SE508968C2 - Förfarande för att göra elastiska kulor - Google Patents
Förfarande för att göra elastiska kulorInfo
- Publication number
- SE508968C2 SE508968C2 SE9604675A SE9604675A SE508968C2 SE 508968 C2 SE508968 C2 SE 508968C2 SE 9604675 A SE9604675 A SE 9604675A SE 9604675 A SE9604675 A SE 9604675A SE 508968 C2 SE508968 C2 SE 508968C2
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- mold
- mould
- bumps
- release agent
- steps
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/38—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the material or the manufacturing process
- B29C33/3842—Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining
- B29C33/3857—Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining by making impressions of one or more parts of models, e.g. shaped articles and including possible subsequent assembly of the parts
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/42—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the shape of the moulding surface, e.g. ribs or grooves
- B29C33/424—Moulding surfaces provided with means for marking or patterning
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/56—Coatings, e.g. enameled or galvanised; Releasing, lubricating or separating agents
- B29C33/58—Applying the releasing agents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/56—Coatings, e.g. enameled or galvanised; Releasing, lubricating or separating agents
- B29C33/60—Releasing, lubricating or separating agents
- B29C33/62—Releasing, lubricating or separating agents based on polymers or oligomers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/56—Coatings, e.g. enameled or galvanised; Releasing, lubricating or separating agents
- B29C33/60—Releasing, lubricating or separating agents
- B29C33/62—Releasing, lubricating or separating agents based on polymers or oligomers
- B29C33/64—Silicone
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
10
15
20
25
30
508 968
US patent 5.064.583, al, beskriver
ett förfarande för att anbringa silan släppskikt. Emellertid
John J. Dagostino et.
är omgivningen under anbringandet inte begränsad till att va-
ra fritt från fukt, varvid formbara skikt inte produceras.
Den europeiska patentskriften 0 244 884 Al, Ponjèe Jo-
hannes Jacobus, beskriver ett förfarande för att föra mycket
tunna släppskikt av vattenfritt anbringad silan, men nämner
inte gjutningar med Si med etsade V-spår.
Sammanfattning
Uppfinningen har löst problemet med att gjuta mikrome-
terstora elastiska konstruktioner med hjälp av en mikroma-
skinbearbetad Si-gjutform.
Uppfinningen används för produkter inom områdena elek-
tronik och opto-elektronik för elektriska och optiska kon-
taktdon och mekanisk inriktning av komponenter.
Där finns också andra tillämpningsområden som erfordrar
små elastiska konstruktioner med hög precision.
Uppfinningen beskriver en reproducerbar gjutteknik för
att åstadkomma elastiska bulor som en perfekt återgivning av
gjutformen. Spåren kan ha en 5-hörns pentaeder eller pyramid-
form och bulorna kan ha en trunkerad 5-hörns pentederform el-
ler trunkerad pyramidform. Gjutformen är gjord av ett eller
flera spår etsade i en kiselskiva av samma typ som används
vid tillverkning av IC-kretsar, med hjälp av spår etsade i en
polerad sida. Ett släppmedel används, eftersom i annat fall
vidhäftar elastomeren, typiskt en silikonelastomer, mycket
starkt pá gjutformens yta under härdning. Släppmedlet kan va-
ra exempelvis "Parylene” eller silan. När släppmedlet har an-
10
15
20
25
30
35
5os 96s
bringats på gjutformen adderas den flytande icke-härdade
elastomeren på gjutformen och härdas i en ugn.
Uppfinningen kan använda ett beläggningsförfarande och
material för att åstadkomma ett släppmedel, som bildar ett
synnerligen formbart skikt på gjutformens yta, varigenom de
nanometer stora detaljerna hos topografin och gjutformens to-
tala mått bevaras. Genom att använda en ovan beskriven gjut-
form är det möjligt att göra elastiska bulor med mycket pre-
cision. De kan gjutas till en separat konstruktion eller på
de flesta substrat.
En fördel hos uppfinningen är att den använder kända ma-
terial och beläggningsförfaranden för att bilda extremt form-
bara skikt på Si-gjutformen så att elastomeren inte vid-
häftar.
En annan fördel hos uppfinningen är att släppskiktet är
extremt formbart.
En ytterligare fördel hos uppfinningen är gjutningen av
mikrometerstora konstruktioner.
En ytterligare fördel hos uppfinningen är att de elas-
tiska bulorna utgör en perfekt återgivning av gjutformen.
En ytterligare fördel hos uppfinningen är att det är
lätt att göra i ordning släppskiktet på gjutformen.
En ytterligare fördel hos uppfinningen är att samma
gjutform kan återanvändas.
