JPH03238074A - 微細凍結粒子による洗浄装置 - Google Patents
微細凍結粒子による洗浄装置Info
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- JPH03238074A JPH03238074A JP2031547A JP3154790A JPH03238074A JP H03238074 A JPH03238074 A JP H03238074A JP 2031547 A JP2031547 A JP 2031547A JP 3154790 A JP3154790 A JP 3154790A JP H03238074 A JPH03238074 A JP H03238074A
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 106
- 238000005406 washing Methods 0.000 title abstract 4
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims abstract description 8
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 42
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 9
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 7
- 238000010407 vacuum cleaning Methods 0.000 description 5
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000002277 temperature effect Effects 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
- B24C5/00—Devices or accessories for generating abrasive blasts
- B24C5/08—Devices for generating abrasive blasts non-mechanically, e.g. of metallic abrasives by means of a magnetic field or by detonating cords
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
- B24C1/00—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods
- B24C1/003—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods using material which dissolves or changes phase after the treatment, e.g. ice, CO2
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、水等を凍結させた微細凍結粒子を被洗浄物
に噴射することにより洗浄を行う、微細凍結粒子による
洗浄装置に関するものである。
に噴射することにより洗浄を行う、微細凍結粒子による
洗浄装置に関するものである。
［従来の技術］
第２図は、従来の微細凍結粒子による洗浄装置の内部構
造を概略的に示した透視図である。図において、製氷部
（１０）は、内側製氷ホッパ（１ａ）および外側製氷ホ
ッパ（１ｂ）からなる２重構造の製氷容器（１）を備え
る。内側製氷ホッパ（１ａ）内は液体窒素等の冷媒体（
２）によって冷却されており、また内側製氷ホッパ（１
ａ）と外側製氷ホッパ（１ｂ）の間にも冷媒体（２）が
充填されて、内側製氷ホッパ（１ａ）が外側からも冷却
されている。そしてスプレーノズル（３）から超純水等
の被凍結液が内側製氷ホッパ（１ａ）内に噴霧されると
、これが冷却されて微細凍結粒子（４）が生成される。
造を概略的に示した透視図である。図において、製氷部
（１０）は、内側製氷ホッパ（１ａ）および外側製氷ホ
ッパ（１ｂ）からなる２重構造の製氷容器（１）を備え
る。内側製氷ホッパ（１ａ）内は液体窒素等の冷媒体（
