JPH03222353A - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
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- JPH03222353A JPH03222353A JP2016776A JP1677690A JPH03222353A JP H03222353 A JPH03222353 A JP H03222353A JP 2016776 A JP2016776 A JP 2016776A JP 1677690 A JP1677690 A JP 1677690A JP H03222353 A JPH03222353 A JP H03222353A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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-
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- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
Landscapes
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
くイ)産業上の利用分野
本発明は集積回路基板にチップ型のEPROM内蔵マイ
クロコンピュータを実装してなるEFROM内蔵型マイ
クロコンピュータ搭載の混成集積回路装置に関する。
クロコンピュータを実装してなるEFROM内蔵型マイ
クロコンピュータ搭載の混成集積回路装置に関する。
く口)従来の技術
紫外線を照射することによって既に書込まれた記憶情報
を消去し、再書込みが可能な紫外線照射窓を有するEF
ROM内蔵のマイクロコンピュータ素子は各種電子機器
に好んで用いられている。
を消去し、再書込みが可能な紫外線照射窓を有するEF
ROM内蔵のマイクロコンピュータ素子は各種電子機器
に好んで用いられている。
このEPROM内蔵マイクロコンピュータは、制御用あ
るいは駆動用集積回路と共に現在、その殆んどがプリン
ト配線板に実装されている。各種電子機器で小型軽量化
が要求される機器は、チップ・オン・ボードと称される
技法によってプリント配線板に半導体集積回路(IC)
チップが直接搭載され、所要の配線が施された後この配
線部分を含んで前記ICチップが合成樹脂によって被覆
され、極めて小型軽量化が達成されている。
るいは駆動用集積回路と共に現在、その殆んどがプリン
ト配線板に実装されている。各種電子機器で小型軽量化
が要求される機器は、チップ・オン・ボードと称される
技法によってプリント配線板に半導体集積回路(IC)
チップが直接搭載され、所要の配線が施された後この配
線部分を含んで前記ICチップが合成樹脂によって被覆
され、極めて小型軽量化が達成されている。
斯る従来のEPROM内蔵マイクロコンピュータの実装
構造を第12図に従って説明すると、第12図は従来の
EPROM内蔵マイクロコンピュータの一部断面を有す
る斜視図であって、主表面上に導電性配線パターン(4
1)が形成されたガラス・エポキシ樹脂などから構成さ
れた絶縁性基板<42>(7)スルーホール(43)に
サーデイツプ型パッケージに組込まれたEPROM内蔵
マイクロコンピュータ〈44〉が搭載されている。この
EPROM内蔵マイクロコンピュータ(44〉はヘッダ
ー(45)およびキャップ(46)を有し、前記ヘッダ
ー(45)はセラミック基材〈47〉に外部導出リード
(48〉か低融点ガラス材で接着されている。またこの
ヘッダー(45)はガラスに金粉が多量に混入したいわ
ゆる金ペーストを焼結した素子搭載部(50)が前記低
融点ガラス材上あるいはセラミック基材(47)上に接
着されており、この素子搭載部(50〉にEPROM内
蔵マイクロコンピュータチップ(51〉が装着され、こ
のチップ(51)の電極と前記外部導出リード〈48)
とが金属細1(52)によって接続されている。このキ
ャップ(46)は低融点ガラスによってヘッダー〈45
)に配置されたEPROM内蔵マイクロコンピュータチ
ップ(51)を密封している。この様にEPROM内蔵
マイクロコンピュータチップ(51)を密封したEPR
OM内蔵マイクロコンピュータ(44)は、前記絶縁性
基板(42)のスルーホール(43)に外部導出リード
(48)を挿通させ半田によって固定される。このスル
ーホール(43)は導電性配線パターン(41)によっ
て所要の配線引回しが施され、前記絶縁性基板の端部に
設けられた雄型コネクタ端子部(55)から図示しない
雌型コネクタへと接続される。
構造を第12図に従って説明すると、第12図は従来の
EPROM内蔵マイクロコンピュータの一部断面を有す
る斜視図であって、主表面上に導電性配線パターン(4
1)が形成されたガラス・エポキシ樹脂などから構成さ
れた絶縁性基板<42>(7)スルーホール(43)に
サーデイツプ型パッケージに組込まれたEPROM内蔵
マイクロコンピュータ〈44〉が搭載されている。この
EPROM内蔵マイクロコンピュータ(44〉はヘッダ
ー(45)およびキャップ(46)を有し、前記ヘッダ
ー(45)はセラミック基材〈47〉に外部導出リード
(48〉か低融点ガラス材で接着されている。またこの
ヘッダー(45)はガラスに金粉が多量に混入したいわ
ゆる金ペーストを焼結した素子搭載部(50)が前記低
融点ガラス材上あるいはセラミック基材(47)上に接
着されており、この素子搭載部(50〉にEPROM内
蔵マイクロコンピュータチップ(51〉が装着され、こ
のチップ(51)の電極と前記外部導出リード〈48)
とが金属細1(52)によって接続されている。このキ
ャップ(46)は低融点ガラスによってヘッダー〈45
)に配置されたEPROM内蔵マイクロコンピュータチ
ップ(51)を密封している。この様にEPROM内蔵
マイクロコンピュータチップ(51)を密封したEPR
OM内蔵マイクロコンピュータ(44)は、前記絶縁性
基板(42)のスルーホール(43)に外部導出リード
(48)を挿通させ半田によって固定される。このスル
ーホール(43)は導電性配線パターン(41)によっ
て所要の配線引回しが施され、前記絶縁性基板の端部に
設けられた雄型コネクタ端子部(55)から図示しない
雌型コネクタへと接続される。
さて、斯る従来のEPROM内蔵マイクロコンピュータ
素子の実装構造は、EPROM内蔵マイクロコンピュー
タチップ(51)に比ベパッケージ外形が極めて大きく
、平面占有率もさることながら三次元、つまり高さもチ
ップの高さの数倍となり、薄型化に極めて不利である。
素子の実装構造は、EPROM内蔵マイクロコンピュー
タチップ(51)に比ベパッケージ外形が極めて大きく
、平面占有率もさることながら三次元、つまり高さもチ
ップの高さの数倍となり、薄型化に極めて不利である。
更にスルーホール(43)に外部導出リードを挿通した
後、半田などで固定する必要も生ずる。更に特筆すべき
大きな欠点は、絶縁性基板への実装に先立ってEPRO
M内蔵マイクロコンピュータ素子を一部パッケージに組
立てることである。
後、半田などで固定する必要も生ずる。更に特筆すべき
大きな欠点は、絶縁性基板への実装に先立ってEPRO
M内蔵マイクロコンピュータ素子を一部パッケージに組
立てることである。
ここではサーデイツプパッケージタイプのEPROM内
蔵マイクロコンピュータ素子について述べたが樹脂封止
型パッケージについても上述した問題は発生する。
蔵マイクロコンピュータ素子について述べたが樹脂封止
型パッケージについても上述した問題は発生する。
斯る問題を解決するために第13図に示した実装構造が
既に使用されている。
既に使用されている。
以下に第13図に示したEPROM内蔵マイクロコンピ
ュータ実装構造について説明する。
ュータ実装構造について説明する。
主表面(60a)に導電性配線パターン(60b)が形
成されたガラス・エポキシ樹脂板などの絶縁性基板(6
0〉上には、EPROM内蔵マイクロコンピュータチッ
プ(61〉を載置するチップ搭載エリア(60c)を有
し、前記配線パターン(60b)は、このエリア近傍か
ら主表面(60a)上を引回されて図示しない雄型コネ
クタ端子部に接続されている。前記エリア(60c)に
は、EPROM内蔵マイクロコンピュータチップ(61
〉が搭載され、このチップ(61)の表面電極と前記配
線パターン(60b)とが金属細線(62)により接続
されている。勿論金属細線(62〉の1木は前記チップ
(61)のサブストレートと接続する為に、このチップ
