JPH03218058A - 混成集積回路装置 - Google Patents

混成集積回路装置

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JPH03218058A
JPH03218058A JP2014207A JP1420790A JPH03218058A JP H03218058 A JPH03218058 A JP H03218058A JP 2014207 A JP2014207 A JP 2014207A JP 1420790 A JP1420790 A JP 1420790A JP H03218058 A JPH03218058 A JP H03218058A
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克実 大川
Akira Kazami
風見 明
Hisashi Shimizu
清水 永
Osamu Nakamoto
中本 修
Koji Nagahama
長浜 浩二
Yasuhiro Koike
保広 小池
Masao Kaneko
正雄 金子
Seiwa Ueno
上野 聖和
Yasuo Saito
保雄 斉藤
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    • H01L2924/13091Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]

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  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本発明は集積回路基板にチップ型のEPROM内蔵マイ
クロコンピュータを実装してなるEPROM内蔵マイク
ロコンピュータ搭載型の混成集積回路装置に関する。
(口)従来の技術 紫外線を照射することによって既に書込まれた記憶情報
を消去し、再書込みが可能な紫外線照射窓を有するEP
ROM内蔵のマイクロコンピュータ素子は各種電子機器
に好んで用いられている。
このEPROM内蔵マイクロコンピュータは、制御用あ
るいは駆動用集積回路と共に現在、その殆んどがプリン
ト配線板に実装されている。各種電子機器で小型軽量化
が要求される機器は、チップ・才ン・ボードと称される
技法によってプリント配線板に半導体集積回路(IC)
チップが直接搭載され、所要の配線が施された後この配
線部分を含んで前記ICチップが合成樹脂によって被覆
され、極めて小型軽量化が達成されている。
斯る従来のEPROM内蔵マイクロコンピュータの実装
構造を第13図に従って説明すると、第13図は従来の
EPROM内蔵マイクロコンピュータの一部断面を有す
る斜視図であって、主表面上に導竃性配線パターン(4
1)が形成されたガラス・エポキシ樹脂などから構成さ
れた絶縁性基板(42)(7)スルーホール<43)に
サーデイッフ型パッケージに組込まれたEPROM内蔵
マイクロコンピュータ(44)が搭載されている。この
EPROM内蔵マイクロコンピュータ(44)はヘッダ
ー(45)およびキャップ(46)を有し、前記ヘッダ
−(45)はセラミック基材(47)に外部導出リード
(48)か低融点ガラス材で接着されている。またこの
ヘッダー(45》はガラスに金粉が多量に混入したいわ
ゆる金ペーストを焼結した素子搭載部(50)が前記低
融点ガラス材上あるいはセラミック基材(47)上に接
着きれており、この素子搭載部(50》にEPROM内
蔵マイクロコンピュータチップ(51)が装着され、こ
のチップ(51)の電極と前記外部導出リード(48)
とが金属細線(52)によって接続されている。このキ
ャップ(46)は低融点ガラスによってヘッダー(45
)に配置されたEPROM内蔵マイクロコンピュータチ
ップ(51〉を密封している。この様にEPROM内蔵
マイクロコンピュータチツブ(51)を密封したEPR
OM内蔵マイクロコンピュータ(44〉は、前記絶縁性
基板(42)のスルーホール(43)に外部導出リード
(48)を挿通させ半田によって固定される。このスル
ーホール(43)は導竃性配線パターン(41)によっ
て所要の配線引回しが施され、前記絶縁性基板の端部に
設けられた雄型コネクタ端子部(55)から図示しない
雌型コネクタへと接続される。
さて、断る従来のEPROM内蔵マイクロコンピュータ
素子の実装構造は、EPROM内蔵マイクロコンピュー
タチップ(51)に比べパッケージ外形が極めて犬さく
、平面占有率もきることながら三次元、つまり高さもチ
ップの高さの数倍となり、薄型化に極めて不利である。
更にスルーホール(43)に外部導出リードを挿通した
