JPH03232291A - 超電導厚膜回路板及びその製造法並びに厚膜超電導体及びその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は超電導厚膜回路板及びその製造法並びに厚膜超
電導体及びその製造法に関する。

（従来の技術） 従来、超電導体として用いられているＮｂ３　Ｓｎ　ｅ
ＧａＶ３．　Ｎｂ３Ｇｅ等の金属間化合物は、超電導性
を示す金属間化合物の中では臨界温度が、それまでに知
られていたＮｂＴｉに比べて１ａ８〜２３にと高く、ま
た４、２にの温度で２０〜４０テスラの臨界磁界を示す
ことから超電導コイルの他、ジョセフソン素子などに実
用化されていた。

しかしながら、前記のＮｂ３　Ｓｎ　、　Ｇａｐ、　、
　Ｎｂ５Ｇ。

等は、いずれも超電導性を示す温度が液体窒素温度（７
７，３Ｋ）より低いという欠点がある。例えば超電導性
を示す温度（以下Ｔｇｎｓｅｔとする）及び完全に超電
導性を示し、かつ抵抗が零になる温度（以下ＴＺｅｒｏ
とする）はいずれも３０に以下である。

このため超電導体の実用には冷媒として極めて高価な液
体ヘリウムを使用しなければならず、さらに液体ヘリウ
ムを用いることから装置が複雑化するという欠点がある
。

この改良として新超電導材料研究会、第１回シンポジウ
ム・プロシーデングの第２４頁〜第３３頁に示されるよ
うにＢａ　−Ｌａ　−Ｃｕ　−０系の化合物を用い九超
電導体が開発された。この超電導体によシ臨界温度は３
０Ｋを越え、さらにその後に発見されたＹ−Ｂａ−Ｃｕ
−０系の化合物を用い次超電導体によって臨界温度は液
体窒素温度の７７．３により高い９０に台まで改良され
た。

Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の化合物を用いた超電導体の臨界
電流密度（以下Ｊｃとする）は、新超電導材料研究会、
第３回シンポジウム・プロシーデングの第６７頁〜第７
５頁に示されるようにチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴ
ｉＯｓ）単結晶基板上にスパッタリング法で形成した単
結晶薄膜において、液体窒素温度で１．８　Ｘ　１０’
　Ａ／ａｎ”と高いＪｃを有している。

一方粉末冶金協会、昭和６３年度、秋季大会講演概要集
の第２４頁に示されるようにＹ−Ｂａ　−Ｃｕ−Ｏ系の
超電導体用粉体にＡｇ、　Ｏを添加した超電導厚膜回路
板は、液体窒素温度で１３０ＯＡ／ａｎ’のＪｃを有し
ている。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら前者の場合、　　１．８Ｘ１０’Ａ／Ｃｏ
！”と高いＪｃを得ているが、単結晶の基板を用いるた
め高価となシ、かつ基板の大きさが制限され、またスル
ーホールを介して基板の両面に形成した回路同士を導通
させることが困難であるという欠点を有する。

一方後者の場合、１３００Ａ／ｃｍ”のＪｃを得ている
が、これは日経超電導第１８号の第２項（１９８８年１
０月３日発行）に示されるように。

回路の厚さが４０μｍで９幅が５ｍｍの場合であシ。

厚さが１０μｍで１幅が１■の場合、Ｊｃは６００Ａ／
Ｑ！Ｉ”に低下する。このため回路の幅がα５ｍ以下の
超電導厚膜回路板とした場合にば６００Ａ／ｄ以下のＪ
ｃＬか得られないという欠点がある。

またＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の厚膜超電導体は、ジャパニ
ーズ、ジャーナル、オプ、アプライド、フイ′ジツクス
（Ｊａｐａｎｅｓｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌ
ｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ　）　Ｖｏｌ　２７　、　ｋ　２
号の第１８５頁〜第１８７頁に示されるように外部磁場
によりＪｃが大きく低下するという欠点がある。

本発明は上記の欠点のない超電導厚膜回路板及びその製
造法並びに厚膜超電導体及びその製造法を提供すること
を目的とするものである。

（課題を解決するための手段） 本発明者らは、超電導厚膜回路板、厚膜超電導体などの
Ｊｃの向上及び厚膜超電導体のＪｃの磁場依存性の改善
について種々検討したところ、白金を含む銀がその溶融
している温度以上で該超電導体の粒成長を著しく促進し
、かつこの粒成長によって該超電導体が棒状の結晶に成
長することで。

