JPH03242964A - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
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- JPH03242964A JPH03242964A JP2040018A JP4001890A JPH03242964A JP H03242964 A JPH03242964 A JP H03242964A JP 2040018 A JP2040018 A JP 2040018A JP 4001890 A JP4001890 A JP 4001890A JP H03242964 A JPH03242964 A JP H03242964A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 66
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 37
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 27
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 24
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 24
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical group C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 1
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 and for example Chemical group 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
Landscapes
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ〉産業上の利用分野
i−
本発明は集積回路基板にチップ型のEPROM内蔵マイ
クロコンピュータを実装してなるEPROM内蔵マイク
ロコンピュータ搭載型の混成集積回路装置に関する。
クロコンピュータを実装してなるEPROM内蔵マイク
ロコンピュータ搭載型の混成集積回路装置に関する。
(ロ)従来の技術
紫外線を照射することによって既に書込まれた記憶情報
を消去し、再書込みが可能な紫外線照射窓を有するEP
ROM内蔵のマイクロコンピュータ素子は各種電子機器
に好んで用いられている。
を消去し、再書込みが可能な紫外線照射窓を有するEP
ROM内蔵のマイクロコンピュータ素子は各種電子機器
に好んで用いられている。
このEPROM内蔵マイクロコンピュータは、制御用あ
るいは駆動用集積回路と共に現在、その殆んどがプリン
ト配線板に実装されている。各種電子機器で小型軽量化
が要求される機器は、チップ・オン・ボードと称される
技法によってプリント配線板に半導体集積回路(IC)
チップが直接搭載され、所要の配線が施された後この配
線部分を含んで前記ICチップが合成樹脂によって被覆
され、極めて小型軽量化が達成されている。
るいは駆動用集積回路と共に現在、その殆んどがプリン
ト配線板に実装されている。各種電子機器で小型軽量化
が要求される機器は、チップ・オン・ボードと称される
技法によってプリント配線板に半導体集積回路(IC)
チップが直接搭載され、所要の配線が施された後この配
線部分を含んで前記ICチップが合成樹脂によって被覆
され、極めて小型軽量化が達成されている。
斯る従来のEPROM内蔵マイクロコンピュータの実装
構造を第11図に従って説明すると、第11図は従来の
EPROM内蔵マイクロコンピュータの一部断面を有す
る斜視図であって、主表面上に導電性配線パターン(4
1〉が形成されたガラス・エポキシ樹脂などから構成さ
れた絶縁性基板(42)のスルーホール(43)にサー
デイツプ型パッケージに組込まれたEPROM内蔵マイ
クロコンピュータ(44)が搭載されている。このEP
ROM内蔵マイクロコンピュータ(44)はヘッダー(
45)およびキャップ(46)を有し、前記ヘッダー(
45)はセラミック基材(47〉に外部導出リード(4
8〉か低融点ガラス材で接着されている。またこのへラ
ダー〈45〉は・ガラスに金粉が多量に混入したいわゆ
る金ペーストを焼結した素子搭載部(50)が前記低融
点ガラス材上あるいはセラミック基材(47〉上に接着
されており、この素子搭載部(50〉にEPROM内蔵
マイクロコンピュータチップ(51)が装着され、この
チップ〈51)の電極と前記外部導出リード(48)と
が金属細線(52〉によって接続されている。このキャ
ップ(46)は低融点ガラスによってヘッダー(45〉
に配置されたEPROM内蔵マイクロコン3− 4− ピユータチップ(51〉を密封している。この様にEP
ROM内蔵マイクロコンピュータチップ(51〉を密封
したEPROM内蔵マイクロコンピュータ(44)は、
前記絶縁性基板(42)のスルーホール(43)に外部
導出リード(48)を挿通させ半田によって固定される
。このスルーホール(43)は導電性配線パターン(4
1〉によって所要の配線引回しが施され、前記絶縁性基
板の端部に設けられた雄型コネクタ端子部(55)から
図示しない雌型コネクタへと接続される。
構造を第11図に従って説明すると、第11図は従来の
EPROM内蔵マイクロコンピュータの一部断面を有す
る斜視図であって、主表面上に導電性配線パターン(4
1〉が形成されたガラス・エポキシ樹脂などから構成さ
れた絶縁性基板(42)のスルーホール(43)にサー
デイツプ型パッケージに組込まれたEPROM内蔵マイ
クロコンピュータ(44)が搭載されている。このEP
ROM内蔵マイクロコンピュータ(44)はヘッダー(
45)およびキャップ(46)を有し、前記ヘッダー(
45)はセラミック基材(47〉に外部導出リード(4
8〉か低融点ガラス材で接着されている。またこのへラ
ダー〈45〉は・ガラスに金粉が多量に混入したいわゆ
る金ペーストを焼結した素子搭載部(50)が前記低融
点ガラス材上あるいはセラミック基材(47〉上に接着
されており、この素子搭載部(50〉にEPROM内蔵
マイクロコンピュータチップ(51)が装着され、この
チップ〈51)の電極と前記外部導出リード(48)と
が金属細線(52〉によって接続されている。このキャ
ップ(46)は低融点ガラスによってヘッダー(45〉
に配置されたEPROM内蔵マイクロコン3− 4− ピユータチップ(51〉を密封している。この様にEP
ROM内蔵マイクロコンピュータチップ(51〉を密封
したEPROM内蔵マイクロコンピュータ(44)は、
前記絶縁性基板(42)のスルーホール(43)に外部
導出リード(48)を挿通させ半田によって固定される
。このスルーホール(43)は導電性配線パターン(4
1〉によって所要の配線引回しが施され、前記絶縁性基
板の端部に設けられた雄型コネクタ端子部(55)から
図示しない雌型コネクタへと接続される。
さて、斯る従来のEPROM内蔵マイクロコンピュータ
素子の実装構造は、EPROM内蔵マイクロコンピュー
タチップ(51〉に比ベパッケージ外形が極めて大きく
、平面占有率もさることながら三次元、つまり高さもチ
ップの高さの数倍となり、薄型化に極めて不利である。
素子の実装構造は、EPROM内蔵マイクロコンピュー
タチップ(51〉に比ベパッケージ外形が極めて大きく
、平面占有率もさることながら三次元、つまり高さもチ
ップの高さの数倍となり、薄型化に極めて不利である。
更にスルーホール(43)に外部導出リードを挿通した
後、半田などで固定する必要も生ずる。更に特筆すべき
大きな欠点は、絶縁性基板への実装に先立ってEPRO
M内蔵マイクロコンピュータ素子を一部パツケージに組
立てることである。
後、半田などで固定する必要も生ずる。更に特筆すべき
大きな欠点は、絶縁性基板への実装に先立ってEPRO
M内蔵マイクロコンピュータ素子を一部パツケージに組
立てることである。
ここではサーデイツプパッケージタイプのEPROM内
蔵マイクロコンピュータ素子について述べたが樹脂封止
型パッケージについても上述した問題は発生する。
蔵マイクロコンピュータ素子について述べたが樹脂封止
