JPH03238747A - 金属蒸気放電灯およびその製造方法 - Google Patents
金属蒸気放電灯およびその製造方法Info
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- JPH03238747A JPH03238747A JP3645790A JP3645790A JPH03238747A JP H03238747 A JPH03238747 A JP H03238747A JP 3645790 A JP3645790 A JP 3645790A JP 3645790 A JP3645790 A JP 3645790A JP H03238747 A JPH03238747 A JP H03238747A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
- H01J61/30—Vessels; Containers
- H01J61/35—Vessels; Containers provided with coatings on the walls thereof; Selection of materials for the coatings
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ等の
光源に用いられる石英発光管およびその製造方法に関す
るものである。
光源に用いられる石英発光管およびその製造方法に関す
るものである。
従来の技術
メタルハライドランプや高圧水銀ランプ等の発光効率お
よび演色性を改善するために、一般に、その石英発光管
に金属の沃化物や水銀および稀ガスを封入している（例
えば、特開昭５０−１２８７８号公報）。
よび演色性を改善するために、一般に、その石英発光管
に金属の沃化物や水銀および稀ガスを封入している（例
えば、特開昭５０−１２８７８号公報）。
この種のランプにおいて、点灯中、添加物は発光管壁付
近では安定な金属沃化物として存在し、石英や石英ガラ
スを腐蝕しないが、アークの中心部では金属原子と沃素
原子に解離し、前記金属蒸気がアークにおいて、励起さ
れその金属特有のスペクトルを放射するという現象を利
用している。
近では安定な金属沃化物として存在し、石英や石英ガラ
スを腐蝕しないが、アークの中心部では金属原子と沃素
原子に解離し、前記金属蒸気がアークにおいて、励起さ
れその金属特有のスペクトルを放射するという現象を利
用している。
発明が解決しようとする課題
一般にメタルハライドランプや高圧水銀ランプは、ラン
プ作動中に封入された、アルカリ金属や、金属の沃化物
が、金属原子または、イオンに解離した状態となってこ
れが石英発光管と反応をおこし、石英が結晶化したり変
色したりし、ランプの寿命を著しく低下させていた。又
これらの問題を解決するために、石英発光管内をコーテ
ィングする方法が考案されている（例えば、特開昭５３
３５３９２号公報、特開昭４６−２１４３２号公報、特
開昭５０−２７６７７号公報等）。
プ作動中に封入された、アルカリ金属や、金属の沃化物
が、金属原子または、イオンに解離した状態となってこ
れが石英発光管と反応をおこし、石英が結晶化したり変
色したりし、ランプの寿命を著しく低下させていた。又
これらの問題を解決するために、石英発光管内をコーテ
ィングする方法が考案されている（例えば、特開昭５３
３５３９２号公報、特開昭４６−２１４３２号公報、特
開昭５０−２７６７７号公報等）。
しかしながら、これらの従来の方法やコーティング材料
では、緻密で、欠陥のない膜の作成は困難であり、ラン
プの寿命を大幅に向上することができないという欠点を
有している。
では、緻密で、欠陥のない膜の作成は困難であり、ラン
プの寿命を大幅に向上することができないという欠点を
有している。
課題を解決するための手段
本発明は、前記課題を解決するため、高耐熱性と化学的
安定性を有する、酸化ハーフニウム（ＨｆＯ３）、酸化
ウラニウム（ＵＯ３）、酸化イ中にハーフニウム（Ｈｆ
、０．）、酸化トリウム（Ｔｈｅ、）、酸化イットリウ
ム（Ｙ０２）。
安定性を有する、酸化ハーフニウム（ＨｆＯ３）、酸化
ウラニウム（ＵＯ３）、酸化イ中にハーフニウム（Ｈｆ
、０．）、酸化トリウム（Ｔｈｅ、）、酸化イットリウ
ム（Ｙ０２）。
酸化アルミニウム（Ａｎ！２Ｏ３）のうちのいずれか一
