ処理時間Tdの間はシ
フトパルスを禁止する訳である。 [0050] 図1OA2図10Bは上記実施例において焦点検出動作
がどのようにして繰返されるかを図示したものであり、
図10AはTi<Tdの場合、図10B!、tTi>T
dの場合である。図1OAで点数は#10のステップで
発生する積分クリアパルスの消滅後の電荷蓄積期間を示
しているが、この間に蓄積された電荷は上述したように
#17のステップで発生する積分クリアパルスによって
クリアされる。これに対し、図11A9図11Bは、先
にも課程したように、常にデータ処理が終わった後でイ
メージセンサ−アレイ(PA)のフォトダイオードに電
荷蓄積を開始させるようにした場合で、図11AはTi
<Tdの場合、図11BはTi>Tdの場合を示す。図
11Bを図10Bと比較すれば、明らかに上記実施例の
場合が一定時間内における焦点検出作動の回数が多くな
ることがわかる。 [0051] 以上、一実施例についてこの発明を説明したが、この発
明は上記実施例に限定されるものではない。例えば、自
己走査型イメージセンサ−としては、CCDだけでなく
、BBD (Bucket Br igade D
evice) CID (Charge Inje
ction Device) MOS(Metal
0xide Sem1conductor)型イ
メージセンサ−等を用いることができる。又、焦点検出
方式も図4の焦点検出光学系を用いるものに限られるの
ではなく、例えば特開昭54−159259号公報、特
開昭57−70504号、特開昭57−45510号公
報等に示されているように、撮影レンズの予定焦点面乃
至はそれと共役な面にレンズレッドを配置すると共にそ
の背後に自己走査型イメージセンサ−を配置することに
より、撮影レンズの焦点調節状態としてデフォーカス量
とデフォーカス方向を共に算出する方式、あるいは特開
昭55−155308号公報、特開昭57−72110
号公報、特開昭57−88418号公報等に示されてい
るように、撮影レンズの予定焦点面乃至はそれと共役な
面上及びその前後に夫々自己走査型イメージセンサ−を
配置し、撮影レンズの焦点調節状態としてデフォーカス
方向のみ検出する方式等にもこの発明は適用可能である
[0052]
なるものを求め1’ 2= k−1=
kる。例えば、Cの値が最小となれば、基準部のフォ
トダイオード(A1)(A2)・・・(A )に形成さ
れる像に参照部のフォトダイオード(B2)(A3)・
・・(Bm)(8m+1)に形成される像が最も合致し
ている。したがってこの場合イメージセンサ−アレイ(
PA)上におけるフォトダイオード(A )と(B2)
の間の間隔が上述の第1、第2像の間隔であり、これを
焦点検出光学系によって定まる合焦時における第1、第
2像の所定の間隔と比較すれば、撮影レンズのそのとき
のデフォーカス量及びデフォーカス方向を算出できる。 なお、ここで述べた演算の仕方は一例であって、より正
確にデフォーカス量を判定するには、例えば本出願人が
特願昭58−2622号、特願昭58−113936号
において提案している演算方法を用いればよい。 [0048] #15のステップでの上述の演算が終わると、マイクロ
コンピュータ(30)は再び輝度判定回路(40)の出
力(e)にもとづいて、輝度モニター回路(MC)の出
力(V m )の電圧降下量がステップ#11から#1
5の期間において28■に達したかどうかを#16のス
テップで判定する。なお#11から#15までのステッ
プの実行には例えば50m秒を要するものとする。出力
(e)が゛1パであり、出力(V m )の電圧降下量
が2.8■に達しておれば、#17のステップで再び積
分クリアパルスを端子(T17)から出力して、#12
から#15のステップの実行中にイメージセンサ−アレ
イ(PA)の各フォトダイオードに蓄積された電荷をク
リアし、再度それらに電荷蓄積を開始させる。このよう
にするのは、#16のステップでの判定時に出力(e)
が“1゛′であると、イメージセンサ−アレイ(PA)
の各フォトダイオードの電荷蓄積がすでに飽和している
恐れがあるからである。この場合、マイクロコンピュー
タ(30)は積分クリアパルスが消滅すると同時に#1
7のステップで内部のプログラマブルプリセットカウン
タを100m秒をカウントするようにセットし、続いて
#18のステップで端子(T19)からシフトパルスの
発生を許可する゛1パの信号を出力する。そして、これ
以後は#5のステップに戻って、順次上述のステップを
繰返す。 これに対し、#16のステップで出力(e)が“0″で
あり、出力(Vm)の電圧降下量が2.8■に達してい
なければ、#20のステップでマイクロコンピュータ(
30)は上記プログラマブルプリセットカウンタを50
m秒をカウントするようにセットし、続いて上記の#1
9のステップに移行する。このとき、50m秒をカウン
トするようにカウンタをセットするのは、上記のように
#10のステップで出力された積分クリアパルスが消滅
してからすでに約50m秒が経過しており、残り50m
秒をそのカウンタでカウントさせれば、合計100m秒
