JPH03245146A - 高光透過性防塵膜およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はフォトマスクやレチクルの防塵カバーとしての
ペリクルに使用される反射防止層を有する高光透過性防
塵膜およびその製造方法に関するものである。

〔従来の技術〕

半導体露光工程において、ペリクルと称する防塵膜をフ
ォトマスクまたはレチクルと組合せて使用することによ
って、塵による露光工程への影響を防止し、生産性を向
上する方法が提案されている（特公昭５４−２８７１６
号）。ペリクルはペリクル枠の一側面に防塵膜を張った
構造であり、フォトマスクやレチクルに重ねて使用され
る。

このようなペリクルを構成する防塵膜としては、従来ニ
トロセルロースの単層薄膜が主として利用されているが
、露光工程におけるスループットの向上等を目的として
ニトロセルロースの透明薄膜上に高屈折率ポリマーおよ
び低屈折率ポリマーの積層膜からなる反射防止層を設け
た防塵膜が提案されている（特開昭６０−２３７４５０
号、特開昭６１−５３６０１号、特開昭６１−２０９４
４９号、特開昭６２−１２７８０１号）。

ここでは反射防止層を形成する高屈折率ポリマーとして
ポリスチレン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、
ポリフェニレンエーテル、ポリカーボネート、芳香族ポ
リエステル等があげられているが、これらの物質を使用
して反射防止層を形成しても屈折率が小さいため、４０
０〜４５０ｎ園の最大光透過率と最小光透過率の差が大
きい防塵膜しか得られない。

また高屈折率ポリマーとして特開昭６２−１２７８０１
号にはポリビニルナフタレンが、特開平１−２６２５４
８号にはポリビニルナフタレン系共重合体が開示されて
いる。しかし、これらの重合体はビニルナフタレンのア
ニオン重合により製造されるので、高屈折率ポリマーと
して製膜可能な高分子量のポリマーを製造するためには
、反応系内の水分を極力除いて鎖の成長が停止しないよ
うに制御しなければならないにのためポリビニルナフタ
レンおよびポリビニルナフタレン系共重合体の製造は、
熱重合やラジカル重合による重合体の製造に比較して煩
雑であり、高分子量のポリマーを製造することが困難で
ある。

〔発明が解決しようとするＩｉ題） 本発明の目的は、高屈折率で、しかも簡便に重合して高
分子量化できるポリマーを高屈折率ポリマーとして使用
し、高い光透過率を有する高光透過性防塵膜を提供する
ことである。

本発明の他の目的は、上記高光透過性防塵膜を容易に製
造できる方法を提案することである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は次の高光透過性防塵膜およびその製造方法であ
る。

（１）透明薄膜からなる基材の片面または両面に高屈折
率ポリマー、およびさらにその上に低屈折率ポリ？−を
コーティングした低屈折率ポリマー／高屈折率ポリマー
／基材からなる三層構造、または低屈折率ポリマー／高
屈折率ポリマー／基材／高屈折率ポリマー／低屈折率ポ
リマーからなる五層構造の高光透過性防塵膜において、
高屈折率ポリマーとして、−形式 ＣＨ，−Ｃ＝ＣＨ２、Ｘはそれぞれ−Ｃ）Ｉ、　−、○
原子またはＳ原子である。） からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物の重合
体を用いることを特徴とする高光透過性防塵膜。

（２）基材がセルロース誘導体であることを特徴とする
上記（１）記載の高光透過性防塵膜。

（３）低屈折率ポリマーが、−形式 Ｒ３ ＣＨ，＝ＣＣ０ＯＲ’　　　　　　　　　・・・　［ｍ
ｌ（式中、Ｒ３はＨ原子または−Ｃ）Ｒ３，Ｒ’は間に
エーテル酸素原子を含んでいてもよいフルオロアルキル
基である。） からなる群から選ばれる少なくとも１種のモノマーを含
有する含フツ素ポリ（メタ）アクリレートであることを
特徴とする上記（１）または（２）記載の高光透過性防
塵膜。

（４）基材上に、高屈折率ポリマーを沸点５０〜２００
℃の溶媒に溶解した溶液を供給して回転製膜法により製
膜した後、その上に低屈折率ポリマーの溶液を供給して
１回転製膜法により積層製膜することを特徴とする上記
（１）ないしく３）のいずれかに記載の高光透過性防塵
膜の製造方法。

