JPH032347B2 - - Google Patents
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- JPH032347B2 JPH032347B2 JP59164671A JP16467184A JPH032347B2 JP H032347 B2 JPH032347 B2 JP H032347B2 JP 59164671 A JP59164671 A JP 59164671A JP 16467184 A JP16467184 A JP 16467184A JP H032347 B2 JPH032347 B2 JP H032347B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光透過用窓付構体の製造方法に関し、
一層詳細には、光透過用窓面に異物を付着させる
ことなく製造しうる光透過用窓付構体の製造方法
に関する。
一層詳細には、光透過用窓面に異物を付着させる
ことなく製造しうる光透過用窓付構体の製造方法
に関する。
半導体レーザー装置等のように光が透過する光
透過用窓部材を有する光透過用窓付構体において
は、光損失を極力抑えるため、光透過用窓面に極
力異物の付着のないものが要求される。
透過用窓部材を有する光透過用窓付構体において
は、光損失を極力抑えるため、光透過用窓面に極
力異物の付着のないものが要求される。
従来のこの種の光透過用窓付構体の製造方法に
ついて、半導体レーザー装置用などの光透過用キ
ヤツプを例として説明する。
ついて、半導体レーザー装置用などの光透過用キ
ヤツプを例として説明する。
第１図はそのキヤツプ１０を示す。１２はキヤ
ツプ本体、１４はキヤツプ本体１２上面に開口し
た透孔に低融点ガラス１６で気密封止された光透
過用窓ガラスである。
ツプ本体、１４はキヤツプ本体１２上面に開口し
た透孔に低融点ガラス１６で気密封止された光透
過用窓ガラスである。
光透過用窓ガラス１４をキヤツプ本体１２に低
融点ガラス１６を用いて気密封止するには、まず
金属製のキヤツプ本体１２に、低融点ガラス１６
の強固な密着性を得るために、600℃〜900℃のウ
エツト酸化雰囲気中で加熱して酸化膜を形成し、
次いで有機溶剤等を添加してペースト状とした低
融点ガラスをキヤツプ本体１３の透孔縁に塗布
し、加熱してグレーズする。次いで電気炉中でこ
のグレーズした低融点ガラス１６によつて光透過
用窓ガラス１４を溶着して気密封止する。
融点ガラス１６を用いて気密封止するには、まず
金属製のキヤツプ本体１２に、低融点ガラス１６
の強固な密着性を得るために、600℃〜900℃のウ
エツト酸化雰囲気中で加熱して酸化膜を形成し、
次いで有機溶剤等を添加してペースト状とした低
融点ガラスをキヤツプ本体１３の透孔縁に塗布
し、加熱してグレーズする。次いで電気炉中でこ
のグレーズした低融点ガラス１６によつて光透過
用窓ガラス１４を溶着して気密封止する。
そして最後にキヤツプ本体１２上の酸化膜を剥
離してニツケルめつき等のめつきを施すものであ
る。
離してニツケルめつき等のめつきを施すものであ
る。
しかるに上記方法によるときは、低融点ガラス
成分がめつき前処理液、めつき液中に溶出し、こ
れら溶出成分や液中の他の微粒子が光透過用窓ガ
ラス１４のガラス面に付着したり、低融点ガラス
の表面が荒れるという問題が生じる。
成分がめつき前処理液、めつき液中に溶出し、こ
れら溶出成分や液中の他の微粒子が光透過用窓ガ
ラス１４のガラス面に付着したり、低融点ガラス
の表面が荒れるという問題が生じる。
この問題点を解決するため、特開昭58−46657
号公報に示される方法では、キヤツプ本体にまず
必要なめつきを施し、しかる後に低融点ガラスで
光透過用窓ガラスを気密封止するようにしてい
る。
号公報に示される方法では、キヤツプ本体にまず
必要なめつきを施し、しかる後に低融点ガラスで
光透過用窓ガラスを気密封止するようにしてい
る。
すなわち、キヤツプ本体の低融点ガラスを接着
する部分をマスク材でカバーしてめつきした後マ
スク材を除去して予備酸化するか、あるいは予備
酸化したキヤツプ本体の低融点ガラスを接着する
部分をマスク材でカバーしてめつきした後マスク
材を除去し、しかるのち予備酸化部に低融点ガラ
スを用いて光透過用窓ガラスを封止するようにし
ている。
する部分をマスク材でカバーしてめつきした後マ
スク材を除去して予備酸化するか、あるいは予備
酸化したキヤツプ本体の低融点ガラスを接着する
部分をマスク材でカバーしてめつきした後マスク
材を除去し、しかるのち予備酸化部に低融点ガラ
スを用いて光透過用窓ガラスを封止するようにし
ている。
上記方法により、低融点ガラスがめつき液等に
侵されたり、異物が窓ガラス面に付着するのを防
止できるが、上記方法では、ガラス接着部にめつ
きが施されないように、めつき用マスキング工程
が必要であり、従つてこのマスク材の除去工程が
めつき処理後に必要となり、工数およぼ所要時間
が増大し、コストが上昇するという新たな問題が
発生した。
侵されたり、異物が窓ガラス面に付着するのを防
止できるが、上記方法では、ガラス接着部にめつ
きが施されないように、めつき用マスキング工程
が必要であり、従つてこのマスク材の除去工程が
めつき処理後に必要となり、工数およぼ所要時間
が増大し、コストが上昇するという新たな問題が
発生した。
本発明は上記問題点を解消すべくなされたもの
であり、その目的とするところは、マスキング工
程、マスク材の除去工程が必要でなく、工数の低
減、コストの低減化が図れる光透過用窓付構体の