後、半田などで固定する必要も生ずる.更に特筆すべき
大きな欠点は、絶縁性基板への実装に先立ってEPRO
M内蔵マイクロコンピュータ素子を一旦パッケージに組
立てることである。
ここではサーディップパッケージタイプのEPROM内
蔵マイクロコンピュータ素子について述べたが樹脂封止
型パッケージについても上述した問題は発生する。
斯る問題を解決するために第14図に示した実装構造が
既に使用されている。
以下に第14図に示したEPROM内蔵マイクロコンピ
ュータ実装構造について説明する。
主表面(60a)に導竃性配線パターン(60b)が形
成きれたガラス・エポキシ樹脂板などの絶縁性基板(6
0)上には、EPROM内蔵マイクロコンピュータチッ
プ(61)を載置するチップ搭載エリア(60c)を有
し、前記配線パターン(60b)は、このエリア近傍か
ら主表面(60a)上を引回されて図示しない雄型コネ
クタ端子部に接続されている。前記エリア(60c)に
は、EPROM内蔵マイクロコンピュータチップ(61
)が搭載され、このチツブ(61)の表面罵極と前記配
線パターン(60b)とが金属.m:l(62)により
接続されている。勿論金属細線(62)の1本は前記チ
ップ〈61〉のサブストレートと接続する為に、このチ
ップ(61)が搭叙された配線パターン(60b)とワ
イヤリングされている。
上述した様にEPROM内蔵マイクロコンピュータチッ
プを直接基板上に搭載することが既に周知技術として知
られている. (ハ)発明が解決しようとする課題 第14図で示したEPROM内蔵マイクロコンピュータ
実装構造ではEPROM内蔵マイクロコンピュータのチ
ップをプリント基板上にダイボンディングしているため
、小型化となることはいうまでもない.しかしながら、
ここでいうノ」−型化はあくまでEPROM内蔵マイク
ロコンピュータ自体の小型化である。即ち、第14図か
らは明らかにされていないがEPROM内蔵マイクロコ
ンピュータの周辺に固着されているその周辺回路素子は
ディスクリート等の竃子部品で構成されているために、
EPROM内蔵マイクロコンピュータを搭載したプリン
ト基板用の集積回路としてのシステム全体を見た場合何
んら小型化とはならず従来通りプリント基板の大型化、
即ちシステム全体が大型化になる問題がある。
また、第13図に示した実装構造においても第14図と
同様にEPROM内蔵マイクロコンピュータの周辺の回
路、即ちLSI,IC等の回路素子がディスクリート等
の電子部品で構成されているため、プリント基板の大型
化、即ちシステム全体が大型化となりユーザが要求され
る軽薄短小のEPROM内蔵マイクロコンピュータ搭載
の集積回路を提供することができない大きな問題がある
更に第13図および第14図で示したEPROM内蔵マ
イクロコンピュータ実装構造では、上述した様にシステ
ム全体が大型化になると共にEPROM内蔵マイクロコ
ンピュータおよびその周辺の回路素子を互いに接続する
導竃パターンが露出されているため信頼性が低下する問
題がある。
更に第13図および第14図で示したEPROM内蔵マ
イクロコンピュータ実装構造ではEPROM内蔵マイク
ロコンピュータと、その周辺のIC,LSI等の回路素
子が露出されているため、基板上面に凹凸が生じて取扱
いにくく作業性が低下する問題がある。
(二)課題を解決するための手段 本発明は上述した課題に鑑みて為されたものであり、基
板上にチップ型のEPROM内蔵マイクロコンピュータ
と、もっとも関連する回路素子を搭載し、更にその基板
上にその他の全ての回路素子を搭載し、ケース材所定位
置に設けられた孔でEPROM内蔵マイクロコンピュー
タチップだけが露出する様に基板上に搭載され、EPR
OM内蔵マイクロコンピュータチップ以外の他の全ての
回路素子を基板とケース材で形成された封止空間に封止
する構造とすることを特徴とする。
従ってEPROM内蔵マイクロコンピュータチップを搭
載した混成集積回路を極めて小型化で実現でき、高密度
実装のEPROM内蔵マイクロコンピュータチップ搭載
の混成集積回路装置を提供することができる。
<*)作用 この様に本発明に依れば、基板と固着されるケース材の
所定位置に孔を設け、その孔で露出した基板上の導電路
にEPROM内蔵マイクロコンピュータチップを搭載し
隣接する導電路と接続しているのでEPROM内蔵マイ
クロコンビュー゜タテップの載置位置を任意に設定でき
るので、もっとも関連する回路素子との▼気的接続を考
慮して、効率良<EPROM内蔵マイクロコンピュータ
チップともっとも関連する回路素子とを接続することが
でき、信号線即ち導軍路の引回し線を不要にすることが
できる。
更に本発明ではEPROM内蔵マイクロコンピュータチ
ップ以外の全ての回路素子はチップで基板上に搭載され
且つ、基板とケース材で形成された封止空間内に収納さ