本発明において、防塵膜の本体となる基材は透明薄膜か
らなるものであり一１露光に採用される３５０〜４５０
ｎｍの波長において吸収のないものであればよいが、ニ
トロセルロース、エチルセルロース、プロピオン酸セル
ロース、アセチルセルロース等のセルロース誘導体薄膜
が好ましい、これらのうちでも膜強度の面から、ニトロ
セルロースが好ましい、ニトロセルロースは１１−１２
．５％、特に１１．５〜１２．２％の硝化度（Ｎ％）、
および１５００００〜３５００００、特に１７００００
〜３２００００の平均分子量（重量平均、肋）を有する
ものが好ましい、基材の厚さは光透過率の面からは自由
であるが、厚くなると露光時の収差が大きくなるので、
５μ■以下が好ましい。

基材の片面または両面にコーティングする高屈折率ポリ
マーおよび低屈折率ポリマーの屈折率は。

基材の屈折率をｎ、高屈折率ポリマーの屈折率をｎ工、
低屈折率ポリマーの屈折率をｎよとした場合、６＝ｎ□
／ｎ、で表わされるｎ工、Ｒ２が好ましい。

例えば基材がニトロセルロースの場合、ｎ＝約１．５で
あり、現在−船釣に使用可能な低屈折率ポリマーの屈折
率ｎ２は１．３５〜１．３６であることから、これに対
応する高屈折率ポリマーの屈折率は１．６５〜１．６７
となる。

本発明において基材の片面または両面にコーティングす
る高屈折率ポリマーは、前記−形式［１）および〔■〕
からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物の重合
体であり、上記屈折率を満足するものが得られる。

前記−形式［１）で表わされる化合物の具体的なものと
しては１例えば ものとしては、例えば ＣＨ。

などをあげることができる。

前記−形式（ＩＩ）で表わされる化合物の具体的ななど
をあげることができる。

前記−形式〔■〕および（ＩＩ）で表わされる化合物は
１種単独で重合することもできるし、２種以上を共重合
することもでき、さらに他のモノマーと共重合させるこ
ともできる。

前記−形式［１３または（［３で表わされる化合物は、
相当するカルビノールの脱水反応あるいは相当するアル
デヒドまたはケトンのウィッティッヒ（ｗｉｔｔｉｇ）
反応により製造することができる。

前記−形式（１）および（Ｉｆ］で表わされる化合物を
モノマー成分として高屈折率ポリマーを製造するには、
公知の熱重合またはラジカル重合により行うことができ
る。

ラジカル重合の際に使用される開始剤としては、公知の
過酸化物、アゾ化合物等のラジカル開始剤を使用するこ
とができる。開始剤の使用量は特に制限されないが、モ
ノマー成分に対して通常０．０１〜２モル％、好ましく
はＯ，ＯＳ〜０．５モル％が望ましい。

反応は無溶媒で行うこともできるし、適当な溶媒を用い
て行うこともできる。使用される溶媒としては１例えば
ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、アニ
ソール、エチルフェニルエーテル、テトラヒドロフラン
、ジオキサンなどをあげることができる。

溶媒の使用量に特に制限はないが、モノマー成分の濃度
が通常２０〜８０重量％、好ましくは４０〜６０重量％
となるように使用するのが望ましい。

反応条件は、熱重合では反応温度が通常７０〜２００℃
、好ましくは１１０−１６０℃、反応時間が数分〜６時
間、好ましくは２０分〜２時間が望ましく。

ラジカル重合では反応温度が通！２０〜１２０℃、好ま
しくは４０〜８０℃１反応時間が５〜５０時間、好まし
くは１５〜３０時間である。また反応は窒素雰囲気下に
行うのが好ましい。