型パッケージについても上述した問題は発生する。
斯る問題を解決するために第12図に示した実装構造が
既に使用されている。
既に使用されている。
以下に第12図に示したEPROM内蔵マイクロコンピ
ュータ実装構造について説明する。
ュータ実装構造について説明する。
主表面(60a)に導電性配線パターン(60b)が形
成されたガラス・エポキシ樹脂板などの絶縁性基板(6
0)上には、EPROM内蔵マイクロコンピュータチッ
プ(61〉を載置するチップ搭載エリア(60c)を有
し、前記配線パターン(60b)は、このエリア近傍か
ら主表面(60a)上を引回されて図示しない雄型コネ
クタ端子部に接続されている。前記エリア(60c)に
は、EPROM内蔵マイクロコンピュータチップ(61
〉が搭載され、このチップ(61)の表面電極と前記配
線パターン(60b)とが金属細線(62〉により接続
されている。勿論金属細線(62〉の1本は前記チップ
(61〉のサブストレートと接続する為に、このチップ
(61)が搭載された配線パターン(60b)とワイヤ
リングされている。
成されたガラス・エポキシ樹脂板などの絶縁性基板(6
0)上には、EPROM内蔵マイクロコンピュータチッ
プ(61〉を載置するチップ搭載エリア(60c)を有
し、前記配線パターン(60b)は、このエリア近傍か
ら主表面(60a)上を引回されて図示しない雄型コネ
クタ端子部に接続されている。前記エリア(60c)に
は、EPROM内蔵マイクロコンピュータチップ(61
〉が搭載され、このチップ(61)の表面電極と前記配
線パターン(60b)とが金属細線(62〉により接続
されている。勿論金属細線(62〉の1本は前記チップ
(61〉のサブストレートと接続する為に、このチップ
(61)が搭載された配線パターン(60b)とワイヤ
リングされている。
上述した様にEPROM内蔵マイクロコンピュータチッ
プを直接基板上に搭載することが既に周知技術として知
られている。
プを直接基板上に搭載することが既に周知技術として知
られている。
(ハ)発明が解決しようとする課題
第12図で示したEPROM内蔵マイクロコンピュータ
実装構造ではEPROM内蔵マイクロコンピュータのチ
ップをプリント基板上にグイボンディングしているため
、小型化となることはいうまでもない。しかしながら、
ここでいう小型化はあくまでEPROM内蔵マイクロコ
ンピュータ自体の小型化である。即ち、第12図からは
明らかにされていないがEPROM内蔵マイクロコンピ
ュータの周辺に固着されているその周辺回路素子はディ
スクリート等の電子部品で構成されているために、EP
ROM内蔵マイクロコンピュータを搭載したプリント基
板用の集積回路としてのシステム全体を見た場合例んら
小型化とはならす従来通りプリント基板の大型化、即ち
システム全体が大型化になる問題がある。
実装構造ではEPROM内蔵マイクロコンピュータのチ
ップをプリント基板上にグイボンディングしているため
、小型化となることはいうまでもない。しかしながら、
ここでいう小型化はあくまでEPROM内蔵マイクロコ
ンピュータ自体の小型化である。即ち、第12図からは
明らかにされていないがEPROM内蔵マイクロコンピ
ュータの周辺に固着されているその周辺回路素子はディ
スクリート等の電子部品で構成されているために、EP
ROM内蔵マイクロコンピュータを搭載したプリント基
板用の集積回路としてのシステム全体を見た場合例んら
小型化とはならす従来通りプリント基板の大型化、即ち
システム全体が大型化になる問題がある。
また、第11図に示した実装構造においても第12図と
同様にEPROM内蔵マイクロコンピュータの周辺の回
路、即ちLSI、IC等の回路素子がディスクリート等
の電子部品で構成されているため、プリント基板の大型
化、即ちシステム全体が大型化となりユーザが要求され
る軽薄短小のEPROM内蔵マイクロコンピュータ搭載
の集積回路を提供することができない大きな問題がある
。
同様にEPROM内蔵マイクロコンピュータの周辺の回
路、即ちLSI、IC等の回路素子がディスクリート等
の電子部品で構成されているため、プリント基板の大型
化、即ちシステム全体が大型化となりユーザが要求され
る軽薄短小のEPROM内蔵マイクロコンピュータ搭載
の集積回路を提供することができない大きな問題がある
。
更に第11図および第12図で示したEPROM内蔵マ
イクロコンピュータ実装構造では、上述した様にシステ
ム全体が大型化になると共にEPROM内蔵マイクロコ
ンピュータおよびその周辺の回路素子を互いに接続する
導電パターンが露出されているため信頼性が低下する問
題がある。
イクロコンピュータ実装構造では、上述した様にシステ
ム全体が大型化になると共にEPROM内蔵マイクロコ
ンピュータおよびその周辺の回路素子を互いに接続する
導電パターンが露出されているため信頼性が低下する問
題がある。
更に第11図および第12図で示したEPROM内蔵マ
イクロコンピュータ実装構造ではEPROM内蔵マイク
ロコンピュータと、その周辺のI7− C,LSI等の回路素子が露出されているため、基板上
面に凹凸が生じて取扱いにくく作業性が低下する問題が
ある。
イクロコンピュータ実装構造ではEPROM内蔵マイク
ロコンピュータと、その周辺のI7− C,LSI等の回路素子が露出されているため、基板上
面に凹凸が生じて取扱いにくく作業性が低下する問題が
ある。
(二)課題を解決するための手段
本発明は上述した課題に鑑みて為されたものであり、基
板上にEPROM内蔵マイクロコンピュータチップを搭
載すると共にそのEPROM内蔵マイクロコンピュータ
チップと接続されるその周辺の回路素子を基板上に搭載
し、且つ、ケース材と基板とで形成された封止空間にE
PROM内蔵マイクロコンピュータチップと関連する周
辺の回路素子全てが密封封止されEPROM内蔵マイク
ロコンピュータチップのみがケース材の周辺の所定位置
より突出した基板上に設けられた構造を有することを特
徴とする。
板上にEPROM内蔵マイクロコンピュータチップを搭
載すると共にそのEPROM内蔵マイクロコンピュータ
チップと接続されるその周辺の回路素子を基板上に搭載
し、且つ、ケース材と基板とで形成された封止空間にE
PROM内蔵マイクロコンピュータチップと関連する周
辺の回路素子全てが密封封止されEPROM内蔵マイク
ロコンピュータチップのみがケース材の周辺の所定位置
より突出した基板上に設けられた構造を有することを特
徴とする。
従ってEPROM内蔵マイクロコンピュータチップを搭
載した混成集積回路を極めて小型化に行える。
載した混成集積回路を極めて小型化に行える。
(ホ〉作用
この様に本発明に依れば、ケース材の周辺に拡張した基
板上にEPROM内蔵マイクロコンピュータチップを接
続しているのでEPROM内蔵マイクロコンピュータチ
ップの載置位置をケース材の周辺の任意に設定できるの
で、内蔵される周辺回路素子のEPROM内蔵マイクロ
コンピュータチップともっとも関連深い回路素子との電
気的接続を考慮して、効率良<EPROM内蔵マイクロ
コンピュータチップともっとも関連深い回路素子とを接
続することができ、信号線即ち導電路の引回し線を不要
にすることができる。
板上にEPROM内蔵マイクロコンピュータチップを接
続しているのでEPROM内蔵マイクロコンピュータチ
ップの載置位置をケース材の周辺の任意に設定できるの
で、内蔵される周辺回路素子のEPROM内蔵マイクロ
コンピュータチップともっとも関連深い回路素子との電
気的接続を考慮して、効率良<EPROM内蔵マイクロ
コンピュータチップともっとも関連深い回路素子とを接
続することができ、信号線即ち導電路の引回し線を不要
にすることができる。
更にEPROM内蔵マイクロコンピュータチップの隣接
する基板の周辺にもっとも関連の深い回路素子を配置で
き、EPROM内蔵マイクロコンピュータチップともっ
とも関連深い回路素子とのデータのやりとりを行うデー
タ線を最短距離あるいは最小距離で実現でき、データ線
の引回しによる実装密度のロスを最小限に抑制すること
になり、高密度の実装が行える。
する基板の周辺にもっとも関連の深い回路素子を配置で
き、EPROM内蔵マイクロコンピュータチップともっ
とも関連深い回路素子とのデータのやりとりを行うデー
タ線を最短距離あるいは最小距離で実現でき、データ線
の引回しによる実装密度のロスを最小限に抑制すること
になり、高密度の実装が行える。