(61〉が搭載された配線パターン(60b)とワイヤ
リングされている。
成されたガラス・エポキシ樹脂板などの絶縁性基板(6
0〉上には、EPROM内蔵マイクロコンピュータチッ
プ(61〉を載置するチップ搭載エリア(60c)を有
し、前記配線パターン(60b)は、このエリア近傍か
ら主表面(60a)上を引回されて図示しない雄型コネ
クタ端子部に接続されている。前記エリア(60c)に
は、EPROM内蔵マイクロコンピュータチップ(61
〉が搭載され、このチップ(61)の表面電極と前記配
線パターン(60b)とが金属細線(62)により接続
されている。勿論金属細線(62〉の1木は前記チップ
(61)のサブストレートと接続する為に、このチップ
(61〉が搭載された配線パターン(60b)とワイヤ
リングされている。
上述した様にEPROM内蔵マイクロコンピュータチッ
プを直接基板上に搭載することが既に周知技術として知
られている。
プを直接基板上に搭載することが既に周知技術として知
られている。
〈ハ〉発明が解決しようとする課題
第13図で示したEPROM内蔵マイクロコンピュータ
実装構造ではEPROM内蔵マイクロコンピュータのチ
ップをプリント基板上にグイボンディングしているため
、小型化となることはいうまでもない。しかしながら、
ここでいう小型化はあくまでEPROM内蔵マイクロコ
ンピュータ自体の小型化である。即ち、第13図からは
明らかにされていないがEPROM内蔵マイクロコンピ
ュータの周辺に固着されているその周辺回路素子はディ
スクリート等の電子部品で構成されているために、EP
ROM内蔵マイクロコンピュータを搭載したプリント基
板用の集積回路としてのシステム全体を見た場合例んら
小型化とはならず従来通りプリント基板の大型化、即ち
システム全体が大型化になる問題がある。
実装構造ではEPROM内蔵マイクロコンピュータのチ
ップをプリント基板上にグイボンディングしているため
、小型化となることはいうまでもない。しかしながら、
ここでいう小型化はあくまでEPROM内蔵マイクロコ
ンピュータ自体の小型化である。即ち、第13図からは
明らかにされていないがEPROM内蔵マイクロコンピ
ュータの周辺に固着されているその周辺回路素子はディ
スクリート等の電子部品で構成されているために、EP
ROM内蔵マイクロコンピュータを搭載したプリント基
板用の集積回路としてのシステム全体を見た場合例んら
小型化とはならず従来通りプリント基板の大型化、即ち
システム全体が大型化になる問題がある。
また、第12図に示した実装構造においても第13図と
同様にEPROM内蔵マイクロコンピュータの周辺の回
路、即ちLSI、IC等の回路素子がディスクリート等
の電子部品で構成されているため、プリント基板の大型
化、即ちシステム全体が大型化となりユーザが要求され
る軽薄短小のEPROM内蔵マイクロコンピュータ搭載
の集積回路を提供することができない大きな問題がある
。
同様にEPROM内蔵マイクロコンピュータの周辺の回
路、即ちLSI、IC等の回路素子がディスクリート等
の電子部品で構成されているため、プリント基板の大型
化、即ちシステム全体が大型化となりユーザが要求され
る軽薄短小のEPROM内蔵マイクロコンピュータ搭載
の集積回路を提供することができない大きな問題がある
。
更に第12図および第13図で示したEPROM内蔵マ
イクロコンピュータ実装構造では、上述した様にシステ
ム全体が大型化になると共にEPROM内蔵マイクロコ
ンピュータおよびその周辺の回路素子を互いに接続する
導電パターンが露出されているため信頼性が低下する問
題がある。
イクロコンピュータ実装構造では、上述した様にシステ
ム全体が大型化になると共にEPROM内蔵マイクロコ
ンピュータおよびその周辺の回路素子を互いに接続する
導電パターンが露出されているため信頼性が低下する問
題がある。
更に第12図および第13図で示したEPROM内蔵マ
イクロコンピュータ実装構造ではEPROM内蔵マイク
ロコンピュータと、その周辺のIC、LS I等の回路
素子が露出されているため、基板上面に凹凸が生じて取
扱いにくく作業性が低下する問題がある。
イクロコンピュータ実装構造ではEPROM内蔵マイク
ロコンピュータと、その周辺のIC、LS I等の回路
素子が露出されているため、基板上面に凹凸が生じて取
扱いにくく作業性が低下する問題がある。
〈二)課題を解決するための手段
本発明は上述した課題に鑑みて為されたものであり、基
板の外側に露出した主面の所望位置にヘッダーを設け、
そのヘッダー上にEPROM内jlフィクロコンピュー
タチップを固着し、そのEPROM内蔵型マイクロコン
ピュータチップの電極と所望の導電路に接続された導出
リードとをボンディングワイヤで接続し、他の全ての回
路素子を基板とケース材とで形成された封止空間に封止
する構造を特徴とする。
板の外側に露出した主面の所望位置にヘッダーを設け、
そのヘッダー上にEPROM内jlフィクロコンピュー
タチップを固着し、そのEPROM内蔵型マイクロコン
ピュータチップの電極と所望の導電路に接続された導出
リードとをボンディングワイヤで接続し、他の全ての回
路素子を基板とケース材とで形成された封止空間に封止
する構造を特徴とする。
従ってEPROM内蔵型マイクロコンピュータチップを
搭載した混成集積回路を極めて小型化に行える。
搭載した混成集積回路を極めて小型化に行える。
(ネ〉作用
この様に本発明に依れば、基板の外側に露出した主面の
所望位置にヘッダーを設け、そのヘッダー上にEPRO
M内蔵型マイクロコンピュータチップを搭載し、そのE
PROM内蔵型マイクロコンピュータチップの電極と所
望の導電路と接続された導出リードとをボンディングワ
イヤで接続しているため、隣接する導電路とワイヤ線で
接続しているのでEPROM内蔵マイクロコンピュータ
チップの載置位置を任意に設定でき、もつとも関連深い
回路素子との電気的接続を考慮して、効率良<EPRO
M内蔵マイクロコンピュータともっとも関連深い回路素
子とを接続することができ、信号線即ち導電路の引回し
線を不要にすることができる。
所望位置にヘッダーを設け、そのヘッダー上にEPRO
M内蔵型マイクロコンピュータチップを搭載し、そのE
PROM内蔵型マイクロコンピュータチップの電極と所
望の導電路と接続された導出リードとをボンディングワ
イヤで接続しているため、隣接する導電路とワイヤ線で
接続しているのでEPROM内蔵マイクロコンピュータ
チップの載置位置を任意に設定でき、もつとも関連深い
回路素子との電気的接続を考慮して、効率良<EPRO
M内蔵マイクロコンピュータともっとも関連深い回路素
子とを接続することができ、信号線即ち導電路の引回し
線を不要にすることができる。
更にEPROM内蔵マイクロコンピュータの隣接する位
置にもっとも関連の深い周辺回路素子を配置でき、EP
ROM内蔵マイクロコンピュータと周辺回路素子との間
のデータのやりとりを行うデータ線を最短距離あるいは
最小距離で実現でき、データ線の引回しによる実装密度
のロスを最小限に抑制することになり、高密度の実装が
行える。
置にもっとも関連の深い周辺回路素子を配置でき、EP
ROM内蔵マイクロコンピュータと周辺回路素子との間
のデータのやりとりを行うデータ線を最短距離あるいは
最小距離で実現でき、データ線の引回しによる実装密度
のロスを最小限に抑制することになり、高密度の実装が
行える。
更に本発明ではEFROM内蔵マイクロコンピュータチ
ップ以外の全ての素子がチップ状でケース材と基板で形
成された封止仝間内に収納されるため小型化でしかも取
扱い性の優れた混成集積回路装置を提供することができ
る。
ップ以外の全ての素子がチップ状でケース材と基板で形
成された封止仝間内に収納されるため小型化でしかも取
扱い性の優れた混成集積回路装置を提供することができ
る。
(へ)実施例
以下に第1図乃至第11図に示した実施例に基づいて本
発明の混成集積回路装置を詳細に説明する。
発明の混成集積回路装置を詳細に説明する。
第1図および第2図には、本発明の一実施例の混成集積
回路装置<1)が示されている。この混成集積回路装置
(1)は独立した電子部品として用いられインバータエ
アコン等の幅広いインバータモータの分野で機能を独立
して有する集積回路として用いられる。
回路装置<1)が示されている。この混成集積回路装置
(1)は独立した電子部品として用いられインバータエ
アコン等の幅広いインバータモータの分野で機能を独立
して有する集積回路として用いられる。
この混成集積回路装置(1)は第1図および第2図に示
す様に、集積回路基板(2)と、集積回路基板(2)の
外側に露出した主面の所望位置に設けられたヘッダー(
