JPH03243188A - 静電チャックの帯電除去方法 - Google Patents
静電チャックの帯電除去方法Info
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- JPH03243188A JPH03243188A JP2036080A JP3608090A JPH03243188A JP H03243188 A JPH03243188 A JP H03243188A JP 2036080 A JP2036080 A JP 2036080A JP 3608090 A JP3608090 A JP 3608090A JP H03243188 A JPH03243188 A JP H03243188A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrostatic chuck
- static electricity
- processing chamber
- remove static
- vacuum container
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Elimination Of Static Electricity (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、静電チャックの帯電除去方法に関するもので
ある。
ある。
従来の技術は、例えば、特開昭６０−５５３９号公報に
記載のように、電極に直流電圧を印加し、被処理物を静
電的に固定し、上記電極に負の電圧を印加することによ
り、被処理物を強制的に脱離させ侮ることとなっていた
。
記載のように、電極に直流電圧を印加し、被処理物を静
電的に固定し、上記電極に負の電圧を印加することによ
り、被処理物を強制的に脱離させ侮ることとなっていた
。
上記従来技術は、被処理物の離脱に際し、電極に負電圧
を印加するため、負電圧を印加できる専用の付加回路を
設ける必要がある。このため、装置が複雑化、大型化す
るという問題があった。
を印加するため、負電圧を印加できる専用の付加回路を
設ける必要がある。このため、装置が複雑化、大型化す
るという問題があった。
本発明の目的は、被処理物の離脱に際し、専用回路等を
設ける必要がなく、さらに被処理物に影響を与えず、簡
単にかつ高速に実施することにある。
設ける必要がなく、さらに被処理物に影響を与えず、簡
単にかつ高速に実施することにある。
上記目的を達成するために、内部に電極が取り付けられ
、該電極に被処理物が静電吸着、固定された状態の真空
容器内に不活性ガスを導入し、該真空容器内でプラズマ
を発生させるようにしたものである。
、該電極に被処理物が静電吸着、固定された状態の真空
容器内に不活性ガスを導入し、該真空容器内でプラズマ
を発生させるようにしたものである。
静電チャックは、真空容器内に取り付けられた電極に、
被処理物を載せ、直１ｔｉｔ圧を印加することにより動
作する。処理完了後、被処理物の離脱に際し、上記直ｔ
１１．ＩＥ圧を停止後、不活性ガスを真空容器内に導入
し、該真空容器内で一定時間のプラズマを発生させるこ
とにより、電極に貼着された誘電体膜に＄檀された電荷
は除去され、被処理物の離脱が容易にできる。
被処理物を載せ、直１ｔｉｔ圧を印加することにより動
作する。処理完了後、被処理物の離脱に際し、上記直ｔ
１１．ＩＥ圧を停止後、不活性ガスを真空容器内に導入
し、該真空容器内で一定時間のプラズマを発生させるこ
とにより、電極に貼着された誘電体膜に＄檀された電荷
は除去され、被処理物の離脱が容易にできる。
以下、本発明の一実施例を第１図および第２図により説
明する。
明する。
第１図で、処理室１の上部には石英製の放電管２が設け
てあり、真空処理室を形成している。処理室１には、真
空処理室内にエツチングガスおよび不活性ガスを切換え
供給づるガス供給口３が設けてあり、また、真空処理室
内部を所定圧力に減圧、排気する真空排気装置（図示略
）につながる排気口４が設２すである。処理室ｌ内には
被エツチング材であるウェハ５を配置する試料台６が設
けである。試料台６には、高周波電＃７と、直ｔＩＬ電
＃８が接続してあり、試料台６におのおの印加可能にな
っている。放電管２の外側には放電管２を囲んで導波管
９が設けてあり、さらにその外側には、放電管２内に磁
界を発生させるコイル１０が設けである。１波管９の端
部にはマイクロ波を発するマグネトロンＵが設けである
。
てあり、真空処理室を形成している。処理室１には、真
空処理室内にエツチングガスおよび不活性ガスを切換え
供給づるガス供給口３が設けてあり、また、真空処理室
内部を所定圧力に減圧、排気する真空排気装置（図示略
）につながる排気口４が設２すである。処理室ｌ内には
被エツチング材であるウェハ５を配置する試料台６が設
けである。試料台６には、高周波電＃７と、直ｔＩＬ電
＃８が接続してあり、試料台６におのおの印加可能にな
っている。放電管２の外側には放電管２を囲んで導波管
９が設けてあり、さらにその外側には、放電管２内に磁
界を発生させるコイル１０が設けである。１波管９の端
部にはマイクロ波を発するマグネトロンＵが設けである
。
このような装置では、ガス供給口３から真空処理室内に
エツチングガスを供給するとともに、真空処理室内を所
定の圧力に減圧、排気し、導波管９によってマグネトロ
ンＵからのマイクロ波を放電管２内に導入するとともに
、コイル１０によって磁界を形成し、マイクロ波の電界
とコイル１０の磁界との作用によって、放電管２内のエ
ツチングガスをプラズマ化する。さらに直流電１１１８
によって試料台６に直流電圧を印加し、ウェハ５を試料
台６に静電吸着させる。エブチノグが終ｒした後、第２
図に示すように、エツチングガスの供給、マグネトロン
Ｕ、高周波電源７の出力を停止させ、処理室内の排気を
実施する。その後、不活性ガス（ヘリウム、アルゴン等
）を導入して、マグネトロンＵを動作させ、マイクロ波
のみでプラズマを形成させる。その後直流電源８を停止
させ試料台６に貼着された誘電体！ｌ１２に蓄積された
電荷を除去する。上記電荷の除去が充アすると、不活性
ガスの供給および、マグネトロ／を停止させることによ
り、被処理物の離脱が容易になる。
エツチングガスを供給するとともに、真空処理室内を所
定の圧力に減圧、排気し、導波管９によってマグネトロ
ンＵからのマイクロ波を放電管２内に導入するとともに
、コイル１０によって磁界を形成し、マイクロ波の電界
とコイル１０の磁界との作用によって、放電管２内のエ
ツチングガスをプラズマ化する。さらに直流電１１１８
によって試料台６に直流電圧を印加し、ウェハ５を試料
台６に静電吸着させる。エブチノグが終ｒした後、第２
図に示すように、エツチングガスの供給、マグネトロン
Ｕ、高周波電源７の出力を停止させ、処理室内の排気を
実施する。その後、不活性ガス（ヘリウム、アルゴン等
）を導入して、マグネトロンＵを動作させ、マイクロ波
のみでプラズマを形成させる。その後直流電源８を停止
させ試料台６に貼着された誘電体！ｌ１２に蓄積された
電荷を除去する。上記電荷の除去が充アすると、不活性
ガスの供給および、マグネトロ／を停止させることによ
り、被処理物の離脱が容易になる。
なお、本実施例では、エツチング装置を例に用いたが、
高周波をこよるプラズマ形成手段を有する処理室内の静
電チャック方式を用いた装置であれば、いずれも本発明
が適用可能である。
高周波をこよるプラズマ形成手段を有する処理室内の静
電チャック方式を用いた装置であれば、いずれも本発明
が適用可能である。
本発明によれば、不活性ガスのプラズマを発生すること