２）によって冷却されており、また内側製氷ホッパ（１
ａ）と外側製氷ホッパ（１ｂ）の間にも冷媒体（２）が
充填されて、内側製氷ホッパ（１ａ）が外側からも冷却
されている。そしてスプレーノズル（３）から超純水等
の被凍結液が内側製氷ホッパ（１ａ）内に噴霧されると
、これが冷却されて微細凍結粒子（４）が生成される。
また洗浄部（２０）は洗浄容器（７〉を備える。この洗
浄容器（７）内では、製氷部（１０）で生成された微細
凍結粒子（４）が噴射ガン（５）によって被洗浄物（６
）に噴射され、洗浄が行われる。
浄容器（７）内では、製氷部（１０）で生成された微細
凍結粒子（４）が噴射ガン（５）によって被洗浄物（６
）に噴射され、洗浄が行われる。
次に動作について説明する。製氷容器（１〉の内側製氷
ホッパ（１ａ）内は、外側製氷ホッパ〈１ｂ）との間に
充填された冷媒体（２）およびこの内側製氷ホッパ（１
ａ〉内に注入される冷媒体（２〉によって冷却されてい
る。この状態でスプレーノズル（３）から被凍結液を噴
霧すると、熱交換により微細凍結粒子（４）が生成され
る。生成された微細凍結粒子（４）は洗浄容器（７）内
の噴射ガン（５）に送られる。噴射ガン（５）は窒素ガ
スあるいは圧縮乾燥空気等であるキャリアガス（２ａ）
を使用したエジェクタ方式のもので、キャリアガス（２
ａ）の噴流の力によって微細凍結粒子（４）が被洗浄物
（６）に向かって噴射され、被洗浄物（６）の表面の洗
浄が行われる。洗浄容器（７）では、噴射ガン（５）か
ら噴出される微細凍結粒子（４〉およびキャリアガス（
２ａ）等を排気口（８）から容器外部に排気することに
より吸気、排気を行い、排気の際に被洗浄物（６）から
除去された汚染物（図示せず〉も容器外部に排除するよ
うにしている。噴出ガン〈５）での微細凍結粒子（４）
の噴出速度は、キャリアガス（２ａ）の噴出圧を制御す
ることによって調節される。
ホッパ（１ａ）内は、外側製氷ホッパ〈１ｂ）との間に
充填された冷媒体（２）およびこの内側製氷ホッパ（１
ａ〉内に注入される冷媒体（２〉によって冷却されてい
る。この状態でスプレーノズル（３）から被凍結液を噴
霧すると、熱交換により微細凍結粒子（４）が生成され
る。生成された微細凍結粒子（４）は洗浄容器（７）内
の噴射ガン（５）に送られる。噴射ガン（５）は窒素ガ
スあるいは圧縮乾燥空気等であるキャリアガス（２ａ）
を使用したエジェクタ方式のもので、キャリアガス（２
ａ）の噴流の力によって微細凍結粒子（４）が被洗浄物
（６）に向かって噴射され、被洗浄物（６）の表面の洗
浄が行われる。洗浄容器（７）では、噴射ガン（５）か
ら噴出される微細凍結粒子（４〉およびキャリアガス（
２ａ）等を排気口（８）から容器外部に排気することに
より吸気、排気を行い、排気の際に被洗浄物（６）から
除去された汚染物（図示せず〉も容器外部に排除するよ
うにしている。噴出ガン〈５）での微細凍結粒子（４）
の噴出速度は、キャリアガス（２ａ）の噴出圧を制御す
ることによって調節される。
さらに噴出ガン（５〉での微細凍結粒子（４）の噴射の
広がりは、噴出ガン（５〉の噴出口（図示せず）の形状
によって定まる。
広がりは、噴出ガン（５〉の噴出口（図示せず）の形状
によって定まる。
［発明が解決しようとする課題］
従来の微細凍結粒子による洗浄装置は以上のように、微
細凍結粒子を被洗浄物に対して噴出する手段として、キ
ャリアガスの噴流によるエジェクタ方式の噴射ガンを使
用していたので、噴射の速度や方向、広がりおよび凍結
粒子の粒径を細かく制御することが困難であった。また
、噴射時、キャリアガスの噴出により洗浄部内の気流が
乱れ、被洗浄物から除去された汚染物が巻き上がり、被
洗浄物へ再付着するという課題があった。
細凍結粒子を被洗浄物に対して噴出する手段として、キ
ャリアガスの噴流によるエジェクタ方式の噴射ガンを使
用していたので、噴射の速度や方向、広がりおよび凍結
粒子の粒径を細かく制御することが困難であった。また
、噴射時、キャリアガスの噴出により洗浄部内の気流が
乱れ、被洗浄物から除去された汚染物が巻き上がり、被
洗浄物へ再付着するという課題があった。
この発明は上記のような課題を解決するためになされた
もので、噴出ガンでの微細凍結粒子の噴出時において、
噴射の速度、方向、広がりおよび凍結粒子の粒径を細か
く制御して、洗浄効果を向上させるとともに、被洗浄物
へのダメージを制御できるようにし、また、−度取り除