Uppfinningen beskrivs nu vidare med hänvisning till den
detaljerade beskrivningen av de föredragna utföringsformerna
och de bifogade figurerna.
10
15
20
25
30
508 968
Kortfattad figurbeskrivning
Fig. 1 visar ett tvärsnitt av en typisk gjutform med
spår.
W Fig. 2 visar ett tvärsnitt av elastiska bulor gjutna på
ett substrat.
Fig. 3a-b visar tvärsnitt av alternativa elastiska bulor
gjutna på ett substrat.
Fig. 4 visar i ett tvärsnitt en alternativ struktur av
fristående elastiska bulor.
Fig. 5a-f visar vyer ovanifrån av olika elastiska bulor.
Detaljerad beskrivning av utföringsformer
Uppfinningen löser problemet med att bearbeta en mikro-
maskinbearbetad Si-gjutform, som formar konstruktioner eller
bulor av elastomer med en màttnoggrannhet under mikrometerom-
rådet, dvs en perfekt återgivning av den använda gjutformen,
och kan lätt separera bulorna från gjutformen.
En gjutform 100 används för att tillverka de elastiska
bulorna, se fig. 1. Den iordninggjorda gjutformen 100 är
gjord är en mikromaskinbearbetad Si-skiva. Spåren i gjutfor-
men 100 har gjorts på traditionellt sätt. En etsningsmask an-
vänds för att göra spåren 104, 106. Beroende på etsningsmas-
kens öppningsstorlek bestäms djupet och formen på spåren 104,
106, som i sin tur bestämmer storleken och formen på bulorna
202, 204,
fordras ett släppmedel,
se fig. 2. Innan silikon-elastomeren anbringas er-
eftersom elastomeren, vanligtvis en
silikon-elastomer, vidhäftar mycket kraftigt på gjutformens
10
15
20
25
30
s 508 968
100 yta under härdningen. Släppmedlet kan vara Parylene eller
silan, som bildar ett släppskikt 118 som är formbart över
ytan. När släppmedlet har anbringats på gjutformen 100 adde-
ras den flytande icke-härdade elastomeren på gjutformen och
härdas i en ugn. Bulorna 202, 204 kan bildas genom etsning av
gjutformen 100, antingen så att bulorna separat bildar en
tunn separat struktur, med bulorna på en eller två sidor/s,
se fig. 3, eller så görs bulorna på ett godtyckligt substrat,
se fig. 2.
En mer detaljerad beskrivning av hur bulor tillverkas
följer nedan. Mycket väldefinierade rektangulära eller fyr-
kantiga spår 104, 106 kan göras i en enda kristallin kisel-
skiva, om den etsas anisotropiskt, exempelvis i (100), (110),
(lll)
de önskade elastiska bulorna. Ett etsningsförfarande är an-
skivor. Spàrens storlek och form är exakt densamma som
isotropisk etsning och användningen av (100) riktade skivor.
Mikromaskinbearbetning av spår 104, 106 i kiselskivor, och
andra enskilda kristallmaterial, med anisotropisk etsning,
utgör välkänd teknik. Den använda etsmasken kan bestå av ett
skikt av Sign (~1600Å) och ett mellanliggande skikt av SiO2
<~5soÅ)
etsmedel är 4M-lösningen KOH,
etshastigheter för de tre huvudkristallriktningarna (100)
(110) (111), är 100 160 : 1.
85°C. Det tar ungefär åtta timmar att etsa genom en (100)
för att minska spänningar i nitriden. Ett ofta använt
för vilken typiska relativa
Etsningen genomförs vid 75-
skiva, 2 500um tjock. Användningen av (100) riktade skivor
alstrar V-spår, vars sidoväggar 110-116 åstadkommes i spåren
104, 106 i (111) plan, som har en vinkel a om 54,7° i för-
hallande till en yta vinkelrät mot (100) skivan. Spårens 104,
106 bredd och läge på skivan bestäms av öppningarna i den
etsmask som tillverkats genom standarprocesser för elek-
tronisk produktion vid en upplösning under mikrometerområdet.
10
15
20
25
30
508 968 6
Reproducerbarheten hos masklitografi och kiseletsning är
mycket hög.
204 pá
som är repliker av de ovan tillverkade
I fig. 2 visas mycket väldefinierade bulor 202,
ett substrat 206,
spåren 104, 106,
gjutformen 100 har gjorts,användssläppmedlet så att det
se fig. 1. Följande förfarande används. När
elastiska materialet inte vidhäftar på gjutformens 100 yta.