れるため小型化でしかも高密度実装ができ取扱い性の優
れた混成集積回路装置を提供することができる。
(へ)実施例 以下に第1図乃至第12図に示した実施例に基づいて本
発明の混成集積回路装置を詳細に説明する。
@1図および第2図には、本発明の一実施例の混成集積
回路装置(1)が示されている。この混成集積回路装置
(1)は独立した電子部品として用いられインハータエ
アコン等の幅広いインバータモータの分野で機能を独立
して有する集積回路として用いられる。
この混成集積回路装置(1)は第1図および第2図に示
す様に、集積回路基板(2)と、集積回路基板(2》所
定位置に設けられた孔(4)と、集積回路基板(2)上
に形成された所望形状の導電路(5〉と、導T路(5》
と接続されたEPROM内蔵マイクロコンピュータチッ
プ(6)(以下EPマイコンチップという)および周辺
の回路素子(8)と、基板(2〉と一体化するケース材
(7)とから構成されている。
集積回路基板〈2)はセラミックス、ガラス・エポキシ
あるいは金属等の硬質基板が用いられ、本実施例では放
熱性および機械的強度に優れた金属基板を用いるものと
する。
金属基板としては例えば0.5〜1 . 0 mm厚の
アルミニウム基板を用いる。その基板(2)の表面には
第4図に示す如く、周知の陽極酸化により酸化アルミニ
ウム膜(9)(アルマイト層)が形成きれ、その一主面
側に10〜70μ厚のエポキシあるいはポリイミド等の
絶Rtl4Wa層(10〉が貼着きれる。更に絶縁樹脂
層(10)上には10〜70μ厚の銅箔(11)が絶縁
樹脂層(10)と同時にローラーあるいはホットプレス
等の手段により貼着されている。ところで、基板(2)
はフレキシブル性を有する絶縁樹脂層(10)によって
所定の間隔離間されて連結された状態となっている。本
実施例ではフィルムを用いて夫々の基板(2)を接続す
るがフイルムを用いずに夫々の基板(2)を独立許せて
あとで金属製リードで接続することも可能である。
基板(2)の一生面上に設けられた銅箔ク11)表面上
にはスクリーン印刷によって所望形状の導電路を露出し
てレジストでマスクされ、貴金属(金、銀、白金)メッ
キ層が銅箔(11)表面にメッキされる。然る後、レジ
ストを除去して貴金属メッキ層をマスクとして銅箔(1
1)のエッチングを行い所望の導電路〈5)が形成され
る。ここでスクリーン印刷による導電路(5〉の細さは
0 . 5 mmが限界であるため、極細配線パターン
を必要とするときは周知の写真蝕刻技術に依り約2μま
での極細導1路(5)の形成が可能となる。
基板(2)上に形成された導電路(5)は図示されない
が、大信号用のパワー系の太い導電路と小信号用の細い
導電路が形成されている。
基板(2)上の導電路(5)にはEPマイコンチップ(
6)とそのEPマイコンチップ(6)からのデータを供
給される複数の回路素子(8)が搭載される。また基板
<2)の同一側辺あるいは対向する側辺周端部に導電路
(5〉が延在され外部リード端子(12)(13)を固
着するための複数のパッドが形成され、このパッドには
外部リード端子(12)(13)が半田によって固着き
れている。
EPマイコンチップ(6)は周知の如く、プログラムプ
ロセッサ(CPU)を中心にプログラムメモリにRAM
,EPROM,周辺装置に入出力インターフェイスを組
合せている素子である。EPマイコンチップ(6)は市
販されているものであり、ここではEPマイコンチップ
(6)の説明を省略する。
斯るEPマイコンチップ(6)はケース材<7)の孔(
4)によって露出された基板(2)上にAgペースト、
半田等のろう材によって固着搭#7.キれ、その周辺に
はEPマイコンチップ(6)と接続される複数の導電路
(5)の一端が延在されている。その導電路(5)とE
Pマイコンチップ(6)とは八!ワイヤ線で超音波ボン
デイング接続が行われている。
EPマイコンチップ(6)の所定のプログラム・データ
を選択して供給きれるその周辺の回路素子(8)はチッ
プ部品で所望の導電路ク5)上に半田付けあるいはAg
ペースト等のろう材によって付着され、近傍の導電路(
5)に超音波ボンデイング接続されている。更に導電路
(5)間にはスクリーン印刷によるカーボン抵抗体ある
いはニッケルメッキによるニッケルメッキ抵抗体が抵抗
素子として形成されている。
更に詳述するとEPマイコンチップ(6)ともっとも関
連する回路素子(8)は孔(4)によって露出された基
板(2)の近傍に接続され、その他の全ての回路素子(
8)は基板(2)の所定位置の導電路<5〉上に選択し
て付着されている。
一方、ケース材(7)は絶縁部材としての熱可堕性樹脂
から形成され、基板(2》と固着した際空間部が形成さ
れる様に箱状に形成されている。その箱状のケース材(