かれた汚染物の被洗浄物への再付着を防止した微細凍結
粒子による洗浄装置を得ることを目的とする。
もので、噴出ガンでの微細凍結粒子の噴出時において、
噴射の速度、方向、広がりおよび凍結粒子の粒径を細か
く制御して、洗浄効果を向上させるとともに、被洗浄物
へのダメージを制御できるようにし、また、−度取り除
かれた汚染物の被洗浄物への再付着を防止した微細凍結
粒子による洗浄装置を得ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記の目的に鑑み、この発明は、冷却された雰囲気中に
被凍結液を噴霧して微細凍結粒子を生成する製氷手段と
、この製氷手段で生成された微細凍結粒子を帯電させた
後、帯電された微細凍結粒子を電磁作用により加速し、
さらに粒子の方向、粒子の流束の広がりを制御して被洗
浄物に当てる噴射制御手段と、真空排気により真空度可
変の真空状態の空間を形成し、微細凍結粒子の生成から
粒子を被洗浄物に当てるまでの一連の工程を上記真空状
態中で行わせ、かつ被洗浄物から除去された汚染物およ
び使用済みの粒子を上記真空状態の空間から排除する真
空排気手段と、を備えた微細凍結粒子Ｇこよる洗浄装置
にある。
被凍結液を噴霧して微細凍結粒子を生成する製氷手段と
、この製氷手段で生成された微細凍結粒子を帯電させた
後、帯電された微細凍結粒子を電磁作用により加速し、
さらに粒子の方向、粒子の流束の広がりを制御して被洗
浄物に当てる噴射制御手段と、真空排気により真空度可
変の真空状態の空間を形成し、微細凍結粒子の生成から
粒子を被洗浄物に当てるまでの一連の工程を上記真空状
態中で行わせ、かつ被洗浄物から除去された汚染物およ
び使用済みの粒子を上記真空状態の空間から排除する真
空排気手段と、を備えた微細凍結粒子Ｇこよる洗浄装置
にある。
［作用］
この発明においては、微細凍結粒子の速度や方向、広が
り、あるいは真空度を制御することにより、粒子の速度
、粒径を調節し、洗浄効果を高めるとともに被洗浄物へ
のダメージを制御する。また、一連の工程を真空状態で
行うことにより、皮除去された汚染物が被洗浄物に再付
着することを防止しする。
り、あるいは真空度を制御することにより、粒子の速度
、粒径を調節し、洗浄効果を高めるとともに被洗浄物へ
のダメージを制御する。また、一連の工程を真空状態で
行うことにより、皮除去された汚染物が被洗浄物に再付
着することを防止しする。
［実施例］
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明の一実施例による洗浄装置の内部構造を概
略的に示した透視図である。第工図において、製氷部（
ｔｏ Ｏ）の製氷容器（１）の構成は第２図に示す従来
のものと殆ど同じである。ただし、この発明では後述す
るように内側製氷ホッパ（１ａ）内は真空状態に保たれ
るため、これに必要な気密性および強度を有するもので
なければならない。製氷容器（１）内で生成された微細
凍結粒子（４）は、内側製氷ホッパ（１ａ）の下部の漏
斗部（１ｄ）の斜面により供給管（１ｃ）に導かれ、さ
らに供給管（１ｃ）を通って洗浄部（２００）の真空洗
浄容器（３０）の上部に達し、ここから落下する。この
ため製氷容器（１）は物理的に真空洗浄容器（３０）の
上方になければならない。真空洗浄容器（３０）内には
、供給管（１Ｃ）の出口に近い上部から順に帯電部（４
０Ｌ加速部（５０）および方向・広がり制御部（６０）
が設けられ、その下に被洗浄物（６）が置かれることに
なる。帯電部（４０〉は２枚の平行平板電極（４１ａ）
（４１ｂ）および電源部（４２）からなり、２枚の電
極（４１ａ） （４１ｂ）の間で放電を越し、これらの
間を通過する微細凍結粒子（４）を帯電させる。加速部
（５０）は２枚のリング伏型！（５１ａ）（５ｔｈ）お
よび電源部（５２）からなり、これらの各リング状電極
（５１ａ） （５１ｂ）のリング状の部分を通過する帯
電した微細凍結粒子（４〉を加速する。方向・広がり制
御部（６０）は、水平面すなわち粒子（４）の進む方向
に垂直な平面内のＸ−Ｙ方向に関する軌道の制御するた
めの、Ｘ方向用の１組の平行型７ 極板（６ｆａ）（６１ｂ）、Ｙ方向用の１組の平行電極
板（６２ａ） （６２ｂ）およびこれらの電源部（６３
）、並びに粒子（４）の流束の広がりを制御するための
電磁レンズ（６４）およびその電源部（６５）からなる
。また、排気口（８）に設けられた真空排気ポンプ（７