更に本発明ではEPROM内蔵マイクロコンピュータチ
ップ以外の全ての素子がチップ状で且つケース材と基板
で形成された封止空間内に収納されるため小型化でしか
も取り扱い性の優れた混成集積回路装置を提供すること
ができる。
ップ以外の全ての素子がチップ状で且つケース材と基板
で形成された封止空間内に収納されるため小型化でしか
も取り扱い性の優れた混成集積回路装置を提供すること
ができる。
(へ)実施例
以下に第1図乃至第10図に示した実施例に基づいて本
発明の混成集積回路装置を詳細に説明する。
発明の混成集積回路装置を詳細に説明する。
第1図および第2図には、本発明の一実施例の混成集積
回路装置く1〉が示されている。この混成集積回路装置
(1)は独立した電子部品として用いられインバータエ
アコン等の幅広いインバータモータの分野で機能を独立
して有する集積回路として用いられる。
回路装置く1〉が示されている。この混成集積回路装置
(1)は独立した電子部品として用いられインバータエ
アコン等の幅広いインバータモータの分野で機能を独立
して有する集積回路として用いられる。
この混成集積回路装置く1〉は第1図および第2図に示
す様に、集積回路基板(2〉と、集積回路基板(2)上
に形成された所望形状の導電路(3)と、ケース材(8
)より突出した突出基板(2a〉上の導電路〈3)と接
続され樹脂モールドされたEPROM内蔵マイクロコン
ピュータチップ(4)(以下EPマイコンチップという
)と、EPマイコンテ・ンブ(4)からデータを供給さ
れ且つ基板(2)上の導電路(3)と接続されたその周
辺回路素子(6〉と、基板(2)に一体化され且つ突出
基板(2a)を露出するケース材(8)とをから構成さ
れている。
す様に、集積回路基板(2〉と、集積回路基板(2)上
に形成された所望形状の導電路(3)と、ケース材(8
)より突出した突出基板(2a〉上の導電路〈3)と接
続され樹脂モールドされたEPROM内蔵マイクロコン
ピュータチップ(4)(以下EPマイコンチップという
)と、EPマイコンテ・ンブ(4)からデータを供給さ
れ且つ基板(2)上の導電路(3)と接続されたその周
辺回路素子(6〉と、基板(2)に一体化され且つ突出
基板(2a)を露出するケース材(8)とをから構成さ
れている。
集積回路基板(2)はセラミックス、ガラスエポキシあ
るいは金属等の硬質基板が用いられ、本実施例では放熱
性および機械的強度に優れた金属基板を用いるものとす
る。
るいは金属等の硬質基板が用いられ、本実施例では放熱
性および機械的強度に優れた金属基板を用いるものとす
る。
金属基板としては例えば0.5〜1.0mm厚のアルミ
ニウム基板を用いる。その基板(2)の表面には第4図
に示す如く、周知の陽極酸化により酸化アルミニウム膜
(9〉(アルマイト層)が形成され、その−主面側に1
0〜70μ厚のエポキシあるいはポリイミド等の絶縁樹
脂層(10)が貼着される。更に絶縁樹脂層(10〉上
には10〜70μ厚の銅箔(11〉が絶縁樹脂層(10
)と同時にローラーあるいはホットプレス等の手段によ
り貼着されている。
ニウム基板を用いる。その基板(2)の表面には第4図
に示す如く、周知の陽極酸化により酸化アルミニウム膜
(9〉(アルマイト層)が形成され、その−主面側に1
0〜70μ厚のエポキシあるいはポリイミド等の絶縁樹
脂層(10)が貼着される。更に絶縁樹脂層(10〉上
には10〜70μ厚の銅箔(11〉が絶縁樹脂層(10
)と同時にローラーあるいはホットプレス等の手段によ
り貼着されている。
基板(2〉の−主面上に設けられた銅箔(11〉表面上
にはスクリーン印刷によって所望形状の導電路11 12 を露出してレジストでマスクされ、貴金属(金、銀、白
金)メツキ層が銅箔(11〉表面にメツキされる。然る
後、レジストを除去して貴金属メツキ層をマスクとして
銅箔(11)のエツチングを行い所望の導電路(3)が
形成される。ここでスクリーン印刷による導電路(3)
の細さは0 、5 mmが限界であるため、極細配線パ
ターンを必要とするときは周知の写真蝕刻技術に依り約
2μまでの極細導電路(3)の形成が可能となる。
にはスクリーン印刷によって所望形状の導電路11 12 を露出してレジストでマスクされ、貴金属(金、銀、白
金)メツキ層が銅箔(11〉表面にメツキされる。然る
後、レジストを除去して貴金属メツキ層をマスクとして
銅箔(11)のエツチングを行い所望の導電路(3)が
形成される。ここでスクリーン印刷による導電路(3)
の細さは0 、5 mmが限界であるため、極細配線パ
ターンを必要とするときは周知の写真蝕刻技術に依り約
2μまでの極細導電路(3)の形成が可能となる。
突出基板(2a)の導電路(3)上の所定の位置にはE
Pマイコンチップ(4)が搭載され、そのEPマイコン
チップ(4)の近傍にはEPマイコンチップ〈4)から
データを供給されるもっとも関連深い回路素子(6)が
搭載され導電路(3)と接続されている。導電路(3)
は基板(2)の略全面に延在形成され、基板(2〉の周
端部に延在される導電路(3)の先端部はリード固着パ
ッドが形成され、そのパッドには外部リード端子(12
〉が固着されている。その外部リード(12〉は取付は
基板に取付けるために略直角に折曲げ形成されている。
Pマイコンチップ(4)が搭載され、そのEPマイコン
チップ(4)の近傍にはEPマイコンチップ〈4)から
データを供給されるもっとも関連深い回路素子(6)が
搭載され導電路(3)と接続されている。導電路(3)
は基板(2)の略全面に延在形成され、基板(2〉の周
端部に延在される導電路(3)の先端部はリード固着パ
ッドが形成され、そのパッドには外部リード端子(12
〉が固着されている。その外部リード(12〉は取付は
基板に取付けるために略直角に折曲げ形成されている。
EPマイコンチップ〈4)は周知の如く、プログラムプ
ロセッサ(CPU)を中心にプログラムメモIJ にR
AM、EPROM、周辺装置に入出力インターフェイス
を組合せている素子である。EPマイコンチップ(4)
は市販されているものであり、ここではEPマイコンチ
ップ(4)の説明を省略する。
ロセッサ(CPU)を中心にプログラムメモIJ にR
AM、EPROM、周辺装置に入出力インターフェイス
を組合せている素子である。EPマイコンチップ(4)
は市販されているものであり、ここではEPマイコンチ
ップ(4)の説明を省略する。
EPマイコンチップ(4)のプログラム・データを選択
して供給されるその周辺回路素子(6)の■C1トラン
ジスタ、チップ抵抗およびチップコンデンサー等はチッ
プ状態で所望の導電路(3)上に半田付けあるいはAg
ペースト等のろう材によって付着され、それらの回路素
子(6〉は近傍の導電路(3)にボンディングされてい
る。更に導電路(3)間に吐スクリーン印刷によるカー
ボン抵抗体およびニッケルメッキによるニッケルメッキ
抵抗体が夫々抵抗素子として形成されている。
して供給されるその周辺回路素子(6)の■C1トラン
ジスタ、チップ抵抗およびチップコンデンサー等はチッ
プ状態で所望の導電路(3)上に半田付けあるいはAg
ペースト等のろう材によって付着され、それらの回路素
子(6〉は近傍の導電路(3)にボンディングされてい
る。更に導電路(3)間に吐スクリーン印刷によるカー
ボン抵抗体およびニッケルメッキによるニッケルメッキ
抵抗体が夫々抵抗素子として形成されている。
一方、ケース材(8〉は絶縁部材としての熱可塑性樹脂
から形成され、基板(2〉と固着した際空間部が形成さ
れる様に箱状に形成されている。その13− 箱状のケース材(8〉の周端部は基板(2)の略周端部
に配置されて接着性を有したシール剤(Jシート:商品
名)によって基板(2〉と強固に固着一体化される。こ
の結果、基板(2〉とケース材(8)間に所定の封止空
間部(14)が形成されることになる。更に本実施例の
ケース材(8〉から突出基板(2a〉が露出し、この突
出基板(2a)はEPマイコンチップ(4)が載置でき
る大きさに形成されている。なおこの突出基板〈2a〉
は基板(2〉の4辺のどの位置にも設けられることがで
き、EPマイコンチップ(4)ともっとも関連深い回路
素子(6〉との関係でその位置が決定される。
から形成され、基板(2〉と固着した際空間部が形成さ
れる様に箱状に形成されている。その13− 箱状のケース材(8〉の周端部は基板(2)の略周端部
に配置されて接着性を有したシール剤(Jシート:商品
名)によって基板(2〉と強固に固着一体化される。こ