7)の周端部は基板(2)の略周端部に配置されて接着
性を有したシール材(Jシ一ト:商品名)によって基板
(2)と強固に固着一体化される。この結果、基板ク2
)とケース材(7)間に所定の封止空間部(21 ’ 
)が形成されることになる.更に本実施例のケース材(
7)の所定位置には孔(4〉が設けられている。その孔
(4)はEPマイコンチップ(6)およびEPマイコン
チップ(6〉と導電路(5)とを接続するボンデイング
ワイヤ線を露出する様な大きさで形成されている。即ち
、EPマイコンチップ(6)よりも大きく形成されるこ
とになる。
ケース材(7)の孔(4)で露出した基板(2)上には
前述したようにEPマイコンチップ(6)と接続される
複数の導T路(5)の一端が形成きれ、その導T路(5
)の先端部にEPマイコンチップ(6)が固着される。
EPマイコンチップ(6)が固着された導電路(5)の
他端はもっとも関連する回路素子(8)の近傍に効率良
く引回しされボンデイングワイヤで接続される。
ここでEPマイコンチップ(6)とそのチップ(6)と
もっとも関連深い回路素子(8》との位置関係について
述べる。第1図に示す如<、EPマイコンチップ(6》
ともっとも関連する回路素子(8》とは多数本の導電路
(5)を介して接続されるため、その導電路(5)の引
回しを短くするためにEPマイコンチップ(6)ともっ
とも関連する回路素子(8)は夫々、隣接する位置かあ
るいはできるだけ近傍に位置する様に配置される。従っ
てEPマイコンチップ(6〉ともっとも関連する回路素
子(8)との導電路(5)の引回しは最短距離で形成で
き基板上の実装面積を有効に使用することができる。E
Pマイコンチップ(6》とその近傍あるいは隣接した位
置に配置されたもっとも関連する回路素子(8)は第1
図の如く、回路素子<8)の近傍に延在された導電路(
5)の先端部とAlワイヤ線によって超音波ボンディン
グ接続されEPマイコンチップ(6)とI気的に接続さ
れる。
EPマイコンチップ(6)は第1図および第2図から明
らかな如く、ケース材(7)の孔(4)で露出した基板
(2》上に搭載され、孔(4)を形成する壁体(4a〉
で囲まれた構造となる。更に詳述すると壁体(4a)に
よって囲まれるのはEPマイコンチップ(6)とそのE
Pマイコンチップ(6)と近傍の導電路(5)とボンデ
ィング接続するワイヤ線とが囲まれることになる。
更に壁体(4a)によって囲まれた空間(19a)には
1層以上の樹脂が充填され、EPマイコンチップ(6)
およびワイヤ線がその樹脂層によって完全に被覆される
。EPマイコンチップ(6)上に直接被覆される第1層
目の*詣はEPマイコンチップ(6)のデータを消去す
る場今に紫外線を透過する必要があるために紫外線透過
性樹脂(21a)が用いられる.紫外線透過性樹脂(2
1a)は非芳香族系であれば限定されず、例えばメチル
系シリコンゴムあるいはシリコンゲルが用いられる。
本実施例では第1層目の樹脂層(21a)上に第2層目
の樹脂層<2lb)が充填されている。第2層目の樹脂
層は第1層目とは異なりEPマイコンチップ(6)の誤
消去を防止するために紫外線を遮断する紫外線不透過性
樹Wfl (2lb)が用いられる。この樹脂(2lb
)は芳香環(ベンゼン環)を含んだ樹脂であれば限定さ
れず例えばエポキシ系あるいはボノイミド系の樹脂が用
いられ、基板(2)の上面と略一致するまで充填される
従ってEPマイコンチップ(6》だけが壁体く4a)に
よって囲まれ且つ2層の樹脂で被覆され、その他の回路
素子ク8)は基板(2)とケース材(7)とで形成され
る封止空間部(21’)内に配置されることになる。
上述の如く、EPマイコンチツブ(6)と接続きれるそ
の周辺の回路素子(8)は基板(2)とケース材(7)
で形成された封止空間部(21’)に配置する様に設定
されている。即ち、チップ状の電子部品および印刷抵抗
、メッキ抵抗等の抵抗素子の全ての素子が封止空間部(
21 ’ )内に設けられている。
ところで本実施例では壁体(4a)で囲まれた空間(1
9a)に紫外線透過性樹脂<21a)および不透過性樹
脂(2lb)の2層の樹脂構造からなるが、不透過性樹
Fs(2lb)の代りに第5図に示す如く、遮光用のシ
ール材(22’)をケース材(7)の孔(4)上に接着
しても不透過性樹脂(2lb>と同様に紫外線を完全に
遮断することができる。
本実施例でEPマイコンチツブ(6)のデータ消去を行
う場合は紫外線不透過性樹脂(2lb>あるいはシール
材<22’)を剥離して紫外線を照射し、再書込みをす
る場合はEPマイコンチップ(6)上の紫外線透過性樹
脂(21a)も剥してポンデイングされた近傍の導電路
(5)にブロープ等の端子を当接させ、書込み装置より
データを書込む。このとき、紫外線透過性樹脂(21a
