JPH03234605A - レジン成形装置 - Google Patents

レジン成形装置

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JPH03234605A
JPH03234605A JP2031788A JP3178890A JPH03234605A JP H03234605 A JPH03234605 A JP H03234605A JP 2031788 A JP2031788 A JP 2031788A JP 3178890 A JP3178890 A JP 3178890A JP H03234605 A JPH03234605 A JP H03234605A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は半導体ウェーハの周縁部に絶縁レジンを成形す
るためのレジン成形装置に関する。
（従来の技術） 半導体ウェーハの周縁部に絶縁レジンを成形するための
レジン成形装置として、上型と、この上型との間で半導
体ウェーハを押圧保持する下型とを備えたものが知られ
ている。そして、半導体つ工−ハの周縁部に、上型と下
型との間で絶縁レジン充てん用のレジン空間が形成され
ている。
なお、上述した上型および下型は、ステンレス等の金属
材料、または３フッ化樹脂、４フッ化樹脂等の樹脂材料
から形成されている。
絶縁レジンを成形する際は、半導体ウェーハを上型と下
型との間で押圧して型締め、レジン空間内に絶縁レジン
を充てんし、予め加熱されている上型と下型の熱により
、レジンは硬化される。
（発明が解決しようとする課題） 上述のように、上型および下型はステンレス等の金属材
料、または３フッ化樹脂、４フッ化樹脂等の樹脂材料に
より形成されている。
しかしながら、上型および下型を金属材料によって形成
した場合は、絶縁レジンか上型および下型に接着して離
型性が悪化し、絶縁レジンの成形作業に支障が生ずる。
また、上型および下型を３フッ化樹脂および４７ソ化樹
脂等により形成した場合は、上型と下型との型締め回数
か増えるにつれて上型とＦ型が変形してしまうことがあ
り、量産に適さないという問題がある。また上型と下型
か変形した場合は、これらを交換する必要があり、その
労費用かかかってしまうという問題がある。さらに、３
フッ化樹脂等の樹脂材料は熱伝導か態いので、上型およ
び下型を加熱するための加熱電力を多量に必要とすると
いう問題がある。
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、
上型および下型の変形を防止でき、かつ離型性の向上を
図ることができるレジン成形装置を提供すことを目的と
する。
〔発明の構成〕 （課題を解決するための手段） 本発明は、上金型と、この上金型との間で半導体ウェー
ハを押圧保持するとともに、半導体つ工−ハの周縁部に
前記上金型との間で絶縁レジン充てん用のレジン空間を
形成する下金型とを備え、前記上金型と前記下金型のう
ち、前記半導体ウェハとの当接面および前記レジン空間
の内面を、絶縁レジンと接着しない弾性材料で被覆した
ことを特徴とするレジン成形装置である。
（作　用） 本発明によれば、上金型と下金型のうち、半導体ウェー
ハとの当接面およびレジン空間の内面を絶縁レジンと接
着しない弾性材料で被覆したので、半導体ウェーハを弾
性保持することができるとともに離型性の向上を図るこ
とができる。
（実施例） 以下、図面を参照して本発明の実施例について説明する
。
第１図乃至第４図は本発明によるレシン成形装置の一実
施例を示す図である。
第１図に示すように、レジン成形装置は上金型７と、こ
の上金型７との間で半導体ウェーハ１０を抑圧保持する
下金型８とを備えている。上金型７および下金型８は、
いずれも金属製となっている。また、下金型８は下金型
用ヒータブロック４上に下金型用ホルダ６を介して取付
けられており、−力士金型７は上下方向に移動自在の上
金型用ヒータブロック３に上金型用ホルダ５を介して取
付けられている。
また、上金型７と下金型８との間であって、半導体ウェ
ーハ１０の周縁部に対応する部分に、例えばシリコン樹
脂等の絶縁レジン２を充てんするためのレジン空間２０
が環状に形成されている。
また、下金型用ホルダ６には、外部からレジン空間２０
内に絶縁レジン２を注入する注入口１２が形成され、一
方、上金型用ホルダ５にはこの注入口１２を密閉するた
めのレジンストッパ９が設けられている。
さらに下金型８には、半導体ウェーハ１０を真空引きし
て下金型８に密着させるための真空孔１１が形成され、
この真空孔１１は真空・高圧ライン１５に接続されてい
る。この真空・高圧ライン１５は真空孔１１を真空状態
または高圧状態とするものである。