Detta gör gjutformen 100 àteranvändningsbar. Varje gång bul-
orna 202, 204 tillverkas har de samma konstruktion som tid-
igare bulor gjorda av samma gjutform 100. Konstruktionen 208
som innefattar bulorna 202, 204 har exakt samma utformning,
med samma mått och avstånd från varandra som i gjutformen
100.
det nödvändigt att avlägsna damm och andra partiklar fràn
Innan släppmedlet anbringas pà gjutformens 100 yta är
ovannämnda yta. Ett mycket tunt oxidskikt blir kvar pà ytan.
Därefter doppas gjutformen 100 i en etanolvätska, som har en
liten mängd silan. Silanen bildar en mono-skiktyta på gjut-
formen 100, Den bildar ett mycket tunt
och formbart skikt 118 genom tillväxt. Ett annat sätt att
som utgör släppmedlet.
anbringa släppmedlet är att använda ett gasfas-beläggnings-
förfarande. Nästa steg är att täcka gjutformen 100 med en
härdbar elastisksammansättning, samtidigt som tjockleken
styrs genom tryckning, skrapning eller sprutning. Därefter
trycks gjutformen 100 och substratet 206 ihop. Beroende pà
komplexiteten hos den struktur som skall gjutas, kan luft-
bubblor bli kvar i elastomeren under beläggningen. Sådana
eventuella bubblor kan avlägsnas genom att placera paketet i
vacuum före härdning. Det är också möjligt att inrikta sub-
stratet i förhàllandetill gjutformen för att åstadkomma bulor
vid en specificerad plats pä substratet. Paketet kan sedan
placeras i en ugn vid en förhöjd temperatur för att härda
sammansättningen, vanligtvis vid l50° under 2 timmar. Det
elastomeriska materialet formas genom härdning efter spåren
104, 106 i gjutformen 100. Efter härdning separeras struk-
10
15
20
25
30
v 508 968
turen 208 från gjutformen 100. Om ett styvt substrat används
måste separeringen genomföras i vakuum på grund av samman-
sättningens lufttäta passning med gjutformen 100. För
specifika tillämpningar kan substratet 206 vara gjort av
elastiskt material, som underlättar separeringen. Dessutom
kan gjutformen vara konstruerad så att bulorna 202, 204 får
spetsar 302, 304, istället för att vara
trunkerade. Andra möjliga konstruktioner av bulor visas i
se fig. 3a,
fig. 3b. Bulkonstruktionerna är inte begränsade till de som
visas i fig. 2 till fig. 5.
Andra typer av högprecisionskomponenter kan göras i
delar med bulor genom att använda en
två delar; bulor på ett styvt eller flex-
ordning: fristående
gjutform i en eller
ibelt substrat genom att anbringa silikonelastomeren mellan
gjutformen och substratet. Användningen av det flexibla sub-
stratet, såsom en polymerfolie förenklar separeringen från
gjutformen, i synnerhet i fallet med komponenter över ett
stort område. När så erfordras möjliggör uppfinningen iord-
ningsställandet av substratet med elastomerbulor och ett
mycket tunt silkonskikt mellan bulorna. Den icke-härdade
elastomeren är i detta fall tryckbelagd på gjutformen, vilket
möjliggör en styrd elastomertjocklek. Substratet placeras
sedan ovanpå elastomerskiktet (eventuella luftbubblor kan
avlägsnas med vakuum) före härdning.
Såsom nämnts ovan vidhäftar elastomerer mycket starkt på
silikon och följaktligen används en mycket speciell ytbehand-
ling med släppmedel för att möjliggöra separering av den här-
dade silikonelastomeren från gjutformen 100. För detta ända-
mål innefattar uppfinningen två alternativa förfaranden, si-
lan-förfarandet och Parylen-förfarandet. Båda resulterar i en
kemiskt inert yta med làg ytenergi fràn vilken silikonelasto-
meren lätt kan avlägsnas.
lO
3.5
20
25
30
508 968 a
Silanförfarandet använder förmågan att bilda ett själv-
(SAM)
Innan silan anbringas pà kiselgjutformen 100, måste den ren-
HCl
monterat mono-skikt av silan på en yta oxiderat kisel.
göras, exempelvis i två kända steg med H;O2, NH; och H2O2,
lösningar, vilket ger ett tunt skikt av oblandad oxid. Gjut-
formen behandlas därefter i silan, exempelvis 1% dimetyl-dik-
lorsilan lösning, med etanol som lösningsmedel och rengörs
därefter i etanol, där den också kan lagras före användning.
Det resulterande släppmedelsskiktet består av ett mono-skikt
av silanmolekyler som ligger nära varandra på ytan förhind-
rande silikonelastomeren från att vidhäfta pà gjutforemen.
Efter gjutning kan gjutformen återanvändas eller om-silaneras
för att åstadkomma ett nytt släppmedelsskikt fritt från even-
tuell mekanisk skada.