)を剥す場合、樹脂(21a)はあまり接着力が強くな
いためにワイヤ線が切断することはない。
以下に本発明を用いたモータ駆動用のインバータの混成
集積回路装置の具体例を示す。
モータ駆勤用インバータとは、一般的に直流竃源から任
意の交流T源を作り、例えば三相モータの回転数を任意
にコントロールするものである。
即ち、商用交流軍源を整流回路を用いて整流した直流▼
源を電源として用いる。その入力直流寛源をインバータ
主回路と呼び、三相ブリッジ構成されたスイッチ素子を
用いて所定のコントロール信号のもとでチョッピングし
て疑似交流を負荷に出力する。コントロール信号を変化
させることにより出力交流の竃圧、周波数を可変にする
ことができモータの回転数やトルクを可変に調整するこ
とができる。
第6図に示したブロック図に基づいてモータ駆動用イン
バータを簡単に説明する。
第6図は集積回路基板(2)上にモータ駆勤用インバー
タを搭載したときのブロック図である。
七ータ駆動用インバータは、交流t7jXを入力し直流
に変換する整流回路(21)と、その整流回路く21)
から出力された直流T源を所定の間隔でチョツピングし
負荷(モータ)に疑似交流を供給するインバータ主回路
(22)と、インバータ主回路(22)を所定間隔でチ
ョッピングさせる出力信号および他の装置の動作を行わ
せる出力信号を供給するEPROM内蔵マイクロコンピ
ュータ(6)(以下EPマイコンチップと称する)と、
EPマイコンテ・ンブ(6)から出力された出力信号を
所望に増幅させるバッファ(23)と、バッファ(23
)により増幅された信号を竃位の異なるベースアンブ(
25〉に伝達する第1のインターフエイス(24)と、
第1のインターフエイス(24)から伝達された侶号を
インバータ主回路<22〉に増幅して供給するベースア
ンブく25)と、整流回路(21)からインバータ主回
路(22)に供給される竃流を検出すると共にインバー
タ主回路(22)の発熱を検出して第1のインターフエ
イス(24)を介してEPマイコンチツブク6)に所定
の信号をブイードバックさせてインバータ主回路(22
)および周辺回路を保護する保護回路(26)と、マイ
コン(6》に竃位の異なる信号を入出力する第2のイン
ターフエイス(27)と、EPマイコンテ・7ブ(6)
から出力される出力信号を外部装置に供給するために増
幅させる出力バツファ(28)とから構成されている。
以下に上述した各構成について簡単に説明する。
先ず整流回路は周知のダイ才−ドのブリ・ノジ回路で構
成きれ、商用交流を直流に順変換するものである。本実
施例において、整流回路は基板上にチップ部品で構成さ
れているが、整流回路のみを外付によって構成する場合
も使用目的によって発生するが本発明には何んら支障は
ない。
次にインバータ主回路(22)は第7図に示す如く、直
列接続された2個のスイ・冫チング素子(22a)(ト
ランジスタ、MOSFET、IGBT等)を夫々並列接
続(ブリッジ接続)きれている。本実施例においてはト
ランジスタ素子を用いて説明するものとする。以下に説
明をつづける。インバータ主回路(22)の夫々のトラ
ンジスタのコレクターエミッタ間にはフライホイル用の
ダイ才−ドが接続されると共に夫々の直列接統された各
トランジスタ間と負荷とを結ぶための出力端子(U,V
,W)が設けられている。また、(22b)は入力用の
入力端子である。
次にEPマイコンチップ(6)は例えば、LM8051
P(三洋製)のICチップ化されたものが用いられてい
る。
第8図はマイコンの基本構成を示すブロック図であり、
命令の取出しと実行を行うCPUと、所定のプログラム
・データが記憶されているメモノ一部(4b)と外部装
置とのデータの入出力を行うためのI/Oボート部(4
C》から構成されている。
EPマイコンチップ(6)自体には新規なところがない
ため、ここでは詳細に説明しないものとする。このEP
マイコンチップ(6〉によってインバータ主回路(22
)および所望の外部装置はコントロールされる。
次にバッファ(23)はLC4049B(三洋製)等の
ICチップ化されたものが用いられる。このバッファ<
23)はEPマイコンチップ(6)からの出力信号を所
定に増幅させるものである。
次に第1のインターフェイス(24)は複数のフォトカ
ブラから構成され、例えば、PCB17(シ〜−ブ製)
等のICチップにより構成されている。第1のインター
フェイス(24)は上述した如く、バッファ(23)か
ら出力された出力信号を光でベースアンブ(25)に伝
達させるものである.次にベースアンブ(25)は第8
図に示す如く、第1のインターフェイス(24)から出
力された信号が入力される信号入力端子<25a)と、
入力端子(25a)から入力きれた信号が供給されON
,OFFされる第1および第3のトランジスタ(Tr.