の結果、基板(2〉とケース材(8)間に所定の封止空
間部(14)が形成されることになる。更に本実施例の
ケース材(8〉から突出基板(2a〉が露出し、この突
出基板(2a)はEPマイコンチップ(4)が載置でき
る大きさに形成されている。なおこの突出基板〈2a〉
は基板(2〉の4辺のどの位置にも設けられることがで
き、EPマイコンチップ(4)ともっとも関連深い回路
素子(6〉との関係でその位置が決定される。
ケース材(8)から露出し突出基板(2a)上にはEP
マイコンチップ(4)と固着接続される複数の導電路(
3)の一端が延在形成され、その導電路(3)の先端部
にEPマイコンチップ(4)が固着される。
マイコンチップ(4)と固着接続される複数の導電路(
3)の一端が延在形成され、その導電路(3)の先端部
にEPマイコンチップ(4)が固着される。
EPマイコンチップ(4)が固着された導電路(3)の
他端はEPマイコンチップ(4)ともっとも関連する回
路素子(6)の近傍に効率よく引回しされチップ状のマ
イクロコンピュータ(5〉とボンディングワイヤで電気
に接続される。
他端はEPマイコンチップ(4)ともっとも関連する回
路素子(6)の近傍に効率よく引回しされチップ状のマ
イクロコンピュータ(5〉とボンディングワイヤで電気
に接続される。
ここでEPマイコンチップ〈4)ともっとも関連深い回
路素子(6)との位置関係について述べる。
路素子(6)との位置関係について述べる。
EPマイコンチップ(4)とチップ状の回路素子〈6)
とは多数本の導電路〈3)を介して接続されるため、そ
の導電路(3)の引回しを短くするためにEPマイコン
チップ(4)ともっとも関連深い回路素子(6〉は夫々
、隣接する位置かあるいはできるだけ近傍に位置する様
に配置される。従ってEPマイコンチップ(4)ともっ
とも関連深い回路素子(6)との導電路(3)の引回し
は最短距離で形成でき基板上の実装面積を有効に使用す
ることができる。
とは多数本の導電路〈3)を介して接続されるため、そ
の導電路(3)の引回しを短くするためにEPマイコン
チップ(4)ともっとも関連深い回路素子(6〉は夫々
、隣接する位置かあるいはできるだけ近傍に位置する様
に配置される。従ってEPマイコンチップ(4)ともっ
とも関連深い回路素子(6)との導電路(3)の引回し
は最短距離で形成でき基板上の実装面積を有効に使用す
ることができる。
また、EPマイコンチップ(4)とその近傍あるいは隣
接した位置に配置されたチップ状の回路素子(6〉は夫
々の近傍に延在された導電路(3)の先端部とワイヤ線
によってボンディング接続されEPマイコンチップ(4
)と電気的に接続される。
接した位置に配置されたチップ状の回路素子(6〉は夫
々の近傍に延在された導電路(3)の先端部とワイヤ線
によってボンディング接続されEPマイコンチップ(4
)と電気的に接続される。
EPマイコンチップは第1図および第2図から明らかな
如く、ケース材(8)より突出した突出基板(2a〉上
に搭載される。突出基板(2a〉上にはEP15− 16− マイコンチップ(4)とそのEPマイコンチップ(4)
と近傍の導電路(3)とを接続するワイヤ線が配置され
ることになる。
如く、ケース材(8)より突出した突出基板(2a〉上
に搭載される。突出基板(2a〉上にはEP15− 16− マイコンチップ(4)とそのEPマイコンチップ(4)
と近傍の導電路(3)とを接続するワイヤ線が配置され
ることになる。
更に突出基板(2a)上には1層以上の樹脂が被覆され
、EPマイコンチップ(4)およびワイヤ線がその樹脂
層によって完全に被覆される。EPマイコンチップ(4
)上に直接被覆される第1層目の樹脂はEPマイコンチ
ップ(4)のデータを消去する際に紫外線を透過する必
要があるために紫外線透過性樹脂(21a)が用いられ
る。紫外線透過性樹脂(21a)は非芳香族系であれば
限定されず、例えばメチル系シリコンゴムあるいはシリ
コンゲルが用いられる。
、EPマイコンチップ(4)およびワイヤ線がその樹脂
層によって完全に被覆される。EPマイコンチップ(4
)上に直接被覆される第1層目の樹脂はEPマイコンチ
ップ(4)のデータを消去する際に紫外線を透過する必
要があるために紫外線透過性樹脂(21a)が用いられ
る。紫外線透過性樹脂(21a)は非芳香族系であれば
限定されず、例えばメチル系シリコンゴムあるいはシリ
コンゲルが用いられる。
本実施例では第1層目の樹脂層(21a)上に第2層目
の樹脂層(21b)が充填されている。第2層目の樹脂
層は第1層目とは異なりEPマイコンチップ(4)の誤
消去を防止するために紫外線を遮断する紫外線不透過性
樹脂(21b)が用いられる。この樹脂層(21b)は
芳香環(ベンゼン環)を含んだ樹脂であれば限定されず
、例えばエポキシ系あるいはポリイミド系の樹脂が用い
られる。
の樹脂層(21b)が充填されている。第2層目の樹脂
層は第1層目とは異なりEPマイコンチップ(4)の誤
消去を防止するために紫外線を遮断する紫外線不透過性
樹脂(21b)が用いられる。この樹脂層(21b)は
芳香環(ベンゼン環)を含んだ樹脂であれば限定されず
、例えばエポキシ系あるいはポリイミド系の樹脂が用い
られる。
従ってEPマイコンチップ(4)だけが突出基板(28
〉上に搭載され且つ2層の樹脂で被覆され、その他の回
路素子(6〉は基板(2)とケース材(8〉とで形成さ
れる封止空間(14)内に配置されることになる。
〉上に搭載され且つ2層の樹脂で被覆され、その他の回
路素子(6〉は基板(2)とケース材(8〉とで形成さ
れる封止空間(14)内に配置されることになる。
上述の如く、EPマイコンチップ〈4)と接続される周
辺の回路素子(6〉は基板(2)とケース材(8)で形
成された封止空間部(14)に配置する様に設定されて
いる。即ち、チップ状の電子部品および印刷抵抗、メツ
キ抵抗等の抵抗素子の全ての素子が封止空間部(14)
内に設けられている。
辺の回路素子(6〉は基板(2)とケース材(8)で形
成された封止空間部(14)に配置する様に設定されて
いる。即ち、チップ状の電子部品および印刷抵抗、メツ
キ抵抗等の抵抗素子の全ての素子が封止空間部(14)
内に設けられている。
本実施例でEPマイコンチップ(4)のデータ消去を行
う場合は紫外線不透過性樹脂(21b>を剥離して紫外
線を照射し、再書き込みをする場合はEPマイコンチッ
プ(4)上の紫外線透過性樹脂(21a)も剥してボン
ディングされている近傍の導電路(3)にプローブ等の
端子を当接させ、書き込み装置よりデータを書き込む。
う場合は紫外線不透過性樹脂(21b>を剥離して紫外
線を照射し、再書き込みをする場合はEPマイコンチッ
プ(4)上の紫外線透過性樹脂(21a)も剥してボン
ディングされている近傍の導電路(3)にプローブ等の
端子を当接させ、書き込み装置よりデータを書き込む。
このとき、紫外線透過性樹脂(21a)を剥す場合、樹
脂(21a)はあまり接着力が強くないためにワイヤ線
が切断することはない。
脂(21a)はあまり接着力が強くないためにワイヤ線
が切断することはない。
以下に本発明を用いたモータ駆動用のインバータの混成
集積回路装置の具体例を示す。
集積回路装置の具体例を示す。
モータ駆動用インバータとは、一般的に直流電源から任
意の交流電源を作り、例えば三相モータの回転数を任意
にコントロールするものである。
意の交流電源を作り、例えば三相モータの回転数を任意
にコントロールするものである。
即ち、商用交流電源を整流回路を用いて整流した直流電
源を電源として用いる。その入力直流電源をインバータ
主回路と呼び、三相ブリッジ構成されたスイッチ素子を
用いて所定のコントロール信号のもとでチョッピングし
て疑似交流を負荷に出力する。コントロール信号を変化
させることにより出力交流の電圧、周波数を可変にする
ことができモータの回転数やトルクを可変に調整するこ
とができる。
源を電源として用いる。その入力直流電源をインバータ
主回路と呼び、三相ブリッジ構成されたスイッチ素子を
用いて所定のコントロール信号のもとでチョッピングし
て疑似交流を負荷に出力する。コントロール信号を変化
させることにより出力交流の電圧、周波数を可変にする
ことができモータの回転数やトルクを可変に調整するこ
とができる。
第4図に示したブロック図に基づいてモータ駆動用イン
バータを簡単に説明する。
バータを簡単に説明する。
第4図は集積回路基板(2〉上にモータ駆動用インバー