Det kommersiellt tillgängliga Parylene-förfarandet àsta-
kommer en extremt formbar poly-para-xylylen beläggning, som
enhetligt täcker spàrens kanter och undersidor. Den yta som
skall beläggas, och som hålls vid rumstemperatur, utsätts för
monomeránga, para-xylylen vid 0,1 Torr, som kondenseras och
polymeriseras pà alla ytor som utsätts för gasen, under reak-
tionen:
Smälttemperaturen är 405°C, vilken möjliggör elastome-
CH; = CH; _) f “CHg " 'CH^_>"]
rens härdning, och där finns många andra goda egenskaper, så-
som hög kemisk motstàndskraft. Parylene-skikt av godtycklig
tjocklek kan göras i ordning, och för att fungera som släpp-
medel behövs bara ett mycket tunt skikt. Emellertid ger
àstadkommandet av en tjocklek om några tiondelar av en mikro-
meter en god mekanisk stabilitet för upprepad användning av
samma gjutform.
10
15
20
25
30
35
9 508 968
Naturligtvis kan inte bara silan eller Parylene användas
som släppmedel. Exempelvis kan varje lämpligt självmonterat
monoskikt med en icke-reaktiv spets användas.
I fig. 3 visas sidovyn av olika bulor, som kan vara
gjorda på substratet 206. I en första uppsättning 300 har
304,
V-formade bulor.
strukturen 208 bulor 302, som är utformade som ett upp
och nedvänt V, I fig. 3b visas en andra upp-
sättning 312 med strukturen 208 och bulorna 314, 316, som är
utformade som stift. Naturligtvis måste formen för att göra
spår ha exakt samma form som bulorna i dessa figurer. Att
förbereda gjutformen är något annat än att göra den första
304.
som i fig. 1,
uppsättningen 300 av bulor 302, Istället för att stoppa
etsningen innan den når botten, fortsätter ets-
ningen till de båda lutande väggarna 110-116 anligger mot
varandra. Hos nästa uppsättning med 312 med bulor 314, 316
måste gjutformen göras av en <1l0> skiva.
I fig. 4 visas bulor gjorda på båda sidor om strukturen
208. Detta åstadkoms genom att använda exakt samma förfarande
som beskrivs ovan, men innan silikonelastomeren härdas an-
vänds en liknande eller en annan gjutform, på samma sätt som
ovan, ovanpå elastomerskiktet. Den liknande gjutformen kan hal
samma form som gjutformen 100, fig. 1, eller ha en annan form
för att bilda spåren. Efter härdning avlägsnas de två formar-
na. Strukturen 208 har bildat en uppsättning bulor 402-408,
som bildar en fjärde uppsättning 400.
I fig. 5a-c visas vyn ovanifrån av de fyrkantiga bulorna
202, 302 och 314 och i fig. Sd-f visas en vy ovanifrån av
rektangulära bulor 202, 302 och 314.
Ovannämnda strukturer och former av bulorna är inte be-
gränsade till de som har beskrivits. De kan ha andra struktu-
rer och former, som inte visas.
10
15
20
25
508 968 10
Ett annat förfarande för att åstadkomma föredragna bulor
och de föredragna spåren är att använda fotolitografisk mask-
ning inriktad med redan existerande strukturer, exempelvis,
lasrar eller IC-kretsar. Innan de har separerats görs spåren
genom antingen anisotropisk etsning eller något liknande för-
farande. Liknande, men speglade spår görs av liknande eller
något annat material, som används som en gjutform. Antingen
denna gjutform, eller den del på vilken de elastiska bulorna
fästes, täcks sedan med elastiskt material i dess för-härdade
form, varefter denna del och gjutformen trycks ihop i vakuum.
Härigenom fyller det elastiska materialet spåren i gjutfor-
men. Efter detta härdas det elastiska materialet med värme,
eller eventuellt ljus, om gjutformen eller delen släpper ige-
nom härdningsljus, och till slut skiljs gjutformen från det
elastiska materialet.
Den ovan beskrivna uppfinningen kan utformas på ytterli-
gare andra specifika sätt utan att avvika fràn uppfinningens
anda eller väsentliga egenskaper. Följaktligen skall dessa
utföringsformer i alla avseenden betraktas som illustrativa
och är inte begränsande, där uppfinningen ram indikeras av de
bifogade kraven, istället för av ovanstående beskrivning, och
alla förändringar som faller inom betydelsen och motsva-
righeten till kraven är följaktligen avsedda att falla inom
ramen för dessa.