以上のような方法により、屈折率が１．６５〜１．６８
、分子量が１０００００〜５ｏｏｏｏｏの高屈折率ポリ
マーが簡単に製造できる。

こうして製造されたポリマーは、モノマーの種類、モル
比１分子量等に応じて、１種または２種以上を高屈折率
ポリマーとして使用することができる。

基材の片面または両面にコーティングした高屈折率ポリ
マー層の上にさらに積層コーティングする低屈折率ポリ
マーとしては、前記−形式Ｃｍ）からなる群から選ばれ
る少なくとも１種のモノマーを含み、かつ重合体中のフ
ッ素含有率が５０重量％以上の含フツ素ポリ（メタ）ア
クリレートが好ましし１゜ 前記−形式（ＩＩＩ）におけるＲ４としては、炭素数２
〜１４の、間にエーテル酸素原子を含んでいてもよいフ
ルオロアルキル基が好ましく、具体的には−ＣＨ，ＣＦ
、、　−Ｃ）ｌ、Ｃ，Ｆ、、　−ＣＨ，Ｃ３Ｆ、、　−
ＣＨ□Ｃ４Ｆ、。

−ＣＨｚＣｓＦｔ、□、−ＣＨｘＣＪｔｓ　、−ＣＨｚ
ＣｓＦｔ７−−ｃｏ、ｃ、Ｆ工、。

−ＣＩＩａＣｘｏＦｚｔ　−−ＣＨｘＣＨｚＣＦｓ　、
　−ＣＪＣＪＣ２Ｆｓ　。

−Ｃ）Ｉ、Ｃ）Ｉ、Ｃ，Ｆ、、　−Ｃ）Ｉ、Ｃ）ｌ、Ｃ
４Ｆ、、　−Ｃ）Ｉ、Ｃ）Ｉ、Ｃ，Ｆ工、。

−ＣＨ，ＣＨ２Ｃ，Ｆ工ｓ　、　−ＣＨ，ＣＨＩ　Ｃ＠
　Ｆ工、　、　−ＣＨ２Ｃ）Ｉ、Ｃ，Ｆ□、。

−ＣＨ，Ｃ８，Ｃ，。Ｆ□、、　−ＣＨ，（ＣＦよ）□
Ｈ，−Ｃ，Ｈ□（ＣＦ、）４Ｈ。

−ＣＨ２（ＣＦ、）、Ｈ，−ＣＨ□（ＣＦ、）、Ｈ，−
ＣＨ□（ＣＦ−）ｘ。Ｈ。

−ＣＨ（ＣＦ３）！、　−ＣＨ，ＣＦ□ＣＨＦＣＦ、、
　−ＣＨ２ＣＦ２ＣＨＦ（ＣＦ□）６Ｈ２−ＣＨ，ＣＦ
　（ＣＦ３）ＣＨＦＣＦ　（ＣＦ、　）２　。

−ＣＨｚ　ＣＦ　（Ｃｚ　Ｆ　ｓ　）ＣＨ（ＣＦ　３　
）、−ＣＨｚ　ＣＧＨＦ　ｌｚ　、−Ｃｓ　ＨＦ　１ｚ
　。

−ＣＨ，Ｃ，。ＨＦ、。、−ＣＨ，Ｃ，Ｆ工。Ｒ２−（
ＣＨ２）ｓＯＣＦ（ＣＦｉ）ｚ。

−（Ｃ）ｌ□）ＩＩＯＣＦ（ＣＦ、）！、　−ＣＨ２（
ＣＦ、）２０ＣＦ、。

−ＣＩ、（ＣＦ、）、ＱＣ，Ｆ、、　−ＣＨ，ＣＣＦ、
＞２ＤＣ，Ｆ、。

−ＣＨ２−ＣＦ、−ＣＦＨ−０−ＣＦ、−ＣＦ−０−Ｃ
，Ｆ、。

ＣＦ。

ＣＦ。

などが例示できる。

含フツ素ポリ　（メタ）アクリレートは上記モノマー１
種の単独重合体でもよく、２種以上の共重合体でもよい
。共重合体の場合、エーテル酸素原子を含まない直鎖状
のフルオロアルキル基と、エーテル酸素原子を含む直鎖
状のフルオロアルキル基またはエーテル酸素原子を含ん
でいてもよい分岐状のフルオロアルキル基とを組合せる
と、光透過率が高くなるので好ましい。