間の電荷蓄積をイメージセンサ−アレイ(PA)の各フ
ォトダイオードに許容することになるからである。すな
わち、この場合は、#5、#7、#8のステップサイク
ルが最大50/ls回繰返される。もちろん、プログラ
マブルプリセットカウンタを他の目的と兼用せず、専用
に用いることができる場合は、#10のステップの終了
後そのプログラマブルプリセットカウンタを100m秒
のカウントを行うようにセットすればよく、#20のス
テップは不要となる。 [0049] 以上、図9を参照してマイクロコンピュータ(30)の
動作とそれによる回路全体の作用について説明したが、
以上述べたところからも理解されるようにこの実施例で
は、シフトパルスによってイメージセンサ−アレイ(P
A)のフォトダイオードの蓄積電荷の転送が始まってか
らマイクロコンピュータ(30)でのデフォーカス量及
びデフォーカス方向の演算が終了するまでは新たなシフ
トパルスの発生を禁止しており、又イメージセンサ−ア
レイ(PA)の各フォトダイオードには、その演算終了
を持つことなく前回のシフトパルス発生の直後から電荷
蓄積を開始させている。この理由は次の通りである。 すなわち、焦点検出にもとづいて撮影レンズを駆動し、
その焦点調節を行う場合、一定時間内に行われる焦点検
出動作の回数が多い程短時間で撮影レンズを合焦させる
ことができる。そこで、1回の焦点検出動作に要する時
間を考えると、それは、CCDのイメージセンサ−アレ
イ(PA)での電荷蓄積(光電流積分)時間Tiと、そ
のイメージセンサ−アレイの蓄積電荷をCCDシフトレ
ジスタ(SR)を介して画像信号出力回路(VS)へ転
送し、続いてそれの信号処理とデフォーカス量及びデフ
ォーカス方向の算出を行うのに必要な時間Td (これ
を便宜上データ処理時間と呼ぶ)の和(Ti+Td)で
あり、焦点検出動作を繰返し連続的に行う場合、先の検
出動作が完了してから次の検出動作を行うようにすると
、n回の検出動作を行わせるのに必要な時間(Ti+T
d)Xnとなる。ところが、CCDのイメージセンサ−
アレイ(PA)での電荷蓄積(光電流積分)の速度はそ
れに入射する光の強度に依存しており、入射光強度が低
いとその速度は遅くなり、長時間電荷蓄積を行わせなけ
ればならない。このため、1回の焦点検出動作に要する
時間が長くなって、一定の時間内に行える焦点検出動作
の回数が制約を受け、短時間で撮影レンズを合焦させる
ことができなくなる。一方、CCDの場合、シフトレジ
スタ(SR)から画像信号出力回路(VS)に蓄積電荷
を転送しているときにイメージセンサ−アレイ(PA)
に電荷蓄積を行わせても何ら問題はない。したがって、
シフトパルスが発生した直後に積分クリアパルスを発生
させることができ、こうしておけば上述のデータ処理時
間Tdの間にイメ−ジセンサーアレイ(PA)が新たな
電荷蓄積を行うので、入射光強度が低い場合でも1回の
焦点検出動作に要する時間が短くなり、一定時間内に行
われる焦点検出動作の回数が多くなって、短時間に撮影
レンズを合唱させることができるようになる。しかしな
がら、一方でCCDシフトレジスタ(SR)の蓄積電荷
が画像信号出力回路(VS)に転送されている途中で新
たな蓄積電荷がCCDシフトレジスタ(SR)に転送さ
れると(これはCCDの構造上は可能である) CC
Dシフトレジスタ(SR)内で新旧の蓄積電荷が混ざり
合い、誤った画像信号が出力される。又、マイクロコン
ピュータ(30)においても、#15のステップでの演
算中はランダムアクセスメモリーのデータを保持してお
かねばならないから新たな信号を受は付けることはでき
ない。したがって、上述のデータ処理時間Tdの間はシ
フトパルスを禁止する訳である。 [0050] 図1OA2図10Bは上記実施例において焦点検出動作
がどのようにして繰返されるかを図示したものであり、
図10AはTi<Tdの場合、図10B!、tTi>T
dの場合である。図1OAで点数は#10のステップで
発生する積分クリアパルスの消滅後の電荷蓄積期間を示
しているが、この間に蓄積された電荷は上述したように
#17のステップで発生する積分クリアパルスによって
クリアされる。これに対し、図11A9図11Bは、先
にも課程したように、常にデータ処理が終わった後でイ
メージセンサ−アレイ(PA)のフォトダイオードに電
荷蓄積を開始させるようにした場合で、図11AはTi
<Tdの場合、図11BはTi>Tdの場合を示す。図
11Bを図10Bと比較すれば、明らかに上記実施例の
場合が一定時間内における焦点検出作動の回数が多くな
ることがわかる。 [0051] 以上、一実施例についてこの発明を説明したが、この発
明は上記実施例に限定されるものではない。例えば、自
己走査型イメージセンサ−としては、CCDだけでなく
、BBD (Bucket Br igade D
evice) CID (Charge Inje
ction Device) MOS(Metal
0xide Sem1conductor)型イ
メージセンサ−等を用いることができる。又、焦点検出
