JPH0323967B2 - - Google Patents
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- JPH0323967B2 JPH0323967B2 JP60061942A JP6194285A JPH0323967B2 JP H0323967 B2 JPH0323967 B2 JP H0323967B2 JP 60061942 A JP60061942 A JP 60061942A JP 6194285 A JP6194285 A JP 6194285A JP H0323967 B2 JPH0323967 B2 JP H0323967B2
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気的記憶装置に用いられる磁気記
録媒体に関する。 〔従来の技術〕 近年、磁気記録媒体の高記録密度化の要請によ
り、金属磁性薄膜を磁性層とする連続薄膜形の磁
気記録媒体が注目を集めている。このような金属
磁性薄膜としては、スパツタリング法等により形
成したCoまたはCo−Ni、Co−Ni−Ｐ、Co−Ｐ
などの合金系の金属薄膜が知られているが、その
磁気特性を改善するために、非磁性支持体と上記
磁性層との間に下地層としてCr膜を介在させる
ことが知られている（アイ・イー・イー・イー・
トランザクシヨンズ・オン・マグネテイツクス、
MAG.15巻３号1135頁（IEEE Transactions on
Magnetics、Vol.MAG.15、No.３、p.1135、
1979））。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし、このようなCr膜を用いて高密度磁気
記録に適した十分に高い保磁力を得ようとする
と、下地層としてのCr膜を厚くしなければなら
ない。ところが、支持体表面が十分に平滑に研摩
されていることもあつて、Cr膜の膜厚が例えば
5000Å以上と大きくなると、膜応力の増大に付着
力が抗し切れず、微小な膜割れを生ずる場合があ
る。特に、安価なガラス基板を支持体とし、表面
を研摩して用いた場合には、このような膜割れが
発生しやすいが、このような下地層の膜割れは、
例えば磁気ヘツドとの間隔が200〜300nｍという
小さな値を保ちながら回転する磁気デイスクにと
つて致命的な欠陥となる。 〔問題点を解決するための手段〕 このような問題点を解決するために、本発明
は、非磁性下地層としてCr膜の他に、当該Cr膜
と非磁性支持体との間に、酸化ジルコニウム
（ZrO2）、フツ化マグネシウム（MgF2）、酸化イ
ンジウム（In2O3）、酸化スズ（SnO2）の少なく
とも１種類を主成分とする膜を介在させたもので
ある。 また、非磁性支持体をガラス基板にしたもので
ある。 〔作用〕 このような膜を介在させることにより、比較的
薄いCr膜で、しかも従来Cr膜単独の下地層を用
いた場合には得られなかつたようなすぐれた磁気
特性を示す理由は必ずしも明らかではないが、上
述した膜はいずれも結晶性の膜であり、この存在
によつてその上に形成されるCr膜や磁性膜の結
晶性が改善されることによると考えられる。 〔実施例〕 （その１） 図示のように、非磁性支持体としてのソーダラ
イムガラス基板１の上に、第１の非磁性下地層と
して1000ÅのZrO2層２を、電子ビームを用いた
真空蒸着法によつて形成し、さらに第２の下地層
としてマグネトロンスパツタリング法によつて
1500ÅのCr膜３を形成した。次に、このCr膜３
の上に、金属薄膜磁性層として、同じスパツタリ
ング装置を用いて15wt％のNiを含むCo−Ni膜４
を400Åの厚さに成膜した。さらにその上に、保
護膜としてスパツタリング法により500Åの炭素
薄膜５を形成した。 （その２） 第１の実施例において、ZrO2膜の代りに1000
ÅのMgF2膜を同様の方法によつて形成した。 （その３） 第１の実施例において、ZrO2膜の代りに1100
ÅのIn2O3膜を同様に形成した。 （その４） 第１の実施例においいて、ZrO2膜の代りに
1500ÅのSnO2膜を同様に形成した。 （その５） 第１の実施例において、ZrO2膜の代りに1600
ÅのITO膜、すなわちSnO2を含むIn2O3膜をスパ
ツタリング法により形成した。 以上の各実施例の磁気記録媒体について、保磁
力Hc、残留磁束密度Brおよび角形比（残留磁束
密度Br／飽和磁束密度Bs）を測定した結果を下
の表に示す。
録媒体に関する。 〔従来の技術〕 近年、磁気記録媒体の高記録密度化の要請によ
り、金属磁性薄膜を磁性層とする連続薄膜形の磁
気記録媒体が注目を集めている。このような金属
磁性薄膜としては、スパツタリング法等により形
成したCoまたはCo−Ni、Co−Ni−Ｐ、Co−Ｐ
などの合金系の金属薄膜が知られているが、その
磁気特性を改善するために、非磁性支持体と上記