タを搭載したときのブロック図である。
タを搭載したときのブロック図である。
モータ駆動用インバータは、交流電源を入力し直流に変
換する整流回路(21)と、その整流回路(21)から
出力された直流電源を所定の間隔でチョッピングし負荷
(モータ)に疑似交流を供給するインバータ主回路(2
2)と、インバータ主回路(22〉を所定間隔でチョッ
ピングさせる出力信号および他の装置の動作を行わせる
出力信号を供給するEPROM内蔵マイクロコンピュー
タ(4)(以下EPマイコンチップと称する)と、EP
マイコンチップ(4)から出力された出力信号を所望に
増幅させるバッファ(23)と、バッファ(23)によ
り増幅された信号を電位の異なるベースアンプ(25〉
に伝達する第1のインターフェイス(24)と、第1の
インターフェイス(24)から伝達された信号をインバ
ータ主回路(22)に増幅して供給するベースアンプ(
25)と、整流回路(21)からインバータ主回路(2
2〉に供給される電流を検出すると共にインバータ主回
路(22)の発熱を検出して第1のインターフェイス(
24)を介してEPマイコンチップ(4)に所定の信号
をフィードバックさせてインバータ主回路(22)19 0− および周辺回路を保護する保護回路(26)と、マイコ
ン(4)に電位の異なる信号を入出力する第2のインタ
ーフェイス(27〉と、EPマイコンチップ(4)から
出力される出力信号を外部装置に供給するために増幅さ
せる出力バッファ(28〉とから構成されている。以下
に上述した各構成について簡単に説明する。
換する整流回路(21)と、その整流回路(21)から
出力された直流電源を所定の間隔でチョッピングし負荷
(モータ)に疑似交流を供給するインバータ主回路(2
2)と、インバータ主回路(22〉を所定間隔でチョッ
ピングさせる出力信号および他の装置の動作を行わせる
出力信号を供給するEPROM内蔵マイクロコンピュー
タ(4)(以下EPマイコンチップと称する)と、EP
マイコンチップ(4)から出力された出力信号を所望に
増幅させるバッファ(23)と、バッファ(23)によ
り増幅された信号を電位の異なるベースアンプ(25〉
に伝達する第1のインターフェイス(24)と、第1の
インターフェイス(24)から伝達された信号をインバ
ータ主回路(22)に増幅して供給するベースアンプ(
25)と、整流回路(21)からインバータ主回路(2
2〉に供給される電流を検出すると共にインバータ主回
路(22)の発熱を検出して第1のインターフェイス(
24)を介してEPマイコンチップ(4)に所定の信号
をフィードバックさせてインバータ主回路(22)19 0− および周辺回路を保護する保護回路(26)と、マイコ
ン(4)に電位の異なる信号を入出力する第2のインタ
ーフェイス(27〉と、EPマイコンチップ(4)から
出力される出力信号を外部装置に供給するために増幅さ
せる出力バッファ(28〉とから構成されている。以下
に上述した各構成について簡単に説明する。
先ず整流回路は周知のダイオードのブリッジ回路で構成
され、商用交流を直流に順変換するものである。本実施
例において、整流回路は基板上にチップ部品で構成され
ているが、整流回路のみを外付によって構成する場合も
使用目的によって発生するが本発明には何んら支障はな
い。
され、商用交流を直流に順変換するものである。本実施
例において、整流回路は基板上にチップ部品で構成され
ているが、整流回路のみを外付によって構成する場合も
使用目的によって発生するが本発明には何んら支障はな
い。
次にインバータ主回路(22)は第5図に示す如く、直
列接続された2個のスイッチング素子(22a〉(トラ
ンジスタ、MOSFET、IGBT等)を夫々並列接続
(ブリッジ接続)されている。本実施例においてはトラ
ンジスタ素子を用いて説明するものとする。以下に説明
をつづける。インバータ主回路(22)の夫々のトラン
ジスタのコレクターエミッタ間にはフライホイル用のダ
イオードが接続されると共に夫々の直列接続された各ト
ランジスタ間と負荷とを結ぶための出力端子(U。
列接続された2個のスイッチング素子(22a〉(トラ
ンジスタ、MOSFET、IGBT等)を夫々並列接続
(ブリッジ接続)されている。本実施例においてはトラ
ンジスタ素子を用いて説明するものとする。以下に説明
をつづける。インバータ主回路(22)の夫々のトラン
ジスタのコレクターエミッタ間にはフライホイル用のダ
イオードが接続されると共に夫々の直列接続された各ト
ランジスタ間と負荷とを結ぶための出力端子(U。
V、W)が設けられている。また、(22b)は入力用
の入力端子である。
の入力端子である。
次にEPマイコンチップ(4)は例えば、LM8051
P(三洋製)のICチップ化されたものが用いられてい
る。
P(三洋製)のICチップ化されたものが用いられてい
る。
第6図はマイコンの基本構成を示すブロック図であり、
命令の取出しと実行を行うCPUと、所定のプログラム
・データが記憶されているメモリ一部(4b〉と外部装
置とのデータの入出力を行うためのI10ボート部(4
c〉から構成されている。
命令の取出しと実行を行うCPUと、所定のプログラム
・データが記憶されているメモリ一部(4b〉と外部装
置とのデータの入出力を行うためのI10ボート部(4
c〉から構成されている。
EPマイコンチップ(4)自体には新規なところがない
ため、ここでは詳細に説明しないものとする。このEP
マイコンチップ(4)によってインバータ主回路(22
〉および所望の外部装置はコントロールされる。
ため、ここでは詳細に説明しないものとする。このEP
マイコンチップ(4)によってインバータ主回路(22
〉および所望の外部装置はコントロールされる。
次にバッファ(23)はLC4049B(三洋製)等の
ICチップ化されたものが用いられる。この22− バッファ(23)はEPマイコンチップ(4)からの出
力信号を所定に増幅させるものである。
ICチップ化されたものが用いられる。この22− バッファ(23)はEPマイコンチップ(4)からの出
力信号を所定に増幅させるものである。
次に第1のインターフェイス(24)は複数のフォトカ
ブラから構成され、例えば、PC817(シャープ製)
等のICチップにより構成されている。第1のインター
フェイス(24)は上述した如く、バッファ(23)か
ら出力された出力信号を光でベースアンプ(25)に伝
達させるものである。
ブラから構成され、例えば、PC817(シャープ製)
等のICチップにより構成されている。第1のインター
フェイス(24)は上述した如く、バッファ(23)か
ら出力された出力信号を光でベースアンプ(25)に伝
達させるものである。
次にベースアンプ(25)は第7図に示す如く、第1の
インターフェイス(24)から出力された信号が入力さ
れる信号入力端子(25a)と、入力端子(25a)か
ら入力された信号が供給されON、OFFされる第1お
よび第3のトランジスタ(Trt )(Tra )と、
第3のトランジスタ(Tra)のコレクタとそのベース
が接続された第1のトランジスタ(Trt)とマイナス
ライン間に接続された第2のトランジスタ(Tr、)と
、電源ライン間に接続された抵抗およびダイオードと、
ダイオードと並列に接続されたコンデンサーとから構成
されている。また、第1および第2のトランジスタ間と
インバータ主回路の各トランジスタのベースとエミッタ
とを接続する出力端子(25b)が設けられている。例
えば、ベースアンプ(25)の信号入力端子(25a)
にON信号が入力されると第1のトランジスタ(Tr、
)と第3のトランジスタ(Ir、)がONし、第2のト
ランジスタ(Tr、)がOFFする。すると、電源VD
から第1のトランジスタ(Ire>、制御抵抗R1を介
してインバータ主回路(22〉のベースに所望の電流が
供給される。また、信@OFF時には第1のトランジス
タ(Ire)および第3のトランジスタ(Tr、)がO
FFし、第2のトランジスタ(1’r*)をONさせる
。そしてダイオードとコンデンサーより作られた電源か
らインバータ主回路(22〉のオフを早くさせるもので
ある。
インターフェイス(24)から出力された信号が入力さ
れる信号入力端子(25a)と、入力端子(25a)か
ら入力された信号が供給されON、OFFされる第1お
よび第3のトランジスタ(Trt )(Tra )と、
第3のトランジスタ(Tra)のコレクタとそのベース
が接続された第1のトランジスタ(Trt)とマイナス