また含フツ素ポリ（メタ）アクリレートは前記−ａ式〔
■〕のモノマーと他のモノマーとの共重合体であっても
よい。前記−形式〔■〕のモノマーと共重合させる他の
モノマーとしては特に限定されないが、−形式 ％式％［］ （式中、ＲＳはＨ原子または−Ｃ１ｌ’、Ｒ５はエーテ
ル酸素原子を含んでいてもよいアルキル基である。）か
らなる群から選ばれる少なくとも１種のモノマーが好ま
しい。

前記−形式（ＩＶ）におけるＲ’としては、炭素数１〜
５０．好ましくは４〜２４のアルキル基が好ましく、具
体的には−ＣＤ、、　−Ｃ，）！、、　−Ｃ４Ｈ，、−
ＣＧＨよ、。

−Ｃ，Ｈ，７，−Ｃ，）Ｉ□９ｌ−Ｃ１゜Ｈ２□ｌ　−
Ｃ１２Ｈ２Ｓｌ　−ｃＬ□Ｈ３，。

”’Ｃｌ８Ｈ３’ｌ＋　”’Ｃ２４Ｈ４９１−Ｃ３４Ｈ
Ｇ’ａ　などが例示でき、エーテル酸素原子を含んでい
てもよい。

前記−形式（ＩＩＩ）の含フッ素（メタ）アクリレート
モノマーと組合せる前記−形式［ｒＶ）のアルキル基含
有（メタ）アクリレート等の他のモノマーの混合割合は
７０モル％以下、好ましくは１〜２０モル％が好ましい
。

含フツ素ポリ（メタ）アクリレートは、重合体のフッ素
含有率が５０〜７０重量％になるのが好ましい６上記範
囲にある場合に、透明で、層間の乱れによる色ムラや白
化が生じない層が得られる。

反射防止層となる上記高屈折率ポリマーおよび低屈折率
ポリマーは、それぞれセルロース誘導体等の透明薄膜か
らなる基材の片面または両面に形成され、低屈折率ポリ
マー／高屈折率ポリマー／基材からなる三層構造、また
は低屈折率ポリマー／高屈折率ポリマー／基材／高屈折
率ポリマー／低屈折率ポリマーからなる五層構造の高光
透過性防塵膜が形成される。高屈折率ポリマーおよび低
屈折率ポリマーの膜厚は、それぞれ使用する光の波長の
１／４ｎ（ｎは屈折率）とするのが好ましい。

本発明の反射防止層を有する高光透過性防塵膜の製造方
法は、スピンナーを用いて回転製膜法により形成した基
材の片面または両面に、高屈折率ポリマーの溶液を供給
して回転製膜法により製膜した後、その上に低屈折率ポ
リマーの溶液を供給して回転製膜法により積層製膜する
。

例えば基材としてセルロース誘導体を用いた三層構造の
片面反射防止型防塵膜の製造は次のように行われる。す
なわち、まずスピンナーに取付けたガラス等の平滑な基
板上にセルロース誘導体溶液を供給し、スピンナーを回
転させて回転製膜法によりセルロース誘導体の透明薄膜
からなる基材を形成する。セルロース誘導体は溶媒に溶
解し、濾過等の精製を行った溶液を使用するのが好まし
い。溶媒としてはメチルエチルケトン、メチルイソブチ
ルケトン、アセトン等のケトン類；酢酸ブチル、酢酸イ
ソブチル等の低級脂肪酸エステル類；前述のケトン類ま
たはエステル類とイソプロピルアルコール等との混合溶
媒などが使用される。形成される基材の厚さは、溶液粘
度や基板の回転速度を変化させることにより適宜変化さ
せることができる。

基板上に形成されたセルロース誘導体の透明薄膜からな
る基材は、熱風や赤外線ランプ照射等の手段によって乾
燥させ、残存溶媒を除去する。

次いで、乾燥された基材上に高屈折率ポリマーの溶液を
供給して、再びスピンナーを回転させ、回転製膜法によ
り高屈折率ポリマー層を形成する。

高屈折率ポリマーを溶解させる溶媒は沸点５０〜２００
℃、好ましくは１３０〜１８０℃の溶媒であり、高屈折
率ポリマーを溶解でき、かつ基材を溶解または膨潤させ
ないものが好ましい。このような溶媒としては例えばキ
シレン、エチルベンゼン、クメン、プソイドクメン等が
使用でき、特にエチルベンゼンが好ましい。高屈折率ポ
リマー溶液の濃度は０．５〜４重量％が好ましい。

