JPH11207846A

JPH11207846A - 微小構造体の製造方法

Info

Publication number: JPH11207846A
Application number: JP10016586A
Authority: JP
Inventors: Takayuki Yamada; 高幸山田; Mutsuya Takahashi; 睦也高橋; Masanari Nagata; 真生永田
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 1998-01-29
Filing date: 1998-01-29
Publication date: 1999-08-03
Anticipated expiration: 2018-01-29
Also published as: JP3627496B2

Abstract

(57)【要約】【課題】微小構造体が形成される島状台地と完成した
微小構造体の接合力を制御でき、基板上の薄膜の面接触
を確実なものとし、薄膜パターンの転写歩留まりを高め
ることができる微小構造体の製造方法を提供する。【解決手段】Ｓｉウェハ基板の片面に島状台地を形成
し、この表面に表面コート層を被覆して対向基板を作製
する（１００）。次に、Ｓｉウェハ基板の片面にポリイ
ミドなどで緩衝層及び離型層を形成し、この離型層上に
微小構造体の一部となる薄膜パターンを形成して、パタ
ーン基板を作製する（２００）。ＦＡＢ処理で薄膜パタ
ーン等の接合面を清浄して接合し、パターン基板から対
向基板へ薄膜パターンを転写する（３００）。このステ
ップ２００とステップ３００の工程を所定回数繰り返す
ことによって、微小構造体の薄膜パターンが順次積層転
写され、所定の形状の微小構造体が製造される（４０
０）。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は金属材料や絶縁材料
を微細、かつ精密に加工して微小構造体を製造する方法
に関し、特に、金属材料や絶縁材料の薄層を微小構造体
の断面形状にパターニシグし、これらを積層して微小構
造体を製造する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、部品製造において、積層造形方法
がコンピュータで設計された複雑な形状の３次元物体を
短期間で形成する方法として急速に普及している。この
積層造形方法で作成された３次元物体は、種々の装置の
部品のモデル（プロトタイプ）として、部品の動作や形
状の良否を調べるために利用されている。この積層造形
方法は、サイズが数ｃｍ以上の比較的大きな部品に適用
されることが多かったが、近年においては、精密に加工
して形成される微小構造体、例えば、微小ギアや微細光
学部品にもこの方法が適用されている。

【０００３】図８は、積層造形方法による従来の微小構
造体の製造方法を示す。図８において、まず、基板とし
てＳｉウェハ５１を準傭し、表面に熱酸化膜５６を０．
１μｍ成長させ、その上にスパッタリング法によりＡｌ
薄膜５２を０．５μｍの厚さで着膜する（８０１）。

【０００４】次に、基板表面にフォトレジスト５７を塗
布し、通常のフォトリソグラフィ法によりＡｌ薄膜５２
をエッチングし、所望の微小構造体の第１の断面形状を
有する薄膜（第１のＡｌ薄膜）５３を形成する（８０
２）。第１のＡｌ薄膜５３を形成した後、フォトレジス
ト５７を剥離液にて除去する。このようにして形成した
第１のＡｌ薄膜５３は、解像度１μｍ以下、精度０．１
μｍ以下の微細かつ精密なものとなっている。

【０００５】次に、第１のＡｌ薄膜５３が形成されたＳ
ｉウェハ（基板）５１を真空槽５９内に導入し、真空槽
５９内にあるステージ５４と対向させ、真空槽５９内を
約１０−６P ａ程度まで排気する。そしてステージ５４
の表面及び第１のＡｌ薄膜５３の表面にＡｒガス５８を
源とするＦＡＢ（Fast Atom Bombardment ）処理を施す
（８０３）。これはＡｒガス５８を１ＫＶ程度の電圧で
加速して第１のＡｌ薄膜５３及びステージ５４の表面に
照射し、これらの表面の酸化膜、不純物などを除去し清
浄な表面を形成する。

【０００６】次に、ステージ５４とＳｉウェハ５１を接
近させ清浄なステージ５４の表面と清浄な第１のＡｌ薄
膜５３の表面を接触させ、更に荷重Ｐとして５０kgf/cm
２をかけ５分間押し付けて、ステージ５４と第１のＡｌ
薄膜５３の表面を接合する（８０４）。

