JPH03233997A - ポリイミド多層配線板の製造方法 - Google Patents
ポリイミド多層配線板の製造方法Info
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- JPH03233997A JPH03233997A JP2827990A JP2827990A JPH03233997A JP H03233997 A JPH03233997 A JP H03233997A JP 2827990 A JP2827990 A JP 2827990A JP 2827990 A JP2827990 A JP 2827990A JP H03233997 A JPH03233997 A JP H03233997A
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- wiring board
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、高速信号用のポリイミド多層配線板の製造方
法に関するものである。
法に関するものである。
（従来の技術）
従来、このような分野の技術としては、例えば日経エレ
クトロニクス １９８４年８月２７日号 １４９頁−１
５７頁に記載されるものがあった。
クトロニクス １９８４年８月２７日号 １４９頁−１
５７頁に記載されるものがあった。
つまり、高速信号用多層配線板には、低誘電率のポリイ
ミド樹脂と、電気抵抗の小さい銅を組み合わせた銅ポリ
イミド多層配線板が用いられている。
ミド樹脂と、電気抵抗の小さい銅を組み合わせた銅ポリ
イミド多層配線板が用いられている。
第２図はかかる従来の銅ポリイミド多層配線板の製造工
程断面図である。
程断面図である。
まず、第２図（ａ）に示すように、基板２１上に薄膜蒸
着法とホトリソ法により、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒからなる導
体パターン２２を形成する。
着法とホトリソ法により、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒからなる導
体パターン２２を形成する。
次いで、第２図（ｂ）に示すように、ポリイミド樹脂を
スピンコード法等により被着し、中間絶縁層２３を形成
する。この中間絶縁層２３が感光性ポリイミド樹脂の場
合は、露光、現像を行い、非感光性の場合は、レジスト
マスクを形成し、ドライエツチング又はウェットエツチ
ングを施し、ヴイア（Ｖｉａ）ホール２４等の所定のパ
ターンを形成する。
スピンコード法等により被着し、中間絶縁層２３を形成
する。この中間絶縁層２３が感光性ポリイミド樹脂の場
合は、露光、現像を行い、非感光性の場合は、レジスト
マスクを形成し、ドライエツチング又はウェットエツチ
ングを施し、ヴイア（Ｖｉａ）ホール２４等の所定のパ
ターンを形成する。
この後、上記工程を繰り返し、第２図（ｃ）に示すよう
に、銅ポリイミド多層配線板を得るようにしていた。
に、銅ポリイミド多層配線板を得るようにしていた。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、以上述べた従来の銅ポリイミド多層配線
板の製造方法では、感光性ポリイミド樹脂を用いた場合
には、感光基を形成するために、硬化物のポリイミド被
膜の特性が優れず、また、非感光性のポリイミド樹脂を
用いた場合には、ホトリソプロセスを用いるために、工
程が繁雑である。また、層数の増大と共にヴイアホール
付近での表面の凹凸が増大し、膜厚が不均一となり、特
性インピーダンスが変動したり、絶縁不良を起こしやす
い。更に、導体の暦数を多くできない等の問題があった
。
板の製造方法では、感光性ポリイミド樹脂を用いた場合
には、感光基を形成するために、硬化物のポリイミド被
膜の特性が優れず、また、非感光性のポリイミド樹脂を
用いた場合には、ホトリソプロセスを用いるために、工
程が繁雑である。また、層数の増大と共にヴイアホール
付近での表面の凹凸が増大し、膜厚が不均一となり、特
性インピーダンスが変動したり、絶縁不良を起こしやす
い。更に、導体の暦数を多くできない等の問題があった
。
本発明は、上記問題点を除去し、レーザによる穴あけ加
工技術を用いて、多層膜形成後にヴイアホール加工を行
うようにし、膜特性が良好な非感光性ポリイミド樹脂を
用いても簡便に、また、表面平坦性も良好なポリイミド
多層配線板の製造方法を提供することを目的とする。
工技術を用いて、多層膜形成後にヴイアホール加工を行
うようにし、膜特性が良好な非感光性ポリイミド樹脂を
用いても簡便に、また、表面平坦性も良好なポリイミド
多層配線板の製造方法を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は、上記目的を達成するために、ポリイミド多層
配線板の製造方法において、導体パターン層と絶縁層と
を順次形成する工程と、前記導体パターン層と前記絶縁
層からなる多層膜を形成後に、レーザで穴あけ加工を行
う工程と、該穴に導体膜を形成し、各導体パターン層間
の接続を行うようにしたものである。
配線板の製造方法において、導体パターン層と絶縁層と
を順次形成する工程と、前記導体パターン層と前記絶縁
層からなる多層膜を形成後に、レーザで穴あけ加工を行
う工程と、該穴に導体膜を形成し、各導体パターン層間
の接続を行うようにしたものである。
また、ポリイミドとしては非感光性ポリイミドを用いる
ようにしたものである。
ようにしたものである。
（作用）
本発明によれば、上記したように、中間絶縁層にはヴイ
アホールのパターン加工を施さずに、多層形成工程を先
に終了させた後、所定の位置にレーザで一括して穴あけ
加工を施して、ヴイアホールを形成する。その後、無電
解メツキ又は蒸着により、各層間の接続を行う。
アホールのパターン加工を施さずに、多層形成工程を先
に終了させた後、所定の位置にレーザで一括して穴あけ
加工を施して、ヴイアホールを形成する。その後、無電
解メツキ又は蒸着により、各層間の接続を行う。
従って、ポリイミド多層配線板の製造工程を簡略化する
ことができる。
ことができる。
また、非感光性のポリイミド樹脂を用いることにより、
使用特性の良好なポリイミド樹脂が使用できる。
使用特性の良好なポリイミド樹脂が使用できる。
更に、多層形成工程途中で、ヴイアホールを形成しない
ので、ヴイアホールの形成による表面の凹凸がなく、中
間絶縁層の膜厚の均一化を図ことができる。
ので、ヴイアホールの形成による表面の凹凸がなく、中
間絶縁層の膜厚の均一化を図ことができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の実施例を示すポリイミド多層配線板の
製造工程断面図である。
製造工程断面図である。
まず、第１図（ａ）に示すように、アルミナ基板ｌｌ上