製造方法を提供するにある。
であり、その目的とするところは、マスキング工
程、マスク材の除去工程が必要でなく、工数の低
減、コストの低減化が図れる光透過用窓付構体の
製造方法を提供するにある。
本発明では、金属製窓枠にガラスによつて気密
封止される光透過用窓部材を有する光透過用窓付
構体の製造方法において、前記金属製窓枠に必要
な酸化膜を形成したのち該金属製窓枠の前記光透
過用窓部材の封止部にガラスを溶着し、しかるの
ちに前記酸化膜を除去して金属製窓枠を含む必要
部にめつきを施し、次いで上記のガラスによつて
前記光透過用窓部材を金属製窓枠に封止すること
を特徴としている。
封止される光透過用窓部材を有する光透過用窓付
構体の製造方法において、前記金属製窓枠に必要
な酸化膜を形成したのち該金属製窓枠の前記光透
過用窓部材の封止部にガラスを溶着し、しかるの
ちに前記酸化膜を除去して金属製窓枠を含む必要
部にめつきを施し、次いで上記のガラスによつて
前記光透過用窓部材を金属製窓枠に封止すること
を特徴としている。
以下本発明の好適な実施例を半導体レーザー装
置のキヤツプを例として添付図面に基づき詳細に
説明する。
置のキヤツプを例として添付図面に基づき詳細に
説明する。
まず前記したキヤツプ本体１２を約600℃〜900
℃のウエツト酸化雰囲気中で加熱し酸化膜を形成
する。次いでこのキヤツプ本体１２の封止部たる
透孔周縁に、適宜な有機バインダー、溶剤等を添
加してペースト状とした低融点ガラスを塗布し、
80℃〜150℃に加熱して乾燥した後、約300℃に加
熱して有機バインダー等を揮散させ、さらに約
420℃と加熱してグレーズする。ここまでは従来
と同一工程である。
℃のウエツト酸化雰囲気中で加熱し酸化膜を形成
する。次いでこのキヤツプ本体１２の封止部たる
透孔周縁に、適宜な有機バインダー、溶剤等を添
加してペースト状とした低融点ガラスを塗布し、
80℃〜150℃に加熱して乾燥した後、約300℃に加
熱して有機バインダー等を揮散させ、さらに約
420℃と加熱してグレーズする。ここまでは従来
と同一工程である。
本発明においてはこの段階でめつきを施してし
まうものである。
まうものである。
すなわち、上記のキヤツプ本体１２を酸に浸漬
してキヤツプ本体１２上にあらかじめ形成されて
いる前記酸化膜を除去し、次にめつき前処理を行
い、めつきに適した表面状態にする。この状態の
キヤツプ本体１２をめつき液に浸し、ニツケルめ
つきを施す。キヤツプ本体１２は孔あき状態であ
るから、めつき液等の液切りも良好である。
してキヤツプ本体１２上にあらかじめ形成されて
いる前記酸化膜を除去し、次にめつき前処理を行
い、めつきに適した表面状態にする。この状態の
キヤツプ本体１２をめつき液に浸し、ニツケルめ
つきを施す。キヤツプ本体１２は孔あき状態であ
るから、めつき液等の液切りも良好である。
次に、あらかじめ十分に洗浄して異物の付着の
ない状態とした光透過用窓ガラス１４をキヤツプ
本体１２に組み込み、これを電気炉中にセツトし
て、約500℃のN2ガス等の非酸化性雰囲気中で低
融点ガラス１６を溶融し、光透過用窓ガラス１４
をキヤツプ本体１２に気密封止する。
ない状態とした光透過用窓ガラス１４をキヤツプ
本体１２に組み込み、これを電気炉中にセツトし
て、約500℃のN2ガス等の非酸化性雰囲気中で低
融点ガラス１６を溶融し、光透過用窓ガラス１４
をキヤツプ本体１２に気密封止する。
電気炉を非酸化性雰囲気に保つのは、キヤツプ
本体１２に施したニツケルめつき皮膜上にニツケ
ルの強固な酸化膜を形成させないためである。こ
の酸化膜が形成されると容易には除去できず、は
んだ付け性が阻害される不具合がある。
本体１２に施したニツケルめつき皮膜上にニツケ
ルの強固な酸化膜を形成させないためである。こ
の酸化膜が形成されると容易には除去できず、は
んだ付け性が阻害される不具合がある。
なお上記においては半導体レーザー装置などの
光透過用キヤツプで説明したが、本発明はこれに
限られず、金属製窓枠にガラス、サフアイヤなど
の光透過用窓部材を低融点ガラスやコバールガラ
ス等の硬質ガラスなどのガラスを用いて気密封止
するものであればいかなるものにも応用しうるこ
とはもちろんである。
光透過用キヤツプで説明したが、本発明はこれに
限られず、金属製窓枠にガラス、サフアイヤなど
の光透過用窓部材を低融点ガラスやコバールガラ
ス等の硬質ガラスなどのガラスを用いて気密封止
するものであればいかなるものにも応用しうるこ
とはもちろんである。
なお、上記ガラスは予め所要の形状に成形した
ものを用いることもできる。
ものを用いることもできる。
以上のように本発明方法によれば、金属製窓枠
の光透過用窓部材の封止部にガラスを溶着し、酸
化膜を除去して金属製窓枠を含む必要部にめつき
を施し、次いで上記のガラスをそのまま用いて光
透過用窓部材を窓枠に封止するようにしているの
で、上記ガラスがめつき工程でのマスクとしても
機能し、従来のように別途マスク材を使用してマ
スキングする工程、またこれを除去する工程を行
う必要がなく、工数の削減、コストの低減化が図
れるのである。めつきを施す際めつき液等によつ
てガラスの表面が荒れるが、光透過用窓部材を封
止する際の熱によつて平滑になり、外観を損ねる
ことなく気密封止が行える。
の光透過用窓部材の封止部にガラスを溶着し、酸
化膜を除去して金属製窓枠を含む必要部にめつき
を施し、次いで上記のガラスをそのまま用いて光
透過用窓部材を窓枠に封止するようにしているの
で、上記ガラスがめつき工程でのマスクとしても