例えば回路の幅が０．５　ｒｍの場合においても１００
０Ａ／ａｍ”以上の高いＪｃが得られること及び厚膜超
電導体のＪｃが外部磁場を加えても大きく低下しないと
いうことを見出した。さらに安定化したジルコニア基板
上に、ランタノイド元素（ただしＣｅ。

Ｐｒ及びＴｂを除く）及び／又はＹ，Ｂｉ，Ｃｕ並びに
０を主成分とした超電導体、銀及び白金の複合体からな
る棒状結晶の超電導複合体層を形成することで回路の幅
が０．５　ｍの場合において４１０００Ａ／ａｍ”以上
の高いＪｃが得られることを見出し。

また安定化したジルコニア焼結体上に、上記と同様にラ
ンタノイド元素（ただしＣａ、　Ｐｒ及びＴｂを除く）
及び／又はＹ、　Ｂａ、　Ｃｕ並びにＯを主成分とし九
超電導体、銀及び白金の複合体からなる棒状結晶の超電
導複合体層を形成することで外部磁場によりＪｃが大き
く低下するのを大幅に改善した厚膜超電導体が得られる
ことを見出し次。

本発明は安定化したジルコニア基板上に、ランタノイド
元素（ただしＣｅ、　Ｐｒ及びＴｂを除く）及び／又は
Ｙ、　　Ｂａ、　Ｃｕ並びにＯを主成分とした超電導体
、鎖及び白金の複合体からなる棒状結晶の超電導複合体
層を形成してなる超電導厚膜回路板及び安定化し几ジル
コニア基板上に、銀及び白金を含む被膜を形成し、さら
にその上面にランタノイド元素（ただしＣｅ、　Ｐｒ及
びＴｂを除く）及び／又はＹ、　Ｂａ、　Ｃｕ並びに０
を主成分とする超電導体用ペーストを塗布し、ついで酸
素を含む雰囲気中でかつ銀が溶融している温度以上の温
度で焼成するランタノイド元素（ただしＣｏ、　Ｐｒ及
びＴｂを除く）及び／又はＹ、　Ｂａ、　Ｃｕ並びＫＯ
を主成分とした超電導体、銀及び白金の複合体からなる
棒状結晶の超電導複合体層を有する超電導厚膜回路板の
製造法並びに安定化したジルコニア焼結体上に。

ランタノイド元素（念だしＣｏ、　Ｐｒ及びＴｂを除く
）及び／又はＹ、　Ｂａ、　Ｃｕ並びにＯを主成分とし
た超電導体、銀及び白金の複合体からなる棒状結晶の超
電導複合体層を形成してなる厚膜超電導体及び安定化し
たジルコニア焼結体上に、銀及び白金を含む被膜を形成
し、さらにその上面にランタノイド元素（喪だしＣｅ、
　Ｐｒ及びＴｂを除く）及び／又はＹ、　Ｂａ、　Ｃｕ
並びにＯを主成分とする超電導体用ペーストを塗布し、
ついで酸素を含む雰囲気中でかつ銀が溶融している温度
以上の温度で焼成するランタノイド元素（ただしＣ１！
ｌ、　Ｐｒ及びＴｂを除く）及び／又はＹ、　Ｂａ、　
Ｃｕ並びにＯを主成分とした超電導体、Ｓ及び白金の複
合体からなる棒状結晶の超電導複合体層を有する厚膜超
電導体の製造法に関する。

本発明において安定化したジルコニア基板及び安定化し
たジルコニア焼結体としては、酸化イツトリウム、酸化
セリウム、酸化カルシウム等で安定化したジルコニア基
板及び安定化したジルコニア焼結体を用いることが好ま
しく、このような安定化したジルコニア基板及び安定化
したジルコニア焼結体は従来公知の方法１例えば酸化イ
ツトリウム、酸化セリウム、酸化カルシウム等を酸化ジ
ルコニウムの安定化剤として使用し、詳しくは酸化イツ
トリウム粉と酸化ジルコニウム粉、酸化セリウム粉と酸
化ジルコニウム粉、酸化カルシウム粉と酸化ジルコニウ
ム粉等を所定量配合して混合し、ｔｏｏｏ〜１５００℃
の温度で熱処理して仮焼物とし、ついで仮焼物に酸化ア
ルミニウムなどのアルミニウム化合物を所定量添加し、
混合、粉砕、成形後１ｓｏｏ〜１７００℃の温度で焼成
して得られる。