4)と、集積回路基板(2〉上に形成された所望形状の
導電路(5〉と、ヘッダー(4〉上に搭載され且つ、導
電路<5〉と接続されたEFROM内蔵マイクロコンピ
ュータチップ<6)(以下EPマイコンチップという)
と、EPマイコンチップ(6)から制御出力信号を供給
され且つ基板<2)上の導電路(5〉と接続されたその
周辺回路素子り8)と、基板(2〉に固着一体化さ′れ
周端辺の所定位置にくぼみ〈3〉が設けられたケース材
(7〉とから構成されている。
す様に、集積回路基板(2)と、集積回路基板(2)の
外側に露出した主面の所望位置に設けられたヘッダー(
4)と、集積回路基板(2〉上に形成された所望形状の
導電路(5〉と、ヘッダー(4〉上に搭載され且つ、導
電路<5〉と接続されたEFROM内蔵マイクロコンピ
ュータチップ<6)(以下EPマイコンチップという)
と、EPマイコンチップ(6)から制御出力信号を供給
され且つ基板<2)上の導電路(5〉と接続されたその
周辺回路素子り8)と、基板(2〉に固着一体化さ′れ
周端辺の所定位置にくぼみ〈3〉が設けられたケース材
(7〉とから構成されている。
集積回路基板(2〉はセラミックス、ガラス・エポキシ
あるいは金属等の硬質基板が用いられ、本実施例では放
熱性および機械的強度に優れた金属基板を用いるものと
する。
あるいは金属等の硬質基板が用いられ、本実施例では放
熱性および機械的強度に優れた金属基板を用いるものと
する。
金属基板としては例えば0.5〜1 、0 mm厚のア
ルミニウム基板を用いる。その基板(2)の表面には第
3図に示す如く、周知の陽極酸化により酸化アルミニウ
ム膜(9)(アルマイト層)が形成され、その−主面側
に10〜70μ厚のエポキシあるいはポリイミド等の絶
縁樹脂層(10)が貼着される。更に絶縁樹脂層(10
〉上には10〜70μ厚の銅箔(11〉が絶縁樹脂層(
10)と同時にローラーあるいはホットプレス等の手段
により貼着されている。
ルミニウム基板を用いる。その基板(2)の表面には第
3図に示す如く、周知の陽極酸化により酸化アルミニウ
ム膜(9)(アルマイト層)が形成され、その−主面側
に10〜70μ厚のエポキシあるいはポリイミド等の絶
縁樹脂層(10)が貼着される。更に絶縁樹脂層(10
〉上には10〜70μ厚の銅箔(11〉が絶縁樹脂層(
10)と同時にローラーあるいはホットプレス等の手段
により貼着されている。
基板〈2)の−主面上に設けられた鋼箔(11)表面上
にはスクリーン印刷によって所望形状の導電路を露出し
てレジストでマスクされ、貴金属(金、銀、白金)メツ
キ層が銅箔(11)表面にメツキされる。然る後、レジ
ストを除去して貴金属メツキ層をマスクとして銅箔(1
1〉のエツチングを行い所望の導電路(5)が形成され
る。ここでスクリーン印刷による導電路(5〉の細さは
0 、5 mmが限界であるため、極細配線パターンを
必要とするときは周知の写真蝕刻技術に依り約2μまで
の極細導電路〈5)の形成が可能となる。
にはスクリーン印刷によって所望形状の導電路を露出し
てレジストでマスクされ、貴金属(金、銀、白金)メツ
キ層が銅箔(11)表面にメツキされる。然る後、レジ
ストを除去して貴金属メツキ層をマスクとして銅箔(1
1〉のエツチングを行い所望の導電路(5)が形成され
る。ここでスクリーン印刷による導電路(5〉の細さは
0 、5 mmが限界であるため、極細配線パターンを
必要とするときは周知の写真蝕刻技術に依り約2μまで
の極細導電路〈5)の形成が可能となる。
基板(2)上に形成された導電路(5)は図示されない
が、大信号用のパワー系の太い導電路と小信号用の細い
導電路が形成されている。
が、大信号用のパワー系の太い導電路と小信号用の細い
導電路が形成されている。
導電路(5)の所定位置にはEPマイコンチップ(6)
トそのEPマイコンチップからデータを供給される複数
の回路素子(8)が搭載されている。また基板(2)の
−側辺あるいは対向する側辺周端部に導電路(5)が延
在され大信号用および小信号用の外部リード端子(12
)(13)を固着するための複数のパッドが形成されて
いる。このパッドには外部ノード端子(12)(13)
が半田によって固着されている。
トそのEPマイコンチップからデータを供給される複数
の回路素子(8)が搭載されている。また基板(2)の
−側辺あるいは対向する側辺周端部に導電路(5)が延
在され大信号用および小信号用の外部リード端子(12
)(13)を固着するための複数のパッドが形成されて
いる。このパッドには外部ノード端子(12)(13)
が半田によって固着されている。
ところで基板(2)の所望位置にはEPマイコンチップ
(6)を搭載するためのヘッダー(4)を嵌合するため
の孔(5C〉が形成されている。
(6)を搭載するためのヘッダー(4)を嵌合するため
の孔(5C〉が形成されている。
EPマイコンチップ(6)は周知の如く、プログラムプ
ロセッサ(CPU)を中心にプログラムメモリにRAM
、EFROM、周辺装置に入出力インターフェイスを組
合せている素子である。EPマイコンチップ(6)は市
販されているものであり、ここではEPマイコンチップ
クロ〉の説明を省略する。
ロセッサ(CPU)を中心にプログラムメモリにRAM
、EFROM、周辺装置に入出力インターフェイスを組
合せている素子である。EPマイコンチップ(6)は市
販されているものであり、ここではEPマイコンチップ
クロ〉の説明を省略する。
EPマイコンチップ(6)を基板上に搭載する場合、上
述した様にヘッダー(4)上に固着することで搭載され
る。更に詳述すると、そのヘッダー(4)は基板(2)
の外側に露出した主面の所望位置に設けられ、EPマイ
コンチップ(6)の電極は導電路(5)に接続された導
出リード(5b〉とボンディングワイヤで接続されてい
る。
述した様にヘッダー(4)上に固着することで搭載され
る。更に詳述すると、そのヘッダー(4)は基板(2)
の外側に露出した主面の所望位置に設けられ、EPマイ
コンチップ(6)の電極は導電路(5)に接続された導
出リード(5b〉とボンディングワイヤで接続されてい
る。
更に本実施例ではEPマイコンチップ(6)が固着され
るヘッダー(4)は基板(2〉上に直接載置されず、ヘ
ッダー載置体(4a)を介して基板(2〉上に搭載され
ている。
るヘッダー(4)は基板(2〉上に直接載置されず、ヘ
ッダー載置体(4a)を介して基板(2〉上に搭載され
ている。
ヘッダー載置体(4a〉はセラミックス、ガラス・エポ
キシあるいは絶縁樹脂等の絶縁体によって第2図に示す
如く、凸型状に形成されている。ヘッダー〈4)は凸型
に形成された載置体(4a〉の底面部に金属層によって
形成されており、その金属層として例えば銅箔、金、銀
等の金属層が用いられる。また載置体(4a)には基板
(2〉の−主面(内面側)上に形成された導電路(5)
とEPマイコンチップ(6)との電極を接続するための
金属製の導出リード(5b〉が内部に埋設する様にして
一体化形成されている。
キシあるいは絶縁樹脂等の絶縁体によって第2図に示す
如く、凸型状に形成されている。ヘッダー〈4)は凸型
に形成された載置体(4a〉の底面部に金属層によって
形成されており、その金属層として例えば銅箔、金、銀
等の金属層が用いられる。また載置体(4a)には基板
(2〉の−主面(内面側)上に形成された導電路(5)
とEPマイコンチップ(6)との電極を接続するための
金属製の導出リード(5b〉が内部に埋設する様にして
一体化形成されている。
斯るヘッダー載置体(4a)は基板(2〉にあらかじめ
設けられていた孔(5c)に嵌合されて基板(2〉と一
体化される。この結果、載置体(4a)上に形成された
ヘッダー(4)は基板(2)の外側に露出することにな
る。基板(2〉の孔(5c〉と嵌合された載置体(4a
)に埋設された導出リード(5b)の一端は基板(2)
上に形成された導電路(5)と半田(あるいはワイヤ線
)によって接続され、その導出リード(5b〉の他端は
ヘッダー(4〉上に固着されているEPマイコンチップ
(6)の電極とボンディングワイヤで接続されている。
設けられていた孔(5c)に嵌合されて基板(2〉と一
体化される。この結果、載置体(4a)上に形成された
ヘッダー(4)は基板(2)の外側に露出することにな
る。基板(2〉の孔(5c〉と嵌合された載置体(4a
)に埋設された導出リード(5b)の一端は基板(2)
上に形成された導電路(5)と半田(あるいはワイヤ線
)によって接続され、その導出リード(5b〉の他端は
ヘッダー(4〉上に固着されているEPマイコンチップ
(6)の電極とボンディングワイヤで接続されている。
更にヘッダー載置体(4a)の上面には、ヘッダー(4
)およびワイヤ線を取り囲む補助枠(4b)が載置体(