次いで、前記と同様に乾燥された高屈折率ポリマー層の
上に低屈折率ポリマー溶液を供給し、スピンナーを回転
させて、回転製膜法により低屈折率ポリマー層を形成す
る。低屈折率ポリマーを溶解する溶媒は、低屈折率ポリ
マーを溶解でき、高屈折率ポリマーおよび基材を溶解ま
たは膨潤させナイ溶媒で、沸点４０〜２２０℃、好まし
くは６０−１５０℃の範囲のものが好ましく１例えばキ
シレンへキサフルオライド、ペンシトリフルオライド、
五フッ化プロパツール等が使用できる。低屈折率ポリマ
ー溶液の濃度は０．３〜３重量％が好ましい。

次いで前記と同様に乾燥した後５反射防止層を形成した
基材を基板から剥離して三層構造の防塵膜を得る。

基材の両面に反射防止層を有する防ｍ膜は、上記によっ
て得られた三層構造の防塵膜を反転してスピンナーに取
付け、前記と同様の操作により、基材の反対側に高屈折
率ポリマーおよび低屈折率ポリマーを積層コーティング
して製造される。

こうして製造された防塵膜は、三層構造の防塵膜の場合
、４００〜４５００■の最大透過率は９６％以上、最小
透過率は９５％以上、五層構造の場合、最大透過率は１
００％、最小透過率は９９％以上の光透過率を有してい
る。

〔発明の効果〕

本発明によれば、高屈折率ポリマーとして前記−形式［
１）および（ｎ）で表わされる化合物の重合体を使用す
るようにしたので、簡便な重合法により高分子量化して
高屈折率ポリマーを得ることができ、このような高屈折
率ポリマーを透明薄膜からなる基材の片面または両面に
低屈折率ポリマーとともに積層することにより、高い光
透過率を有する高光透過性防塵膜が得られる。

さらに本発明によれば、上記高光透過性防塵膜を容易に
製造することができる。

〔実施例〕

次に本発明の実施例について説明する。

重合例１ （ビニルジベンゾフランの重合） 撹拌羽根、冷却管、温度計、バブリング管を取付けた１
００ｍＮの四ツロフラスコを窒素置換した。

次に、窒素雰囲気下に純度９９％のビニルジベンゾフラ
ン（２−ビニルジベンゾフラン；３−ビニルジベンゾフ
ラン＝　９　：　］、　）　１１６．３ｇ　ｏ−キシレ
ン１９１党およびアゾビスイソブチロニトリル（以下、
ＡＩＢＮと略記する）　２２ｍｇを加え、しばらく撹拌
してビニルジベンゾフランとＡＩＢＮを溶解した。

次に窒素ガス約１５０ｔＱ／分をバブリング管から溶液
中に約１時間吹込み、溶液内部の空気を追出し、続いて
窒素雰囲気下に６０℃で２４時間重合した０反応終了後
、粘稠な重合液になるのでテトラヒドロフランで希釈し
た後１強撹拌下に約２Ｑのメタノール中に滴下した。

沈殿を濾別分離後、８０℃で真空乾燥し、白色のポリビ
ニルジベンゾフラン１４．５ｇを得た（収率８９．０モ
ル％）、　ＧＰＣ測定の結果、このポリマーの重量平均
分子量（Ｍｕ）は２０００００．多分散性（重量平均分
子量／数平均分子量）は２．１であった。またこのポリ
マーの屈折率は１．６６であった。

重合例２〜３ 表１に示した条件で、重合例１と同様にしてビニルジベ
ンゾフランの重合反応を行った。得られたポリマーの物
性値を表１に示す。

実施例 スピンナーに取付けた石英基板上にセルロース誘導体の
メチルイソブチルケトン溶液を滴下してスピンナーを回
転させ、回転製膜法により透明薄膜を形成し、その後熱
処理で透明薄膜を乾燥した。