０）は、製氷容器く１）の内側製氷ホッパ（１ａ）から
真空洗浄容器（３０）内まで、すなわち粒子（４）が生
成されてから被洗浄物く６）に吹付けられるまでの全工
程を真空状態に保つように排気を行う。従って供給管（
１Ｃ）は容器（３０）へ真空状態が保持できるように取
り付けられる必要がある。また真空排気ポンプ（７０）
にはさらに駆動装置（７１）が接続されている。そして
洗浄制御部（８０）により、帯電部く４０〉、加速部（
５０）、方向・広がり制御部（６０）のそれぞれの電源
部（４２）（５２）（６３）（６５）および真空排気ポ
ンプ（７０）の駆動装置（７１）が制御され、各部を統
轄した制御が行われる。
図はこの発明の一実施例による洗浄装置の内部構造を概
略的に示した透視図である。第工図において、製氷部（
ｔｏ Ｏ）の製氷容器（１）の構成は第２図に示す従来
のものと殆ど同じである。ただし、この発明では後述す
るように内側製氷ホッパ（１ａ）内は真空状態に保たれ
るため、これに必要な気密性および強度を有するもので
なければならない。製氷容器（１）内で生成された微細
凍結粒子（４）は、内側製氷ホッパ（１ａ）の下部の漏
斗部（１ｄ）の斜面により供給管（１ｃ）に導かれ、さ
らに供給管（１ｃ）を通って洗浄部（２００）の真空洗
浄容器（３０）の上部に達し、ここから落下する。この
ため製氷容器（１）は物理的に真空洗浄容器（３０）の
上方になければならない。真空洗浄容器（３０）内には
、供給管（１Ｃ）の出口に近い上部から順に帯電部（４
０Ｌ加速部（５０）および方向・広がり制御部（６０）
が設けられ、その下に被洗浄物（６）が置かれることに
なる。帯電部（４０〉は２枚の平行平板電極（４１ａ）
（４１ｂ）および電源部（４２）からなり、２枚の電
極（４１ａ） （４１ｂ）の間で放電を越し、これらの
間を通過する微細凍結粒子（４）を帯電させる。加速部
（５０）は２枚のリング伏型！（５１ａ）（５ｔｈ）お
よび電源部（５２）からなり、これらの各リング状電極
（５１ａ） （５１ｂ）のリング状の部分を通過する帯
電した微細凍結粒子（４〉を加速する。方向・広がり制
御部（６０）は、水平面すなわち粒子（４）の進む方向
に垂直な平面内のＸ−Ｙ方向に関する軌道の制御するた
めの、Ｘ方向用の１組の平行型７ 極板（６ｆａ）（６１ｂ）、Ｙ方向用の１組の平行電極
板（６２ａ） （６２ｂ）およびこれらの電源部（６３
）、並びに粒子（４）の流束の広がりを制御するための
電磁レンズ（６４）およびその電源部（６５）からなる
。また、排気口（８）に設けられた真空排気ポンプ（７
０）は、製氷容器く１）の内側製氷ホッパ（１ａ）から
真空洗浄容器（３０）内まで、すなわち粒子（４）が生
成されてから被洗浄物く６）に吹付けられるまでの全工
程を真空状態に保つように排気を行う。従って供給管（
１Ｃ）は容器（３０）へ真空状態が保持できるように取
り付けられる必要がある。また真空排気ポンプ（７０）
にはさらに駆動装置（７１）が接続されている。そして
洗浄制御部（８０）により、帯電部く４０〉、加速部（
５０）、方向・広がり制御部（６０）のそれぞれの電源
部（４２）（５２）（６３）（６５）および真空排気ポ
ンプ（７０）の駆動装置（７１）が制御され、各部を統
轄した制御が行われる。
次に動作について説明する。スプレーノズル（３）から
噴霧された超純水等の被凍結液は冷媒体（２）による低
温効果（冷却）により、内側製氷ホッパ（１ａ）内で微
細凍結粒子（４）になる。供給管（１ｃ）に導かれて真
空洗浄容器（３０）の上部から落下する粒子（４〉は、
まず帯電部（４０〉の平行平板電極（４１，ａ）（４１
ｂ）の間を通過する際に電極間の放電により帯電状態に
される。そしてこの帯電された粒子（４）は加速部（５
０）で加速される。加速部（５０）では２枚のリング状
電極（５１，ａ）（５１１））に電源部（５２）から直
流電圧が印加され、電極間に生じる電界によって帯電し
た粒子（４）が加速されるものであり、印加電圧の制御
により粒子（４）の速度制御を行うことができる。次に
加速された粒子〈４）が、方向・広がり制御部（６０）
の２対の平行電極板（６１ａ）（６１ｂ＞および（６２
ａ）（６２ｂ）を通過する際に、粒子（４）の移動方向
に垂直な平面内のＸ軸方向、Ｙ軸方向の軌道位置制御が
行われる。さらに方向・広がり制御部（６０）の電磁レ
ンズ（６４）を通過する際に、粒子（４）の流束の広が
りが制御され、被洗浄物（６）の所望の部分に粒子（４