本発明において棒状結晶とは径が細く棒のような形状を
示すものであり長軸が短軸に比較し長く。

その比は５以上であることが好ましく、８以上であれば
さらに好ましい。棒状結晶の超電導複合体層は９例えば
銀及び白金を含む被膜上にランタノイド元素（ただしＣ
ｅ、　Ｐｒ及びＴｂを除く）及び／又はＹ、　Ｂａ、　
Ｃｕ並びにＯを主成分とし次超電導体用ペーストを厚膜
印刷法などの方法で塗布し、これを酸素を含む雰囲気中
でかつ銀が溶融している温度以上の温度で焼成すれば得
ることができる。

棒状結晶が存在する割合は高いほど好ましいが。

棒状の結晶同士の接続を妨げない範囲であればリン片状
、塊状等の結晶が共存してもよい。

本発明では、安定化したジルコニア基板上及び安定化し
たジルコニア焼結体上に形成する被膜は銀及び白金を含
む被膜とされ、これ以外の金属被膜では棒状結晶の超電
導複合体層を形成することができない。

銀及び白金を含む被膜の形成は、銀及び白金を含むペー
ストによる厚膜印刷法、めっき法、蒸着法、溶射法等に
よシ行なわれ、特に制限はない。

銀及び白金を含む被膜の厚さについては特に制限はない
が５μｍ以上であることが好ましく、１０μｍ以上あれ
ばさらに好ましい。

本発明において、銀を主成分とする粉末としては、銀粉
末の他、酸化銀、塩化銀、硝酸銀等が用いられ、焼成後
鍋単体になる物質であれば特に制限はない。

また白金を主成分とする粉末としては、白金粉末の他、
酸化白金などが用いられ、焼成後白金単体になる物質で
あれば特に制限はない。

超電導体用ペーストは２例えばランタノイド元素（ただ
しＣｅ、　Ｐｒ及びＴｂを除く）及び／又はＹ。

Ｂａ並びにＣｕの塩又は酸化物に有機結合剤、有機溶剤
等を添加し、均一に混合して得られる。なお超電導体用
ペーストとしては、超電導性を示す粉体を用いてペース
ト化した本のを用いてもよく。

焼成後に超電導性を示す粉体を用いてペースト化し念も
のを用いてもよい。

超電導体用ペーストの配合割合については特に制限はな
いが、ランタノイド元素（ただしＣｅ、　Ｐｒ及びＴｂ
を除く）及び／又はＹ　：　Ｂａ　：　Ｃｕを原子比で
１：２：３とした超電導体用ペーストを用いれば耳ｅ　
ｒＯが高いので好ましい。

焼成条件は、酸素を含む雰囲気中でかつ銀が溶融してい
る温度以上の温度で焼成することが必要とされ、酸素を
含まない雰囲気中で焼成すると酸素を含む雰囲気中で再
焼成しなければならず、銀の溶融温度未満の温度で焼成
すると回路の幅が０、５　ｒｒｍの場合Ｋ　１０００Ａ
／ｃｍ”以上のＪｃが得られない。

なお本発明において焼成とは昇温から降温までを示し、
昇温における雰囲気は、酸素を含む雰囲気が好ましいが
、必ずしもその必要はない。しがし降温の場合は、酸素
を含む雰囲気が必要である。

また焼成温度は、超電導体粉末の穐類、配合割合などく
より適宜選定されるが、少なくとも９８０℃以上、１ｉ
ｏｏ℃未滴の温度で焼成することが好ましい。

焼成時間については焼成温度により適宜選定されるが０
．０５時間以上の時間で焼成することが好ましい。

本発明によって得られる超電導厚膜回路板及び厚膜超電
導体は９表面は棒状結晶の超電導複合体層が形成される
が、断面を観察すれば超電導複合体層に銀がぬれ上がっ
た状態になっている。