この上に表１の重合例３で得た高屈折率ポリマーのバラ
キシレン溶液を滴下し、同様に回転製膜法により高屈折
率ポリマー層を形成した。さらにその上に、パーフルオ
ロオクチルエチルアクリレート（ＣＨよ＝ＣＨ−Ｃ（＝
Ｏ）−０−ＣＨ，−ＣＨ２−Ｃ，Ｆ１７）　８０モル％
と、ヘキサフルオロプロピレンの二量体から合成した分
岐状のフルオロアルキル基をもつＣＨ２＝ＣＨ−Ｃ（＝
Ｏ）−０−ＣＨ，−Ｃ（ＣＦ３）　Ｆ−ＣＨＦ−Ｃ（Ｃ
Ｆ、　）、　Ｆ　（以下。

ＲＦＰ−ＤＡと略す）２０モル％との共重合体からなる
低屈折率ポリマーのメタキシレンヘキサフルオライド溶
液を滴下し、同様に回転製膜法で三層構造の防塵膜を製
膜した。結果を表２の実施例１に示す。

五層構造の防塵膜の場合は、上記で製膜した三層構造の
防塵膜を仮枠に取り、仮枠を反転してスピンナーに取付
け、前記と同様の方法で高屈折率ポリマーおよび低屈折
率ポリマーの溶液を塗布して製膜した。この防塵膜の結
果を表２の実施例２に示し、この時の照射した波長と透
過率との関係を第１図に示す。第１図かられかるように
、４００〜４５０ｎ園の最大透過率は１００％、最小透
過率は９９％以上であった。

次に表１の重合例１で得た高屈折率ポリマーを用い、実
施例２と同様にして五層構造の防塵膜を製膜した。結果
を表２の実施例３に示す。

比較例 高屈折率ポリマーとしてビニルナフタレン９０モル％と
スチレン１０モル％との共重合体を、低屈折率ポリマー
としてパーフルオロオクチルアクリレート８０モル％と
ＲＦＰ−ＤＡ２０モル％との共重合体を用いた以外は実
施例と同様の回転製膜法で防塵膜を製膜した。三層構造
の結果を表２の比較例１に。

五層構造の結果を表２の比較例２に示す。また比較例２
の防塵膜については、照射した波長と透過率との関係を
第２図に示す。

以上の結果から、本発明の防塵膜は、高屈折率ポリマー
としてビニルナフタレンとスチレンとの共重体を用いた
防塵膜と比較して、４００〜４５０ｎｍの波長に対して
ほぼ同等の透過率を有していることがわかる。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は実施例２または比較例２の防塵膜
の照射した波長と透過率との関係を示すグラフである。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）透明薄膜からなる基材の片面または両面に高屈折
   率ポリマー、およびさらにその上に低屈折率ポリマーを
   コーティングした低屈折率ポリマー／高屈折率ポリマー
   ／基材からなる三層構造、または低屈折率ポリマー／高
   屈折率ポリマー／基材／高屈折率ポリマー／低屈折率ポ
   リマーからなる五層構造の高光透過性防塵膜において、
   高屈折率ポリマーとして、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼…〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼…〔II〕 （式中、Ｒ＾１およびＲ＾２はそれぞれ−ＣＨ＝ＣＨ＿
   ２または▲数式、化学式、表等があります▼、Ｘはそれ
   ぞれ−ＣＨ＿２−、Ｏ原子またはＳ原子である。） からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物の重合
   体を用いることを特徴とする高光透過性防塵膜。
2. （２）基材がセルロース誘導体であることを特徴とする
   請求項（１）記載の高光透過性防塵膜。
3. （３）低屈折率ポリマーが、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼…〔III〕 （式中、Ｒ＾３はＨ原子または−ＣＨ＿３、Ｒ＾４は間
   にエーテル酸素原子を含んでいてもよいフルオロアルキ
   ル基である。） からなる群から選ばれる少なくとも１種のモノマーを含
   有する含フッ素ポリ（メタ）アクリレートであることを
   特徴とする請求項（１）または（２）記載の高光透過性
   防塵膜。
4. （４）基材上に、高屈折率ポリマーを沸点５０〜２００
   ℃の溶媒に溶解した溶液を供給して回転製膜法により製
   膜した後、その上に低屈折率ポリマーの溶液を供給して
   、回転製膜法により積層製膜することを特徴とする請求
   項（１）ないし（３）のいずれかに記載の高光透過性防
   塵膜の製造方法。