【０００７】そして、ステージ５４とＳｉウェハ５１を
元のように引き離すと、第１のＡｌ薄膜５３とステージ
５４との接合力の方が、第１のＡｌ薄膜５３とＳｉウェ
ハ５１との密着力よりも大きいため、第１のＡｌ薄膜５
３はＳｉウェハ５１の熱酸化膜５６からステージ５４側
に転写される（８０５）。

【０００８】同様にして、第２のＡｌ薄膜を形成してＦ
ＡＢ処理を施し、接合転写することにより、第１のＡｌ
薄膜５３の上に第２のＡｌ薄膜を積層する。最初の工程
との違いは、ＦＡＢ処理の工程において、２回目のとき
はステージ５４表面にＦＡＢ処理をするのではなく、第
１のＡｌ薄膜５３の裏面（それまでＳｉウェハ５１に接
触していた面）に照射し、そこを清浄化することであ
る。また、第１のＡｌ薄膜５３と第２のＡｌ薄膜の相対
的な位置出しを行うために、ステージ５４側又はＳｉウ
ェハ５１側に、ｘ−ｙ（水平）平面内のアライメント機
構（図示せず）が設けられている。

【０００９】以上の各工程を繰り返して順にＡｌ薄膜を
積層することにより、微小構造体５５が製造できる（８
０６）。この様な方法により製造した微小構造体５５は
Ａｌ製であるが、他の材料で製造するには、基板上に形
成する薄膜を他の金属（銅、インジウムなど）やセラミ
ックスなどの絶縁体（アルミナ、炭化けい素）にすれば
良い。

【００１０】図９は、積層造形方法による従来の他の微
小構造体の製造方法の一部を示す。図９（ａ）は、薄膜
パターン５３ａの隙間をエッチバックする方法を示し、
図９（ｂ）は、薄膜パターン５３ｂの下層に緩衝層６５
を挿入する方法を示す。図９（ａ）及び（ｂ）による
と、微小構造体の製造歩留まりを向上させ、接合面同士
の面接触を確実にし、バーティクル６０（図９（ａ））
などの異物によるボイドの発生を避けることができる。

【００１１】ここで、ステージ５４などの対向基板は、
微小構造体５５を構成する薄膜を積層する基板であり、
Ｓｉウェハ５１などのパターン基板よりも小さく１０ｍ
ｍ角程度で十分であるため、通常はＳｉウェハやガラス
基板をこの１０ｍｍ角程度の大きさにカットして使われ
る。カットにはダイサなどが用いられ、このカットの際
に対向基板のエッジ部にチッピングが発生したり、それ
に伴ってパーティクルが生じたりしてしまう。そこで、
このエッジ部のダメージを回避するために、Ｓｉウェハ
などの対向基板のエッジ部の内側に島状台地を形成する
ようにしている。これは、Ｓｉウェハ同士の常温接合の
場合に用いられ、ＳｉウェハをＫＯＨによりエッチング
して島状台地となる領域以外を３０μｍ程エッチング除
去して、高さ３０μｍの島状台地を形成し、エッジ部の
ダメージを回避している。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図８及
び図９に示したような従来の微小構造体の製造方法によ
れば、島状台地は、Ｓｉウェハ同士の接合に用いられる
ため、表面はＳｉのままであり、これに対して微小構造
体を形成する材料はＡｌなどの金属やシリコン窒化膜な
どの絶縁体である場合が多いため、これら微小構造体の
材料とＳｉが常温接合で強固に接合することができない
場合が生じるという問題があった。また、逆に、強固に
按合できた場合、完成した微小構造体を取り出すとき
に、強固に接合しているため、島状台地から微小構造体
を分離できなくなるといった問題があった。

【００１３】更に、対向基板がＳｉウェハやガラス基板
の場合、これらの剛性が高いため、面同士の平行度が悪
いと接合面同士が確実に接触することができず、微小構
造体の製造歩留まりを著しく低下させるという問題があ
った。