磁性層との間に下地層としてCr膜を介在させる
ことが知られている（アイ・イー・イー・イー・
トランザクシヨンズ・オン・マグネテイツクス、
MAG.15巻３号1135頁（IEEE Transactions on
Magnetics、Vol.MAG.15、No.３、p.1135、
1979））。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし、このようなCr膜を用いて高密度磁気
記録に適した十分に高い保磁力を得ようとする
と、下地層としてのCr膜を厚くしなければなら
ない。ところが、支持体表面が十分に平滑に研摩
されていることもあつて、Cr膜の膜厚が例えば
5000Å以上と大きくなると、膜応力の増大に付着
力が抗し切れず、微小な膜割れを生ずる場合があ
る。特に、安価なガラス基板を支持体とし、表面
を研摩して用いた場合には、このような膜割れが
発生しやすいが、このような下地層の膜割れは、
例えば磁気ヘツドとの間隔が200〜300nｍという
小さな値を保ちながら回転する磁気デイスクにと
つて致命的な欠陥となる。 〔問題点を解決するための手段〕 このような問題点を解決するために、本発明
は、非磁性下地層としてCr膜の他に、当該Cr膜
と非磁性支持体との間に、酸化ジルコニウム
（ZrO2）、フツ化マグネシウム（MgF2）、酸化イ
ンジウム（In2O3）、酸化スズ（SnO2）の少なく
とも１種類を主成分とする膜を介在させたもので
ある。 また、非磁性支持体をガラス基板にしたもので
ある。 〔作用〕 このような膜を介在させることにより、比較的
薄いCr膜で、しかも従来Cr膜単独の下地層を用
いた場合には得られなかつたようなすぐれた磁気
特性を示す理由は必ずしも明らかではないが、上
述した膜はいずれも結晶性の膜であり、この存在
によつてその上に形成されるCr膜や磁性膜の結
晶性が改善されることによると考えられる。 〔実施例〕 （その１） 図示のように、非磁性支持体としてのソーダラ
イムガラス基板１の上に、第１の非磁性下地層と
して1000ÅのZrO2層２を、電子ビームを用いた
真空蒸着法によつて形成し、さらに第２の下地層
としてマグネトロンスパツタリング法によつて
1500ÅのCr膜３を形成した。次に、このCr膜３
の上に、金属薄膜磁性層として、同じスパツタリ
ング装置を用いて15wt％のNiを含むCo−Ni膜４
を400Åの厚さに成膜した。さらにその上に、保
護膜としてスパツタリング法により500Åの炭素
薄膜５を形成した。 （その２） 第１の実施例において、ZrO2膜の代りに1000
ÅのMgF2膜を同様の方法によつて形成した。 （その３） 第１の実施例において、ZrO2膜の代りに1100
ÅのIn2O3膜を同様に形成した。 （その４） 第１の実施例においいて、ZrO2膜の代りに
1500ÅのSnO2膜を同様に形成した。 （その５） 第１の実施例において、ZrO2膜の代りに1600
ÅのITO膜、すなわちSnO2を含むIn2O3膜をスパ
ツタリング法により形成した。 以上の各実施例の磁気記録媒体について、保磁
力Hc、残留磁束密度Brおよび角形比（残留磁束
密度Br／飽和磁束密度Bs）を測定した結果を下
の表に示す。
【表】
【表】
ここで、従来例とは第１の下地層のみを省略
し、他は各実施例と全く同様に形成したものであ
るが、この表から明らかなように、各実施例はい
ずれも従来例に比較して磁気記録媒体としてきわ
めてすぐれた特性を示している。すなわち、角形
比Br／Bsは大きいほど出力電圧が高くまた記録
や消去も容易になる。さらに保持力Hcは、過大
であると記録や消去が困難となるため大きければ
大きいほど良いというものではないが、小さいと
自己減磁が大きく、また外部磁界によつて記録が
消滅する傾向にあり、従来は上述したように過小
であつた。 上述した各実施例において、ガラス基板１は、
周知のガラス研摩法によつて平均表面粗さが30〜
200Åとなるように仕上げたソーダライムガラス
基板を用いた。これは、他の材質の非磁性支持体
よりも、第１の下地層としての酸化ジルコニウ
ム、フツ化マグネシウム、酸化インジウムおよび
酸化スズの少なくとも１種類を主成分とする膜
が、付着性が高く、また従来一般に用いられてい
る機械加工仕上げのAlまたはAl合金基板板に比
較して素材そのものが安価であるとともに、磁性
層の腐食を防止するためにNi−Ｐメツキ層や陽
極酸化Al2O3層を形成するという工程（その後で
研摩法により平均表面粗さ200Å程度に鏡面仕上
げされる）を除くことができ、コスト低減に大き
く寄与する利点を有するが、本発明はこれに限定
されるものではなく、ソーダライムガラスの他、
アルミノシリケートガラスなどの各種の多成分系
ガラスあるいは石英ガラス等を用いてもよい。も
ちろん、従来より使用されている上記Alまたは
Al合金基板、あるいはポリエチレンテレフタレ
ート基板、シリコン基板等の各種非磁性支持体を