Claims (1)
10 15 20 25 30 1. ll 508 968 Patentkrav Förfarande för att tillverka bulor av en skivgjutform med spår innefattande stegen att: anbringa ett släppmedel på gjutformen, kännetecknat av att förfarandet innefattar ste- gen att: (100) yta fràn damm och andra partiklar; anbringa släppmedelskiktet (118), där det bildar rengöra gjutformens ett självmonterande monoskikt; anbringa en härdbar elasto- mer för att bilda en elastomerisk struktur (208) pà gjut- formen; härda gjutformen och strukturen; och separera strukturen från gjutformen. Förfarande enligt krav 1, kännetecknat av att rengöringen först med PQOZ och NH3, och sedan med Hgh utförs i två steg: och HCl lösningar. Förfarande enligt krav 2, kännetecknat av att anbringandet av släppmedelsskiktet (118) har följande steg: gjutformen (100) sätts på en vattenfri dimetylklorsilan lösning, och rengörs sedan med etanol. Förfarande enligt krav 1, kännetecknat av att anbringande av släppskiktet (188) har följande steg: gjutformen (100) utsätts för gas, en monomerànga av para-xylylen; po- lymerisera alla ytor som utsätts för gasen; härda vid en smälttemperatur om ungefär 400°C bildande en formbar poly- para-xylen beläggning. Förfarande enligt krav 1, kännetecknat av att förfarandet för anbringning pà den härdbara elastomeren kan vara genom tryckning, skrapning eller sprutning. Förfarande enligt krav 1, kännetecknat av att den härdbara elastomeren kan vara en silikonelastomer. 7. 5 8 10 508 968 12 Förfarande enligt något av ovanstående krav, kännetecknat av att förfarandet innefattar steget att anbringa ett sub- strat (206) på strukturen (208) före härdning. Förfarande enligt krav 7, kännetecknat av att substratet (206) är gjort av ett flexibelt material. Förfarande enligt något av kraven 1-6, kännetecknat av att förfarandet innefattar steget att anbringa liknande gjut- (208) form ovanpå elestomerstrukturen före härdning.
Priority Applications (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE9604675A SE508968C2 (sv) | 1996-12-19 | 1996-12-19 | Förfarande för att göra elastiska kulor |
TW086100964A TW508699B (en) | 1996-12-19 | 1997-01-29 | Method for making elastic bumps |
CN97180834A CN1073005C (zh) | 1996-12-19 | 1997-12-19 | 制备弹性凸起的方法 |
CA002275650A CA2275650A1 (en) | 1996-12-19 | 1997-12-19 | Method for making elastic bumps |
US08/995,194 US6068801A (en) | 1996-12-19 | 1997-12-19 | Method for making elastic bumps from a wafer mold having grooves |
AU55053/98A AU5505398A (en) | 1996-12-19 | 1997-12-19 | Method for making elastic bumps |
EP97951402A EP0954420B1 (en) | 1996-12-19 | 1997-12-19 | Method for making elastic bumps |
KR1019997005475A KR20000069541A (ko) | 1996-12-19 | 1997-12-19 | 탄성 범프를 만드는 방법 |
JP52762898A JP3992747B2 (ja) | 1996-12-19 | 1997-12-19 | 弾力性バンプの製法 |
DE69719805T DE69719805T2 (de) | 1996-12-19 | 1997-12-19 | Verfahren zum erzeugen von elastischen höckern |
PCT/SE1997/002176 WO1998026913A1 (en) | 1996-12-19 | 1997-12-19 | Method for making elastic bumps |
HK00103992A HK1024662A1 (en) | 1996-12-19 | 2000-06-30 | Method for making elastic bumps |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE9604675A SE508968C2 (sv) | 1996-12-19 | 1996-12-19 | Förfarande för att göra elastiska kulor |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE9604675D0 SE9604675D0 (sv) | 1996-12-19 |
SE9604675L SE9604675L (sv) | 1998-06-20 |
SE508968C2 true SE508968C2 (sv) | 1998-11-23 |
Family
ID=20405041
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE9604675A SE508968C2 (sv) | 1996-12-19 | 1996-12-19 | Förfarande för att göra elastiska kulor |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6068801A (sv) |
EP (1) | EP0954420B1 (sv) |
JP (1) | JP3992747B2 (sv) |
KR (1) | KR20000069541A (sv) |
CN (1) | CN1073005C (sv) |
AU (1) | AU5505398A (sv) |
CA (1) | CA2275650A1 (sv) |