（実施例） 以下本発明の詳細な説明する。

実施例１．比較例１ 出発原料としてＹ！　０３　（信越化学製、純度９９．
９％　）、　ＢａＣＯ５（和光純薬友、試薬特級）及び
Ｃｕ０（高純度化学↓、純度９９．９慢）を、Ｙ、Ｂａ
及びＣｕの原子比が１：２：３となる様に秤量した後。

合成樹脂襲のボールミルで２４時間湿式混合し。

次いで１００℃で１２時間乾燥し、混合粉末を得た。こ
の混合粉末１００重量部に対し、有機結合剤としてポリ
ビニルアルコール（和光純薬梨、試薬）を３重１部添加
し、均一に混合した後１０００ｋｇ１０ｎ”の圧力で直
径３０ｍｍ（φ）×厚さ２薗の成形体を得た。この後成
形体を酸素雰囲気中で、９５０℃で１０時間焼結し９次
いで焼結体をメノウ乳鉢、で粗砕後、ジルコニア製ボー
ルミルで２４時間湿式粉砕し、平均粒径２−０μｍの超
電導体粉末を得た。

次に超電導体粉末１００重量部に対し、有機結合剤とし
てエチルセルロース（和光純薬裂、４５ｃｐ）ｔ−５重
量部及び有機溶剤としてテルピネオール（和光純薬襲、
試薬１級）を２０重量部添加し。

均一に混合して超電導体用ペーストを得た。

一方酸化セリウムで安定化したジルコニア基板（日立化
成セラミックス裂、商標名ハロックス。

商品名４８２）上に、銀及び白金を含むペースト（日中
マツセイ製、商品名ＴＲ−３８１７）を回路の形状にス
クリーン印刷し、１００℃で３０分乾燥後、大気中で９
００℃で１０分間焼成して。

銀及び白金を含む被膜を形成した厚膜回路板を得た。

次に銀及び白金を含む被膜の上面に上記で得た超電導体
用ペーストを銀及び白金を含む被膜と同一回路でスクリ
ーン印刷し、酸素雰囲気中で第１表に示す焼成条件で焼
成して９回路の幅が０．５　ｒｒｍ及び３ｎｍの超電導
厚膜回路板を得た。なお焼成において、第１表に示す温
度に達するまでは２００℃／時間の昇温速度で昇温し、
冷却は３００″ｃｉでは１００℃／時間の降温速度で冷
却し、以下常温までは炉冷した（以下の実施例及び比較
例についても同様のプロセスで行なった）。

流値及び超電導厚膜回路板の断面積から算出した（以下
同じ）。これらの各焼成温度における測定値及び計算値
を第１表に示す。なお第１表においてＪｃは、液体窒素
温度（７７，３Ｋ）でのＪｃである。

また超電導複合体層の棒状結晶の有無を、走査型電子顕
微鏡を用い１０００倍の倍率で観察し。

さらに長軸と短軸との比を求めた（以下同じ）。

この観察結果及び長軸と短軸との比も合せて第１生濠表
面（上面）の結晶の構造を示す顕微鏡写真を示す顕微鏡
写真を第３図及び第４図に示す。

な ルコニア基板である。

第１表に示されるように１０００〜１０８０℃の温度で
焼成した超電導厚膜回路板は、棒状結晶の超電導複合体
層が形成され、　Ｊｃが１０４ＯＡ／ｄ以上で、回路の
幅が０．５　ａｍのものと３ｍｍ＋のものとを比較して
もあまり差は認められず、長軸と短軸との比も８以上と
良好な超電導特性を示した。

ナシＴ０ｎ５ｅｔ及ヒＴｚｅｒ０ハ８９．９に以上ト良
好すＣＣ 値を示し次。

これに対し９４０〜９８０℃の温度で焼成した超１１Ｅ
導厚Ｍｉ［踏板ハ、　Ｔ”ｓｅｔ又ｄ　Ｔ””　Ｒ８９
，７ＣＣ Ｋ以上と良好な値を示したが、棒状結晶は析出せず、　
　Ｊｃも１００ＯＡ／ａｍ”未満であった。また１１０
０℃の温度で焼成した超電導厚膜回路板は。