 )(rr3)と、第3のトランジスタ(Tr,)のコ
レクタとそのペースが接続された第1のトランジスタ(
Tri)とマイナスライン間に接続された第2のトラン
ジスタ(Trt)と、竃源ライン間に接続された抵抗お
よびダイオードと、ダイ才一ドと並列に接続されたコン
デンサーとから構成されている。また、第1および第2
のトランジスタ間とインバータ主回路の各トランジスタ
のベースとエミッタとを接続する出力端子(25b)が
設けられている。例えば、ベースアンブ(25)の信号
入力端子(25a)にON侶号が入力されると第1のト
ランジスタ(Tr.)と第3のトランジスタ(Tr. 
)がONE,、第2のトランジスタ(Tr.)がOFF
する。すると、t源VDから第1のトランジスタ(Tr
,)、制御抵抗R1を介してインバータ主回路(22〉
のベースに所望の竃流が供給される。また、信号OFF
時には第1のトランジスタ<Try)および第3のトラ
ンジスタ(Trs)がOFFし、第2のトランジスタ(
rrx)をONさせる。そしてダイ才一ドとコンデンサ
ーより作られた竃源からインバータ主回路(22)の才
フを早くさせるものである。
次に保護回路(26)は第10図に示す如く、インバー
タ主回路(22〉の近傍に設けられインバータ主回路(
22)の発熱による温度上昇を検出するダイ才−ド等よ
り構成される温度検出部(26a)と、整流回路〈21
〉からインバータ主回路(22)に供給される竃流を検
出する抵抗より構成される竃流検出部(26b)と、内
部基準竃圧奢形成する基準電圧部(26C)と、夫々の
検出部(26a)(26b)からの出力信号と基準竃圧
部(26c)から出力される信号を比較する竃圧比較部
( 26d )と、1圧比較部(26d)からの信号を
EPマイコンチップ(6》にフィードバックさせる保護
、制御信号出力部(26e)とから構成されている。
次に第2のインターフェイス(27》は第1のインター
フェイス(24)と同様に複数個のフォトカブラから構
成され、EPマイコンチップ(6)と入出力端子S.,
S.から入出力される信号をEPマイコンチップ(6》
に伝達するものである。
最後に出力バッファ(28》はバッファ(23)と同様
にLC4049B(三洋製)等のICチップ化されたも
のが用いられ、EPマイコンチップ(6)からの信号を
増幅し、出力端子PO.〜PO,に信号を出力するもの
である。
以下にモータ駆動用インバータの動作について簡単に説
明する。
商用交流が端子(21X)から入力されると、上述した
様に整流回路(21)によって直流に変換される。その
変換された直流或流はインバータ上回路(22〉に供給
される。(ンハータ主回路(22)の出力端子(U,V
,W)は負荷(モータ)に接続され負荷に所望の電流を
供給する。
入出力端子S.,S,,デジタル入力端子D,〜D,、
アナログ入力端子A.〜A,の各入力端子から所定の制
御あるいは指令信号が入力きれるとEPマイコンチップ
(6)はその入力信号に基づいて動作する。即ち、入力
信号に基ついて、EPマイコンチップ(6)内に記憶さ
れているメモリー内のプログラム・データに基づいた所
定の処理が実行されるコントロール信号を出力する。そ
のコントロール信号はバッファ(23)により増幅され
第1のインターフエイス(24)を介してヘースアンプ
(25)に供給される。
ベースアンプ(25)に供給された信号はインハータ主
回路(22)の各トランジスタ素子のベースに供給され
、インバータ主回路(22)の各トランジスタ素子をO
N,OFFさせて直流をチヨンピングして疑似交流を形
成し、出力端子(U,V,W)を介して負荷へ交流を供
給浮せて負荷を所定の回転数で回転させる。
即ち、EPマイコンチップ(6〉内の所定のプログラム
・データに基づいてインバータ主回路(22)で直流を
チョッピングして交流に変換されている。また、ベース
アンブ(25)には別竃源がvDI〜vI)4端子を介
して常時印加されている.上述したEPマイコンチップ
(6)内のプログラム・データを変換すると、即ち別の
マイコンに変換すればそのEPマイコンチップ内に内蔵
詐れたプログラム・データに応じた回転にコントロール
することができる。
出力端子PO.〜PO.から出力される信号はEPマイ
コンチップ(6)に入力される入力指令に基づいてEP
マイコンテップ(6》が所定の信号処理を行った結果に
基づいた信号を出力する。出力端子PO.〜PO,から
出力される出力信号は外部の機器あるいは装置をコント
ロールする。例えばインバータエアコンであれば″It
磁リレー、冷媒調整する弁等を室内の温度変化に対応し
て所定にコントロールする。
上述したインバータ動作を行っている際にはインバータ
システム、即ち、基板(2)上の温度は定格最大温度以
下になる様に設計されているが、システム自体を異常な
環境下(高温、高湿下)での使用、あるいは放熱が正常