種を、従来の気相反応法、スパッタリング法。
種を、従来の気相反応法、スパッタリング法。
塗布法等でなく、金属キレートのガスを用いた気相反応
蒸着法（ＣＶＤ法）、特に減圧ＣＶＤ法。
蒸着法（ＣＶＤ法）、特に減圧ＣＶＤ法。
高周波プラズマＣＶＤ法、あるいは電子サイクロトロン
プラズマＣＶＤ法によって、石英発光管の内面にコーテ
ィングした金属蒸気放電灯およびその製造方法を提供す
るものである。
プラズマＣＶＤ法によって、石英発光管の内面にコーテ
ィングした金属蒸気放電灯およびその製造方法を提供す
るものである。
作用
発明者らは、金属キレートのガスを用いたＣＶＤ法ニテ
、ＨｆＯ□、ＵＯ□、Ｙ２Ｏ３゜Ｔ ｈ ０２ 、
Ｚ ｒ ０２あるいはＺｒＯ２を石英管内壁にコーティ
ングすることにより、メタルハライドランプや高圧水銀
ランプの寿命を大幅に延ばすことを見出した。すなわち
Ｈｆ、Ｕ、Ｙ、Ｔｈ、Ｚｒ。
、ＨｆＯ□、ＵＯ□、Ｙ２Ｏ３゜Ｔ ｈ ０２ 、
Ｚ ｒ ０２あるいはＺｒＯ２を石英管内壁にコーティ
ングすることにより、メタルハライドランプや高圧水銀
ランプの寿命を大幅に延ばすことを見出した。すなわち
Ｈｆ、Ｕ、Ｙ、Ｔｈ、Ｚｒ。
Ａｆｆｉのうちのいずれか一種の元素を含有する金属キ
レート、例えば、ハーフニウムアセチルアセトン（）（
ｆ（Ｃ５Ｈ，Ｏ，）４）の蒸気と、反応ガスとしての酸
素、亜酸化窒素あるいはオゾンを、減圧された石英管あ
るいは、石英ガラス管に導入して、石英管を加熱あるい
は、プラズマ励起し、石英管の内壁にハーフニウムの酸
化物（Ｈｆ Ｏ２）膜を形成し、金属のハロゲン化物と
石英発光管との反応を防止するものである〔金属キレー
トとしては、アセチルアセトン以外に、ハーフニウムジ
ピバブロイルメタンＨｆ（Ｃ，、Ｈ，Ｏ□）４．ハーフ
ニウムへキサフロロアセチルアセトンＨｆ（Ｃ５ＨＦ６
０２）ｚ等の各種誘導体が使用できる〕。
レート、例えば、ハーフニウムアセチルアセトン（）（
ｆ（Ｃ５Ｈ，Ｏ，）４）の蒸気と、反応ガスとしての酸
素、亜酸化窒素あるいはオゾンを、減圧された石英管あ
るいは、石英ガラス管に導入して、石英管を加熱あるい
は、プラズマ励起し、石英管の内壁にハーフニウムの酸
化物（Ｈｆ Ｏ２）膜を形成し、金属のハロゲン化物と
石英発光管との反応を防止するものである〔金属キレー
トとしては、アセチルアセトン以外に、ハーフニウムジ
ピバブロイルメタンＨｆ（Ｃ，、Ｈ，Ｏ□）４．ハーフ
ニウムへキサフロロアセチルアセトンＨｆ（Ｃ５ＨＦ６
０２）ｚ等の各種誘導体が使用できる〕。
このように、ＨｆＯ□、ＵＣ２，Ｙ２Ｏ，。
ＴｈＯ□あるいはＺｒＯ□がランプ点燈中の高温におい
て、金属ハロゲン化物と反応しないのは、Ｈｆ Ｏ２，
ＵＣ２、Ｙ２Ｏ，１，Ｔｈ０２ 、Ｚ ｒｏ２Ａ１２Ｏ
ａが石英より高融点で高密度な物質である（Ｈｆ Ｏ２
の融点２８１０℃、密度９．６８ ｇ／Ｃ４゜ＵＣ２の
融点２８００℃、密度１０．９６ｇ／ｃｊ。
て、金属ハロゲン化物と反応しないのは、Ｈｆ Ｏ２，
ＵＣ２、Ｙ２Ｏ，１，Ｔｈ０２ 、Ｚ ｒｏ２Ａ１２Ｏ
ａが石英より高融点で高密度な物質である（Ｈｆ Ｏ２
の融点２８１０℃、密度９．６８ ｇ／Ｃ４゜ＵＣ２の
融点２８００℃、密度１０．９６ｇ／ｃｊ。
Ｙ２Ｏ３融点２４１Ｏ°Ｃ９密度９．８４ ｇ ／ｃｄ
。
。
Ｔｈ０２融点３０５０℃、密度１０．０ ｇ ／ｃｊ。
ＺｒＯ□融点２６９０°Ｃ１密度５．８５ ｇ ／ｃｊ
。
。
Ａｌ２Ｏ，Ｉ融点２Ｏ３０℃、密度３．９７ｇ／ｄ）ば
かりでなく活性な金属キレートを用いたＣＶＤ法により
、緻密な膜が形成されるためである。
かりでなく活性な金属キレートを用いたＣＶＤ法により
、緻密な膜が形成されるためである。
実施例
以下に本発明の壱実施例について、図面を用いて詳細に
説明する。
説明する。
実施例１
以下本発明の一実施例の金属キレートを用いたＣＶＤ法
によって石英発光管の内面にＨｆＯ□をコーティングし
た金属蒸気放電灯の製造方法について、図面を参照しな
がら説明する。
によって石英発光管の内面にＨｆＯ□をコーティングし
た金属蒸気放電灯の製造方法について、図面を参照しな
がら説明する。
第１図は、ＣＶＤ装置の概略図を示している。
図において、１１は両端に主電極を封着した発光管、１
２は発光管１１を加熱するためのヒータ、１３は反応ガ
スを流すためのガス導入管、１４はガスの排気管、１５
は原料ガスの入った気化器、１６はキャリアガスの導入
