JPH0324285A - 金属のエッチング方法 - Google Patents
金属のエッチング方法Info
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- JPH0324285A JPH0324285A JP15723289A JP15723289A JPH0324285A JP H0324285 A JPH0324285 A JP H0324285A JP 15723289 A JP15723289 A JP 15723289A JP 15723289 A JP15723289 A JP 15723289A JP H0324285 A JPH0324285 A JP H0324285A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/061—Etching masks
- H05K3/064—Photoresists
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は金属のエッチングを利用して作られるリードフ
レーム、フレキシブルプリント基板、テープキャリア等
の製品の製造におけるエッチング方法に関する。
レーム、フレキシブルプリント基板、テープキャリア等
の製品の製造におけるエッチング方法に関する。
リードフレーム、フレキシブルプリント基板、テープキ
ャリア等は、金属のエッチングを利用して作られている
。従来これらの製品の製造においてエッチングは、前処
理した金属にフォトレジストを塗布し、所望のパター゛
ンをもつマスクを用いて露光し、現像した後エッチング
を行い、レジストを剥離する方法により行われていた。
ャリア等は、金属のエッチングを利用して作られている
。従来これらの製品の製造においてエッチングは、前処
理した金属にフォトレジストを塗布し、所望のパター゛
ンをもつマスクを用いて露光し、現像した後エッチング
を行い、レジストを剥離する方法により行われていた。
エッチング後、必要に応じてメッキ等の後処理を行って
、製品が完威される。フォトレジストにはネガ型とボジ
型とがあり、マスクのパターンの精度、エッチングの精
度等の要求から選択して用いられた。
、製品が完威される。フォトレジストにはネガ型とボジ
型とがあり、マスクのパターンの精度、エッチングの精
度等の要求から選択して用いられた。
ネガ型、ボジ型いずれのタイプのフォトレジストを用い
るにしても、サイドエッチのためにエッチングの精度が
ｌ員なわれることが、大きな問題であった。これは、第
１図および第２図で示すレジスト（ホ）のレジスト開孔
幅Ｃをいくら狭くしても、金属開孔幅ａはある限度以下
に小さくすることはできないということである。例えば
、厚さが３５μｍ銅箔の片面エッチングの場合、ａとｂ
の寸法差が２０μｍ以下になる条件においてａの寸法は
６０μｍ以下にできない。同様に、１５０μｍ４２７ロ
イの両面エッチングの場合、ａとｂの寸法差が４０μｍ
以下になる条件でのａの寸法は１００μｍ以下にできな
い。現状では、これ以下の微細パターンエッチングは不
可能である。
るにしても、サイドエッチのためにエッチングの精度が
ｌ員なわれることが、大きな問題であった。これは、第
１図および第２図で示すレジスト（ホ）のレジスト開孔
幅Ｃをいくら狭くしても、金属開孔幅ａはある限度以下
に小さくすることはできないということである。例えば
、厚さが３５μｍ銅箔の片面エッチングの場合、ａとｂ
の寸法差が２０μｍ以下になる条件においてａの寸法は
６０μｍ以下にできない。同様に、１５０μｍ４２７ロ
イの両面エッチングの場合、ａとｂの寸法差が４０μｍ
以下になる条件でのａの寸法は１００μｍ以下にできな
い。現状では、これ以下の微細パターンエッチングは不
可能である。
対策としては、サイドエッチを減少させることであるが
、サイドエッチを減少させるために工・ンチンダ液の噴
霧、インヒビタの添加等がこれまで試みられた。しかし
、これらの方法ではサイドエッチを満足できる程度まで
減らすことはできなかった。
、サイドエッチを減少させるために工・ンチンダ液の噴
霧、インヒビタの添加等がこれまで試みられた。しかし
、これらの方法ではサイドエッチを満足できる程度まで
減らすことはできなかった。
本発明の目的は、良好な断面形状を得る条件において、
サイドエッチを片面において１５μｍ以下、両面エノチ
ングで２０μｍ以下に減少させることができるエッチン