）が当てられる。
噴霧された超純水等の被凍結液は冷媒体（２）による低
温効果（冷却）により、内側製氷ホッパ（１ａ）内で微
細凍結粒子（４）になる。供給管（１ｃ）に導かれて真
空洗浄容器（３０）の上部から落下する粒子（４〉は、
まず帯電部（４０〉の平行平板電極（４１，ａ）（４１
ｂ）の間を通過する際に電極間の放電により帯電状態に
される。そしてこの帯電された粒子（４）は加速部（５
０）で加速される。加速部（５０）では２枚のリング状
電極（５１，ａ）（５１１））に電源部（５２）から直
流電圧が印加され、電極間に生じる電界によって帯電し
た粒子（４）が加速されるものであり、印加電圧の制御
により粒子（４）の速度制御を行うことができる。次に
加速された粒子〈４）が、方向・広がり制御部（６０）
の２対の平行電極板（６１ａ）（６１ｂ＞および（６２
ａ）（６２ｂ）を通過する際に、粒子（４）の移動方向
に垂直な平面内のＸ軸方向、Ｙ軸方向の軌道位置制御が
行われる。さらに方向・広がり制御部（６０）の電磁レ
ンズ（６４）を通過する際に、粒子（４）の流束の広が
りが制御され、被洗浄物（６）の所望の部分に粒子（４
）が当てられる。
被洗浄物（６）に付着している汚染物（図示せず）は、
粒子（４）が直接衝突すること、粒子（４）か衝突した
際に被洗浄物（６）の表面で飛砕して超微細な凍結粒子
の広がりとなり、これにより除去されること、および粒
子（４）のもつ低温効果等により被洗浄物（６）から除
去される。粒子（４）のもつ低温効果とは、微細凍結粒
子（４〉が低温であるため、例えば汚染物が油等の場合
、汚染物が冷やされ固まるために除去され易くなること
である。被洗浄物（６）から除去された汚染物および凍
結粒子等は、真空排気ポンプ（７０）により容器（３０
）の外に排除される。なお図示しないが、洗浄容器（３
０）内の下部は、汚染物および使用後の粒子（４）が排
気口（８）から排除され易いような形状の構造になって
いることが望ましい。
粒子（４）が直接衝突すること、粒子（４）か衝突した
際に被洗浄物（６）の表面で飛砕して超微細な凍結粒子
の広がりとなり、これにより除去されること、および粒
子（４）のもつ低温効果等により被洗浄物（６）から除
去される。粒子（４）のもつ低温効果とは、微細凍結粒
子（４〉が低温であるため、例えば汚染物が油等の場合
、汚染物が冷やされ固まるために除去され易くなること
である。被洗浄物（６）から除去された汚染物および凍
結粒子等は、真空排気ポンプ（７０）により容器（３０
）の外に排除される。なお図示しないが、洗浄容器（３
０）内の下部は、汚染物および使用後の粒子（４）が排
気口（８）から排除され易いような形状の構造になって
いることが望ましい。
以上のようにこの発明の洗浄装置では、まず粒子の速度
、方向および粒子の流束の広がりを細かく制御して、被
洗浄物の粒子を当てる部分をより細かく制限することが
できる。また微細凍結粒子を生成する段階から被洗浄物
に当てて洗浄を行うまで、全ての工程は真空排気された
容器内で行われるので、途中で汚染物が混入する可能性
が少なく、また容器内に乱気流が生じることがないため
に一度、被洗浄物から除去された汚染物が被洗浄物に再
付着してしまう恐れがなく、高洗浄度の洗浄が行える。
、方向および粒子の流束の広がりを細かく制御して、被
洗浄物の粒子を当てる部分をより細かく制限することが
できる。また微細凍結粒子を生成する段階から被洗浄物
に当てて洗浄を行うまで、全ての工程は真空排気された
容器内で行われるので、途中で汚染物が混入する可能性
が少なく、また容器内に乱気流が生じることがないため
に一度、被洗浄物から除去された汚染物が被洗浄物に再
付着してしまう恐れがなく、高洗浄度の洗浄が行える。
また、粒子の制御を真空状態中で行うため、制御が容易
である。また、粒子く４）の粒径の制御は大まかにはス
プレーノズル（３）の形状を変えることにより行われる
が、真空排気ポンプ（７０）の調整により容器内の真空
度を変えたり加速部〈５０）の制御によって粒子（４）
の速度を調整し、製氷容器（１）から得られた粒子（４
）が被洗浄物（６〉へ到達するまでの時間を変化させ、
粒子の昇華の度合いを変えて、粒子の粒径の細かい調節
が行える。これにより粒子の速度の調整と相俟って、被
洗浄物へのダメージを制御することができる。これらの
制御は各部分の電源部および駆動装置を統轄して制御す
る洗浄制御部〈８０）によって行われる。