に、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒ（各５００人、 ３０００人５０
０人）を蒸着した後、ホトリソを行い、導体パターン１
２を形成する。
に、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒ（各５００人、 ３０００人５０
０人）を蒸着した後、ホトリソを行い、導体パターン１
２を形成する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、非感光性のポリイミ
ド樹脂をスピンコードし、３５０°Ｃで硬化を行い、８
μｍ厚の中間絶縁層１３を形成する。
ド樹脂をスピンコードし、３５０°Ｃで硬化を行い、８
μｍ厚の中間絶縁層１３を形成する。
次に、上記工程を繰り返して、第１図（ｃ）に示すよう
に、例えば、導体３層構造の多層基板を作成する。
に、例えば、導体３層構造の多層基板を作成する。
次いで、第１図（ｄ）に示すように、所定の箇所にＹＡ
Ｇレーザを使用して、穴あけ加工を行い、φ５０μｍの
ヴイアホール１４を形成する。
Ｇレーザを使用して、穴あけ加工を行い、φ５０μｍの
ヴイアホール１４を形成する。
最後に、第１図（ｅ）に示すように、ヴイアホール１４
にメツキの前処理としての感受化処理、活性化処理を施
し、その後、無電解Ｎｉメツキを施し、ホトリソを行い
、表層電極１５を形成する。
にメツキの前処理としての感受化処理、活性化処理を施
し、その後、無電解Ｎｉメツキを施し、ホトリソを行い
、表層電極１５を形成する。
なお、ヴイアホール１４への導体膜の形成は、無電解メ
ツキによるだけでなく、蒸着によってもよい。ただし、
この蒸着は、ポリイミド層の数が少ない場合に有効であ
る。
ツキによるだけでなく、蒸着によってもよい。ただし、
この蒸着は、ポリイミド層の数が少ない場合に有効であ
る。
このようにして、ポリイミド多層配線板を得ることがで
きる。
きる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、次のよ
うな効果を奏することができる。
うな効果を奏することができる。
（１）中間絶縁層のパターン形成を、その都度ホトリソ
せずに、レーザにより一括して行うことができるので、
製造工程が簡略化できる。
せずに、レーザにより一括して行うことができるので、
製造工程が簡略化できる。
（２）非感光性のポリイミド樹脂を用いることにより、
使用特性の良好なポリイミド樹脂が使用できるので、多
層配線板の信頼性の向上を図ることができる。
使用特性の良好なポリイミド樹脂が使用できるので、多
層配線板の信頼性の向上を図ることができる。
（３）多層形成工程途中で、ヴイアホールを形成しない
ので、ヴイアホールの形成による表面の凹凸がなく、中
間絶縁層の膜厚の均一化を図ことができる。従って、特
性インピーダンスの変動が少なく、しかも層間ショート
もない、高多層のポリイミド多層配線板を得ることがで
きる。
ので、ヴイアホールの形成による表面の凹凸がなく、中
間絶縁層の膜厚の均一化を図ことができる。従って、特
性インピーダンスの変動が少なく、しかも層間ショート
もない、高多層のポリイミド多層配線板を得ることがで
きる。
第１図は本発明の実施例を示すポリイミド多層配線板の
製造工程断面図、第２図は従来の銅ポリイミド多層配線
板の製造工程断面図である。 １１・・・アルミナ基板、工２・・・導体パターン、工
３・・・中間絶縁層、１４・・・ヴイアホール、１５・
・・表層電極。
製造工程断面図、第２図は従来の銅ポリイミド多層配線
板の製造工程断面図である。 １１・・・アルミナ基板、工２・・・導体パターン、工
３・・・中間絶縁層、１４・・・ヴイアホール、１５・
・・表層電極。
Claims (2)
- （１） （ａ）導体パターン層と絶縁層とを順次形成する工程と
、 （ｂ）前記導体パターン層と前記絶縁層からなる多層膜
を形成後に、レーザで穴あけ加工を行う工程と、 （ｃ）該穴に導体膜を形成し、各導体パターン層間の接
続を行うことを特徴とするポリイミド多層配線板の製造
方法。 - （２）前記ポリイミドは非感光性ポリイミドである請求
項１記載のポリイミド多層配線板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2827990A JPH03233997A (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | ポリイミド多層配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2827990A JPH03233997A (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | ポリイミド多層配線板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03233997A true JPH03233997A (ja) | 1991-10-17 |
Family
ID=12244158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2827990A Pending JPH03233997A (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | ポリイミド多層配線板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03233997A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9236338B2 (en) | 2012-03-27 | 2016-01-12 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Built-up substrate, method for manufacturing same, and semiconductor integrated circuit package |
-
1990
- 1990-02-09 JP JP2827990A patent/JPH03233997A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9236338B2 (en) | 2012-03-27 | 2016-01-12 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Built-up substrate, method for manufacturing same, and semiconductor integrated circuit package |
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