【００１４】従って、本発明の目的は、微小構造体が形
成される島状台地と完成した微小構造体の接合力を制御
でき、基板上の薄膜の面接触を確実なものとし、均等な
圧着荷重がかかるようにして薄膜パターンの転写歩留ま
りを高めることができる微小構造体の製造方法を提供す
ることである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は、以上に述べた
目的を実現するため、Ｓｉウェハなどの第１の基板の片
面上に所定の形状の薄膜を形成し、第１の基板の片面と
対向する位置に第２の基板を設け、第１の基板の片面上
の薄膜と第２の基板の片面を接合し、薄膜を第１の基板
から剥離して第２の基板上に転写し、薄膜の形成と薄膜
と第２の基板の接合を繰り返して複数の薄膜を第２の基
板上に積層することにより微小構造体を製造する方法に
おいて、第２の基板を設ける工程は、第２の基板の片面
側に島状の突起を形成する工程と、突起の表面をコート
層で覆う工程を有し、第２の基板上へ転写する工程、及
び第２の基板上に積層する工程は、コート層で覆われた
突起上へ転写する工程、及びコート層で覆われた突起上
に積層する工程であることを特徴とする微小構造体の製
造方法を提供する。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下本発明の微小構造体の製造方
法を詳細に説明する。

【００１７】図１は、本発明の微小構造体の製造方法の
全体的なフローチャートである。図１において、まず、
Ｓｉウェハ基板の片面に島状台地を形成し、この表面に
表面コート層を被覆して対向基板を作製する（１０
０）。次に、Ｓｉウェハ基板の片面にポリイミドなどで
緩衝層及び離型層を形成し、この離型層上に微小構造体
の一部となる薄膜パターンを形成して、パターン基板を
作製する（２００）。次に、対向基板とパターン基板の
位置決め（２０５）後、ＦＡＢ処理で薄膜パターン等の
接合面を清浄して接合し、パターン基板から対向基板へ
薄膜パターンを転写する（３００）。このステップ２５
０とステップ３００の工程を所定回数繰り返すことによ
って、微小構造体の薄膜パターンが順次対向基板側へ積
層転写され、所定の形状の微小構造体が製造される（４
００）。以下、この各工程について具体的な実施の形態
の一例を述べながら詳述する。

【００１８】図２は、図１のステップ１００の一例を示
す。図２において、まず、対向基板としてＳｉウェハを
用意し、Ｓｉウェハ基板２１の片側表面に熱酸化膜２２
を０．５μｍ形成する（１０１）。次に、この熱酸化膜
２２を、フォトレジスト２３を用いた通常のフォトリソ
グラフィ法により、島状のパターン３０（数ミリ角から
十数ミリ角程度）にパターニングする（１０２）。

【００１９】次に、熱酸化膜のパターン３０をマスクに
して、Ｓｉウェハ基板２１を深さ約２０μｍだけエッチ
ングする（１０３）。具体的には、加熱した水酸化カリ
ウム（ＫＯＨ）溶液を用いて、異方性エッチングで約１
５分間エッチングする。この後、熱酸化膜のパターン３
０をバッファードフッ酸で剥離し、Ｓｉウェハ基板２１
の片面に、島状台地２４が完成する。尚、ここで、Ｓｉ
のエッチングにＫ０Ｈ溶液を用いた湿式エッチングを採
用したが、ｄｅｅｐＲＩＥ（Reactive Ion Etching）
などのドライエッチング方式を用いて、より深くＳｉウ
ェハ基板２１をエッチングすることもできる。