Ｔ：ｎ５ｅｔ　及ヒＴ：ｅ！ｒｏ　ｈ　８９．８　Ｋ以
上ト良好す値ヲ示したが、棒状結晶の長軸と短軸との比
は測定不能であり、　　Ｊｃも１００ＯＡ／ｃｍ”未満
であった。

また第１図及び第２図から明らかなように。

１０００℃で５時間焼成したもの（第１図）は棒状結晶
の超電導複合体層の形成が認められたが。

９４０℃で５時間焼成したもの（第２図）は棒状結晶の
超電導複合体層の形成は認められなかった。

さらに第３図及び第４図から明らかなように。

１０００℃で５時間焼成したもの（第３図）扛起電導複
合体層に銀及び白金を含む被膜がほとんどぬれ上がった
状態であることが認められたが。

９６０℃で５時間焼成したもの（第４図）は超電導複合
体層に一部の銀及び白金を含む被膜がぬれ上がっている
のにすぎず、他の一部がまだ中間層として残っているの
がわかる。

実施例２．比較例２ 実施例１で用いた酸化セリウムで安定化したジルコニア
基板の代わりに酸化イツ）　ＩＪウムで安定化したジル
コニア基板（日立化成セラミックス製。

商標名ハロツクス、商品名４８０）を用い、第２表の焼
成条件で焼成した以外は実施例１と同様の工程を経て回
路の幅が０．５　＋ｍ及び３１１ｍの超電導厚膜回路板
を得喪。

次に得られ九超電専属獲回路板について実施例１と同様
の方法テ’Ｉ’１）ｎ８ａｔ、　Ｔ：ｅｒＯ及Ｕ　Ｊｃ
　を求に６゜超電導複合体層の棒状結晶の有無を観察す
ると共に長軸と短軸との比を求めた。これらの各焼成温
度における測定値及び計算値並びに超電導複合体層の棒
状結晶の有無の観察結果及び長軸と短軸との比を第２表
に示す。なお第２表においてＪｃは。

液体窒素温度（７７，３Ｋ）でのＪｃである。

第２表に示されるよりに１０００〜１０８０℃の温度で
焼成した超電導厚膜回路板は、棒状結晶の超電導複合体
層が形成され、　Ｊｃが１１３ＯＡ／ｄ以上で９回路の
幅が０．５　ｗｎＯものと３ｍａ＋のものとを比較して
もあまり差は認められず、長軸と短軸との比も８以上と
良好な超電導特性を示した。

ｆｚ　オＴ”ｓｅｔ及Ｕ　Ｔ””　ハ８９．９　Ｋ以上
ト良好なＣＣ 値を示した。

これに対し９６０〜９８０℃の温度で焼成した超を専属
１［回路板ｄ、　’ｒ’ｎｓ”ｔ　及ヒＴ”ｅｒＯＨ９
０，１に以上と良好な値を示したが、棒状結晶は析出せ
ず、　Ｊｃも１００ＯＡ／ｃｍ”未満であった。また１
１００℃の温度で焼成した超電導厚膜回路板は。

Ｔｏｎ”ｅｔ及ヒ耳ｅｒ’ｕ　８９．８　Ｋ以上ト良好
す（ｆｉｔ示したが、棒状結晶の長軸と短軸との比は測
定不能であり、　　Ｊｃも１００ＯＡ／ａｍ”未満でお
った。

実施例３．比較例３ 実施例１で用いた出発原料のＹ、０３の代わシにＥｒ、
０．（高純度化学展、純度９９．９％）を用いた以外は
実施例１と同様の工程を経て回路幅がα５閣及び３−の
超電導厚膜回路板を得た。

次に得られた超電導厚膜回路板について実施例１　トｆ
”］　様ノ方法テＴ：”ｅｔｖ　Ｔ’Ｆ−”０及ヒＪｃ
　ヲ求メｌ超電導複合体層の棒状結晶の有無を観察する
と共に長軸と短軸との比を求めた。これらの各焼成温度
における測定値及び計算値並びに超電導複合体層の棒状
結晶の有無の観察結果及び長軸と短軸との比を第３表に
示す。なお第３表においてＪｃは。