である。また、粒子く４）の粒径の制御は大まかにはス
プレーノズル（３）の形状を変えることにより行われる
が、真空排気ポンプ（７０）の調整により容器内の真空
度を変えたり加速部〈５０）の制御によって粒子（４）
の速度を調整し、製氷容器（１）から得られた粒子（４
）が被洗浄物（６〉へ到達するまでの時間を変化させ、
粒子の昇華の度合いを変えて、粒子の粒径の細かい調節
が行える。これにより粒子の速度の調整と相俟って、被
洗浄物へのダメージを制御することができる。これらの
制御は各部分の電源部および駆動装置を統轄して制御す
る洗浄制御部〈８０）によって行われる。
なお、上記実施例では微細凍結粒子を用いた洗浄につい
て説明したが、粒子の噴射制御を利用して半導体基板上
のレジストのパターニングを行っ１１ てもよい。粒子の吹付けによってシリコン基板上のレジ
ストを除去できるので、この場合、粒子の噴流をビーム
状に絞り、部分的にレジストを除去してバターニングを
行うことができる。
て説明したが、粒子の噴射制御を利用して半導体基板上
のレジストのパターニングを行っ１１ てもよい。粒子の吹付けによってシリコン基板上のレジ
ストを除去できるので、この場合、粒子の噴流をビーム
状に絞り、部分的にレジストを除去してバターニングを
行うことができる。
［発明の効果］
以上のようにこの発明による微細凍結粒子による洗浄装
置では、冷却された雰囲気に被凍結液を噴霧して生成さ
れた微細凍結粒子を帯電させ、この帯電された粒子の速
度、方向および粒子の流束の広がりを制御して、被洗浄
物の所望の部分に当てるようにし、かつ真空排気された
容器内でこれらの作業を全て行うようにしたので、粒子
の速度、方向および広がりおよび粒径を細かく制御する
ことができるので、高洗浄度の洗浄が可能でり、また被
洗浄物へのダメージを制御することが可能であるという
効果が得られる。
置では、冷却された雰囲気に被凍結液を噴霧して生成さ
れた微細凍結粒子を帯電させ、この帯電された粒子の速
度、方向および粒子の流束の広がりを制御して、被洗浄
物の所望の部分に当てるようにし、かつ真空排気された
容器内でこれらの作業を全て行うようにしたので、粒子
の速度、方向および広がりおよび粒径を細かく制御する
ことができるので、高洗浄度の洗浄が可能でり、また被
洗浄物へのダメージを制御することが可能であるという
効果が得られる。
第１図はこの発明の一実施例による微細凍結粒子による
洗浄装置の内部構造を概略的に示す透視図、第２図は従
来の微細凍結粒子による洗浄装置２ の内部構造を概略的に示す透視図である。 図において、（１）は製氷容器、（１ａ）は内側製氷ホ
ッパ、（１ｂ）は外側製氷ホッパ、（１ｃ）は供給管、
（１ｄ）は漏斗部、（２）は冷媒体、（３）はシャワー
ノズル、（４〉は微細凍結粒子、（６）は被洗浄物、（
８）は排気口、（３０）は洗浄容器、（４０）は帯電部
、（４１ａ）と（４Ｔｏ）は平行平板電極、（４２）と
（５２〉と（６３）と（６５）は電源部、（５０）は加
速部、（５１ａ）と（５１ｂ）はリング状電極、（６１
ａ）と（６１ｂ）と（６２ａ）と（６２１１＞は平行電
極板、（６４）は電磁レンズ、（７０）は真空排気ポン
プ、〈７１〉は駆動装置、（８０）は洗浄制御部、（１
００）は製氷部、（２００）は洗浄部である。 尚、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
洗浄装置の内部構造を概略的に示す透視図、第２図は従
来の微細凍結粒子による洗浄装置２ の内部構造を概略的に示す透視図である。 図において、（１）は製氷容器、（１ａ）は内側製氷ホ
ッパ、（１ｂ）は外側製氷ホッパ、（１ｃ）は供給管、
（１ｄ）は漏斗部、（２）は冷媒体、（３）はシャワー
ノズル、（４〉は微細凍結粒子、（６）は被洗浄物、（
８）は排気口、（３０）は洗浄容器、（４０）は帯電部
、（４１ａ）と（４Ｔｏ）は平行平板電極、（４２）と
（５２〉と（６３）と（６５）は電源部、（５０）は加
速部、（５１ａ）と（５１ｂ）はリング状電極、（６１
ａ）と（６１ｂ）と（６２ａ）と（６２１１＞は平行電
極板、（６４）は電磁レンズ、（７０）は真空排気ポン
プ、〈７１〉は駆動装置、（８０）は洗浄制御部、（１
００）は製氷部、（２００）は洗浄部である。 尚、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (3)