口、１７は発光管を減圧排気するためのポンプである。
２は発光管１１を加熱するためのヒータ、１３は反応ガ
スを流すためのガス導入管、１４はガスの排気管、１５
は原料ガスの入った気化器、１６はキャリアガスの導入
口、１７は発光管を減圧排気するためのポンプである。
まず発光管内をロータリーポンプ１７で２×ｌＯ°’
Ｔｏ ｒ ｒまで減圧して、吸着ガス等を除去する。次
にヒータ１２を用いて発光管を６００℃に加熱し、気化
器１５にアセチルアセトンハーフニウム（Ｈｆ （Ｃ５
Ｈ，Ｏ，）、）を置き、気化器を１２５℃に加熱し、そ
の蒸気を酸素キャリア（流量１０ｃｃ／分）とともに、
導入口１３を通して発光管ｌｌ内に導入し、５分間反応
を行い、発光管の内面に約１．０μｍの酸化ハーフニウ
ムを成膜した。その後、キャリアガスの導入を停止しヒ
ータを切って発光管を冷却し、ガス導入管１３を発光管
になるべく近い所でチップシールする。その後排気管１
４より封入物として、沃化セシウム（Ｃｓｌ）３．０ｇ
沃化ネオジウム（Ｎｄ Ｉ、 ） １．ＯＩＩｇ、水１
１（Ｈｇ）４０■を充填し排気後さらに起動用ガスとし
てアルゴンガスを導入した後排気管をチップシールして
、ランプを完成させた。
Ｔｏ ｒ ｒまで減圧して、吸着ガス等を除去する。次
にヒータ１２を用いて発光管を６００℃に加熱し、気化
器１５にアセチルアセトンハーフニウム（Ｈｆ （Ｃ５
Ｈ，Ｏ，）、）を置き、気化器を１２５℃に加熱し、そ
の蒸気を酸素キャリア（流量１０ｃｃ／分）とともに、
導入口１３を通して発光管ｌｌ内に導入し、５分間反応
を行い、発光管の内面に約１．０μｍの酸化ハーフニウ
ムを成膜した。その後、キャリアガスの導入を停止しヒ
ータを切って発光管を冷却し、ガス導入管１３を発光管
になるべく近い所でチップシールする。その後排気管１
４より封入物として、沃化セシウム（Ｃｓｌ）３．０ｇ
沃化ネオジウム（Ｎｄ Ｉ、 ） １．ＯＩＩｇ、水１
１（Ｈｇ）４０■を充填し排気後さらに起動用ガスとし
てアルゴンガスを導入した後排気管をチップシールして
、ランプを完成させた。
次にこの放電灯を１００ボルト、２．５アンペアで点灯
した（この時の色温度は、約６５００°にであった。）
。又、このランプを５０００時間点灯後の光束維持率は
８４％であった。
した（この時の色温度は、約６５００°にであった。）
。又、このランプを５０００時間点灯後の光束維持率は
８４％であった。
この結果を第１表の試料番号ｌに示す。
第２図はこのようにして作成されたランプの断面図を示
すものであり、２１は石英発光管、２２はコーティング
された酸化膜（ＨｆＯ２，ＵＣ２゜Ｙ２Ｏ３，Ｔｈ０２
、Ｚ ｒ０２ 、Ａｊ！２ＯＢ ）、２３はタングス
テン製起動電橋である。
すものであり、２１は石英発光管、２２はコーティング
された酸化膜（ＨｆＯ２，ＵＣ２゜Ｙ２Ｏ３，Ｔｈ０２
、Ｚ ｒ０２ 、Ａｊ！２ＯＢ ）、２３はタングス
テン製起動電橋である。
実施例２
第３図は、ＲＦプラズマＣＶＤ装置の概略図を示してい
る。
る。
図において、３１は両端に主電極を封着した発光管、３
２はプラズマを発生させるための高周波電源、３３は反
応ガス、キャリアガスを流すためのガス導入管、３４は
ガスの排気管、３５は原料ガスの入った気化器、３６は
キャリアガスの導入口、３７は発光管を減圧排気するた
めのポンプである。
２はプラズマを発生させるための高周波電源、３３は反
応ガス、キャリアガスを流すためのガス導入管、３４は
ガスの排気管、３５は原料ガスの入った気化器、３６は
キャリアガスの導入口、３７は発光管を減圧排気するた
めのポンプである。
まず発光管内をロータリーポンプ３７で１０’ Ｔｏ
ｒ ｒまで減圧にして、吸着ガス等を除去する０次に高
周波電源（１３，５６ＭＨｚ） ３２を用いて２Ｏ０Ｗ
印加し、プラズマを発生させる。
ｒ ｒまで減圧にして、吸着ガス等を除去する０次に高
周波電源（１３，５６ＭＨｚ） ３２を用いて２Ｏ０Ｗ
印加し、プラズマを発生させる。
次に気化器３５にアセチルアセトンハーフニウム（Ｈｆ
（Ｃ５Ｈ，０２）８）を置き、気化器を１２５℃に加
熱しその蒸気を酸素キャリア（流量１０ｃｃ／分）とと
もに、導入口３３を通して発光管３１内に導入し、７分
間反応を行い、発光管の内面に約１．ＩＩＩｍの酸化ハ
ーフニウムを成膜した。
（Ｃ５Ｈ，０２）８）を置き、気化器を１２５℃に加