DE (1) | DE69719805T2 (sv) |
HK (1) | HK1024662A1 (sv) |
SE (1) | SE508968C2 (sv) |
TW (1) | TW508699B (sv) |
WO (1) | WO1998026913A1 (sv) |
Families Citing this family (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6309580B1 (en) * | 1995-11-15 | 2001-10-30 | Regents Of The University Of Minnesota | Release surfaces, particularly for use in nanoimprint lithography |
US6482742B1 (en) * | 2000-07-18 | 2002-11-19 | Stephen Y. Chou | Fluid pressure imprint lithography |
US7758794B2 (en) | 2001-10-29 | 2010-07-20 | Princeton University | Method of making an article comprising nanoscale patterns with reduced edge roughness |
US6683376B2 (en) * | 1997-09-01 | 2004-01-27 | Fanuc Ltd. | Direct bonding of small parts and module of combined small parts without an intermediate layer inbetween |
DE19909477C2 (de) * | 1999-03-04 | 2002-01-17 | Freudenberg Carl Fa | Verfahren und Vorrichtung zur Aufbringung von oberflächenmodifizierenden Hilfssubstanzen auf die Arbeitsrauminnenflächen von Werkzeugformen |
US6411754B1 (en) | 2000-08-25 | 2002-06-25 | Corning Incorporated | Micromechanical optical switch and method of manufacture |
US6673287B2 (en) * | 2001-05-16 | 2004-01-06 | International Business Machines Corporation | Vapor phase surface modification of composite substrates to form a molecularly thin release layer |
DE10134011B4 (de) * | 2001-07-12 | 2007-08-16 | Infineon Technologies Ag | Trägersubstrat, das zur Kontaktierung mit einer integrierten Schaltung vorgesehen ist |
US7813634B2 (en) | 2005-02-28 | 2010-10-12 | Tessera MEMS Technologies, Inc. | Autofocus camera |
JP4184140B2 (ja) * | 2002-05-10 | 2008-11-19 | キヤノン化成株式会社 | 遠心成形金型およびその製造方法ならびにこれを用いて製造される遠心成形体およびブレードならびにその製造方法 |
TWI286272B (en) * | 2004-01-16 | 2007-09-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Manufacturing method of a cavity |
CN100395121C (zh) * | 2004-11-19 | 2008-06-18 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 热压印方法 |
US20060204699A1 (en) * | 2004-12-08 | 2006-09-14 | George Maltezos | Parylene coated microfluidic components and methods for fabrication thereof |
US7646969B2 (en) * | 2005-02-28 | 2010-01-12 | Siimpel Corporation | Camera snubber assembly |
US8137626B2 (en) * | 2006-05-19 | 2012-03-20 | California Institute Of Technology | Fluorescence detector, filter device and related methods |
US8187541B2 (en) * | 2006-09-18 | 2012-05-29 | California Institute Of Technology | Apparatus for detecting target molecules and related methods |
US8619378B2 (en) | 2010-11-15 | 2013-12-31 | DigitalOptics Corporation MEMS | Rotational comb drive Z-stage |
US8768157B2 (en) | 2011-09-28 | 2014-07-01 | DigitalOptics Corporation MEMS | Multiple degree of freedom actuator |
US20090159200A1 (en) * | 2007-12-19 | 2009-06-25 | Heptagon Oy | Spacer element and method for manufacturing a spacer element |
KR20100026454A (ko) * | 2008-08-29 | 2010-03-10 | 삼성전기주식회사 | 세라믹 그린시트의 제조방법 및 이를 이용한 다층 세라믹 회로기판의 제조 방법 |
JP2010266667A (ja) * | 2009-05-14 | 2010-11-25 | Fujifilm Corp | ウェハレベルレンズアレイ及びその製造方法 |
JP5060517B2 (ja) * | 2009-06-24 | 2012-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | インプリントシステム |
US8608393B2 (en) | 2010-11-15 | 2013-12-17 | DigitalOptics Corporation MEMS | Capillary actuator deployment |
US8947797B2 (en) | 2010-11-15 | 2015-02-03 | DigitalOptics Corporation MEMS | Miniature MEMS actuator assemblies |
US8803256B2 (en) | 2010-11-15 | 2014-08-12 | DigitalOptics Corporation MEMS | Linearly deployed actuators |
US8604663B2 (en) | 2010-11-15 | 2013-12-10 | DigitalOptics Corporation MEMS | Motion controlled actuator |
US9061883B2 (en) | 2010-11-15 | 2015-06-23 | DigitalOptics Corporation MEMS | Actuator motion control features |
US8430580B2 (en) | 2010-11-15 | 2013-04-30 | DigitalOptics Corporation MEMS | Rotationally deployed actuators |