また、第２図に示すように、上金型７のうち半導体ウェ
ーハ１０と当接する当接面７ａ、および下金型８のうち
半導体ウェーハ１０と当接する当接面８ａには、絶縁レ
ジンと接着しない弾性材料、例えば３フッ化樹脂または
４フッ化樹脂が被覆されている。さらに上金型７および
下金型８のうち、レジン空間２０の内面を形成する部分
７ｂおよび８ｂにも、上述した弾性材料か被覆され、ま
たレジン空間２０の注入口１２の内面にも同様に弾性材
料が被覆されている。
この弾性材料は、上述のようにシリコン樹脂等からなる
絶縁レジンと接着しないようになっており、また半導体
ウェーハ１０と弾性的に当接するようになっている。
次にこのような構成からなる本実施例の作用について説
明する。
まず、上金型用ヒータブロック３を駆動部（図示せず）
により上昇させ、上金型用ホルダ５を上昇位置１４まて
持ってくる（第１図および第３図２点鎖線の位置）。こ
の状態で下金型８上に半導体ウェーハ１０を載置し、真
空孔１１を真空状態として半導体ウェーハ１０を下金型
８上に密着させる。続いて上金型用ヒータブロック３を
降下させ、半導体ウェーハ１０を上金型７と下金型８と
の間で押圧して型締める。この場合、第２図に示すよう
に、上金型用ホルダ５がド金型用ホルダ６内に入り込み
、この下金型用ホルダ６がレジン空間２０の外面を形成
する。
続いて、注入口１２からレジン空間２０内に絶縁レジン
２を充てんする。この場合、上金型７と下金型８はそれ
ぞれ上金型用ヒータブロック３と下金型用ヒータブロッ
ク４により、予め加熱されている。そしてこの上金型７
と下金型８とにより、レジン空間２０内の絶縁レジン２
を加熱硬化させ、半導体ウェーハ１０の周縁部に絶縁レ
ジン２を成形する。
その後、再び上金型用ヒータブロック３を上昇させ、下
金型８から上金型５を引離す。続いて真空孔１１内に高
圧エアを吹込みながら、下金型８上から半導体ウェーノ
１１Ｏを取外す。
このようにして、第４図に示すような周縁部に絶縁レジ
ン２か成形された半導体ウエーノ＼１０が得られる。
以上説明したように、本実施例によれば、上金型７と下
金型８のうち、半導体ウエーノ＼１０に当接する当接面
７ａおよび８ａを弾性材で被覆したので、半導体ウェー
／＼１０を抑圧する場合、片当すせず弾性保持すること
ができる。このため、半導体ウェーハ１０の割れを確実
に防止することができる。また、上金型７および下金型
８のうち、レジン空間内面を形成する部分７ｂおよび８
ｂを絶縁レジン２と接着しない弾性材で被覆したので、
離型性の向上を図ることかできるとともに、上金型７お
よび下金型８と絶縁レジン２が付着することを防止する
ことかできる。また注入口１２にも弾性材が被覆されて
いるので、注入口１２内面への絶縁レジン２の付着を防
止できる。さらに、上金型７と下金型８の被覆内部は丈
夫な金属製となっているので、樹脂型に比較して熱伝導
性が良く加熱用電力を少なく押えることができるととも
に、上金型７と下金型８の変形を防止することができる
。〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば、半導体ウェーハ
を上金型と下金型との間で弾性保持することができると
ともに、離型性の向上を図ることかできる。このため、
半導体ウェーハの割れを防止することができるとともに
、絶縁レジンを精度良く半導体ウェーハの周縁部に成形
することができる。
分を示す部分拡大図であり、第３図は第１図■線方向矢
視図であり、第４図は周縁部に絶縁レジンが成形された
半導体ウェーハを示す図である。
２・・・絶縁レジン、７・・・上金型、７ａ・・・半導
体つ工−ハ当接面、７ｂ・・レジン空間内面、８・・・
下金型、８ａ・・・半導体ウェーハ当接面、８ｂ・・・
レジン空間内面、１０・・・半導体ウェーハ、２０・・
・レジン空間。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、上金型と、この上金型との間で半導体ウェーハを押
    圧保持するとともに、半導体ウェーハの周縁部に前記上
    金型との間で絶縁レジン充てん用のレジン空間を形成す
    る下金型とを備え、前記上金型と前記下金型のうち、前
    記半導体ウェーハとの当接面および前記レジン空間の内
    面を絶縁レジンと接着しない弾性材料で被覆したことを
    特徴とするレジン成形装置。 ２、弾性材料は３フッ化樹脂または４フッ化樹脂からな
    ることを特徴とする請求項１記載のレジン成形装置。
JP2031788A 1990-02-13 1990-02-13 レジン成形装置 Granted JPH03234605A (ja)

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