4a〉と一体形成されている。補助枠(4b〉で囲まれ
た空間には紫外線を透過する紫外線透過性樹脂が充填さ
れヘッダー(4)上に固着されたEPマイコンチップ(
6)を被覆保護する。EPマイコンチップ(6)上に直
接被覆される第1層目の樹脂はEPマイコンチップ(6
)のデータを消去する際に紫外線を透過する必要がある
ために紫外線透過性樹脂(21a)が用いられる。紫外
線透過性樹脂(21a)は非芳香族系であれば限定され
ず、例えばメチル系シリコンゴムあるいはシリコンゲル
が用いられる。
)およびワイヤ線を取り囲む補助枠(4b)が載置体(
4a〉と一体形成されている。補助枠(4b〉で囲まれ
た空間には紫外線を透過する紫外線透過性樹脂が充填さ
れヘッダー(4)上に固着されたEPマイコンチップ(
6)を被覆保護する。EPマイコンチップ(6)上に直
接被覆される第1層目の樹脂はEPマイコンチップ(6
)のデータを消去する際に紫外線を透過する必要がある
ために紫外線透過性樹脂(21a)が用いられる。紫外
線透過性樹脂(21a)は非芳香族系であれば限定され
ず、例えばメチル系シリコンゴムあるいはシリコンゲル
が用いられる。
本実施例では第1層目の樹脂層(21a)上に第2層目
の樹脂層(21b)が充填されている。第2層目の樹脂
層は第1層目とは異なりEPマイコンチップ(6)の誤
消去を防止するために紫外線を遮断する紫外線不透過性
樹脂(21b>が用いられる。この樹脂層(21b)は
芳香環(ベンゼン環)を含んだ樹脂であれば限定されず
、例えばエポキシ系あるいはポリイミド系の樹脂が用い
られる。
の樹脂層(21b)が充填されている。第2層目の樹脂
層は第1層目とは異なりEPマイコンチップ(6)の誤
消去を防止するために紫外線を遮断する紫外線不透過性
樹脂(21b>が用いられる。この樹脂層(21b)は
芳香環(ベンゼン環)を含んだ樹脂であれば限定されず
、例えばエポキシ系あるいはポリイミド系の樹脂が用い
られる。
一方、EPマイコンチップ(6)のプログラム・データ
を選択して供給される周辺の回路素子〈8〉のIC、ト
ランジスタ、チップ抵抗およびチップコンデンサー等は
チップ部品で所望の導電路(5)上に半田付けあるいは
Agペースト等のろう材によって付着され、回路素子(
8〉は近傍の導電路り5)にボンディング接続されてい
る。更に導電路(5〉間にはスクリーン印刷によるカー
ボン抵抗体あるいはニッケルメッキによるニッケルメッ
キ抵抗体が抵抗素子として形成されている。
を選択して供給される周辺の回路素子〈8〉のIC、ト
ランジスタ、チップ抵抗およびチップコンデンサー等は
チップ部品で所望の導電路(5)上に半田付けあるいは
Agペースト等のろう材によって付着され、回路素子(
8〉は近傍の導電路り5)にボンディング接続されてい
る。更に導電路(5〉間にはスクリーン印刷によるカー
ボン抵抗体あるいはニッケルメッキによるニッケルメッ
キ抵抗体が抵抗素子として形成されている。
斯る基板(2〉はケース材(7)と固着一体化される。
ケース材(7)は絶縁部材としての熱可塑性樹脂から形
成され、第2図に示す如く、基板(2)と固着した際空
間部が形成される様に箱状に形成されている。その箱状
のケース材(7〉の周端部は基板(2)の略周端部に配
置されて接着性を有したシール材(Jシート:商品名)
によって基板(2)と強固に固着一体化される。この結
果、基板(2〉とケース材(7)間に所定の封止空間部
(21’)が形成されることになる。
成され、第2図に示す如く、基板(2)と固着した際空
間部が形成される様に箱状に形成されている。その箱状
のケース材(7〉の周端部は基板(2)の略周端部に配
置されて接着性を有したシール材(Jシート:商品名)
によって基板(2)と強固に固着一体化される。この結
果、基板(2〉とケース材(7)間に所定の封止空間部
(21’)が形成されることになる。
ところで、ヘッダー(4〉が形成された載置体(4a)
を基板<2〉に設けられた孔(4c)に嵌合させた際、
基板(2〉の孔(4C)の周辺には導電路〈5〉の一端
が延在され、その導電路(5)と載置体(4a)の導出
リード(5b〉とが半田等によって接続される。導出リ
ード(5b)と接続された導電路(5)の他端の一部は
もっとも関連深い回路素子〈8)の近傍に延在されチッ
プ状の回路素子とボンディングワイヤで電気的に接、I
!されている。
を基板<2〉に設けられた孔(4c)に嵌合させた際、
基板(2〉の孔(4C)の周辺には導電路〈5〉の一端
が延在され、その導電路(5)と載置体(4a)の導出
リード(5b〉とが半田等によって接続される。導出リ
ード(5b)と接続された導電路(5)の他端の一部は
もっとも関連深い回路素子〈8)の近傍に延在されチッ
プ状の回路素子とボンディングワイヤで電気的に接、I
!されている。
ここでEPマイコンチップ〈6)とそのEPマイコンチ
ップ(6)ともっとも関連深い回路素子(8)との位置
関係について述べる。EPマイコンチップ〈6)がヘッ
ダー〈4)を介して載置された載置体(4a)ともっと
も関連深い回路素子(8)とは、多数本の導電路(5)
を介して接続されるため、その導電路(5〉の引回しを
短くするためにEPマイコンチップ(6)を搭載するヘ
ッダー(4)、即ち、ヘッダー載置体(4a)ともっと
も関連深い回路素子(8〉と社夫々、隣接する位置かあ
るいはできるだけ近傍に位置する様に配置される。従っ
てEPマイコンチップ(6)ともっとも関連深い回路素
子(8)との導電路〈5)の引回しは最短距離で形成で
き基板上の実装面積を有効に使用することができる。E
Pマイコンチップ(6)を搭載するヘッダー(4)が載
置された載置体(4a)とその近傍あるいは隣接した位
置に配置されたチップ状の回路素子〈8)は、その近傍
に延在された導電路(5)先端部とワイヤ線によってボ
ンディング接続されEPマイコンチップ(6)と電気的
に接続される。
ップ(6)ともっとも関連深い回路素子(8)との位置
関係について述べる。EPマイコンチップ〈6)がヘッ
ダー〈4)を介して載置された載置体(4a)ともっと
も関連深い回路素子(8)とは、多数本の導電路(5)
を介して接続されるため、その導電路(5〉の引回しを
短くするためにEPマイコンチップ(6)を搭載するヘ
ッダー(4)、即ち、ヘッダー載置体(4a)ともっと
も関連深い回路素子(8〉と社夫々、隣接する位置かあ
るいはできるだけ近傍に位置する様に配置される。従っ
てEPマイコンチップ(6)ともっとも関連深い回路素
子(8)との導電路〈5)の引回しは最短距離で形成で
き基板上の実装面積を有効に使用することができる。E
Pマイコンチップ(6)を搭載するヘッダー(4)が載
置された載置体(4a)とその近傍あるいは隣接した位
置に配置されたチップ状の回路素子〈8)は、その近傍
に延在された導電路(5)先端部とワイヤ線によってボ
ンディング接続されEPマイコンチップ(6)と電気的
に接続される。
ところで、EPマイコンチップ(6)は基板り2〉の外
側に露出した主面に設けられたヘッダー〈4〉を介して
搭載されているので、EPマイコンチップ(6)だけが
基板外に搭載されることになり、EPマイコンチップ(
6)以外の全ての周辺回路素子(8)は基板(2)とケ
ース材(7〉とで形成された封止空間部(21’)内に
配置されることになる。
側に露出した主面に設けられたヘッダー〈4〉を介して
搭載されているので、EPマイコンチップ(6)だけが
基板外に搭載されることになり、EPマイコンチップ(
6)以外の全ての周辺回路素子(8)は基板(2)とケ
ース材(7〉とで形成された封止空間部(21’)内に
配置されることになる。
上述の如く、EPマイコンチップ(6)と接続されるも
っとも関連深い回路素子(8〉およびその他の周辺の回
路素子(8〉は基板(2)とケース材(7)で形成され
た封止空間部(21’ )に配置する様に設定されてい
る。更に述べると、チップ状の電子部品および印刷抵抗
、メツキ抵抗等の抵抗素子の全ての素子が封止空間部(
21’)内に設けられている。
っとも関連深い回路素子(8〉およびその他の周辺の回
路素子(8〉は基板(2)とケース材(7)で形成され
た封止空間部(21’ )に配置する様に設定されてい
る。更に述べると、チップ状の電子部品および印刷抵抗
、メツキ抵抗等の抵抗素子の全ての素子が封止空間部(
21’)内に設けられている。
本実施例でEPマイコンチップ<6)のデータ消去を行
う場合は紫外線不透過性樹脂(21b)を剥離して紫外
線を照射し、再書込みをする場合はEPマイコンチップ
(6)上の紫外線透過性樹脂(21a)も剥してボンデ
ィングされている近傍の導出リード(5b)にプローブ
等の端子を当接させ、書込み装置よりデータを書込む。