【００２０】更に、熱酸化膜のパターン３０を剥離した
Ｓｉウェハ基板２１の島状台地２４側に、スパッタリン
グ法によりＡｌを０．３μｍ着膜し、表面コート層２５
を形成する。ここで、スバッタ圧力０．５Ｐａ、Ｓｉウ
ェハ基板２１の温度は室温とする。着膜中は水晶振動子
式膜厚計で常時Ａｌの膜厚をモニタし、表面コート層２
５の厚さが０．３μｍに達したところで着膜を終了す
る。この表面コート層２５（Ａｌ膜）の厚さは、Ｓｉウ
エハの表面を被覆するだけで十分なので、０．１μｍ以
上あれば充分である。また、表面コート層２５の膜厚を
厚く形成すると、Ａｌの表面粗さが大きくなり好ましく
ないので、表面コート層２５は、必要以上に厚くしない
ようにし、約１μｍ程度がその上限である。最後に基板
を島状台地２４の周囲でダイシングして対向基板が完成
する（１０４）。このダイシングの際、Ｓｉウェハ基板
２１のエッジ部分に多少のチッピングが生じるが、島状
台地２４の高さが２０μｍ程あるので、後の接合工程に
支障が生じない。

【００２１】次にパターン基板の作製プロセス（図１の
ステップ２００）を説明する。

【００２２】図３は、図１のステップ２００の一例を示
す。図３において、まず、パターン基板としてＳｉウェ
ハを用意し、Ｓｉウェハ基板１１の片側表面にカップラ
剤を塗布した後、その上にポリイミドをスピンコーティ
ングにより約５μｍ塗布し、最高温度約３５０℃でベイ
クして緩衝層１６を形成する。ここで、緩衝層１６のポ
リイミドのヤング率は約３ＧＰａであり、Ｓｉウェハ基
板１１のヤング率１８０ＧＰａよりも十分に小さくなっ
ている。次に、Ｓｉウェハ基板１１表面をフッ素原子を
含むガスにさらし、ポリイミドの緩衝層１６の表面をフ
ッ素化して離型層１７を形成する（２０１）。具体的に
は、Ｓｉウェハ基板１１をドライエッチング装置などの
真空装置（図示せず）に導入し、ＣＦ４ガスを用いたプ
ラズマ処理（ガス流量１００ｓｃｃｍ、放電パワー５０
０Ｗ、圧力１０Ｐａ、時間１０分）を行うことにより、
ポリイミドの緩衝層１６の表面をフッ化し、疎水性にす
る。

【００２３】次に、スパッタリング法によりＡｌ膜１２
を約１．０μｍの厚さで着膜する（２０２）。ここで、
ターゲットに高純度Ａｌを使用し、スバッタ圧力は０．
５Ｐａ、Ｓｉウェハ基板１１の温度は室温とする。着膜
中は水晶振動子式膜厚計で常時Ａｌ膜１２の膜厚をモニ
タし、Ａｌ膜１２の厚さが１．０μｍに達したところで
着膜を終了する。このＡｌ膜１２の厚さの分布は、１．
０±０．０２μｍ以下である。このＡｌ膜１２の厚さ
が、最終的に得られる微小構造体のＺ軸（高さ）精度を
決めるため、このＡｌ膜１２の膜厚及び膜厚分布には十
分配慮する必要がある。

【００２４】このＡｌ膜１２を、通常のフォトリソグラ
フィ法により、微小構造体の複数の断面形状にパターニ
ングして、薄膜パターン３１、３２を形成する（２０
３）。

【００２５】図４は、図１のステップ２５０及びステッ
プ４００の一例を示す。図４において、Ｓｉウェハ基板
（バターン基板）１１とＳｉウェハ基板（対向基板）２
１を真空槽（図示せず）内に導入し、Ｓｉウェハ基板１
１側又はＳｉウェハ基板２１側に設けられたｘ−ｙ（水
平）平面内のアライメント機構（図示せず）によって、
Ｓｉウェハ基板２１の島状台地２４とＳｉウェハ基板１
１上の薄膜パターン３１、３２の相対的な位置出し（図
１のステップ２５０）を行った後、両方の基板１１、２
１の表面にＡｒガスでＦＡＢ処理を施して島状台地２４
上の表面コート層２５と薄膜パターン３１、３２の表面
を清浄する。その後、両基板１１、２１を接近させ（３
０１）、清浄な表面コート層２５と清浄な薄膜パターン
３１、３２のそれぞれの表面を接触させて、所定の荷重
をかけて数分間押し付け、島状台地２４のＡｌ表面コー
ト層２５とＡｌ薄膜パターン３１、３２の表面を接合す
る。ここで、Ａｌ−Ａｌ常温接合は、バルクのＡｌ接合
並みの接合力があり、表面コート層２５が無い場合のＳ
ｉ−Ａｌ接合よりもはるかにその接合力が強い。