US8941192B2 (en) | 2010-11-15 | 2015-01-27 | DigitalOptics Corporation MEMS | MEMS actuator device deployment |
US9052567B2 (en) | 2010-11-15 | 2015-06-09 | DigitalOptics Corporation MEMS | Actuator inside of motion control |
US8884381B2 (en) | 2010-11-15 | 2014-11-11 | DigitalOptics Corporation MEMS | Guard trench |
US8337103B2 (en) | 2010-11-15 | 2012-12-25 | DigitalOptics Corporation MEMS | Long hinge actuator snubbing |
US8521017B2 (en) | 2010-11-15 | 2013-08-27 | DigitalOptics Corporation MEMS | MEMS actuator alignment |
US9019390B2 (en) | 2011-09-28 | 2015-04-28 | DigitalOptics Corporation MEMS | Optical image stabilization using tangentially actuated MEMS devices |
US8605375B2 (en) | 2010-11-15 | 2013-12-10 | DigitalOptics Corporation MEMS | Mounting flexure contacts |
US9515579B2 (en) | 2010-11-15 | 2016-12-06 | Digitaloptics Corporation | MEMS electrical contact systems and methods |
US8358925B2 (en) | 2010-11-15 | 2013-01-22 | DigitalOptics Corporation MEMS | Lens barrel with MEMS actuators |
US8637961B2 (en) | 2010-11-15 | 2014-01-28 | DigitalOptics Corporation MEMS | MEMS actuator device |
US9352962B2 (en) | 2010-11-15 | 2016-05-31 | DigitalOptics Corporation MEMS | MEMS isolation structures |
US8547627B2 (en) | 2010-11-15 | 2013-10-01 | DigitalOptics Corporation MEMS | Electrical routing |
US20130235334A1 (en) * | 2011-08-31 | 2013-09-12 | Michael F. Widman | Ophthalmic lens forming optic |
US8616791B2 (en) | 2011-09-28 | 2013-12-31 | DigitalOptics Corporation MEMS | Rotationally deployed actuator devices |
US9281763B2 (en) | 2011-09-28 | 2016-03-08 | DigitalOptics Corporation MEMS | Row and column actuator control |
US8855476B2 (en) | 2011-09-28 | 2014-10-07 | DigitalOptics Corporation MEMS | MEMS-based optical image stabilization |
US8853975B2 (en) | 2011-09-28 | 2014-10-07 | DigitalOptics Corporation MEMS | Electrostatic actuator control |
US9350271B2 (en) | 2011-09-28 | 2016-05-24 | DigitalOptics Corporation MEMS | Cascaded electrostatic actuator |
US8571405B2 (en) | 2011-09-28 | 2013-10-29 | DigitalOptics Corporation MEMS | Surface mount actuator |
US8869625B2 (en) | 2011-09-28 | 2014-10-28 | DigitalOptics Corporation MEMS | MEMS actuator/sensor |
JP5814958B2 (ja) * | 2013-02-21 | 2015-11-17 | 株式会社東芝 | テンプレート作製方法、テンプレート検査方法、及びテンプレート材料 |
TW201501175A (zh) * | 2013-06-19 | 2015-01-01 | Nanocrystal Asia Inc | 半導體製造工具的強化方法 |
CN114633414A (zh) * | 2022-03-04 | 2022-06-17 | 微智医疗器械有限公司 | 用于制备硅胶制品的方法及模具 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4263350A (en) * | 1979-12-31 | 1981-04-21 | Ppg Industries, Inc. | Silane release surfaces on glass |
JPS59182217A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-17 | Hoxan Corp | 多結晶シリコンウエハの製造方法 |
JPS59182218A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-17 | Hoxan Corp | 多結晶シリコンウエハの製造方法 |
JPS6123313A (ja) * | 1984-07-11 | 1986-01-31 | Hoxan Corp | 多結晶シリコンウエハの製造皿用離型剤層形成方法 |
NL8600809A (nl) * | 1986-03-28 | 1987-10-16 | Philips Nv | Methode om een matrijs te voorzien van een loslaag. |
US4775544A (en) * | 1986-12-22 | 1988-10-04 | Carrier Vibrating Equipment, Inc. | Method for plasticizing nuts and the like |
US4937653A (en) * | 1988-07-21 | 1990-06-26 | American Telephone And Telegraph Company | Semiconductor integrated circuit chip-to-chip interconnection scheme |
US4946369A (en) * | 1989-06-19 | 1990-08-07 | Dow Corning Corporation | Silicone mold and elastomer tool life |
US5064583A (en) * | 1989-08-01 | 1991-11-12 | Zycon Corporation | Method for applying mold release coating to separator plates for molding printed circuit boards |
JPH03234605A (ja) * | 1990-02-13 | 1991-10-18 | Toshiba Corp | レジン成形装置 |
US5243756A (en) * | 1991-06-28 | 1993-09-14 | Digital Equipment Corporation | Integrated circuit protection by liquid encapsulation |