う場合は紫外線不透過性樹脂(21b)を剥離して紫外
線を照射し、再書込みをする場合はEPマイコンチップ
(6)上の紫外線透過性樹脂(21a)も剥してボンデ
ィングされている近傍の導出リード(5b)にプローブ
等の端子を当接させ、書込み装置よりデータを書込む。
このとき、紫外線透過性樹脂(21a)を剥す場合、樹
脂(21a)tあまり接着力が強くないためにワイヤ線
が切断することはない。
脂(21a)tあまり接着力が強くないためにワイヤ線
が切断することはない。
以下に本発明を用いたモータ駆動用のインバータの混成
集積回路装置の具体例を示す。
集積回路装置の具体例を示す。
モータ駆動用インバータとは、一般的に直流電源から任
意の交流電源を作り、例えば三相モータの回転数を任意
にコントロールするものである。
意の交流電源を作り、例えば三相モータの回転数を任意
にコントロールするものである。
即ち、商用交流電源を整流回路を用いて整流した直流を
源をt源として用いる。その入力直流電源をイン/ベー
タ主回路と呼び、三相ブリッジ構成されたスイッチ素子
を用いて所定のコントロール信号のもとでチョッピング
して疑似交流を負荷に出力する。コントロール信号を変
化させることにより出力交流の電圧、周波数を可変にす
ることができモータの回転数やトルクを可変に調整する
ことができる。
源をt源として用いる。その入力直流電源をイン/ベー
タ主回路と呼び、三相ブリッジ構成されたスイッチ素子
を用いて所定のコントロール信号のもとでチョッピング
して疑似交流を負荷に出力する。コントロール信号を変
化させることにより出力交流の電圧、周波数を可変にす
ることができモータの回転数やトルクを可変に調整する
ことができる。
第5図に示したブロック図に基づいてモータ駆動用イン
バータを簡単に説明する。
バータを簡単に説明する。
第5図は集積回路基板(2)上にモータ駆動用インバー
タを搭載したときのブロック図である。
タを搭載したときのブロック図である。
モータ駆動用インバータは、交流電源を入力し直流に変
換する整流回路(21)と、その整流回路く21)から
出力された直流電源を所定の間隔でチョッピングし負荷
(モータ)に疑似交流を供給するインバータ主回路(2
2)と、インバータ主回路〈22)を所定間隔でチョッ
ピングさせる出力信号および他の装置の動作を行わせる
出力信号を供給するEPROM内蔵マイクロコンピュー
タ(6)(以下EPマイコンチップと称する)と、EP
マイコンチップ(6)から出力された出力信号を所望に
増幅させるバッファ(23〉と、バッファ(23〉によ
り増幅された信号を電位の異なるベースアンプ(25)
に伝達する第1のインターフェイス(24)と、第1の
インターフェイス(24〉から伝達された信号をインバ
ータ主回路(22〉に増幅して供給するベースアンプ〈
25)と、整流回路(21〉からインバータ主回路(2
2〉に供給される電流を検出すると共にインバータ主回
路(22)の発熱を検出して第1のインターフェイス(
24〉を介してEPマイコンチップ(6)に所定の信号
をフィードバックさせてインバータ主回路(22〉およ
び周辺回路を保護する保護回路(26)と、EPマイコ
ンチップ(6)に電位の異なる信号を入出力する第2の
インターフェイス(27)と、EPマイコンチップ(6
)から出力される出力信号を外部装置に供給するために
増幅させる出力バッファ(28)とから構成されている
。以下に上述した各構成について簡単に説明する。
換する整流回路(21)と、その整流回路く21)から
出力された直流電源を所定の間隔でチョッピングし負荷
(モータ)に疑似交流を供給するインバータ主回路(2
2)と、インバータ主回路〈22)を所定間隔でチョッ
ピングさせる出力信号および他の装置の動作を行わせる
出力信号を供給するEPROM内蔵マイクロコンピュー
タ(6)(以下EPマイコンチップと称する)と、EP
マイコンチップ(6)から出力された出力信号を所望に
増幅させるバッファ(23〉と、バッファ(23〉によ
り増幅された信号を電位の異なるベースアンプ(25)
に伝達する第1のインターフェイス(24)と、第1の
インターフェイス(24〉から伝達された信号をインバ
ータ主回路(22〉に増幅して供給するベースアンプ〈
25)と、整流回路(21〉からインバータ主回路(2
2〉に供給される電流を検出すると共にインバータ主回
路(22)の発熱を検出して第1のインターフェイス(
24〉を介してEPマイコンチップ(6)に所定の信号
をフィードバックさせてインバータ主回路(22〉およ
び周辺回路を保護する保護回路(26)と、EPマイコ
ンチップ(6)に電位の異なる信号を入出力する第2の
インターフェイス(27)と、EPマイコンチップ(6
)から出力される出力信号を外部装置に供給するために
増幅させる出力バッファ(28)とから構成されている
。以下に上述した各構成について簡単に説明する。
先ず整流回路は周知のダイオードのブリッジ回路で構成
され、商用交流を直流に順変換するものである。本実施
例において、整流回路は基板上にチップ部品で構成され
ているが、整流回路のみを外付によって構成する場合も
使用目的によって発生するが本発明には何んら支障はな
い。
され、商用交流を直流に順変換するものである。本実施
例において、整流回路は基板上にチップ部品で構成され
ているが、整流回路のみを外付によって構成する場合も
使用目的によって発生するが本発明には何んら支障はな
い。
次にインバータ主回路(22)は第6図に示す如く、直
列接続された2個のスイッチング素子<22a)(トラ
ンジスタ、MOSFET、IGET等)を夫々並列接続
(ブリッジ接続)されている。本実施例においてはトラ
ンジスタ素子を用いて説明するものとする。以下に説明
をつづける。インバータ主回路(22)の夫々のトラン
ジスタのコレクターエミッタ間にはフライホイル用のダ
イオードが接続されると共に夫々の直列接続された各ト
ランジスタ間と負荷とを結ぶための出力端子(U。
列接続された2個のスイッチング素子<22a)(トラ
ンジスタ、MOSFET、IGET等)を夫々並列接続
(ブリッジ接続)されている。本実施例においてはトラ
ンジスタ素子を用いて説明するものとする。以下に説明
をつづける。インバータ主回路(22)の夫々のトラン
ジスタのコレクターエミッタ間にはフライホイル用のダ
イオードが接続されると共に夫々の直列接続された各ト
ランジスタ間と負荷とを結ぶための出力端子(U。
V、W)が設けられている。また、(22b)は入力用
の入力端子である。
の入力端子である。
次にEPマイコンチップ(6)は例えば、LM8051
P(三洋製)のICチップ化されたものが用いられてい
る。
P(三洋製)のICチップ化されたものが用いられてい
る。
第7図はマイコンの基本構成を示すブロック図であり、
命令の取出しと実行を行うCPUと、所定のプログラム
・データが記憶されているメモノ一部(4b〉と外部装
置とのデータの入出力を行うためのI10ボート部(4
c)から構成されている。
命令の取出しと実行を行うCPUと、所定のプログラム
・データが記憶されているメモノ一部(4b〉と外部装
置とのデータの入出力を行うためのI10ボート部(4
c)から構成されている。
EPマイコンチップ(6)自体には新規なところがない
ため、ここでは詳細に説明しないものとする。このEP
マイコンチップ(6)によってインバータ主回路(22
)および所望の外部装置はコントロールされる。
ため、ここでは詳細に説明しないものとする。このEP
マイコンチップ(6)によってインバータ主回路(22
)および所望の外部装置はコントロールされる。
次にバッファ(23)はLC4049B(三洋製)等の
ICチップ化されたものが用いられる。このバッファ(
23)はEPマイコンチップ〈6)からの出力信号を所
定に増幅させるものである。
ICチップ化されたものが用いられる。このバッファ(
23)はEPマイコンチップ〈6)からの出力信号を所
定に増幅させるものである。
次に第1のインターフェイス(24〉は複数のフォトカ
プラから構成され、例えば、PCB17(シャープ製)
等のICチップにより構成されている。第1のインター
フェイス〈24〉は上述した如く、バッファ(23〉か
ら出力された出力信号を光でベースアンプ(25〉に伝
達させるものである。
プラから構成され、例えば、PCB17(シャープ製)
等のICチップにより構成されている。第1のインター
フェイス〈24〉は上述した如く、バッファ(23〉か
ら出力された出力信号を光でベースアンプ(25〉に伝
達させるものである。
次にベースアンプ(25〉は第8図に示す如く、第1の
インターフェイス(24〉から出力された信号が入力さ
れる信号入力端子(25a)と、入力端子(25a)か