方式も図4の焦点検出光学系を用いるものに限られるの
ではなく、例えば特開昭54−159259号公報、特
開昭57−70504号、特開昭57−45510号公
報等に示されているように、撮影レンズの予定焦点面乃
至はそれと共役な面にレンズレッドを配置すると共にそ
の背後に自己走査型イメージセンサ−を配置することに
より、撮影レンズの焦点調節状態としてデフォーカス量
とデフォーカス方向を共に算出する方式、あるいは特開
昭55−155308号公報、特開昭57−72110
号公報、特開昭57−88418号公報等に示されてい
るように、撮影レンズの予定焦点面乃至はそれと共役な
面上及びその前後に夫々自己走査型イメージセンサ−を
配置し、撮影レンズの焦点調節状態としてデフォーカス
方向のみ検出する方式等にもこの発明は適用可能である
[0052]
以上説明した通り、この発明の画像処理装置においては
、シフトパルスに応答して電荷蓄積開始信号を発生させ
ることによって、シフトパルスによりイメージセンサ−
の転送部に転送された蓄積電荷が転送りロックパルスに
より順次画像信号出力回路へ転送されて画像信号の処理
演算が行われている間に、イメージセンサ−の電荷蓄積
部に新たな電荷蓄積を行わせるから、電荷蓄積開始が画
像信号の処理終了までに要する時間を短縮することがで
きる。
、シフトパルスに応答して電荷蓄積開始信号を発生させ
ることによって、シフトパルスによりイメージセンサ−
の転送部に転送された蓄積電荷が転送りロックパルスに
より順次画像信号出力回路へ転送されて画像信号の処理
演算が行われている間に、イメージセンサ−の電荷蓄積
部に新たな電荷蓄積を行わせるから、電荷蓄積開始が画
像信号の処理終了までに要する時間を短縮することがで
きる。
【図1】
図1は本発明の一実施例の全体回路図である。
【図2】
図2は図1の光電変換ブロック(1)の詳細を示す図で
ある。
ある。
【図3】
図3はイメージセンサ−アレイの各画素を構成するフォ
トダイオードと積分クリアゲートの等価回路図である。
トダイオードと積分クリアゲートの等価回路図である。
【図4】
図4はカメラの焦点検出用光学系を示す図である。
【図5】
図5はモニター回路の出力の時間的変化を示す図である
。
。
【図6】
図6は図1の輝度判定回路(40)及びブロック(20
)の具体的を示す回路図である。
)の具体的を示す回路図である。
【図7】
図7は図1の回路の各部における出力波形を示す図であ
る。
る。
【図8】
図8は図1の回路の各部における出力波形を示す図であ
る。
る。
【図9】
図9はマイクロコンピュータの動作を示すフローチャー
トである。
トである。
【図101
図10は焦点検出の繰返し動作を示すタイムチャートで
ある。 【図11】 図11は常にデータ処理の後イメージセンサ−のイメー
ジセンサ−アレイを構成する各フォトダイオードに電荷
蓄積を開始させる場合の焦点検出の繰返し動作を示すタ
イムチャートである。
ある。 【図11】 図11は常にデータ処理の後イメージセンサ−のイメー
ジセンサ−アレイを構成する各フォトダイオードに電荷
蓄積を開始させる場合の焦点検出の繰返し動作を示すタ
イムチャートである。
1 自己走査型イメージセンサ−
VS 画像信号出力回路
#3 開始信号出力手段
DF2 シフトパルス発生手段
10 転送りロックパルス発生手段
30 制御手段
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
Claims (1)
- 【請求項1】電荷蓄積部及び蓄積電荷転送用の転送部を
有する自己走査型イメージセンサーから順次転送される
蓄積電荷にもとづいて画像信号出力回路により画像信号
を得、処理回路により画像信号を処理演算する画像処理
装置において、上記電荷蓄積部の電荷蓄積動作を開始さ
せるための開始信号を出力する開始信号出力手段と、上
記電荷蓄積部に蓄積された電荷を上記転送部へ転送させ
るためのシフトパルスを発生するシフトパルス発生手段
と、上記転送部に転送された電荷を順次上記画像信号出
力回路へ転送する転送クロックパルスを発生する転送ク
ロックパルス発生手段と、上記シフトパルスの発生に応
答して上記開始信号出力手段の動作を再開させる制御手
段とを備え、上記処理回路による画像処理期間中に上記
電荷蓄積部での電荷蓄積動作が並行して行われるように
したことを特徴とする画像処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2401631A JPH0775402B2 (ja) | 1990-12-12 | 1990-12-12 | 自己走査型イメージセンサーを用いた画像処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2401631A JPH0775402B2 (ja) | 1990-12-12 | 1990-12-12 | 自己走査型イメージセンサーを用いた画像処理装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58234551A Division JPS60125817A (ja) | 1983-11-08 | 1983-12-12 | 自己走査型イメージセンサーを用いた画像処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03247086A true JPH03247086A (ja) | 1991-11-05 |