ライン間に接続された第2のトランジスタ(Tr、)と
、電源ライン間に接続された抵抗およびダイオードと、
ダイオードと並列に接続されたコンデンサーとから構成
されている。また、第1および第2のトランジスタ間と
インバータ主回路の各トランジスタのベースとエミッタ
とを接続する出力端子(25b)が設けられている。例
えば、ベースアンプ(25)の信号入力端子(25a)
にON信号が入力されると第1のトランジスタ(Tr、
)と第3のトランジスタ(Ir、)がONし、第2のト
ランジスタ(Tr、)がOFFする。すると、電源VD
から第1のトランジスタ(Ire>、制御抵抗R1を介
してインバータ主回路(22〉のベースに所望の電流が
供給される。また、信@OFF時には第1のトランジス
タ(Ire)および第3のトランジスタ(Tr、)がO
FFし、第2のトランジスタ(1’r*)をONさせる
。そしてダイオードとコンデンサーより作られた電源か
らインバータ主回路(22〉のオフを早くさせるもので
ある。
次に保護回路(26〉は第8図に示す如く、インバータ
主回路(22)の近傍に設けられインバータ主回路(2
2〉の発熱による温度上昇を検出するダイオード等より
構成される温度検出部(26a)と、整流回路(21〉
からインバータ主回路(22)に供給される電流を検出
する抵抗より構成される電流検出部23− 24− (26b)と、内部基準電圧を形成する基準電圧部(2
6C)と、夫々の検出部(26a)(26b)からの出
力信号と基準電圧部(26c)から出力される信号を比
較する電圧比較部(26d)と、電圧比較部(26d)
からの信号をEPマイコンチップ(4)にフィードバッ
クさせる保護、制御信号出力部(26e)とから構成さ
れている。
主回路(22)の近傍に設けられインバータ主回路(2
2〉の発熱による温度上昇を検出するダイオード等より
構成される温度検出部(26a)と、整流回路(21〉
からインバータ主回路(22)に供給される電流を検出
する抵抗より構成される電流検出部23− 24− (26b)と、内部基準電圧を形成する基準電圧部(2
6C)と、夫々の検出部(26a)(26b)からの出
力信号と基準電圧部(26c)から出力される信号を比
較する電圧比較部(26d)と、電圧比較部(26d)
からの信号をEPマイコンチップ(4)にフィードバッ
クさせる保護、制御信号出力部(26e)とから構成さ
れている。
次に第2のインターフェイス(27〉は第1のインター
フェイス(24)と同様に複数個のフォトカブラから構
成され、EPマイコンチップ(4)と入出力端子S、、
S、から入出力される信号をEPマイコンチップ(4)
に伝達するものである。
フェイス(24)と同様に複数個のフォトカブラから構
成され、EPマイコンチップ(4)と入出力端子S、、
S、から入出力される信号をEPマイコンチップ(4)
に伝達するものである。
最後に出力バッファ(28)はバッファ(23)と同様
にLC4049B(三洋製)等のICチップ化されたも
のが用いられ、EPマイコンチップ(4)からの信号を
増幅し、出力端子PO0〜PO,に信号を出力するもの
である。
にLC4049B(三洋製)等のICチップ化されたも
のが用いられ、EPマイコンチップ(4)からの信号を
増幅し、出力端子PO0〜PO,に信号を出力するもの
である。
以下にモータ駆動用インバータの動作について簡単に説
明する。
明する。
商用交流が端子(21X)から入力されると、上述した
様に整流回路(21)によって直流に変換される。その
変換された直流電流はインバータ主回路(22)に供給
される。インバータ主回路(22)の出力端子(U、V
、W)は負荷(モータ)に接続され負荷に所望の電流を
供給する。
様に整流回路(21)によって直流に変換される。その
変換された直流電流はインバータ主回路(22)に供給
される。インバータ主回路(22)の出力端子(U、V
、W)は負荷(モータ)に接続され負荷に所望の電流を
供給する。
入出力端子S、、S、、デジタル入力端子D6〜D6、
アナログ入力端子A0〜A8の各入力端子から所定の制
御あるい拉指令信号が入力されるとEPマイコンチップ
(4)はその入力信号に基づいて動作する。即ち、入力
信号に基づいて、EPマイコンチップ(4)内に記憶さ
れているメモリー内のプログラム・データに基づいた所
定の処理が実行されるコントロール信号を出力する。そ
のコントロール信号はバッファ(23)により増幅され
第1のインターフェイス(24)を介してベースアンプ
(25〉に供給される。
アナログ入力端子A0〜A8の各入力端子から所定の制
御あるい拉指令信号が入力されるとEPマイコンチップ
(4)はその入力信号に基づいて動作する。即ち、入力
信号に基づいて、EPマイコンチップ(4)内に記憶さ
れているメモリー内のプログラム・データに基づいた所
定の処理が実行されるコントロール信号を出力する。そ
のコントロール信号はバッファ(23)により増幅され
第1のインターフェイス(24)を介してベースアンプ
(25〉に供給される。
ベースアンプ(25〉に供給された信号はインバータ主
回路(22)の各トランジスタ素子のベースに供給され
、インバータ主回路(22〉の各トランジスタ素子をO
N、OFFさせて直流をチョッピングして疑似交流を形
成し、出力端子(U、V、W)を介して負荷へ交流を供
給させて負荷を所定の回転数で回転させる。
回路(22)の各トランジスタ素子のベースに供給され
、インバータ主回路(22〉の各トランジスタ素子をO
N、OFFさせて直流をチョッピングして疑似交流を形
成し、出力端子(U、V、W)を介して負荷へ交流を供
給させて負荷を所定の回転数で回転させる。
即ち、EPマイコンチップ(4)内の所定のプログラム
・データに基づいてインバータ主回路(22)で直流を
チョッピングして交流に変換されている。また、ベース
アンプ(25)には別電源がV□〜vba端子を介して
常時印加されている。
・データに基づいてインバータ主回路(22)で直流を
チョッピングして交流に変換されている。また、ベース
アンプ(25)には別電源がV□〜vba端子を介して
常時印加されている。
上述したEPマイコンチップ〈4)内のプログラム・デ
ータを変換すると、即ち別のマイコンに変換すればその
EPマイコンチップ内に内蔵されたプログラム・データ
に応じた回転にコントロールすることができる。
ータを変換すると、即ち別のマイコンに変換すればその
EPマイコンチップ内に内蔵されたプログラム・データ
に応じた回転にコントロールすることができる。
出力端子PO,〜PO9から出力される信号はEPマイ
コンチップク4)に入力される入力指令に基づいてEP
マイコンチップ(4)が所定の信号処理を行った結果に
基づいた信号を出力する。出力端子PO,〜PO,から
出力される出力信号は外部の機器あるいは装置をコント
ロールする。例えばインバータエアコンであれば電磁リ
レー、冷媒調整する弁等を室内の温度変化に対応して所
定にコントロールする。
コンチップク4)に入力される入力指令に基づいてEP
マイコンチップ(4)が所定の信号処理を行った結果に
基づいた信号を出力する。出力端子PO,〜PO,から
出力される出力信号は外部の機器あるいは装置をコント
ロールする。例えばインバータエアコンであれば電磁リ
レー、冷媒調整する弁等を室内の温度変化に対応して所
定にコントロールする。
上述したインバータ動作を行っている際にはインバータ
システム、即ち、基板(2)上の温度は定格最大温度以
下になる様に設計されているが、システム自体を異常な
環境下(高温、高湿下)での使用、あるいは放熱が正常
に行われない場合にはインバータ主回路(22)や周辺
の温度が異常に上昇し、システムあるいはセットを破壊
する恐れはあるが、本実施例では保護回路(26〉の温
度検出部(26a)によって異常温度を検出してインバ
ータの動作を止めてインバータの発熱をおさえてセット
あるいはシステムを保護するものである。また、インバ
ータ主回路(22)には負荷が接続されているが、この
負荷内部の配線の異常による短絡、出力端子(U、V、
W)の短絡、あるいは外部ノイズによるEPマイコンチ
ップ(4)の誤動作でインバータ主回路(22)の直列
された素子が同時ONしたりすると異常な大電流がイン
バータ主回路(22)に流れるが、この場合においても
、保護回路(26〉27− −28= 内の電流検出部(26b)でその大電流を検出しただち
に動作を停止させて保護する。