に行われない場合にはインバータ主回路(22)や周辺
の温度が異常に上昇し、システムあるいはセットを破壊
する恐れはあるが、本実施例では保護回路(26)の温
度検出部(26a)によって異常温度を検出してインバ
ータの動作を止めてインバータの発熱をおさえてセット
あるいはシステムを保護するものである。また、インバ
ータ主回路(22)には負荷が接続されているが、この
負荷内部の配線の異常による短絡、出力端子(U,V,
W)の短絡、あるいは外部ノイズによるEPマイコンチ
ップ(6)の誤動作でインバータ主回路(22)の直列
された素子が同時ONt,たりすると異常な大軍流がイ
ンバータ主回路(22)に流れるが、この場合において
も、保護回路(26)内の竃流検出部(26b)でその
人I流を検出しただちに動作を停止させて保護する。
上述した動作を行うことでモータ駆動用インバータの動
作が行われて負荷(モータ)の回転コントロールおよび
外部機器の動作を所定にコントロールして例えば、イン
バータエアコン等の制御を正常に動作させる。
第11図は第6図で示したモータ駆動用インバータ回路
を本実施例の基板<2)上に実装した場合を示す平面図
であり、実装される各回路素子の符号は第6図のブロッ
ク図で示した符号と同一にしてある。尚、複数の各回路
素子を接続する導電路は煩雑となるため矢印にて示すも
のとする。
第11図に示す如く、基板<2)の周端部には外部リー
ド端子(12》が固着される複数の固着用パッド(3a
)が設けられている。固着パッド(3a)から延在され
る導亙路(5)上所定位置には複数の回路素子およびE
Pマイコンチップ(6)が固着されている。即ち、基板
(2)上にはEPマイコンチップ(6)および複数の回
路素子(8)が固着きれており、(21)は整io路、
(25)はベースアンプ、(23)はバッファ、(24
)は第1のインターフェイス、(27)は第2のインタ
ーフエイス、(28)は出力バッファ、(26)は保護
回路である。
第11図から明らかな如く、EPマイコンチップ(6)
と一番関連深い回路素子の近傍(ここではバッファ、出
力バッファ)に隣接する位置にEPマイコンチップ(6
)が固着きれる。
EPマイコンチップ(6)ともっとも関連する回路素子
(8)をEPマイコンチップ(6)の近傍に配置するこ
とにより、両者を接続許せる導電路<5〉の引回し線の
距離を最短でしかも最小で配置形成でき、その結果、他
の実装パターンを有効に使用できると共に高密度実装が
行える。また、一点鎖線で囲まれた領域は接着シートで
ケース材(7)が固着される固着領域であることを示す
. 第12図は第11図で示した基板(2)上にケース材(
7》を固着したときのインバータ用の混成集積回路装置
の完成品の平面図であり、基板(2)の上面からほEP
マイコンチップ(6》上に被覆された第2の1#詣層(
15b)の上面のみが露出された状態となる。即ち、E
Pマイコンチップ<6)以外の他の素子は全てケース材
(7)と基板(2)とで形成きれた封止空間部(21’
)内に封止される。
即ち、本実施例では第11図および第12図に示す如く
、基板(2》上にはインバータ制御に必要な全ての周辺
回路だけが形成されていることになる。即ち、基板(2
)上にはインバータ制御に必要な周辺回路のみが形成さ
れていることになり、ケース材(7)に設けられた孔〈
4)によってEPマイコンチップ(6)のみがケース材
(7)より露出されていることになる.更に詳述すると
、EPマイコンチップ(6)を搭載したままの状態でE
Pマイコンチップ(6)内のプログラム・データの消去
および書込みが可能となり、ユーザ側で専用のプログラ
ム・データを書込みすることができる。
斯る本発明に依れば、ケース材(7)の所望位置に孔(
4)を設け、その孔(4)で露出した基板(2》上の導
電路(5》にEPマイコンチップ(6)を接続し、隣接
する導電路(5〉とワイヤ線で接続し基板(2)とケー
ス材(7)とで形成された封止空間部(21’)に池の
回路零子(8)を固着配置することにより、混成集積回
路とEPマイコンチップとの一体化した装置ができる。
〈ト)発明の効果 以上に詳述した如く、本発明に依れば、第1にケース材
(7)の所望位置に孔(4)を設け、孔(4)で露出し
た基板(2》上の導電路(5)にEPマイコンチップ(
6)を接続しているので、EPマイコンチップ(6)の
較置位置を任意に選定できる利点を有する。それにより
、EPマイコンチップ(6)の隣接する位置にもっとも
関連の深い回路素子(8)を配置でき、その結果EPマ
イコンチップ(6)ともっとも関連深い回路素子(8)
間のデータのやりとりを行うデータ線を最短距離あるい
はもっとも設計容易なレイアウトで実現でき、データ線
の引回しによる実装密度のロスを最小限に抑制できる。
第2にケース材(7)の所望位置の孔(4)によって露
出された基板(2)上にEPマイコンチップ(6)を配