ら入力された信号が供給されON、OFFされる第1お
よび第3のトランジスタ(Ir、 )(Trs )と、
第3のトランジスタ(Trs )のコレクタとそのベー
スが接続された第1のトランジスタ(Ir□)とマイナ
スライン間に接続された第2のトランジスタ(Trm)
と、電源ライン間に接続された抵抗およびダイオードと
、ダイオードと並列に接続されたコンデンサーとから構
成されている。また、第1および第2のトランジスタ間
とインバータ主回路の各トランジスタのベースとエミッ
タとを接続する出力端子(25b)が設けられている。
インターフェイス(24〉から出力された信号が入力さ
れる信号入力端子(25a)と、入力端子(25a)か
ら入力された信号が供給されON、OFFされる第1お
よび第3のトランジスタ(Ir、 )(Trs )と、
第3のトランジスタ(Trs )のコレクタとそのベー
スが接続された第1のトランジスタ(Ir□)とマイナ
スライン間に接続された第2のトランジスタ(Trm)
と、電源ライン間に接続された抵抗およびダイオードと
、ダイオードと並列に接続されたコンデンサーとから構
成されている。また、第1および第2のトランジスタ間
とインバータ主回路の各トランジスタのベースとエミッ
タとを接続する出力端子(25b)が設けられている。
例えば、ベースアンプ(25)の信号入力端子(25a
)にON信号が入力されると第1のトランジスタ(rr
□〉と第3のトランジスタ(Trs)がONし、第2の
トランジスタ(Trt)がOFFする。すると、電源V
Dから第1のトランジスタ(rrl)、制御抵抗R,を
介してインバータ主回路(22〉のベースに所望の電流
が供給される。また、信号OFF時には第1のトランジ
スタ(工rt)および第3のトランジスタ(工rs>が
OFFし、第2のトランジスタ(Ire)をONさせる
。そしてダイオードとコンデンサーより作られた電源か
らインバータ主回路(22〉のオフを早くさせるもので
ある。
)にON信号が入力されると第1のトランジスタ(rr
□〉と第3のトランジスタ(Trs)がONし、第2の
トランジスタ(Trt)がOFFする。すると、電源V
Dから第1のトランジスタ(rrl)、制御抵抗R,を
介してインバータ主回路(22〉のベースに所望の電流
が供給される。また、信号OFF時には第1のトランジ
スタ(工rt)および第3のトランジスタ(工rs>が
OFFし、第2のトランジスタ(Ire)をONさせる
。そしてダイオードとコンデンサーより作られた電源か
らインバータ主回路(22〉のオフを早くさせるもので
ある。
次に保護回路(26)は第9図に示す如く、インバータ
主回路(22)の近傍に設けられインバータ主回路(2
2)の発熱による温度上昇を検出するダイオード等より
構成される温度検出部(26a)と、整流回路(21)
からインバータ主回路(22〉に供給される’を流を検
出する抵抗より構成される電流検出部(26b)と、内
部基準電圧を形成する基準電圧部(26C)と、夫々の
検出!(26a)(26b)からの出力信号と基準電圧
部(26c )から出力される信号を比較する電圧比較
部(26d)と、電圧比較部<26d)からの信号をE
Pマイコンチップ(6)にフィードバックさせる保護、
制御信号出力部(26e)とから構成されている。
主回路(22)の近傍に設けられインバータ主回路(2
2)の発熱による温度上昇を検出するダイオード等より
構成される温度検出部(26a)と、整流回路(21)
からインバータ主回路(22〉に供給される’を流を検
出する抵抗より構成される電流検出部(26b)と、内
部基準電圧を形成する基準電圧部(26C)と、夫々の
検出!(26a)(26b)からの出力信号と基準電圧
部(26c )から出力される信号を比較する電圧比較
部(26d)と、電圧比較部<26d)からの信号をE
Pマイコンチップ(6)にフィードバックさせる保護、
制御信号出力部(26e)とから構成されている。
次に第2のインターフェイス〈27)は第1のインター
フェイス(24〉と同様に複数個のフォトカブラから構
成され、EPマイコンチップ〈6)と入出力端子S、、
S、から入出力される信号をEPマイコンチップ〈6)
に伝達するものである。
フェイス(24〉と同様に複数個のフォトカブラから構
成され、EPマイコンチップ〈6)と入出力端子S、、
S、から入出力される信号をEPマイコンチップ〈6)
に伝達するものである。
最後に出力バッファ(28〉はバッファ(23)と同様
にLC4049B(三洋製)等のICチップ化されたも
のが用いられ、EPマイコンチップ〈6)からの信号を
増幅し、出力端子PO,〜PO9に信号を出力するもの
である。
にLC4049B(三洋製)等のICチップ化されたも
のが用いられ、EPマイコンチップ〈6)からの信号を
増幅し、出力端子PO,〜PO9に信号を出力するもの
である。
以下にモータ駆動用インバータの動作について簡単に説
明する。
明する。
商用交流が端子(21X)から入力されると、上述した
様に整流回路(21)によって直流に変換される。その
変換された直流電流はインバータ主回路(22)に供給
される。インバータ主回路(22)の出力端子(U、V
、W)は負荷(モータ)に接続され負荷に所望の電流を
供給する。
様に整流回路(21)によって直流に変換される。その
変換された直流電流はインバータ主回路(22)に供給
される。インバータ主回路(22)の出力端子(U、V
、W)は負荷(モータ)に接続され負荷に所望の電流を
供給する。
入出力端子S @ r 81%デジタル入力端子り、〜
D6、アナログ入力端子A、〜A8の各入力端子から所
定の制御あるいは指令信号が入力されるとEPマイコン
チップ(6)はその入力信号に基づいて動作する。即ち
、入力信号に基づいて、EPマイコンチップ(6)内に
記憶されているメモリー内のプログラム・データに基づ
いた所定の処理が実行されるコントロール信号を出力す
る。そのコントロール信号はバッファ(23〉により増
幅され第1のインターフェイス(24)を介してベース
アンプ(25)に供給される。
D6、アナログ入力端子A、〜A8の各入力端子から所
定の制御あるいは指令信号が入力されるとEPマイコン
チップ(6)はその入力信号に基づいて動作する。即ち
、入力信号に基づいて、EPマイコンチップ(6)内に
記憶されているメモリー内のプログラム・データに基づ
いた所定の処理が実行されるコントロール信号を出力す
る。そのコントロール信号はバッファ(23〉により増
幅され第1のインターフェイス(24)を介してベース
アンプ(25)に供給される。
ベースアンプ〈25〉に供給された信号はインバータ主
回路〈22)の各トランジスタ素子のベースに供給され
、インバータ主回路(22)の各トランジスタ素子をO
N、OFFさせて直流をチョッピングして疑似交流を形
成し、出力端子(U、V、W)を介して負荷へ交流を供
給させて負荷を所定の回転数で回転させる。
回路〈22)の各トランジスタ素子のベースに供給され
、インバータ主回路(22)の各トランジスタ素子をO
N、OFFさせて直流をチョッピングして疑似交流を形
成し、出力端子(U、V、W)を介して負荷へ交流を供
給させて負荷を所定の回転数で回転させる。
即ち、EPマイコンチップ(6)内の所定のプログラム
・データに基づいてインバータ主回路〈22〉で直流を
チョッピングして交流に変換されている。また、ベース
アンプ(25)に社別電源がV□〜VD4端子を介して
常時印加されている。
・データに基づいてインバータ主回路〈22〉で直流を
チョッピングして交流に変換されている。また、ベース
アンプ(25)に社別電源がV□〜VD4端子を介して
常時印加されている。
上述したEPマイコンチップ〈6)内のプログラム・デ
ータを変換すると、即ち別のマイフン番こ変換すればそ
のEPマイコンチップ内に内蔵されたプログラム・デー
タに応じた回転にコントロールすることができる。
ータを変換すると、即ち別のマイフン番こ変換すればそ
のEPマイコンチップ内に内蔵されたプログラム・デー
タに応じた回転にコントロールすることができる。
出力端子PO,〜P Osから出力される信号はEPマ
イコンチップ(6)に入力される入力指令に基づいてE
Pマイコンチップ(6)が所定の信号あ理を行った結果
に基づいた信号を出力する。出力端子POa〜PO,か
ら出力される出力信号は外部の機器あるいは装置をコン
トロールする。例えばインバータエアコンであれば電磁
リレー、冷媒調整する弁等を室内の温度変化に対応して
所定にコントロールする。
イコンチップ(6)に入力される入力指令に基づいてE
Pマイコンチップ(6)が所定の信号あ理を行った結果
に基づいた信号を出力する。出力端子POa〜PO,か