【００２６】次に、パターンＳｉウェハ基板１１と対向
Ｓｉウェハ基板２１を元のように引き離すと、薄膜パタ
ーン３１、３２とＳｉウェハ基板１１の間には、ポリイ
ミドの緩衝層１６をフッ素化して形成された離型層１７
があり、薄膜パターン３１、３２と離型層１７の密着力
が、対向Ｓｉウェハ基板２１と薄膜パターン３１、３２
との接合力よりも小さいため、薄膜パターン３１、３２
は、Ｓｉウェハ基板１１側から対向Ｓｉウェハ基板２１
側に転写される（３０２）。

【００２７】以下同様にして、図４のステップ３０１及
びステップ３０２（図１のステップ２５０及びステップ
３００）の工程を繰り返すことにより、対向Ｓｉウェハ
基板２１上に微小構造体５が製造される（４０１）。こ
こで、２回目以降の工程では、ＦＡＢ処理は、Ｓｉウェ
ハ基板２１上に積層された薄膜パターンの表面とＳｉウ
ェハ基板１１上の新たな薄膜パターンの表面に施され
る。また、Ｓｉウェハ基板２１上に積層された薄膜パタ
ーンとＳｉウェハ基板１１上の新たな薄膜パターンの相
対的な位置出しは、Ｓｉウェハ基板１１側又はＳｉウェ
ハ基板２１側に設けられているｘ−ｙ（水平）平面内の
アライメント機構（図示せず）によって、行われる。こ
の様にして製造された微小構造体５は、電鋳や成形で作
製される微小部品の型として利用される。Ａｌ−Ａｌ接
合の接合強度が大きいため、微小構造体５を対向Ｓｉウ
ェハ基板２１から分離することは困難であるが、この微
小構造体５を樹脂成形の型として用いる用途には支障が
無い。

【００２８】図５は、図２から図４で示したＳｉウェハ
基板１１、２１の他の形態例を示す。図５において、対
向Ｓｉウェハ基板２１には、図２及び図４で示した島状
台地２４の代わりに島状の凸部３が形成されている。こ
の凸部３は、ＫＯＨを用いた異方性エッチングによりＳ
ｉウェハ基板２１をエッチングして、段差約２０μｍの
島状の凸部３にしたものである。この凸部３の表面を、
図２に示したのと同様な方法で、０．３μｍの厚さのＡ
ｌ表面コート層２５で被覆する。

【００２９】また、パターンＳｉウェハ基板１１側にお
いては、Ｓｉウェハ基板１１上に、ポリイミドの緩衝層
１６を形成し、この緩衝層１６上に薄膜パターン３１、
３２が形成されている。即ち、図３及び図４で示した離
型層１７を設けずに、薄膜パターン３１、３２を直接緩
衝層１６上に形成したものになっている。

【００３０】図６は、図２で示した図１のステップ１０
０の他の実施の形態例を示す。まず、対向基板としてＳ
ｉウェハを用意し、Ｓｉウェハ基板２１の片側表面にカ
ップラ剤を塗布した後、スピンコート法によりポリイミ
ドを約１５μｍ塗布する。そして、最高温度３５０℃で
キュアして、島状台地の元となるポリイミド層２６を形
成する（１１１）。

【００３１】次に、ポリイミド層２６の表面にＡｌをス
パッタリング法により０．５μｍ着膜し、フォトレジス
ト２３を用いた通常のフォトリソグラフィ法により、島
状のＡｌマスクパターン２７を形成する（１１２）。こ
れは次の工程でポリイミド層２６をドライエッチングす
る際のマスクになる。