グ方法を提供することである。
サイドエッチを片面において１５μｍ以下、両面エノチ
ングで２０μｍ以下に減少させることができるエッチン
グ方法を提供することである。
本発明では上記課題を解決するために、ネガ型、ボジ型
いずれかのフォトレジストを用いて通常と同様のエッチ
ング（第一のエッチング）を行った後、再びネガ型のフ
ォトレジストを塗布してマスク下に露光、現像し、第二
のエッチングを行うようにした。
いずれかのフォトレジストを用いて通常と同様のエッチ
ング（第一のエッチング）を行った後、再びネガ型のフ
ォトレジストを塗布してマスク下に露光、現像し、第二
のエッチングを行うようにした。
本発明の方法は、以下の過程から戊る。
（１）第一のエッチング
通常と全く同様に行う。即ち、前処理した金属にフォト
レジストを塗布し、所望のパターンをもつマスクを用い
て露光し、現像した後、エッチングを行い、レジストを
剥離する。第一のエッチングには、ネガ型、ボジ型いず
れのフォトレジストを用いてもよい。
レジストを塗布し、所望のパターンをもつマスクを用い
て露光し、現像した後、エッチングを行い、レジストを
剥離する。第一のエッチングには、ネガ型、ボジ型いず
れのフォトレジストを用いてもよい。
エッチングの深さは最終のエッチングの深さより浅くす
る。エッチングにより最終的に開口（透孔）を作る場合
には、第一のエッチングは材料の金属層を貫通しない程
度の深さとする。
る。エッチングにより最終的に開口（透孔）を作る場合
には、第一のエッチングは材料の金属層を貫通しない程
度の深さとする。
（２）第二エッチングのための前処理
第一のエッチングを終了し、レジストを剥離した後、第
二のエッチングのために、ネガ型フォトレジスｌ布前に
材料の表面を再度前処理する。
二のエッチングのために、ネガ型フォトレジスｌ布前に
材料の表面を再度前処理する。
前処理は公知の方法で行う。
（３）ネガ型フォトレジストの塗布
前処理後、ネガ型フォトレジストを塗布する。
フォトレジストの塗布は公知の方法で行う。塗布の厚さ
も通常の場合と同様でよい。
も通常の場合と同様でよい。
（４）ネガ型フォトレジストの露光および現像塗布され
たネガ型フォトレジストに、所望のパターンをもつマス
クを用いて露光し、現像する。
たネガ型フォトレジストに、所望のパターンをもつマス
クを用いて露光し、現像する。
露光および現像には通常の方法を用いる。露光および現
像の条件は、通常のように、最終のエッチング結果に対
し最適となるように選択される。マスクは、第一のエッ
チングに用いたものと基本パターンは同じであるが、細
部寸法は第一エッチングのマスクと同一とは限らず、必
要に応じ若干のＷ４節を行う。
像の条件は、通常のように、最終のエッチング結果に対
し最適となるように選択される。マスクは、第一のエッ
チングに用いたものと基本パターンは同じであるが、細
部寸法は第一エッチングのマスクと同一とは限らず、必
要に応じ若干のＷ４節を行う。
（５）第二のエッチング
現像されたレジストを介して通常の方法で第二のエッチ
ングを行う。エッチングにより最終的に開口（透孔）を
作ることが目的である場合には、金属層が貫通されるよ
うな深さまでエッチする。
ングを行う。エッチングにより最終的に開口（透孔）を
作ることが目的である場合には、金属層が貫通されるよ
うな深さまでエッチする。
（６）レジストの除去
エッチング後、通常と同様にレジスト膜を除去する。
片面エッチングの場合には材料の一面に上記工程を実施
すればよい。両面エッチングの場合には材料の両面にそ
れぞれ上記工程を実施する。
すればよい。両面エッチングの場合には材料の両面にそ
れぞれ上記工程を実施する。
以下に実施例によって本発明をさらに詳細に説明する。
〔実施例１〕
１．第一エッチング
ポリイミドフィルムに厚さ３５μｍの銅箔をエポキシ樹
脂系接着剤でラミネートしたもの（以下ラミ不−１・と
言う）を脱脂処理および酸洗いしてから、市販のボジ型
フォトレジスト（ノボランク樹脂系）をロールコータで
、厚さ５μｍに塗布した。
脂系接着剤でラミネートしたもの（以下ラミ不−１・と
言う）を脱脂処理および酸洗いしてから、市販のボジ型
フォトレジスト（ノボランク樹脂系）をロールコータで
、厚さ５μｍに塗布した。
フォトレジストをマスクを通して露光、現像した後、塩
化第二鉄エッチング液で４５゜Ｃ、１分間エッチングし
た。エッチングの深さは１５〜２０μｍであった。