で、誘電体膜に′ｔｉ禎した電荷が除去され、彼処Ｒ１
物の離脱が容易にできる効果がある。
で、誘電体膜に′ｔｉ禎した電荷が除去され、彼処Ｒ１
物の離脱が容易にできる効果がある。
第１図は、本発明の一実施例のドライエツチング装置の
処理室部の縦断面図、第２図は電荷を除去させるための
停止タイミノグチヤード図である。 ｌ・・・・・・処理室、２・・・・・・放電管、３・・
−・−ガス供給口、４・・・・・・排気口、５・・・・
・・ウェハ、６・・・・・−電極、７・・・・・・高周
波電源、８・・・・・・直流電源、９・・・・・・導波
管、１０・・・・・・コイル、１１・・・・・・マグネ
トロン、じ・−・・・・誘電体膜 オ ｌ 図 −４２図
処理室部の縦断面図、第２図は電荷を除去させるための
停止タイミノグチヤード図である。 ｌ・・・・・・処理室、２・・・・・・放電管、３・・
−・−ガス供給口、４・・・・・・排気口、５・・・・
・・ウェハ、６・・・・・−電極、７・・・・・・高周
波電源、８・・・・・・直流電源、９・・・・・・導波
管、１０・・・・・・コイル、１１・・・・・・マグネ
トロン、じ・−・・・・誘電体膜 オ ｌ 図 −４２図
Claims (1)
- １、真空容器内に取り付けられた電極に直流電圧を印加
し静電的に被処理物を固定する静電チャックの帯電を除
去する方法において、不活性ガスを前記真空容器内に導
入し、該真空容器内でプラズマを発生させることを特徴
とする静電チャックの帯電除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2036080A JP2635195B2 (ja) | 1990-02-19 | 1990-02-19 | 静電チャックの帯電除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2036080A JP2635195B2 (ja) | 1990-02-19 | 1990-02-19 | 静電チャックの帯電除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03243188A true JPH03243188A (ja) | 1991-10-30 |
| JP2635195B2 JP2635195B2 (ja) | 1997-07-30 |
Family
ID=12459764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2036080A Expired - Lifetime JP2635195B2 (ja) | 1990-02-19 | 1990-02-19 | 静電チャックの帯電除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2635195B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5573981A (en) * | 1993-09-21 | 1996-11-12 | Sony Corporation | Method of removing residual charges of an electrostatic chuck used in a layer deposition process |
| US6174370B1 (en) | 1996-03-26 | 2001-01-16 | Nec Corporation | Semiconductor wafer chucking device and method for stripping semiconductor wafer |
| JP2001085405A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-03-30 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JP2012084654A (ja) * | 2010-10-08 | 2012-04-26 | Panasonic Corp | ドライエッチング装置および基板の除電方法 |
| JP2014056928A (ja) * | 2012-09-12 | 2014-03-27 | Tokyo Electron Ltd | 離脱制御方法及びプラズマ処理装置 |
| CN113192832A (zh) * | 2020-01-29 | 2021-07-30 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理方法和基板处理系统 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57167439U (ja) * | 1981-04-16 | 1982-10-21 |
-
1990
- 1990-02-19 JP JP2036080A patent/JP2635195B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57167439U (ja) * | 1981-04-16 | 1982-10-21 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5573981A (en) * | 1993-09-21 | 1996-11-12 | Sony Corporation | Method of removing residual charges of an electrostatic chuck used in a layer deposition process |
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| JP2001085405A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-03-30 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
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| JP2014056928A (ja) * | 2012-09-12 | 2014-03-27 | Tokyo Electron Ltd | 離脱制御方法及びプラズマ処理装置 |
| KR20150053899A (ko) * | 2012-09-12 | 2015-05-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 이탈 제어 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
| US9966291B2 (en) | 2012-09-12 | 2018-05-08 | Tokyo Electron Limited | De-chuck control method and plasma processing apparatus |
| CN113192832A (zh) * | 2020-01-29 | 2021-07-30 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理方法和基板处理系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2635195B2 (ja) | 1997-07-30 |
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