【００３２】そして、ポリイミド層２６をＲＩＥでエッ
チングして、高さ約１５μｍのポリイミドの島状台地２
８を形成する（１１３）。このエッチングのガスにはＣ
Ｆ４と０２の混合ガスを用いる。

【００３３】次に、マスクとして用いたＡｌマスクパタ
ーン２７をエッチングして除去し、図２と同様にして、
全面にＡｌをスパッタリング法により０．３μｍ着膜し
て表面コート層２５を形成する。最後にＳｉウェハ基板
２１を島状台地２８の周囲でダイシングして、対向Ｓｉ
ウェハ基板２１が作製される（１１４）。このダイシン
グの際、エッジ部分に多少のチッピングが生じるが、島
状台地２８の高さが１５μｍ程度あるので、後の接合工
程（図１のステップ３００）に支障はない。尚、ここ
で、ポリイミド層２６の厚さを約１５μｍとしたが、チ
ッピングの影響を回避できる膜厚であればよい。この後
の工程は、図３及び図４と全く同様の工程である。

【００３４】図６に示したＳｉウェハ基板２１によれ
ば、島状台地２８のポリイミドのヤング率が約３ＧＰａ
であり、Ｓｉウェハ基板１１及び２１のヤング率約１８
０ＧＰａに比べ数十分の一と非常に小さいため、圧接荷
重に対して変形し易く、その結果、パターンＳｉウェハ
基板１１と対向Ｓｉウェハ基板２１の平行度が多少悪い
状態で圧接されても、ポリイミドの島状台地２８が変形
して、表面コート層２５と薄膜パターン３１、３２の表
面同士は平行となり、薄膜パターン３１、３２のＳｉウ
ェハ基板２１側への転写歩留まりが向上する。

【００３５】尚、図６では島状台地２８としてポリイミ
ド２６を用いたが、ヤング率が基板よりも十分に小さい
材料であれば特にポリイミドに限定するものではなく、
例えば、基板がＳｉウェハの場合、ヤング率が１０ＧＰ
ａ以下の材料を島状台地とすれば同様の効果を得ること
ができる。

【００３６】図７（ａ）は、図６で示した対向側の基板
の他の形態例を示す。図７（ａ）において、対向Ｓｉウ
ェハ基板２１上のポリイミド２６の島状台地２８の表面
を、図６で示したＡｌ表面コート層２５とは異なる材料
のインジウム（Ｉｎ）からなるＩｎ表面コート層７で覆
ったものである。

【００３７】図７（ｂ）は、図７（ａ）で示したＳｉウ
ェハ基板２１上のＩｎ表面コート層７に微小構造体５が
製造されたものを示す。微小構造体５がＡｌの場合、Ａ
ｌとＩｎの常温接合強度は比較的弱いため、僅かな力で
Ａｌの微小構造体５をＩｎ表面コート層７から分離する
ことができる。但し、積層転写時に確実に薄膜パターン
３１、３２がパターンＳｉウェハ基板１１の表面から剥
離するように、離型層１７とＡｌ薄膜パターン３１、３
２との密着力を可能な限り低くしておく必要がある。

【００３８】更に、対向基板側の表面コート層を銅Ｃｕ
で形成することもできる。この場合、Ａｌ−Ｃｕの接合
強度はＡｌ−Ａｌの接合に比べると弱いもののＡｌ−Ｉ
ｎの接合強度よりも大きいため、離型層１７の密着力は
あまり低くする必要はない。微小構造体５の製造後は、
対向Ｓｉウェハ基板２１を銅のエッチング液に浸漬して
Ｃｕ表面コート層を選択エッチングすることにより、微
小構造体５を容易に分離することができる。尚、微小構
造体５の材料と表面コート層の材料の組み合わせはＡｌ
とＣｕに限定するものではなく、互いに常温接合可能で
且つ選択エッチングが可能な材料の組み合わせであれば
よい。