液体窒素温度（７７，３Ｋ）でのＪｃである。

第３表に示されるように９８０〜１０８０℃の温度で焼
成した超電導厚膜回路板は、棒状結晶の超電導複合体層
が形成され、　　Ｊｃがｌ０ＩＯＡ／ｄ以上で１回路の
幅が０．５　ａｒｍＯものと３ｍｎ＋のものとを比較し
てもあまり差は認められず、長軸と短軸との比も８以上
と良好な超電導特性を示した。

ナオＴｅ”Ｃｔ及ヒＴｉ””　ハ９０−９　Ｋ　以上ト
ｊ’Ｌ好な値を示し念。

これに対し９４０〜９６０℃の温度で焼成したＨ１’に
専属膜回路板ｎ、　ＴＯｎ”を及ヒ耳ｅｒｏ　ハ９０．
６Ｋ以上と良好な値を示したが棒状結晶は析出せず。

Ｊｃも１００ＯＡ／ｃｍ”未満であった。また１１００
℃の温度で焼成した超電導厚膜回路板は、Ｔｇｎｓｅｔ
及び耳ｅｒｏは９０．１　Ｋ以上と良好な値を示したが
。

棒状結晶の長軸と短軸との比は測定不能であシ。

Ｊｃも１００ＯＡ／ａｍ”未満であった。

比較例４ 銀及び白金を含むペーストを用いず、実施例１と同様の
ジルコニア基板上に直接実施例１で得た超電導体用ペー
ストをスクリーン印刷し、第４表の焼成条件で焼成した
以外は実施例１と同様の工程を経て回路の幅がα５閣及
び３曹の超電導厚膜回路板を得念。

次に得られ次超電導厚膜回路板について実施例１　ト同
１ｔｓｏ方法−ｃ　Ｔ：ｎ５ｅｔ、　Ｔｙｅｒ０及ａ：
　ＪＣを求メ。

超電導複合体層の棒状結晶の有無を観察した。これらの
各焼成温度における測定値及び計算値並びに超電導複合
体層の棒状結晶の有無の観察結果を第４表に示す。なお
第４表においてＪｃは、液体窒素温度（７７，３Ｋ）で
のＪｃである。

第４表に示されるように比較例４のプロセスで製造した
超電導厚膜回路板は、いずれの焼成条件によっても棒状
結晶の超電導複合体層は形成されず、　Ｊｃは測定でき
なかった。またＴｇｎａｅｔは８４６に以上と液体窒素
温度以上の値を示したが、ＴＨｅｒ。

はいずれも液体窒素温度以下となり、液体窒素温度では
超電導性を示さなかった。

実施例４ 銀粉末（日中マツセイ餐、商品名ＡＹ−６０８０）９７
重量部及び二酸化白金（和光紬薬梨、試薬）３重量部に
有機結合剤としてエチルセルロース（和光紬薬製、４５
ｃｐ）を５重量部及び有機溶剤としてテルピネオール（
和光紬薬製、試薬１級）を２０重量部添加し、均一に混
合して銀／白金ペーストを得た。

この後銀／白金の被膜の上面に実施例１で得た超電導体
用ペーストを銀／白金の被膜と同一回路でスクリーン印
刷し、酸素雰囲気中で１０２０℃で５時間焼成して回路
の幅が０．５　ｍｍ及び３−の超電導厚膜回路板を得た
。

次に得られた超電導厚膜回路板について実施例１と同様
の方法でＴｏｎｓｅｔ、　Ｔぎ０及びＪｃを求め。

超電導複合体層の棒状結晶の有無を観察すると共に長軸
と短軸との比を求めた。これらの測定値及び計算値並び
洗超電導複合体層の棒状結晶の有無の観察結果及び長軸
と短軸との比を第５表に示す。

なお、第５表においてＪｃは、液体窒素温度（７７，３
Ｋ）でのＪｃである。

第５表 第５表に示される様に銀／白金ペーストを用いた超電導
厚膜回路板は、棒状結晶の超電導複合体層が形成され、
　　Ｊｃが１４３ＯＡ／ｃｍ’以上で回路の幅がα５ｍ
のものと３１の本のとを比較してもあまり差は認められ
ず、長軸と短軸との比も９以上と良好な超電導特性を示
した。なお　ｙｏｎｓｅｔ及びＴ：ｅｒＯは９α６に以
上と良好な値を示した。