化第二鉄エッチング液で４５゜Ｃ、１分間エッチングし
た。エッチングの深さは１５〜２０μｍであった。
２．第二エッチング
レジスト膜を剥離した後、合金板を再度酸洗いし、市販
のネガ型フォトレジストをロールコータで塗布した。塗
布の厚さは、第一エッチングでエッチされない部分で７
μｍになるようにした。ネガ型フォトレジストの塗布の
際には、塗膜が乾燥しない条件下でロールコータを３回
通して行い、エッチングされた部分とエッチングされな
い部分の塗膜のレベルが同じになるようにした。
のネガ型フォトレジストをロールコータで塗布した。塗
布の厚さは、第一エッチングでエッチされない部分で７
μｍになるようにした。ネガ型フォトレジストの塗布の
際には、塗膜が乾燥しない条件下でロールコータを３回
通して行い、エッチングされた部分とエッチングされな
い部分の塗膜のレベルが同じになるようにした。
塗布されたネガ型フォトレジスト膜に、第一エッチング
の際ボジ型フォトレジストに対して用いたと同じパター
ン寸法の陰画マスク（光透過の関係が逆のもの〉を用い
て、露光し、常法により現像し、塩化第二鉄エッチング
液で４５゜Ｃ、１分間エッチングした。
の際ボジ型フォトレジストに対して用いたと同じパター
ン寸法の陰画マスク（光透過の関係が逆のもの〉を用い
て、露光し、常法により現像し、塩化第二鉄エッチング
液で４５゜Ｃ、１分間エッチングした。
エッチング後に得られたスリットの断面寸法は第１表に
示す通りであった。第１表中の数字は得られた開口の最
小幅である（単位μｍ）．比較のために、ポジ型フォト
レジスト、ネガ型フォトレジストの一方だけを塗布し、
露光、現像、エッチング（塩化第二鉄エッチング液で４
５゜Ｃ、２分間）したものを作製した（比較例Ｉおよび
比較例２）。比較例ｌおよび比較例２で得られたスリン
トの断面寸法も第ｌ表に示した。なお、第１表に示す寸
法は、第１図のａとｂの差が２０μｍ以下になる条件で
のａの寸法値である。
示す通りであった。第１表中の数字は得られた開口の最
小幅である（単位μｍ）．比較のために、ポジ型フォト
レジスト、ネガ型フォトレジストの一方だけを塗布し、
露光、現像、エッチング（塩化第二鉄エッチング液で４
５゜Ｃ、２分間）したものを作製した（比較例Ｉおよび
比較例２）。比較例ｌおよび比較例２で得られたスリン
トの断面寸法も第ｌ表に示した。なお、第１表に示す寸
法は、第１図のａとｂの差が２０μｍ以下になる条件で
のａの寸法値である。
第１表
（片面エッチング）
第ｌ表に示されるように、厚さ３５μｍの銅箔の片面エ
ッチングに本発明の方法を用いると、サイドエンチは１
５μｍより小さく、スリット幅２０μｍのマスクを用い
た場合、サイドエッチが９μｍ，幅３８μｍのエッチン
グ最大幅を得ることができた。従来方法を用いた場合の
サイドエッチは３０ｕｍから３５μｍであり、レジスト
のスリフト幅が２０μｍの場合、エッチング最大幅は８
０〜８５μｍであった。
ッチングに本発明の方法を用いると、サイドエンチは１
５μｍより小さく、スリット幅２０μｍのマスクを用い
た場合、サイドエッチが９μｍ，幅３８μｍのエッチン
グ最大幅を得ることができた。従来方法を用いた場合の
サイドエッチは３０ｕｍから３５μｍであり、レジスト
のスリフト幅が２０μｍの場合、エッチング最大幅は８
０〜８５μｍであった。
〔実施例２〕
■，第一エッチング
厚さ１５０μｍの４２７ロイ（鉄５８％とニノケル４２
％の合金の通称）板（以下、合金板と言う）を脱脂処理
および酸洗いしてから、両面に市販のボジ型フォトレジ
ストをロールコータで厚さ５μｍに塗布した。
％の合金の通称）板（以下、合金板と言う）を脱脂処理
および酸洗いしてから、両面に市販のボジ型フォトレジ
ストをロールコータで厚さ５μｍに塗布した。
両面のフォトレジストを、マスクを通して露光、現像し
た後、塩化第二鉄工冫チンダ液で４５゛Ｃ、３分間エッ
チングした。エッチングの深さは３０〜４０μｍであっ
た。
た後、塩化第二鉄工冫チンダ液で４５゛Ｃ、３分間エッ
チングした。エッチングの深さは３０〜４０μｍであっ
た。
２．第二エッチング
合金板の両面のレジスト膜を剥離した後、材料を再度酸
洗いし、市販のネガ型フォトレジスト（アクリル樹脂系
）をロールコータで両面に塗布した。塗布の厚さは、第
一エッチングでエッチされない部分で７μｍになるよう
にした。ネガ型フォトレジストの塗布の際には、塗膜が
乾燥しないような条件下でロールコー夕を３回通して行
い、エッチングされた部分とエッチングされない部分の