熱しその蒸気を酸素キャリア（流量１０ｃｃ／分）とと
もに、導入口３３を通して発光管３１内に導入し、７分
間反応を行い、発光管の内面に約１．ＩＩＩｍの酸化ハ
ーフニウムを成膜した。
その後キャリアガスの導入を停止し、高周波電源を停止
し、ガス導入管３３を発光管になるべく近い所でチップ
シールする。その後排気管３４より封入物として、沃化
セシウム（Ｃｓｌ）３．０■、沃化ネオジウム（Ｎｄｌ
、）１．０■、水１１（Ｈｇ）４０■を充填し、排気管
３４より中の空気を一旦排気する。その後排気管３４よ
り、起動用ガスとしてアルゴンガス（Ａｒ）約２ＯＴｏ
ｒｒ導入した後、排気管３４チツプシールして、ランプ
を完成させた０次にこのランプを１００ボルト、２．５
アンペアで点灯した（この時の色温度は、約６５００”
Ｋであった。）、又このランプを５０００時間点灯し
た後の光束維持率は８５％であった。
し、ガス導入管３３を発光管になるべく近い所でチップ
シールする。その後排気管３４より封入物として、沃化
セシウム（Ｃｓｌ）３．０■、沃化ネオジウム（Ｎｄｌ
、）１．０■、水１１（Ｈｇ）４０■を充填し、排気管
３４より中の空気を一旦排気する。その後排気管３４よ
り、起動用ガスとしてアルゴンガス（Ａｒ）約２ＯＴｏ
ｒｒ導入した後、排気管３４チツプシールして、ランプ
を完成させた０次にこのランプを１００ボルト、２．５
アンペアで点灯した（この時の色温度は、約６５００”
Ｋであった。）、又このランプを５０００時間点灯し
た後の光束維持率は８５％であった。
この結果を第１表の試料番号２に示す。
実施例３
第４図は、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置の概略図を示して
いる０図において、４１は両端に主電極を封着した発光
管、４２はマイクロ波プラズマを発生させるためのマイ
クロ波電源（ＥＣＲ条件を出すための８７５ガウスの磁
場は省略しである）、４３は反応ガスおよびキャリアガ
スを流すためのガス導入管、４４はガスの排気管、４５
は原料ガスの入った気化器、４６はキャリアガスの導入
口、４７は発光管を減圧排気するためのポンプである。
いる０図において、４１は両端に主電極を封着した発光
管、４２はマイクロ波プラズマを発生させるためのマイ
クロ波電源（ＥＣＲ条件を出すための８７５ガウスの磁
場は省略しである）、４３は反応ガスおよびキャリアガ
スを流すためのガス導入管、４４はガスの排気管、４５
は原料ガスの入った気化器、４６はキャリアガスの導入
口、４７は発光管を減圧排気するためのポンプである。
まず発光管内をターボ分子ポンプ４７で１０４Ｔｏｒｒ
まで減圧にして、吸着ガス等を除去する。
まで減圧にして、吸着ガス等を除去する。
次にマイクロ波を源（２，４５ＧＨｚ） ４２を用いて
電力２Ｏ０Ｗ印加しプラズマを発生させる０次に気化器
４５にハーフニウムアセチルアセトン（Ｈｆ （Ｃ５Ｈ
７０３）、）を置き、気化器４５を１２５°Ｃに加熱し
その蒸気を酸素キャリア（流量１０ ｃ ｃ／分）とと
もに、導入口４３を通して、発光管４１内に導入し、６
分間反応を行い、発光管の内面に約１．２μｍの酸化ハ
ーフニウムを成膜した。その後キャリアガスの導入を停
止し、マイクロ波電源を停止し、ガス導入管４３を発光
管になるべく近い所でチップシールする。その後排気管
４４より封入物として、沃化セシウム（ＣｓＩ）３．０
■、沃化ネオジウム（Ｎｄ Ｉ、）１．０■、水！ｉ（
Ｈｇ）４０■を充填し、排気管４４より発光管内の空気
を一旦排気する。その後排気管４４より起動用ガスとし
てアルゴンガス（Ａ「）約２ＯＴｏｒｒ導入し排気管４
４をチップシールして、ランプを完成させた０次にこの
ランプを１００ボルト、２．５アンペアで点灯したくこ
の時の色温度は、約６５００’にであった。）、又この
ランプを５０００時間点灯した後の光束維持率は８７％
であった。
電力２Ｏ０Ｗ印加しプラズマを発生させる０次に気化器
４５にハーフニウムアセチルアセトン（Ｈｆ （Ｃ５Ｈ
７０３）、）を置き、気化器４５を１２５°Ｃに加熱し
その蒸気を酸素キャリア（流量１０ ｃ ｃ／分）とと
もに、導入口４３を通して、発光管４１内に導入し、６
分間反応を行い、発光管の内面に約１．２μｍの酸化ハ
ーフニウムを成膜した。その後キャリアガスの導入を停
止し、マイクロ波電源を停止し、ガス導入管４３を発光
管になるべく近い所でチップシールする。その後排気管