ら出力される出力信号は外部の機器あるいは装置をコン
トロールする。例えばインバータエアコンであれば電磁
リレー、冷媒調整する弁等を室内の温度変化に対応して
所定にコントロールする。
上述したインバータ動作を行っている際にはインバータ
システム、即ち、基板(2)上の温度は定格最大温度以
下になる様に設計されているが、システム自体を異常な
環境下(高温、高湿下)での使用、あるいは放熱が正常
に行われない場合にはインバータ主回路(22〉や周辺
の温度が異常に上昇し、システムあるいはセットを破壊
する恐れはあるが、本実施例では保護回路(26)の温
度検出部〈26a)によって異常温度を検出してインバ
ータの動作を止めてインバータの発熱をおさえてセット
あるいはシステムを保護するものである。また、インバ
ータ主回路(22〉には負荷が接続されているが、この
負荷内部の配線の異常による短絡、出力端子(U、V、
W)の短絡、あるいは外部ノイズによるEPマイコンチ
ップ(6)の誤動作でインバータ主回路(22)の直列
された素子が同時ONt。
システム、即ち、基板(2)上の温度は定格最大温度以
下になる様に設計されているが、システム自体を異常な
環境下(高温、高湿下)での使用、あるいは放熱が正常
に行われない場合にはインバータ主回路(22〉や周辺
の温度が異常に上昇し、システムあるいはセットを破壊
する恐れはあるが、本実施例では保護回路(26)の温
度検出部〈26a)によって異常温度を検出してインバ
ータの動作を止めてインバータの発熱をおさえてセット
あるいはシステムを保護するものである。また、インバ
ータ主回路(22〉には負荷が接続されているが、この
負荷内部の配線の異常による短絡、出力端子(U、V、
W)の短絡、あるいは外部ノイズによるEPマイコンチ
ップ(6)の誤動作でインバータ主回路(22)の直列
された素子が同時ONt。
たりすると異常な大電流がインバータ主回路(22)に
流れるが、この場合においても、保護回路(26)内の
電流検出部(26b)でその大電流を検出しただちに動
作を停止させて保護する。
流れるが、この場合においても、保護回路(26)内の
電流検出部(26b)でその大電流を検出しただちに動
作を停止させて保護する。
上述した動作を行うことでモータ駆動用インバータの動
作が行われて負荷(モータ)の回転コントロールおよび
外部機器の動作を所定にコントロールして例えば、イン
バータエアコン等の制御を正常に動作させる。
作が行われて負荷(モータ)の回転コントロールおよび
外部機器の動作を所定にコントロールして例えば、イン
バータエアコン等の制御を正常に動作させる。
第10図は第5図で示したモータ駆動用インバータ回路
を本実施例の基板(2)上に実装した場合を示す平面図
であり、実装される各回路素子の符号は第5図のブロッ
ク図で示した符号と同一にしである。尚、複数の各回路
素子を接続する導電路は煩雑となるため矢印にて示すも
のとする。
を本実施例の基板(2)上に実装した場合を示す平面図
であり、実装される各回路素子の符号は第5図のブロッ
ク図で示した符号と同一にしである。尚、複数の各回路
素子を接続する導電路は煩雑となるため矢印にて示すも
のとする。
第10図に示す如く、基板(2〉の対向する周端部には
外部リード端子(12)(13)が固着される複数の固
着用パッド<3a)が設けられている。固着パッド(3
a)から延在される導電路(5〉上清定位置には複数の
回路素子およびEPマイコンチップ(6)が固着されて
いる。ヘッダー(4〉の載置体(4a〉が嵌合されてい
る。即ち、斯る基板(2)上にはEPマイコンチップ(
6)以外の複数の回路素子(8)が固着されており、(
21〉は整流回路、(22)はインバータ主回路、(2
5〉はベースアンプ、(23)はバッファ、〈24〉は
第1のインターフェイス、(27)は第2のインターフ
ェイス、(28>は出力バッファ、(26)は保護回路
である。
外部リード端子(12)(13)が固着される複数の固
着用パッド<3a)が設けられている。固着パッド(3
a)から延在される導電路(5〉上清定位置には複数の
回路素子およびEPマイコンチップ(6)が固着されて
いる。ヘッダー(4〉の載置体(4a〉が嵌合されてい
る。即ち、斯る基板(2)上にはEPマイコンチップ(
6)以外の複数の回路素子(8)が固着されており、(
21〉は整流回路、(22)はインバータ主回路、(2
5〉はベースアンプ、(23)はバッファ、〈24〉は
第1のインターフェイス、(27)は第2のインターフ
ェイス、(28>は出力バッファ、(26)は保護回路
である。
第10図から明らかな如く、EPマイコンチップ(6)
と一番関連深い回路素子の近傍(ここではバッファ、出
力バッファ)に隣接する位置にEPマイコンチップ(6
)が固着される。ヘッダー(4)の載置体(4a〉が配
置されている。また、−点鎖線で囲まれた領域ζ士接着
シートでケース材り7〉が固着される固着領域であるこ
とを示す。
と一番関連深い回路素子の近傍(ここではバッファ、出
力バッファ)に隣接する位置にEPマイコンチップ(6
)が固着される。ヘッダー(4)の載置体(4a〉が配
置されている。また、−点鎖線で囲まれた領域ζ士接着
シートでケース材り7〉が固着される固着領域であるこ
とを示す。
第11図は第10図で示した基板(2)上にケース材(
7)を固着したときのインバータ用の混成集積回路装置
の完成品の平面図であり、ケース材(7)からはEPマ
イコンチップ(6)を搭載したヘッダー〈4〉のヘッダ
ー載置体(4a〉と補助枠(4b)内に充填された第2
の樹脂層<21b)の上面のみが露出された状態となる
。即ち、EPマイコンチップ(6)以外の他の素子は全
てケース材(7〉と基板(2〉とで形成された封止空間
部(21’)内に封止される。
7)を固着したときのインバータ用の混成集積回路装置
の完成品の平面図であり、ケース材(7)からはEPマ
イコンチップ(6)を搭載したヘッダー〈4〉のヘッダ
ー載置体(4a〉と補助枠(4b)内に充填された第2
の樹脂層<21b)の上面のみが露出された状態となる
。即ち、EPマイコンチップ(6)以外の他の素子は全
てケース材(7〉と基板(2〉とで形成された封止空間
部(21’)内に封止される。
即ち、本実施例では第10図および第11図に示す如く
、基板(2〉上にはインバータ制御に必要な全ての周辺
回路だけが形成されていることになる。
、基板(2〉上にはインバータ制御に必要な全ての周辺
回路だけが形成されていることになる。
斯る本発明に依れば、基板(2)の外側に露出した主面
の所望位置にヘッダー(4〉を設け、そのヘッダー(4
〉上にEPマイコンチップ(6)を固着し、EPマイコ
ンチップ(6)の電極と導電路〈5〉に接続された導出
リード(5b)とをポンディングワイヤで接続し、基板
(2)とケース材(7)とで形成された封止空間部(2
1’ )に他の回路素子(8〉を固着することにより、
混成集積回路とEPマイコンチップ(6)との一体止し
た装置が極めて小型化に行える大きな特徴を有する。
の所望位置にヘッダー(4〉を設け、そのヘッダー(4
〉上にEPマイコンチップ(6)を固着し、EPマイコ
ンチップ(6)の電極と導電路〈5〉に接続された導出
リード(5b)とをポンディングワイヤで接続し、基板
(2)とケース材(7)とで形成された封止空間部(2
1’ )に他の回路素子(8〉を固着することにより、
混成集積回路とEPマイコンチップ(6)との一体止し
た装置が極めて小型化に行える大きな特徴を有する。
従ってEPマイコンチップ(6)を搭載したままの状態
でEPマイコンチップ(6)内のプログラム・データの
消去および書込みが可能となり、ユーザ側で専用のプロ
グラム・データを書込みすることができる。
でEPマイコンチップ(6)内のプログラム・データの
消去および書込みが可能となり、ユーザ側で専用のプロ
グラム・データを書込みすることができる。
(ト)発明の効果
以上に詳述した如く、本発明に依れば、第1に基板(2
)の外側に露出した主面に設けたヘッダー(4〉上にE
Pマイコンチップ(6)を固着し、EPマイコンチップ
(6)の電極と導電路(5)と接続された導出リード(
5b〉とをボンディングワイヤで接続ししているので、
EPマイコンチップ(6)の載置位置を任意に選定でき
る利点を有する。従ってEPマイコンチップ(6)の隣
接する位置にもっとも関連深い回路素子(8〉を配置す
ることができ、その結果EPマイコンチップ(6)と回
路素子とのデータのやりとりを行うデータ線を最短距離
あるいはもっとも設計容易なレイアウトで実現でき、デ
ータ線の引回しによる実装密度のロスを最小限に抑制で
きる。
)の外側に露出した主面に設けたヘッダー(4〉上にE