- （１）冷却された雰囲気中に被凍結液を噴霧して微細凍
結粒子を生成する製氷手段と、 この製氷手段で生成された微細凍結粒子を帯電させた後
、帯電された微細凍結粒子を電磁作用により加速し、さ
らに粒子の方向、粒子の流束の広がりを制御して被洗浄
物に当てる噴射制御手段と、真空排気により真空度可変
の真空状態の空間を形成し、上記微細凍結粒子の生成か
ら粒子を被洗浄物に当てるまでの一連の工程を上記真空
状態中で行わせ、かつ被洗浄物から除去された汚染物お
よび使用済みの粒子を上記真空状態の空間から排除する
真空排気手段と、 を備えた微細凍結粒子による洗浄装置。 - （２）上記製氷手段が上記被凍結液を噴霧するシャワー
ノズルと、上記被凍結液が噴霧される内部の雰囲気が常
に冷却された状態にある製氷容器を有し、 上記噴射制御手段が、上記製氷手段から送られてきた微
細凍結粒子を放電により帯電させる帯電部と、帯電され
た微細凍結粒子を電磁作用により加速する加速部と、帯
電された微細凍結粒子を電磁作用により粒子のＸＹ方向
の方向制御および粒子の流束の広がりを制御する方向・
広がり制御部とを有し、 上記真空排気手段が上記噴射制御手段の各部分および上
記被洗浄物を収納した、上記製氷手段の製氷容器につな
がる洗浄容器と、上記製氷手段の製氷容器および上記洗
浄容器の内部を真空排気するとともに、上記被洗浄物か
ら除去された汚染物および使用済みの粒子を洗浄容器か
ら排除する真空排気ポンプとを有する特許請求の範囲第
１項に記載の微細凍結粒子による洗浄装置。 - （３）上記噴射洗浄手段の各部の電源部および上記真空
排気手段の真空排気ポンプの駆動装置を統轄して制御し
、上記容器内の真空度および上記粒子の加速度を調節す
ることで粒子の被洗浄物までの到達時間を変えることに
より、粒子の速度および粒径の細かい制御等を行う洗浄
制御手段をさらに備えた特許請求の範囲第２項に記載の
微細凍結粒子による洗浄装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2031547A JP2825301B2 (ja) | 1990-02-14 | 1990-02-14 | 微細凍結粒子による洗浄装置 |
| US07/653,960 US5074083A (en) | 1990-02-14 | 1991-02-12 | Cleaning device using fine frozen particles |
| DE4104543A DE4104543C2 (de) | 1990-02-14 | 1991-02-14 | Mit feinen Eisteilchen arbeitende Reinigungsvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2031547A JP2825301B2 (ja) | 1990-02-14 | 1990-02-14 | 微細凍結粒子による洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03238074A true JPH03238074A (ja) | 1991-10-23 |
| JP2825301B2 JP2825301B2 (ja) | 1998-11-18 |
Family
ID=12334220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2031547A Expired - Lifetime JP2825301B2 (ja) | 1990-02-14 | 1990-02-14 | 微細凍結粒子による洗浄装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5074083A (ja) |
| JP (1) | JP2825301B2 (ja) |
| DE (1) | DE4104543C2 (ja) |
Families Citing this family (25)
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| US5409418A (en) * | 1992-09-28 | 1995-04-25 | Hughes Aircraft Company | Electrostatic discharge control during jet spray |