４４より封入物として、沃化セシウム（ＣｓＩ）３．０
■、沃化ネオジウム（Ｎｄ Ｉ、）１．０■、水！ｉ（
Ｈｇ）４０■を充填し、排気管４４より発光管内の空気
を一旦排気する。その後排気管４４より起動用ガスとし
てアルゴンガス（Ａ「）約２ＯＴｏｒｒ導入し排気管４
４をチップシールして、ランプを完成させた０次にこの
ランプを１００ボルト、２．５アンペアで点灯したくこ
の時の色温度は、約６５００’にであった。）、又この
ランプを５０００時間点灯した後の光束維持率は８７％
であった。
この結果を第１表の試料番号３に示す。
以下同様にして、気化器に入れる金属キレートの種類反
応ガスの種類、気化器の温度、反応の方法、発光管の加
熱温度、発光管の圧力、反応時間等を変えた時の結果を
表１の試料番号−１〜２２に示す。
応ガスの種類、気化器の温度、反応の方法、発光管の加
熱温度、発光管の圧力、反応時間等を変えた時の結果を
表１の試料番号−１〜２２に示す。
なお試料番号２３は、本願発明外の比較例である。
（以 下 余 白）
第１表より明らかなように、本発明の如く、金属キレー
トのガスを用いた気相反応蒸着法（減圧ＣＶＤ法、高周
波プラズマＣＶＤ法、ＥＣＲプラズ？ＣＶＤ法）ニテ、
ＨｆＯ２，ＵＯ２，Ｙ２Ｏ。
トのガスを用いた気相反応蒸着法（減圧ＣＶＤ法、高周
波プラズマＣＶＤ法、ＥＣＲプラズ？ＣＶＤ法）ニテ、
ＨｆＯ２，ＵＯ２，Ｙ２Ｏ。
Ｔｈｅ２．ＺｒＯ２，Ａｌ２Ｏ，のうちのいずれか一種
をコーティングすることによって、金属蒸気放電灯の寿
命（光束維持率の低下が少ない）を大幅にのばしている
のがわかる。
をコーティングすることによって、金属蒸気放電灯の寿
命（光束維持率の低下が少ない）を大幅にのばしている
のがわかる。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明によれば活性な金属キレ
ートを用いたＣＶＤ法により緻密な酸化膜が形成される
ために、放電灯の寿命を大幅にのばすことができる有益
な発明である。
ートを用いたＣＶＤ法により緻密な酸化膜が形成される
ために、放電灯の寿命を大幅にのばすことができる有益
な発明である。
第１図は本発明の一実施例における減圧ＣＶＤ装置の概
略図、第２図は本発明の実施例における金属蒸気放電灯
（ランプ）の断面図、第３図は本発明の一実施例におけ
る高周波プラズマＣＶＤ装置の概略図、第４図は本発明
の一実施例におけるマイクロ波を用いたＥＣＲプラズマ
−ＣＶＤ装置の概略図である。 １１・・・・・・発光管、１２・・・・・・加熱ヒータ
、１３・・・・・・ガス導入管、１４・・・・・・ガス
排気管、１５・・・・・・気化器、１６・・・・・・キ
ャリアガス（反応ガス）導入口、１７・・・・・・排気
ポンプ、２１・・・・・・石英発光管、２２・・・・・
・コーティングされた酸化膜、２３・・・・・・タング
ステン製起動電極、３１・・・・・・発光管、３２・・
・・・・高周波電源、３３・・・・・・ガス導入管、３
４・・・・・・排気管、３５・・・・・・気化器、３６
・・・・・・キャリアガス導入口、３７・・・・・・ポ
ンプ、４１・・・・・・発光管、４２・・・・・・マイ
クロ波電源、４３・・・・・・ガス導入管、４４・・・
・・・ガス排気管、４５・・・・・・気化器、４６・・
・・・・キャリアガス導入口、４７・・・・・・ポンプ
。
略図、第２図は本発明の実施例における金属蒸気放電灯
（ランプ）の断面図、第３図は本発明の一実施例におけ
る高周波プラズマＣＶＤ装置の概略図、第４図は本発明
の一実施例におけるマイクロ波を用いたＥＣＲプラズマ
−ＣＶＤ装置の概略図である。 １１・・・・・・発光管、１２・・・・・・加熱ヒータ
、１３・・・・・・ガス導入管、１４・・・・・・ガス
排気管、１５・・・・・・気化器、１６・・・・・・キ
ャリアガス（反応ガス）導入口、１７・・・・・・排気
ポンプ、２１・・・・・・石英発光管、２２・・・・・
・コーティングされた酸化膜、２３・・・・・・タング
ステン製起動電極、３１・・・・・・発光管、３２・・
・・・・高周波電源、３３・・・・・・ガス導入管、３
４・・・・・・排気管、３５・・・・・・気化器、３６
・・・・・・キャリアガス導入口、３７・・・・・・ポ
ンプ、４１・・・・・・発光管、４２・・・・・・マイ
クロ波電源、４３・・・・・・ガス導入管、４４・・・
・・・ガス排気管、４５・・・・・・気化器、４６・・