用いることもできる。 また、第１の非磁性下地層としてのZrO2等の
膜厚は、高保磁力を得るためには300Å以上であ
ることが望ましい。上限は特に限定されないが、
5000Å以上では保磁力の増加が飽和するため、実
用上は5000Å以下とすることが望ましい。また成
膜法は蒸着法に限定されるものではなく、例えば
イオンプレーテイング法やスパツタリング法等を
利用してもよい。同様にCr膜の形成方法もスパ
ツタリング法に限定されるものではない。 また、磁性層も上述した実施例に限定されるも
のではなく、特にCo−Ni合金の成分比を変えた
ものやCo単体、Co−NiにFeやPtなどを混合した
合金、Co−Ptなどの他のCo系合金についても同
様に良好な好果が得られる。 さらに保護層としては、炭火薄膜の他にも
Cr／Ｃ複合層、SiO2層、Cr／SiO2複合層、Cr／
Ｃ／SiO2複合層、Cr／SiO2／Ｃ複合層、SiO2／
Ｃ複合層等も有効であつた。 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば、非磁性
支持体と、この支持体と磁性層との間に下地層と
して形成するクロム膜との間に、酸化ジルコニウ
ム、フツ化マグネシウム、酸化インジウムおよび
酸化スズの少なくとも１種類を主成分とする膜を
介在させたことにより、Cr膜を膜割れ等の生じ
ない薄さに抑え、なおかつ従来Cr膜のみを用い
た場合には得られなかつたすぐれた磁気特性を得
ることができる。また、非磁性支持体をガラス基
板で構成することにより、クロム膜の膜割れを防
止するだけでなく、第１の下地層とガラス基板と
の接着性を他の材料に比して向上させることがで
きる。
し、他は各実施例と全く同様に形成したものであ
るが、この表から明らかなように、各実施例はい
ずれも従来例に比較して磁気記録媒体としてきわ
めてすぐれた特性を示している。すなわち、角形
比Br／Bsは大きいほど出力電圧が高くまた記録
や消去も容易になる。さらに保持力Hcは、過大
であると記録や消去が困難となるため大きければ
大きいほど良いというものではないが、小さいと
自己減磁が大きく、また外部磁界によつて記録が
消滅する傾向にあり、従来は上述したように過小
であつた。 上述した各実施例において、ガラス基板１は、
周知のガラス研摩法によつて平均表面粗さが30〜
200Åとなるように仕上げたソーダライムガラス
基板を用いた。これは、他の材質の非磁性支持体
よりも、第１の下地層としての酸化ジルコニウ
ム、フツ化マグネシウム、酸化インジウムおよび
酸化スズの少なくとも１種類を主成分とする膜
が、付着性が高く、また従来一般に用いられてい
る機械加工仕上げのAlまたはAl合金基板板に比
較して素材そのものが安価であるとともに、磁性
層の腐食を防止するためにNi−Ｐメツキ層や陽
極酸化Al2O3層を形成するという工程（その後で
研摩法により平均表面粗さ200Å程度に鏡面仕上
げされる）を除くことができ、コスト低減に大き
く寄与する利点を有するが、本発明はこれに限定
されるものではなく、ソーダライムガラスの他、
アルミノシリケートガラスなどの各種の多成分系
ガラスあるいは石英ガラス等を用いてもよい。も
ちろん、従来より使用されている上記Alまたは
Al合金基板、あるいはポリエチレンテレフタレ
ート基板、シリコン基板等の各種非磁性支持体を
用いることもできる。 また、第１の非磁性下地層としてのZrO2等の
膜厚は、高保磁力を得るためには300Å以上であ
ることが望ましい。上限は特に限定されないが、
5000Å以上では保磁力の増加が飽和するため、実
用上は5000Å以下とすることが望ましい。また成
膜法は蒸着法に限定されるものではなく、例えば
イオンプレーテイング法やスパツタリング法等を
利用してもよい。同様にCr膜の形成方法もスパ
ツタリング法に限定されるものではない。 また、磁性層も上述した実施例に限定されるも
のではなく、特にCo−Ni合金の成分比を変えた
ものやCo単体、Co−NiにFeやPtなどを混合した
合金、Co−Ptなどの他のCo系合金についても同
様に良好な好果が得られる。 さらに保護層としては、炭火薄膜の他にも
Cr／Ｃ複合層、SiO2層、Cr／SiO2複合層、Cr／
Ｃ／SiO2複合層、Cr／SiO2／Ｃ複合層、SiO2／
Ｃ複合層等も有効であつた。 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば、非磁性
支持体と、この支持体と磁性層との間に下地層と
して形成するクロム膜との間に、酸化ジルコニウ
ム、フツ化マグネシウム、酸化インジウムおよび
酸化スズの少なくとも１種類を主成分とする膜を
介在させたことにより、Cr膜を膜割れ等の生じ
ない薄さに抑え、なおかつ従来Cr膜のみを用い
た場合には得られなかつたすぐれた磁気特性を得
ることができる。また、非磁性支持体をガラス基
板で構成することにより、クロム膜の膜割れを防