| EP0594916B1 (de) * | 1992-10-21 | 1997-08-27 | Alfredo Piatti Ag Bauunternehmung | Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Oberflächen, insbesondere von Mauerwerk |
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| US7297286B2 (en) * | 2002-07-29 | 2007-11-20 | Nanoclean Technologies, Inc. | Methods for resist stripping and other processes for cleaning surfaces substantially free of contaminants |
| WO2005096699A2 (en) * | 2004-04-06 | 2005-10-20 | Craig Randall H | Control of liquid droplet stream with electro-nebulizer |
| IT202000004678A1 (it) * | 2020-03-05 | 2021-09-05 | Milano Politecnico | Sistema per la deposizione di microparticelle |
| CN112361357B (zh) * | 2020-10-21 | 2023-08-04 | 江苏旭龙环境科技有限公司 | 一种废气油漆的管道粘油处理装置 |
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| US3702519A (en) * | 1971-07-12 | 1972-11-14 | Chemotronics International Inc | Method for the removal of unwanted portions of an article by spraying with high velocity dry ice particles |
| FR2174331A5 (ja) * | 1972-02-29 | 1973-10-12 | Air Liquide | |
| US4389820A (en) * | 1980-12-29 | 1983-06-28 | Lockheed Corporation | Blasting machine utilizing sublimable particles |
| DE3324710C1 (de) * | 1983-07-08 | 1984-05-30 | Jost Dipl.-Ing. 2150 Buxtehude Wadephul | Vorrichtung zum Beschleunigen von Strahlmittel |
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| US5009240A (en) * | 1989-07-07 | 1991-04-23 | United States Of America | Wafer cleaning method |
-
1990
- 1990-02-14 JP JP2031547A patent/JP2825301B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-02-12 US US07/653,960 patent/US5074083A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-02-14 DE DE4104543A patent/DE4104543C2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5074083A (en) | 1991-12-24 |
| DE4104543C2 (de) | 1994-10-20 |
| DE4104543A1 (de) | 1991-09-12 |
| JP2825301B2 (ja) | 1998-11-18 |
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