JPH0775402B2 JPH0775402B2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=18511468
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2401631A Expired - Lifetime JPH0775402B2 (ja) | 1990-12-12 | 1990-12-12 | 自己走査型イメージセンサーを用いた画像処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0775402B2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5843670A (ja) * | 1981-09-08 | 1983-03-14 | Canon Inc | 撮像装置 |
JPS5860709A (ja) * | 1981-10-07 | 1983-04-11 | Olympus Optical Co Ltd | 画像情報処理装置 |
-
1990
- 1990-12-12 JP JP2401631A patent/JPH0775402B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5843670A (ja) * | 1981-09-08 | 1983-03-14 | Canon Inc | 撮像装置 |
JPS5860709A (ja) * | 1981-10-07 | 1983-04-11 | Olympus Optical Co Ltd | 画像情報処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0775402B2 (ja) | 1995-08-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4831403A (en) | Automatic focus detection system | |
US4660955A (en) | Focus condition detecting device for use in a camera | |
US7589764B2 (en) | Focus detection device including reduction of fluctuations due to flickering light | |
JP2623530B2 (ja) | 固体撮像素子駆動装置 | |
JPH0677098B2 (ja) | イメージセンサーを用いたカメラの焦点検出装置 | |
US5168299A (en) | Camera with a multi-zone focus detecting device | |
JPS60125817A (ja) | 自己走査型イメージセンサーを用いた画像処理装置 | |
JPH06313840A (ja) | 測光装置と測光方法 | |
US6922528B2 (en) | Light emission control system for a flash device | |
JPH03247086A (ja) | 自己走査型イメージセンサーを用いた画像処理装置 | |
JP2001305422A (ja) | 測距装置 | |
JPS62259022A (ja) | 合焦検出素子を用いた測光装置 | |
JPS63246710A (ja) | 焦点検出用光電変換装置 | |
US6470150B2 (en) | Distance measuring apparatus | |
JPH0628415B2 (ja) | 自己走査型イメージセンサーを用いた画像処理装置 | |
JPS62188918A (ja) | 電荷蓄積型光電変換素子 | |
US4862273A (en) | Focus condition detecting device for use in a camera | |
JPH0434689B2 (ja) | ||
JPS62169569A (ja) | Ccd1次元イメ−ジセンサ | |
JP3554201B2 (ja) | 測距装置 | |
JPH07333060A (ja) | 測光装置 | |
JPH0642724B2 (ja) | イメージセンサー | |
JP2691206B2 (ja) | 自動焦点カメラの補助照明装置 | |
JPH08248468A (ja) | 閃光調光装置を備えたカメラ | |
JPS60166911A (ja) | カメラのぶれ検知装置 |