・・・・キャリアガス導入口、４７・・・・・・ポンプ
。
Claims (4)
- （１）石英または、石英ガラスで作成された、金属ハロ
ゲン化物封入放電灯において、酸化ハーフニウム（Ｈｆ
Ｏ＿２）、酸化ウラニウム（ＵＯ＿２）、酸化イットリ
ウム（Ｙ＿２Ｏ＿３）、酸化トリウム（ＴｈＯ＿２）、
酸化ジルコニウム（ＺｒＯ＿２）、酸化アルミニウム（
Ａｌ＿２Ｏ＿３）のうちのいずれか一種から成る薄膜を
発光管バルブ内面に形成させた金属蒸気放電灯。 - （２）１０＾−＾１〜１０＾−＾３Ｔｏｒｒに減圧され
た石英または、石英ガラスで作成されたパイプ内におい
て、ハーフニウム（Ｈｆ）、ウラニウム（Ｕ）、イット
リウム（Ｙ）、トリウム（Ｔｈ）、ジルコニウム（Ｚｒ
）、アルミニウム（Ａｌ）のうちのいずれか一種の元素
を含有する金属キレートの蒸気と反応ガスとしての酸素
（Ｏ＿２）、亜酸化窒素（Ｎ＿２Ｏ）あるいはオゾン（
Ｏ＿３）を導入して、石英あるいは、石英ガラス管の内
面に、ＨｆＯ＿２、ＵＯ＿２、Ｙ＿２Ｏ＿３、ＴｈＯ＿
２、ＺｒＯ＿２、Ａｌ＿２Ｏ＿３のうちのいずれか一種
をコーティングした後、内部にアルカリ金属のハロゲン
化物、水銀およびアルゴンを封入してなることを特徴と
する金属蒸気放電灯の製造方法。 - （３）５×１０＾−＾１〜１０＾−＾３Ｔｏｒｒに減圧
された、石英または石英ガラスで作成されたパイプ内に
おいて、高周波（ＲＦ）放電を起こし、その中にハーフ
ニウム（Ｈｆ）、ウラニウム（Ｕ）、イットリウム（Ｙ
）、トリウム（Ｔｈ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、アルミ
ニウム（Ａｌ）のうちのいずれか一種の元素を含有する
金属キレートの蒸気と反応ガスとしての酸素（Ｏ＿２）
、亜酸化窒素（Ｎ＿２Ｏ）、あるいはオゾン（Ｏ＿３）
を導入して、石英あるいは、石英ガラスの内面にＨｆＯ
＿２、ＵＯ＿２、Ｙ＿２Ｏ＿３、ＴｈＯ＿２、ＺｒＯ＿
２、Ａｌ＿２Ｏ＿３のうちのいずれか一種をコーティン
グした後、内部にアルカリ金属のハロゲン化物、水銀、
およびアルゴン（Ａｒ）を封入してなることを特徴とす
る金属蒸気放電灯の製造方法。 - （４）５×１０＾−＾３〜１０＾−＾４Ｔｏｒｒに減圧
された、石英または、石英ガラスで作成されたパイプ内
において、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）を用いた
マイクロ波放電を起こし、その中に、ハーフニウム（Ｈ
ｆ）、ウラニウム（Ｕ）、イットリウム（Ｙ）、トリウ
ム（Ｔｈ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、アルミニウム（Ａ
ｌ）のうちのいずれか一種の元素を含有する金属キレー
トの蒸気と反応ガスとしての酸素（Ｏ＿２）、亜酸化窒
素（Ｎ＿２Ｏ）あるいはオゾン（Ｏ＿３）を導入して、
石英あるいは、石英ガラスの内面にＨｆＯ＿２、ＵＯ＿
２、Ｙ＿２Ｏ＿３、ＴｈＯ＿２、ＺｒＯ＿２、Ａｌ＿２
Ｏ＿３のうちのいずれか一種をコーティングした後、内
部にアルカリ金属のハロゲン化物、水銀およびアルゴン
（Ａｒ）を封入してなることを特徴とする金属蒸気放電
灯の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3645790A JPH03238747A (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 金属蒸気放電灯およびその製造方法 |
| EP19910301128 EP0442704A3 (en) | 1990-02-16 | 1991-02-12 | Metal halide lamp and method of making the same |
| CA 2036485 CA2036485A1 (en) | 1990-02-16 | 1991-02-15 | Metal halide lamp and method of making the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3645790A JPH03238747A (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 金属蒸気放電灯およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03238747A true JPH03238747A (ja) | 1991-10-24 |