止するだけでなく、第１の下地層とガラス基板と
の接着性を他の材料に比して向上させることがで
きる。
図は本発明の一実施例を示す断面図である。
１……ソーダライムガラス基板（非磁性支持
体）、２……ZrO2膜、３……Cr膜、４……Co−
Ni膜（磁性層）、５……炭素薄膜（保護膜）。
体）、２……ZrO2膜、３……Cr膜、４……Co−
Ni膜（磁性層）、５……炭素薄膜（保護膜）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 非磁性支持体上に、下地層、磁性層および保
護層を順次積層してなる磁気記録媒体において、
前記下地層は、前記支持体と接する側の第１の下
地層が酸化ジルコニウム、フツ化マグネシウム、
酸化インジウムおよび酸化スズの少なくとも１種
類を主成分とする膜からなり、かつ前記磁性層と
接する側の第２の下地層がクロム膜からなること
を特徴とする磁気記録媒体。 ２ 非磁性支持体が、ガラス基板であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6194285A JPS61222021A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6194285A JPS61222021A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61222021A JPS61222021A (ja) | 1986-10-02 |
| JPH0323967B2 true JPH0323967B2 (ja) | 1991-04-02 |
Family
ID=13185744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6194285A Granted JPS61222021A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61222021A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07101502B2 (ja) * | 1986-06-12 | 1995-11-01 | 住友特殊金属株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JPH0823930B2 (ja) * | 1986-10-28 | 1996-03-06 | 日本板硝子株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JP2547994B2 (ja) * | 1987-01-16 | 1996-10-30 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気記録媒体 |
| EP0421120B1 (en) * | 1989-10-05 | 1996-10-30 | International Business Machines Corporation | Thin film magnetic storage medium and method for the manufacture thereof |
| US5413873A (en) * | 1991-04-26 | 1995-05-09 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Magnetic recording medium having a glass or amorphous carbon substrate, vanadium or molybdenum precoat layer, chromium primer layer and cobalt magnetic layer |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5634141A (en) * | 1979-08-25 | 1981-04-06 | Hitachi Maxell Ltd | Magnetic recording medium |
-
1985
- 1985-03-28 JP JP6194285A patent/JPS61222021A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5634141A (en) * | 1979-08-25 | 1981-04-06 | Hitachi Maxell Ltd | Magnetic recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61222021A (ja) | 1986-10-02 |
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