システム、即ち、基板(2)上の温度は定格最大温度以
下になる様に設計されているが、システム自体を異常な
環境下(高温、高湿下)での使用、あるいは放熱が正常
に行われない場合にはインバータ主回路(22)や周辺
の温度が異常に上昇し、システムあるいはセットを破壊
する恐れはあるが、本実施例では保護回路(26〉の温
度検出部(26a)によって異常温度を検出してインバ
ータの動作を止めてインバータの発熱をおさえてセット
あるいはシステムを保護するものである。また、インバ
ータ主回路(22)には負荷が接続されているが、この
負荷内部の配線の異常による短絡、出力端子(U、V、
W)の短絡、あるいは外部ノイズによるEPマイコンチ
ップ(4)の誤動作でインバータ主回路(22)の直列
された素子が同時ONしたりすると異常な大電流がイン
バータ主回路(22)に流れるが、この場合においても
、保護回路(26〉27− −28= 内の電流検出部(26b)でその大電流を検出しただち
に動作を停止させて保護する。
上述した動作を行うことでモータ駆動用インバータの動
作が行われて負荷(モータ)の回転コントロールおよび
外部機器の動作を所定にコントロールして例えば、イン
バータエアコン等の制御を正常に動作させる。
作が行われて負荷(モータ)の回転コントロールおよび
外部機器の動作を所定にコントロールして例えば、イン
バータエアコン等の制御を正常に動作させる。
第9図は第4図で示したモータ駆動用インバータ回路を
本実施例の基板(2〉上に実装した場合を示す平面図で
あり、実装される各回路素子の符号は第4図のブロック
図で示した符号と同一にしである。尚、複数の各回路素
子を接続する導電路は煩雑となるため矢印にて示すもの
とする。
本実施例の基板(2〉上に実装した場合を示す平面図で
あり、実装される各回路素子の符号は第4図のブロック
図で示した符号と同一にしである。尚、複数の各回路素
子を接続する導電路は煩雑となるため矢印にて示すもの
とする。
第9図に示す如く、基板〈2〉の周端部には外部リード
端子(12〉が固着される複数の固着用パッド(3a〉
が設けられている。固着パッド(3a)から延在される
導電路(3)上の封止空間(14)となる所定位置には
複数の回路素子が、突出基板(2a〉上にはEPマイコ
ンチップ(4)が固着されている。即ち、突出基板(2
a)を除く基板(2〉上にはEPマイコンチップ(4)
を除く複数の回路素子(6)が固着されており、(21
)は整流回路、(25〉はベースアンプ、(23)ハバ
ッファ、(24)は第1のインターフェイス、(27)
は第2のインターフェイス、(28〉は出力バッファ、
(26〉は保護回路である。
端子(12〉が固着される複数の固着用パッド(3a〉
が設けられている。固着パッド(3a)から延在される
導電路(3)上の封止空間(14)となる所定位置には
複数の回路素子が、突出基板(2a〉上にはEPマイコ
ンチップ(4)が固着されている。即ち、突出基板(2
a)を除く基板(2〉上にはEPマイコンチップ(4)
を除く複数の回路素子(6)が固着されており、(21
)は整流回路、(25〉はベースアンプ、(23)ハバ
ッファ、(24)は第1のインターフェイス、(27)
は第2のインターフェイス、(28〉は出力バッファ、
(26〉は保護回路である。
第9図から明らかな如く、EPマイコンチップ(4)と
一番関連深い回路素子の近傍(ここではバッファ、出力
バッファ)に隣接する位置に設けられた突出基板(2a
)上にEPマイコンチップ(4)が固着される。
一番関連深い回路素子の近傍(ここではバッファ、出力
バッファ)に隣接する位置に設けられた突出基板(2a
)上にEPマイコンチップ(4)が固着される。
EPマイコンチップ〈4)ともっとも関連する回路素子
(6〉をEPマイコンチップ(4)の近傍に配置するこ
とにより、両者を接続させる導電路〈3)の引回し線の
距離を最短でしかも最小で配置形成でき、その結果、他
の実装パターンを有効に使用できると共に高密度実装が
行える。また、−点鎖線で囲まれた領域は接着シートで
ケース材〈8〉が固着される固着領域であることを示す
。
(6〉をEPマイコンチップ(4)の近傍に配置するこ
とにより、両者を接続させる導電路〈3)の引回し線の
距離を最短でしかも最小で配置形成でき、その結果、他
の実装パターンを有効に使用できると共に高密度実装が
行える。また、−点鎖線で囲まれた領域は接着シートで
ケース材〈8〉が固着される固着領域であることを示す
。
第10図は第9図で示した基板(2)上にケース材(8
)を固着したときのインバータ用の混成集積回路装置の
完成品の平面図であり、ケース材〈8〉の周端辺の突出
基板(2a)上にはEPマイコンチップ(4)が樹脂被
覆された状態となる。即ち、EPマイコンチップ(4)
以外の他の素子は全てケース材(8)と基板(2〉とで
形成された封止空間(14)内に封止される。
)を固着したときのインバータ用の混成集積回路装置の
完成品の平面図であり、ケース材〈8〉の周端辺の突出
基板(2a)上にはEPマイコンチップ(4)が樹脂被
覆された状態となる。即ち、EPマイコンチップ(4)
以外の他の素子は全てケース材(8)と基板(2〉とで
形成された封止空間(14)内に封止される。
斯る本発明に依れば、基板(2)の所望位置に突出基板
(2a〉を設け、その突出基板(2a〉上の導電路(3
)にEPマイコンチップ(4)を接続し、基板(2)と
ケース材(8)とで形成された封止空間(14)に他の
回路素子(6〉を固着することにより、混成集積回路と
EPマイコンチップ(4)の一体止した装置が極めて小
型化に提供することができる。
(2a〉を設け、その突出基板(2a〉上の導電路(3
)にEPマイコンチップ(4)を接続し、基板(2)と
ケース材(8)とで形成された封止空間(14)に他の
回路素子(6〉を固着することにより、混成集積回路と
EPマイコンチップ(4)の一体止した装置が極めて小
型化に提供することができる。
(ト〉発明の効果
以上に詳述した如く、本発明に依れば、第1に基板(2
)の任意の周端辺に突出基板(2a)を設け、その突出
基板(2a)上の導電路(3)にEPマイコンチップ(
4)を接続しているので、EPマイコンチップ(4)の
載置位置の周辺の任意に選定できる利点を有する。この
ため内蔵するもっとも関連深い回路素子との電気的接続
を考慮して、効率良くEPマイコンチップ(4)ともつ
とも関連深い回路素子〈6〉とを接続できデータ線の引
回しを不要にできる。更に詳述すると、EPマイコンチ
ップ(4)の隣接する位置にもつとも関連の深い回路素
子(6)を配置でき、その結果EPマイコンテ・ノブ(
4)と回路素子(6)間のデータのやりとりを行うデー
タ線を最短距離あるいはもつとも設計容易な1−イアウ
ドで実現でき、データ線の引回しによる実装密度のロス
を最小限に抑制できる。
)の任意の周端辺に突出基板(2a)を設け、その突出
基板(2a)上の導電路(3)にEPマイコンチップ(
4)を接続しているので、EPマイコンチップ(4)の
載置位置の周辺の任意に選定できる利点を有する。この
ため内蔵するもっとも関連深い回路素子との電気的接続
を考慮して、効率良くEPマイコンチップ(4)ともつ
とも関連深い回路素子〈6〉とを接続できデータ線の引
回しを不要にできる。更に詳述すると、EPマイコンチ
ップ(4)の隣接する位置にもつとも関連の深い回路素
子(6)を配置でき、その結果EPマイコンテ・ノブ(
4)と回路素子(6)間のデータのやりとりを行うデー
タ線を最短距離あるいはもつとも設計容易な1−イアウ
ドで実現でき、データ線の引回しによる実装密度のロス
を最小限に抑制できる。
第2に基板(2)の周端部に設けた突出基板(2a〉に
EPマイコンチップ(4)を配置しているので、一体止
した小型の混成集積回路装置として取り扱える利点を有
する。更に集積回路基板(2)上の組み込むその周辺回
路素子の実装密度を向上することにより、従来必要とさ
れたプリント基板を廃止することができる。
EPマイコンチップ(4)を配置しているので、一体止
した小型の混成集積回路装置として取り扱える利点を有
する。更に集積回路基板(2)上の組み込むその周辺回
路素子の実装密度を向上することにより、従来必要とさ
れたプリント基板を廃止することができる。
第3に画集積回路基板(2)として金属基板を用いるこ
とにより、その放熱効果をプリント基板に比べて大幅に
向上でき、より実装密度の向上に寄31− 与できる。また導電路(3)として銅箔(11)を用い