Family
ID=12470352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3645790A Pending JPH03238747A (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 金属蒸気放電灯およびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0442704A3 (ja) |
| JP (1) | JPH03238747A (ja) |
| CA (1) | CA2036485A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0583122A1 (en) * | 1992-08-07 | 1994-02-16 | General Electric Company | ARC tube and ARC discharge lamp |
| US5443686A (en) * | 1992-01-15 | 1995-08-22 | International Business Machines Corporation Inc. | Plasma CVD apparatus and processes |
| WO2007102471A1 (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | 光電面、それを備える電子管及び光電面の製造方法 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2819988B2 (ja) * | 1993-06-29 | 1998-11-05 | 松下電工株式会社 | 金属蒸気放電灯 |
| US6273951B1 (en) | 1999-06-16 | 2001-08-14 | Micron Technology, Inc. | Precursor mixtures for use in preparing layers on substrates |
| US6967159B2 (en) | 2002-08-28 | 2005-11-22 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for forming refractory metal nitride layers using organic amines |
| US6794284B2 (en) | 2002-08-28 | 2004-09-21 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for forming refractory metal nitride layers using disilazanes |
| US8617312B2 (en) | 2002-08-28 | 2013-12-31 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for forming layers that contain niobium and/or tantalum |
| US6995081B2 (en) | 2002-08-28 | 2006-02-07 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for forming tantalum silicide layers |
| US6730164B2 (en) | 2002-08-28 | 2004-05-04 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for forming strontium- and/or barium-containing layers |
| US7115528B2 (en) | 2003-04-29 | 2006-10-03 | Micron Technology, Inc. | Systems and method for forming silicon oxide layers |