【００３９】

【発明の効果】以上述べた通り、本発明の微小構造体の
製造方法によれば、対向基板上に島状の台地を形成し、
且つその表面を表面コート層で覆うこととしたため、対
向基板エッジ部のチッピングやパーティクルからの面接
触の妨害を回避でき、また、表面コート層と微小構造体
との接合強度を制御することができ、薄膜の確実な積層
と完成後の微小構造体の基板からの分離を容易すること
ができる。更に、島状台地をシリコンやガラスなど剛性
の高い材料からポリイミドなどの剛性の小さな材料に変
更することにより、接合面の面接触を確実にして積層転
写効率を向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の微小構造体の製造方法のフローチャー
トを示す図である。

【図２】本発明の微小構造体の製造方法の対向基板の作
製行程を示す図である。

【図３】本発明の微小構造体の製造方法のパターン基板
の作製工程を示す図である。

【図４】本発明の微小構造体の製造方法の積層工程を示
す図である。

【図５】本発明の対向基板とパターン基板の実施の一形
態を示す図である。

【図６】本発明の微小構造体の製造方法の対向基板の作
製行程を示す図である。

【図７】本発明の対向基板の実施の一形態を示す図であ
る。

【図８】従来の微小構造体の製造工程を示す図である。

【図９】従来の対向基板とパターン基板の実施の一形態
を示す図である。

【符号の説明】

３島状凸部５、５５微小構造体７、２５表面コート層１１、２１、５１Ｓｉウェハ基板１２Ａｌ膜１６、６５緩衝層１７離型層２２熱酸化膜２３、５７フォトレジスト２４、２８島状台地２６ポリイミド層２７Ａｌマスクパターン３０熱酸化膜パターン３１、３２、５３ａ、５３ｂ薄膜パターン５２ＡＩ薄膜５３第１のＡｌ薄膜５４ステージ５６酸化膜５８Ａｒガス５９真空槽６０パーティクル

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】Ｓｉウェハなどの第１の基板の片面上に所
定の形状の薄膜を形成し、前記第１の基板の前記片面と
対向する位置に第２の基板を設け、前記第１の基板の前
記片面上の前記薄膜と前記第２の基板の片面を接合し、
前記薄膜を前記第１の基板から剥離して前記第２の基板
上に転写し、前記薄膜の形成と前記薄膜と前記第２の基
板の接合を繰り返して複数の前記薄膜を前記第２の基板
上に積層することにより微小構造体を製造する方法にお
いて、前記第２の基板を設ける工程は、前記第２の基板の前記
片面側に島状の突起を形成する工程と、前記突起の表面
をコート層で覆う工程を有し、前記第２の基板上へ転写する工程、及び前記第２の基板
上に積層する工程は、前記コート層で覆われた前記突起
上へ転写する工程、及び前記コート層で覆われた前記突
起上に積層する工程であることを特徴とする微小構造体
の製造方法。
【請求項２】前記突起を形成する工程は、前記第２の基
板の前記突起以外の領域をエッチング除去して形成する
ことを特徴とする請求項１記載の微小構造体の製造方
法。
【請求項３】前記突起を形成する工程は、前記第２の基
板上に薄膜層を形成し、前記第２の基板の前記突起以外
の領域の前記薄膜層をエッチング除去して形成したこと
を特徴とする請求項１記載の微小構造体の製造方法。
【請求項４】前記薄膜層を形成する工程は、前記薄膜層
を１０ＧＰａ以下のヤング率にすることを特徴とする請
求項３記載の微小構造体の製造方法。
【請求項５】前記薄膜層を形成する工程は、ポリイミド
の薄膜を形成することを特徴とする請求項３又は４記載
の微小構造体の製造方法。
【請求項６】前記コート層で覆う工程は、前記微小構造
体の材料と同じ材料で覆うことを特徴とする請求項１記
載の微小構造体の製造方法。
【請求項７】前記コート層で覆う工程は、前記微小構造
体の材料と異なる材料で覆うことを特徴とする請求項１
記載の微小構造体の製造方法。
【請求項８】前記コート層で覆う工程は、前記微小構造
体の材料と選択的にエッチングすることができる異なる
材料で覆うことを特徴とする請求項１記載の微小構造体
の製造方法。