Pマイコンチップ(6)を固着し、EPマイコンチップ
(6)の電極と導電路(5)と接続された導出リード(
5b〉とをボンディングワイヤで接続ししているので、
EPマイコンチップ(6)の載置位置を任意に選定でき
る利点を有する。従ってEPマイコンチップ(6)の隣
接する位置にもっとも関連深い回路素子(8〉を配置す
ることができ、その結果EPマイコンチップ(6)と回
路素子とのデータのやりとりを行うデータ線を最短距離
あるいはもっとも設計容易なレイアウトで実現でき、デ
ータ線の引回しによる実装密度のロスを最小限に抑制で
きる。
第2に集積回路基板(2)上の組込むその周辺回路素子
の実装密度を向上することにより、従来必要とされたプ
リント基板を廃止でき、極めて小型化のEPマイコンチ
ップ(6)を内蔵する混成集積回路装置を実現できる。
の実装密度を向上することにより、従来必要とされたプ
リント基板を廃止でき、極めて小型化のEPマイコンチ
ップ(6)を内蔵する混成集積回路装置を実現できる。
第3に集積回路基板(2〉として金属基板を用いること
により、その放熱効果をプリント基板に比べて大幅に向
上でき、より実装密度の向上に寄与できる。また導電路
〈5)として銅1!1(11)を用いることにより、導
電路(5)の抵抗値を導電ペーストより大幅に低減でき
、実装される回路をプリント基板と同等以上に拡張でき
る。
により、その放熱効果をプリント基板に比べて大幅に向
上でき、より実装密度の向上に寄与できる。また導電路
〈5)として銅1!1(11)を用いることにより、導
電路(5)の抵抗値を導電ペーストより大幅に低減でき
、実装される回路をプリント基板と同等以上に拡張でき
る。
第4にEPマイコンチップ(6)と接続されるその周辺
回路素子(8〉はケース材(7〉と集積回路基板<2)
とで形成される封止空間部(21’ )にグイ形状ある
いはチップ形状で組込まれるので、従来のプリント基板
の様に樹脂モールドしたものに比較して極めて占有面積
が小さくなり、実装密度の大幅に向上できる利点を有す
る。
回路素子(8〉はケース材(7〉と集積回路基板<2)
とで形成される封止空間部(21’ )にグイ形状ある
いはチップ形状で組込まれるので、従来のプリント基板
の様に樹脂モールドしたものに比較して極めて占有面積
が小さくなり、実装密度の大幅に向上できる利点を有す
る。
第5にケース材(7)と集積回路基板〈2)の周端を実
質的に一致させることにより、集積回路基板(2)の略
全面を封止空間部〈2F〉として利用でき、実装密度の
向上と相まって極めてフンバクトな混成集積回路装置を
実現できる。
質的に一致させることにより、集積回路基板(2)の略
全面を封止空間部〈2F〉として利用でき、実装密度の
向上と相まって極めてフンバクトな混成集積回路装置を
実現できる。
第6に集積回路基板(2)の−辺あるいは相対向する辺
から外部リード(12)(13)を導出でき、極めて多
ビンの混成集積回路装置を実現できる利点を有する。
から外部リード(12)(13)を導出でき、極めて多
ビンの混成集積回路装置を実現できる利点を有する。
第11150は本実施例を示す斜視図、第2図は第1図
のI−I断面図、第3図は本実施例で用いる基板の断面
図、第4図は本実施例で用いたモータ駆動用インバータ
を示すブロック図、第5図は第4図で示したインバータ
の主回路を示す回路図、第6図は第4図で示したインバ
ータのマイコンヲ示すブロック図、第7図は第4図で示
したインバータのベースアンプを示す回路図、第8図は
第4図で示したインバータの保護回路を示すブロック図
、第9図は第4図で示したブロック図を基板上に実装し
たときの平面図、第10図は第9図に示した基板上にケ
ース材を固着したときの平面図、第11図および第12
図は従来のマイコン実装構造を示す斜視図である。 (1〉・・・混成集積回路装置、 (2〉・・・集積回
路基板、(5)・・・導電路、(6)・・・EPマイコ
ンチップ、 (8)・・・回路素子、 (7〉・・・ケ
ース材、 (21a)・・・紫外線透過性樹脂、 (2
1b)・・・紫外線不透過性樹脂、 (4〉・・・ヘッ
ダー (4a)・・・ヘッダー載置体。
のI−I断面図、第3図は本実施例で用いる基板の断面
図、第4図は本実施例で用いたモータ駆動用インバータ
を示すブロック図、第5図は第4図で示したインバータ
の主回路を示す回路図、第6図は第4図で示したインバ
ータのマイコンヲ示すブロック図、第7図は第4図で示
したインバータのベースアンプを示す回路図、第8図は
第4図で示したインバータの保護回路を示すブロック図
、第9図は第4図で示したブロック図を基板上に実装し
たときの平面図、第10図は第9図に示した基板上にケ
ース材を固着したときの平面図、第11図および第12
図は従来のマイコン実装構造を示す斜視図である。 (1〉・・・混成集積回路装置、 (2〉・・・集積回
路基板、(5)・・・導電路、(6)・・・EPマイコ
ンチップ、 (8)・・・回路素子、 (7〉・・・ケ
ース材、 (21a)・・・紫外線透過性樹脂、 (2
1b)・・・紫外線不透過性樹脂、 (4〉・・・ヘッ
ダー (4a)・・・ヘッダー載置体。
Claims (8)
- (1)集積回路基板と 前記基板上に形成された所望のパターンを有する導電路
と 前記導電路に接続され且つ所望のプログラム・データを
内蔵したEPROM内蔵マイクロコンピュータチップと 前記EPROM内蔵マイクロコンピュータチップの前記
データが供給され且つ前記基板上の導電路と接続された
その周辺回路素子と 前記基板に一体化されたケース材とを具備し、前記基板
の外側に露出した主面の所望位置にヘッダーを設け、前
記ヘッダー上に前記マイクロコンピュータチップを固着
し、前記EPROM内蔵マイクロコンピュータチップの
電極と所望の前記導電路に接続された導出リードとをボ
ンディングワイヤで接続し前記基板と前記ケースで形成
された封止空間に前記周辺回路素子を配置したことを特
徴とする混成集積回路装置。 - (2)前記集積回路基板として表面を絶縁した金属基板
を用いたことを特徴とする請求項1記載の混成集積回路
装置。 - (3)前記導電路として銅箔を用いたことを特徴とする
請求項1記載の混成集積回路装置。 - (4)前記ヘッダーを取り囲む補助枠を設け、前記補助
枠に紫外線を透過する樹脂を注入した封止樹脂層で前記
EPROM内蔵マイクロコンピュータチップを封止する
ことを特徴とする請求項1記載の混成集積回路装置。 - (5)前記ヘッダー内の封止樹脂層上に紫外線を遮断す
るシール樹脂層を設けたことを特徴とする請求項4記載
の混成集積回路装置。 - (6)前記シール樹脂層の上面と前記基板の上面とを実
質的に一致させたことを特徴とする請求項5記載の混成
集積回路装置。 - (7)前記周辺回路素子としてチップ抵抗、チップコン
デンサーを用いていることを特徴とする請求項1記載の
混成集積回路装置。 - (8)前記ケース材の周端部と前記基板の周端部とを実
質的に一致させたことを特徴とする請求項1記載の混成
集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1677690A JPH0748538B2 (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1677690A JPH0748538B2 (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | 混成集積回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03222353A true JPH03222353A (ja) | 1991-10-01 |
JPH0748538B2 JPH0748538B2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=11925604
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1677690A Expired - Lifetime JPH0748538B2 (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0748538B2 (ja) |
-
1990
- 1990-01-26 JP JP1677690A patent/JPH0748538B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0748538B2 (ja) | 1995-05-24 |
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