| US9999907B2 (en) * | 2016-04-01 | 2018-06-19 | Applied Materials, Inc. | Cleaning process that precipitates yttrium oxy-flouride |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1188015A (en) * | 1967-10-12 | 1970-04-15 | Gen Electric & English Elect | Improvements in or relating to Electric Discharge Lamps. |
| DE1764126C3 (de) * | 1968-04-05 | 1975-06-12 | N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven (Niederlande) | Niederdruck-Natriumdampf-Entladungslampe |
| FR2145382A1 (en) * | 1971-07-12 | 1973-02-23 | Commissariat Energie Atomique | Dipivaloylmethane chelates - of uranium and indium activatable by radiation, as tracers for leak detection |
| BR7902379A (pt) * | 1978-08-07 | 1980-10-07 | J Crowley | Processo para fazer uma pelicula de oxido metalico em tubos de vidro |
| NL8202778A (nl) * | 1982-07-09 | 1984-02-01 | Philips Nv | Lagedrukkwikdampontladingslamp. |
| CH672380A5 (en) * | 1987-01-27 | 1989-11-15 | Bbc Brown Boveri & Cie | Reduce darkening of mercury vapour UV tube - using hafnium, lanthanum, thorium or aluminium oxide coating |
-
1990
- 1990-02-16 JP JP3645790A patent/JPH03238747A/ja active Pending
-
1991
- 1991-02-12 EP EP19910301128 patent/EP0442704A3/en not_active Withdrawn
- 1991-02-15 CA CA 2036485 patent/CA2036485A1/en not_active Abandoned
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5443686A (en) * | 1992-01-15 | 1995-08-22 | International Business Machines Corporation Inc. | Plasma CVD apparatus and processes |
| EP0583122A1 (en) * | 1992-08-07 | 1994-02-16 | General Electric Company | ARC tube and ARC discharge lamp |
| WO2007102471A1 (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | 光電面、それを備える電子管及び光電面の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2036485A1 (en) | 1991-08-17 |
| EP0442704A3 (en) | 1992-04-08 |
| EP0442704A2 (en) | 1991-08-21 |
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