置しその他の領域に全ての周辺回路素子が実装できるこ
とにより、従来必要とされたプリント基板を廃止でき、
極めて小型化のEPマイコンチップ(6〉を内蔵する混
成集積回路装置を実現できる。
第3に集積回路基板(2)として金属基板を用いること
により、その放熱効果をプリント基板に比べて大幅に向
上でき、より実装密度の向上に寄与できる。また導電路
(5)として銅箔(11)を用いることにより、導T路
(5)の抵抗値を導軍ペーストより大幅に低減でき、実
装される回路をプリント基板と同等以上に拡張できる。
第4にEPマイコンチップ(6)と接続されるその周辺
回路素子(8)はケース材(7〉と集積回路基板(2)
とで形成される封止空間部(21 ′)にダイ形状ある
いはチップ形状で組込まれるので、従来のプリント基板
の様に樹脂モールドしたものに比較して極めて占有面積
が小さくなり、実装密度の大幅に向上できる利点を有す
る。
第5にケース材(7)と集積回路基板(2)の周端を実
質的に一致させることにより、ケース材(7〉と集積回
路基板(2)との略全面を封止空間部(21’)として
利用でき、実装密度の向上と相まって極めてコンパクト
な混成集積回路装置を実現できる。
第6にEPマイコンチップ(6》上には遮光用の樹脂層
(2lb)が設けられているため、EPマイコンチップ
(6)を保護することができると共にEPマイコンチッ
プ(6)への遮光ができ且つEPマイコンチップ(6)
とケース材(7)のすき間も封止できる利点を有する。
第7に集積回路基板(2)の同一側辺あるいは相対向す
る辺から外部リード<12)(13)を導出でき、極め
て多ピンの混成集積回路装置を実現できる利点を有する
【図面の簡単な説明】
第1図は本実施例を示す斜視図、第2図は第1図のI−
I断面図、第3図は本実施例で用いる基板の断面図、第
4図は他の実施例を示す断面図、第5図は本実施例で用
いたモータ駆動用インバータを示すブロック図、第6図
は第5図で示したインバー夕の主回路を示す回路図、第
7図は第5図で示したインバータのマイコンを示すブロ
ック図、第8図は第5図で示したインバータのベースア
ンプを示す回路図、第9図は第5図で示したインバータ
の保護回路を示すブロック図、第10図は第5図で示し
たブロック図を基板上に実装したときの平面図、第11
図は第10図に示した基板上にケース材を固着したとき
の平面図、第12図および第13図は従来のマイコン実
装構造を示す斜視図である. (1)・・・混成集積回路装置、 (2)・・・集積回
路基板、 (5)・・・導電路、(6)・・・EPマイ
コンチップ、 (8)・・・回路素子、 (4)・・・
孔、 (7)・・・ケース材、 (21g)・・・紫外
線透過性樹脂、 (2lb)・・・紫外線不透過性樹脂

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)集積回路基板と 前記基板上に形成された所望のパターンを有する導電路
    と 前記導電路に接続され且つ所望のプログラム・データを
    内蔵したEPROM内蔵マイクロコンピュータチップと 前記EPROM内蔵マイクロコンピュータチップの所定
    の制御出力信号が供給され且つ前記基板上の導電路と接
    続されたその周辺回路素子と 前記基板に一体化されたケース材とを具備し、前記ケー
    ス材の所望位置に孔を設け、前記孔で露出した前記基板
    上の前記導電路に前記マイクロコンピュータチップを固
    着し、前記EPROM内蔵マイクロコンピュータチップ
    の電極と所望の前記導電路をボンディングワイヤで接続
    し前記基板と前記ケースで形成された封止空間に前記周
    辺回路素子を配置したことを特徴とする混成集積回路装
    置。
  2. (2)前記集積回路基板として表面を絶縁した金属基板
    を用いたことを特徴とする請求項1記載の混成集積回路
    装置。
  3. (3)前記導電路として銅箔を用いたことを特徴とする
    請求項1記載の混成集積回路装置。
  4. (4)前記孔に紫外線を透過する樹脂を注入した封止樹
    脂層で前記EPROM内蔵マイクロコンピュータチップ
    を封止することを特徴とする請求項1記載の混成集積回
    路装置。
  5. (5)前記孔内の封止樹脂層上に紫外線を遮断するシー
    ル樹脂層を設けたことを特徴とする請求項4記載の混成
    集積回路装置。
  6. (6)前記シール樹脂層の上面と前記ケース材の上面と
    を実質的に一致させたことを特徴とする請求項5記載の
    混成集積回路装置。
  7. (7)前記周辺回路素子としてチップ抵抗、チップコン
    デンサーを用いていることを特徴とする請求項1記載の
    混成集積回路装置。
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