ることにより、導電路(3)の抵抗値を導電ペーストよ
り大幅に低減でき、実装される回路をプリント基板と同
等以上に拡張できる。
とにより、その放熱効果をプリント基板に比べて大幅に
向上でき、より実装密度の向上に寄31− 与できる。また導電路(3)として銅箔(11)を用い
ることにより、導電路(3)の抵抗値を導電ペーストよ
り大幅に低減でき、実装される回路をプリント基板と同
等以上に拡張できる。
第4にEPマイコンチップ(4)と接続されるその周辺
回路素子(6)はケース材(8)と集積回路基板(2)
とで形成される封止空間(14)にグイ形状あるいはチ
ップ形状で組み込まれるので、従来のプリント基板の様
に樹脂モールドしたものに比較して極めて占有面積が小
さくなり、実装密度の大幅に向上できる利点を有する。
回路素子(6)はケース材(8)と集積回路基板(2)
とで形成される封止空間(14)にグイ形状あるいはチ
ップ形状で組み込まれるので、従来のプリント基板の様
に樹脂モールドしたものに比較して極めて占有面積が小
さくなり、実装密度の大幅に向上できる利点を有する。
第5にケース材(8)と集積回路基板(2〉の周端を実
質的に一致させることにより、集積回路基板(2)のほ
ぼ全面を封止空間(14)として利用でき、実装密度の
向上と相まって極めてコンパクトな混成集積回路装置を
実現できる。
質的に一致させることにより、集積回路基板(2)のほ
ぼ全面を封止空間(14)として利用でき、実装密度の
向上と相まって極めてコンパクトな混成集積回路装置を
実現できる。
第6に突出基板(2a〉上にEPマイコンチップ(4)
を設けることにより、EPマイコンチップ(4)の着脱
を自在に行なえ、EPマイコンチップ(4)の交換や消
去および再書き込みを自由に行える利32 点を有する。
を設けることにより、EPマイコンチップ(4)の着脱
を自在に行なえ、EPマイコンチップ(4)の交換や消
去および再書き込みを自由に行える利32 点を有する。
第7に集積回路基板(2〉の−辺あるいは相対向する辺
から外部リード(12)を導出でき、極めて多ピンの混
成集積回路装置を実現できる利点を有する。
から外部リード(12)を導出でき、極めて多ピンの混
成集積回路装置を実現できる利点を有する。
第1図は本実施例を示す斜視図、第2図は第1図のI−
I断面図、第3図は本実施例で用いる基板の断面図、第
4図は本実施例で用いたモータ駆動用インバータを示す
ブロック図、第5図は第4図で示したインバータの主回
路を示す回路図、第6図は第4図で示したインバータの
マイコンを示すブロック図、第7図は第4図で示したイ
ンバータのベースアンプを示す回路図、第8図は第4図
で示したインバータの保護回路を示すプロ・ンク図−5
第9図は第4図で示したブロック図を基板上に実装した
ときの平面図、第10図は第9図に示した基板上にケー
ス材を固着したときの平面図、第11図および第12図
は従来のマイコン実装構造を示す斜視図である。 (1〉・・・混成集積回路装置、 (2)・・・集積回
路基板、 (2a〉・・・突出基板、 (3)・・・導
電路、 (4)・・・EPマイコンチップ、(5〉・・
・マイクロコンピュータ、 (6)・・・回路素子、
(8)・・・ケース材、 (21a)・・・紫外線透過
性樹脂、 (21b)・・・紫外線不透過性樹脂。
I断面図、第3図は本実施例で用いる基板の断面図、第
4図は本実施例で用いたモータ駆動用インバータを示す
ブロック図、第5図は第4図で示したインバータの主回
路を示す回路図、第6図は第4図で示したインバータの
マイコンを示すブロック図、第7図は第4図で示したイ
ンバータのベースアンプを示す回路図、第8図は第4図
で示したインバータの保護回路を示すプロ・ンク図−5
第9図は第4図で示したブロック図を基板上に実装した
ときの平面図、第10図は第9図に示した基板上にケー
ス材を固着したときの平面図、第11図および第12図
は従来のマイコン実装構造を示す斜視図である。 (1〉・・・混成集積回路装置、 (2)・・・集積回
路基板、 (2a〉・・・突出基板、 (3)・・・導
電路、 (4)・・・EPマイコンチップ、(5〉・・
・マイクロコンピュータ、 (6)・・・回路素子、
(8)・・・ケース材、 (21a)・・・紫外線透過
性樹脂、 (21b)・・・紫外線不透過性樹脂。
Claims (6)
- (1)集積回路基板と 前記基板上に形成された所望のパターンを有する導電路
と 前記導電路に接続され且つ所望のプログラム・データを
内蔵したEPROM内蔵マイクロコンピュータチップと 前記EPROM内蔵マイクロコンピュータチップの前記
データが供給され且つ前記基板上の導電路と接続された
その周辺回路素子と 前記基板に一体化されたケース材とを具備し、前記ケー
ス材より突出した前記基板上の前記導電路に前記マイク
ロコンピュータチップを固着し、前記EPROM内蔵マ
イクロコンピュータチップの電極と所望の前記導電路を
ボンディングワイヤで接続し前記EPROM内蔵マイク
ロコンピュータチップおよび前記ボンディングワイヤを
樹脂で封止し、前記基板と前記ケースで形成された封止
空間に前記周辺回路素子を配置したことを特徴とする混
成集積回路装置。 - (2)前記集積回路基板として表面を絶縁した金属基板
を用いたことを特徴とする請求項1記載の混成集積回路
装置。 - (3)前記導電路として銅箔を用いたことを特徴とする
請求項1記載の混成集積回路装置。 - (4)前記周辺回路素子としてチップ抵抗、チップコン
デンサーを用いていることを特徴とする請求項1記載の
混成集積回路装置。 - (5)前記ケース材の周端部を前記基板の周端部とほぼ
一致させたことを特徴とする請求項1記載の混成集積回
路装置。 - (6)前記EPROM内蔵マイクロコンピュータチップ
を被覆樹脂として紫外線を透過する樹脂を用いたことを
特徴とする請求項1記載の混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4001890A JPH079964B2 (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4001890A JPH079964B2 (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | 混成集積回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03242964A true JPH03242964A (ja) | 1991-10-29 |
JPH079964B2 JPH079964B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=12569169
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4001890A Expired - Lifetime JPH079964B2 (ja) | 1990-02-21 | 1990-02-21 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH079964B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10333173B2 (en) | 2014-11-14 | 2019-06-25 | Medtronic, Inc. | Composite separator and electrolyte for solid state batteries |
-
1990
- 1990-02-21 JP JP4001890A patent/JPH079964B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10333173B2 (en) | 2014-11-14 | 2019-06-25 | Medtronic, Inc. | Composite separator and electrolyte for solid state batteries |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH079964B2 (ja) | 1995-02-01 |
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