US5217568A (en) * | 1992-02-03 | 1993-06-08 | Motorola, Inc. | Silicon etching process using polymeric mask, for example, to form V-groove for an optical fiber coupling |
US5439569A (en) * | 1993-02-12 | 1995-08-08 | Sematech, Inc. | Concentration measurement and control of hydrogen peroxide and acid/base component in a semiconductor bath |
US5343544A (en) * | 1993-07-02 | 1994-08-30 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Integrated optical fiber coupler and method of making same |
US5620634A (en) * | 1995-08-17 | 1997-04-15 | Lucent Technologies Inc. | Method of making fiber waveguide connectors |
-
1996
- 1996-12-19 SE SE9604675A patent/SE508968C2/sv not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-01-29 TW TW086100964A patent/TW508699B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-12-19 DE DE69719805T patent/DE69719805T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-12-19 CN CN97180834A patent/CN1073005C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1997-12-19 AU AU55053/98A patent/AU5505398A/en not_active Abandoned
- 1997-12-19 EP EP97951402A patent/EP0954420B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-12-19 CA CA002275650A patent/CA2275650A1/en not_active Abandoned
- 1997-12-19 KR KR1019997005475A patent/KR20000069541A/ko active IP Right Grant
- 1997-12-19 JP JP52762898A patent/JP3992747B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-12-19 US US08/995,194 patent/US6068801A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-12-19 WO PCT/SE1997/002176 patent/WO1998026913A1/en active IP Right Grant
-
2000
- 2000-06-30 HK HK00103992A patent/HK1024662A1/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0954420A1 (en) | 1999-11-10 |
JP2001506196A (ja) | 2001-05-15 |
CA2275650A1 (en) | 1998-06-25 |
HK1024662A1 (en) | 2000-10-20 |
EP0954420B1 (en) | 2003-03-12 |
TW508699B (en) | 2002-11-01 |
SE9604675L (sv) | 1998-06-20 |
DE69719805T2 (de) | 2003-11-06 |
WO1998026913A1 (en) | 1998-06-25 |
CN1073005C (zh) | 2001-10-17 |
AU5505398A (en) | 1998-07-15 |
SE9604675D0 (sv) | 1996-12-19 |
KR20000069541A (ko) | 2000-11-25 |
CN1241155A (zh) | 2000-01-12 |
DE69719805D1 (de) | 2003-04-17 |
JP3992747B2 (ja) | 2007-10-17 |
US6068801A (en) | 2000-05-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
SE508968C2 (sv) | Förfarande för att göra elastiska kulor | |
US6020215A (en) | Process for manufacturing microstructure | |
Del Campo et al. | Patterned surfaces with pillars with controlled 3D tip geometry mimicking bioattachment devices | |
JP4658130B2 (ja) | デカル転写リソグラフィ | |
US6805809B2 (en) | Decal transfer microfabrication | |
US20030062123A1 (en) | Method of self-latching for adhesion during self-assembly of electronic or optical components | |
CN108452855B (zh) | 微流控芯片的加工方法 | |
KR101817703B1 (ko) | 미세 섬모 구조물과 이의 제조방법 및 이를 포함하는 이송 장치 | |
JP2004523124A (ja) | ガラス系材料からなるフラット基板を構造化する方法 | |
CN111977611B (zh) | 一种微纳跨尺度聚合物喷针的制造方法 | |
JP6552570B2 (ja) | 基板をボンディングする装置および方法 | |
JP2011529798A (ja) | マイクロ構造体を封入する方法及びデバイス | |
JP2009158729A (ja) | インプリント用基板 | |
US7588710B2 (en) | Mold made of amorphous fluorine resin and fabrication method thereof | |
JPH10286955A (ja) | インクジェットプリンタヘッドおよびその製造方法 | |
US7309754B2 (en) | Stable encapsulant fluid capable of undergoing reversible Diels-Alder polymerization | |
JP3911154B2 (ja) | 接着体及びその製造方法 | |
JPH0884484A (ja) | マイクロ構造体の形成法 | |
JP3181174B2 (ja) | マイクロ構造体の形成方法 | |
US10804103B2 (en) | Microassembly of heterogeneous materials | |
US7077970B2 (en) | Sliders bonded by a debondable nonstoichiometric encapsulant | |
CN107078075A (zh) | 用于对产品衬底进行涂层的方法和装置 | |
US7125467B2 (en) | Slider processing system utilizing polyvinyl alcohol release layer | |
Cuesta | Development of an encapsulation solution for suspended microchannel resonators | |
JPH11207846A (ja) | 微小構造体の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NUG | Patent has lapsed |