機能し、従来のように別途マスク材を使用してマ
スキングする工程、またこれを除去する工程を行
う必要がなく、工数の削減、コストの低減化が図
れるのである。めつきを施す際めつき液等によつ
てガラスの表面が荒れるが、光透過用窓部材を封
止する際の熱によつて平滑になり、外観を損ねる
ことなく気密封止が行える。
以上本発明につき好適な実施例を挙げて種々説
明したが、本発明はこの実施例に限定されるもの
ではなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多く
の改変を施し得るのはもちろんのことである。
明したが、本発明はこの実施例に限定されるもの
ではなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多く
の改変を施し得るのはもちろんのことである。
第１図は半導体レーザー装置用などの光透過用
キヤツプの断面説明図である。 １０……キヤツプ、１２……キヤツプ本体、１
４……光透過用窓ガラス、１６……低融点ガラ
ス。
キヤツプの断面説明図である。 １０……キヤツプ、１２……キヤツプ本体、１
４……光透過用窓ガラス、１６……低融点ガラ
ス。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 金属製窓枠にガラスによつて気密封止される
光透過用窓部材を有する光透過用窓付構体の製造
方法において、 前記金属製窓枠に必要な酸化膜を形成したのち
該金属製窓枠の前記光透過用窓部材の封止部にガ
ラスを溶着し、しかるのちに前記酸化膜を除去し
て金属製窓枠を含む必要部にめつきを施し、次い
で上記のガラスによつて前記光透過用窓部材を金
属製窓枠に封止することを特徴とする光透過用窓
付構体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59164671A JPS6142936A (ja) | 1984-08-06 | 1984-08-06 | 光透過用窓付構体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59164671A JPS6142936A (ja) | 1984-08-06 | 1984-08-06 | 光透過用窓付構体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6142936A JPS6142936A (ja) | 1986-03-01 |
| JPH032347B2 true JPH032347B2 (ja) | 1991-01-14 |
Family
ID=15797615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59164671A Granted JPS6142936A (ja) | 1984-08-06 | 1984-08-06 | 光透過用窓付構体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6142936A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6331140A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-09 | Toshiba Components Kk | 半導体用窓付パツケ−ジの製造方法 |
| JPH0777241B2 (ja) * | 1986-07-25 | 1995-08-16 | 東芝コンポ−ネンツ株式会社 | 半導体用窓付パツケ−ジの製造方法 |
| JPH0799786B2 (ja) * | 1986-11-13 | 1995-10-25 | 新光電気工業株式会社 | 光透過用キヤツプおよびその製造方法 |
| US6420205B1 (en) | 1999-03-24 | 2002-07-16 | Kyocera Corporation | Method for producing package for housing photosemiconductor element |
| JP6644745B2 (ja) * | 2017-08-25 | 2020-02-12 | エーディーワイ株式会社 | 紫外線光素子、紫外線光素子用パッケージ及び紫外線光素子に用いられる光学部材並びにその光学部材の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5846657A (ja) * | 1981-09-11 | 1983-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガラス窓付キヤツプの製造方法 |
-
1984
- 1984-08-06 JP JP59164671A patent/JPS6142936A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5846657A (ja) * | 1981-09-11 | 1983-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガラス窓付キヤツプの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6142936A (ja) | 1986-03-01 |
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