塗膜のレベルが同しになるようにした。
洗いし、市販のネガ型フォトレジスト（アクリル樹脂系
）をロールコータで両面に塗布した。塗布の厚さは、第
一エッチングでエッチされない部分で７μｍになるよう
にした。ネガ型フォトレジストの塗布の際には、塗膜が
乾燥しないような条件下でロールコー夕を３回通して行
い、エッチングされた部分とエッチングされない部分の
塗膜のレベルが同しになるようにした。
塗布されたネガ型フォトレジスト膜に、第一エッチング
の際ボジ型フォトレジストに対して用いたと同じパター
ン寸法の陰画マスク（光透過の関係が逆のもの）を用い
て、露光し、常法により現像し、塩化第二鉄エッチング
液で４５゜Ｃ、３分間エッチングした。゛ エッチング後に得られたスリットの断面寸法は第２表に
示す通りであった。第２表中の数字はａ−ｂが２０μｍ
以下になる条件での得られたエッチング最大幅ａである
（単位μｍ）。
の際ボジ型フォトレジストに対して用いたと同じパター
ン寸法の陰画マスク（光透過の関係が逆のもの）を用い
て、露光し、常法により現像し、塩化第二鉄エッチング
液で４５゜Ｃ、３分間エッチングした。゛ エッチング後に得られたスリットの断面寸法は第２表に
示す通りであった。第２表中の数字はａ−ｂが２０μｍ
以下になる条件での得られたエッチング最大幅ａである
（単位μｍ）。
比較のために、合金板の両面にネガ型フォトレジストを
一回だけ塗布し、露光、現像、エッチング（塩化第二銖
エッチング液で４５℃、６分間）したものを作製した（
比較例３）。比較例３で得られたスリットの断面寸法も
、第２表に示した。
一回だけ塗布し、露光、現像、エッチング（塩化第二銖
エッチング液で４５℃、６分間）したものを作製した（
比較例３）。比較例３で得られたスリットの断面寸法も
、第２表に示した。
第２表
（両面エッチング）
第２表に示される通り、厚さ１５０μｍの合金板の両面
エッチングに本発明の方法を用いると、サイドエッチが
１５ないし２０μｍ程度に留まり、スリット幅が２０μ
ｍのマスクを用いた場合、幅６２μｍの開口（透孔）、
スリット幅が３０μｍのマスクを用いた場合幅６４μｍ
の開口を得ることができた。しかし、従来の方法では、
サイドエッチガ大きく、マスクのスリント幅を２０μｍ
まで小さくしても幅約１５０μｍより小さいエッチング
最大幅ａを得ることはできなかった。
エッチングに本発明の方法を用いると、サイドエッチが
１５ないし２０μｍ程度に留まり、スリット幅が２０μ
ｍのマスクを用いた場合、幅６２μｍの開口（透孔）、
スリット幅が３０μｍのマスクを用いた場合幅６４μｍ
の開口を得ることができた。しかし、従来の方法では、
サイドエッチガ大きく、マスクのスリント幅を２０μｍ
まで小さくしても幅約１５０μｍより小さいエッチング
最大幅ａを得ることはできなかった。
金属のエッチングを利用して作られるリードフレーム、
フレキシブルプリント基板、テープキャリア等の製品の
製造過程におけるエッチングに際し、本発明の方法を用
いると従来の方法に比しサイドエッチが大幅に減少し、
２．０以上の工・冫チファクターを得ることができる。
フレキシブルプリント基板、テープキャリア等の製品の
製造過程におけるエッチングに際し、本発明の方法を用
いると従来の方法に比しサイドエッチが大幅に減少し、
２．０以上の工・冫チファクターを得ることができる。
本発明の方法は金属層を貫通する開口をエッチングで作
る場合に限らず、金属層の面に溝等の陥没部を設ける場
合にも有用である。
る場合に限らず、金属層の面に溝等の陥没部を設ける場
合にも有用である。
第１図はラミネート材料のエッチング断面形状を示す説
明図。第２図は金属板の両面エッチングにおけるエッチ
ング断面形状を示す説明図。 符号の説明 ａ−−−・−−−−一エッチング最大幅 ｂ −−
−−−−−−−・開口幅Ｃ・−・一一一一一レジスト開
札幅 イー−−−−−−−一一−金属層 ロー
−−−−−−−−一接着剤ハー一一−−−−−−一支持
体 二・−一−−−−−−一金属板ホー
−−一−−−−・・・レジスト 第１図 ａ・−・一・−・一・・エッチング最大幅ｂ・−・−−
−−−一開口幅 Ｃ・−・一・・− レジスト開孔幅 イ・・−・・・・一 金属層 ロ・−・・・−−−一一接着剤 ハー・−・−・・・−・支持体 ニー・−・・・−・−・・〜金属板 ホ・・・−一一一−−一−レジスト 第２図
明図。第２図は金属板の両面エッチングにおけるエッチ
ング断面形状を示す説明図。 符号の説明 ａ−−−・−−−−一エッチング最大幅 ｂ −−
−−−−−−−・開口幅Ｃ・−・一一一一一レジスト開
札幅 イー−−−−−−−一一−金属層 ロー
−−−−−−−−一接着剤ハー一一−−−−−−一支持
体 二・−一−−−−−−一金属板ホー
−−一−−−−・・・レジスト 第１図 ａ・−・一・−・一・・エッチング最大幅ｂ・−・−−
−−−一開口幅 Ｃ・−・一・・− レジスト開孔幅 イ・・−・・・・一 金属層 ロ・−・・・−−−一一接着剤 ハー・−・−・・・−・支持体 ニー・−・・・−・−・・〜金属板 ホ・・・−一一一−−一−レジスト 第２図
Claims (1)
- ネガ型、ポジ型いずれかのフォトレジストを用いて第
一のエッチングを行った後、レジストを除去し、ネガ型
のフォトレジストを用いて第二のエッチングを行うこと
を特徴とする金属のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15723289A JPH0324285A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 金属のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15723289A JPH0324285A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 金属のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0324285A true JPH0324285A (ja) | 1991-02-01 |
Family
ID=15645125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15723289A Pending JPH0324285A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 金属のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0324285A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010506385A (ja) * | 2006-09-30 | 2010-02-25 | エルジーマイクロン リミテッド | 等方性エッチングを用いた微細パターン形成方法 |
| JP2016157800A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 大日本印刷株式会社 | リードフレーム基板およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 |
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1989
- 1989-06-19 JP JP15723289A patent/JPH0324285A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010506385A (ja) * | 2006-09-30 | 2010-02-25 | エルジーマイクロン リミテッド | 等方性エッチングを用いた微細パターン形成方法 |
| US8486838B2 (en) | 2006-09-30 | 2013-07-16 | Lg Innotek Co., Ltd. | Method for forming a fine pattern using isotropic etching |
| US9209108B2 (en) | 2006-09-30 | 2015-12-08 | Lg Innotek Co., Ltd. | Method for forming a fine pattern using isotropic etching |
| JP2016157800A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 大日本印刷株式会社 | リードフレーム基板およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 |
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