実施例５．比較例５ 酸化セリウムで安定化したジルコニア焼結体（日立化成
セラミックス製、非売品）上に、実施例１と同様の銀及
び白金を含むペーストをスクリーン印刷し、１００℃で
３０分乾燥後、大気中で９００℃で１０分間焼成して、
銀及び白金を含む被膜を形成した厚膜焼結体を得意。

次に銀及び白金を含む被膜の上面に実施例１で得次超電
導体用ペーストを銀及び白金を含む被膜と同一形状でス
クリーン印刷し、酸素雰囲気中で第６表に示す焼成条件
で焼成して、厚膜超電導体を得た。

次に得られた厚膜超電導体について実施例１と同様の方
法でＴ：ｎ５ｅｔ　、　Ｔ　：ｅｒＯ及びＪｃを求め、
超電導複合体層の棒状結晶の有無の観察結果及び長軸と
短軸との比を求めた。これらの各焼成温度における測定
値及び計算値並びに超電導複合体層の棒状結晶の有無の
観察結果及び長軸と短軸との比を第６表に示す。なお第
６表においてＪｃは、液体窒素温度（７７，３Ｋ）での
Ｊｅである。

また外部磁場を加えたときの各焼成温度におけるＪｃの
計算値を第７表に示す。

第 表 第６表に示されるように１０００〜１０８０℃の温度で
焼成した厚膜超電導体は、棒状結晶の超電導複合体層が
形成され、　Ｊｃが１０４　ＯＡ／ａｍ”以上で、長軸
と短軸との比も８以上と良好な超電導％ａｔ示Ｌｋ。ナ
オＴ：ｎ５ｅｔ　及ヒＴ：ｃ１ｒ０Ｈ８９，９に以上と
良好な値を示した。

これに対し９４０〜９８０℃の温度で焼成した厚膜超電
導体ハ、　１ｇｎ８ｅｔ　又ハＴ：ｅｒｏ　ハ８９．７
　Ｋ以上と良好な値を示したが、棒状結晶は析出せず。

Ｊｃも１０００　Ａ／ａｎ”未満であつ之。また１１０
０℃の温度で焼成し九厚膜超電導体は、Ｔｇｎｓｅｔ及
びＴ’Ｆ−ｅｒＯは８’Ｌ８に以上と良好な値を示した
が。

棒状結晶の長軸と短軸との比は測定不能であシ。

Ｊｃも１００ＯＡ／国８未満であった。

また第７表に示されるように１０２０〜１０６０℃で焼
付けた厚膜超電導体のＪｃは、５００Ｘ１０−’Ｔの外
部磁場を加えてもその低下の程度は少なかつ念。

これに対し９４０〜９８０℃で焼付けた厚膜超電導体の
Ｊｃは、外部磁場により著しい低下を示し念。

（発明の効果） 本発明によって得られる超電導厚膜回路板及び厚ｇ超を
導体ハ、　Ｔ：ｎｌ＠を及ヒＴ：＠ｒｏ　カフ　７に以
上で液体窒素が使用可能であり、ま膜回路の幅がα５■
の場合でも超電導厚膜回路板は１００ＯＡ／ｄ以上のＪ
ｅを有し、さらに厚膜超電導体は外部磁場を印加しても
Ｊｅの低下が少なく、これらは工業的に極めて好適な超
電導厚膜回路板及び厚膜超電導体である。

【図面の簡単な説明】

第１図は１０００℃で５時間焼成した本発明の副ム誓１
ｊ 実施例になる超電導厚膜回路板の 表面の結晶の構造を示す顕微鏡写真及び第２図は９４０
℃で５時間焼成し念比較例になる超電専属銭湯よ− 膜回路板の　　　　　　　表面の結晶の構造を示す顕微
鏡写真並びに第３図は１０００℃で５時間焼成した本発
明の実施例になる超電導厚膜回路板１ヨ茫悦べ昏仝の の酢ｔヰ復婁体１断面の結晶の構造を示す顕微鏡の結晶
の構造を示す顕微鏡写真である。 ３・・・安定化したジルコニア基板

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. １．安定化したジルコニア基板上に，ランタノイド元素
   （ただしＣｅ，Ｐｒ及びＴｂを除く）及び／又はＹ，Ｂ
   ａ，Ｃｕ並びにＯを主成分とした超電導体，銀及び白金
   の複合体からなる棒状結晶の超電導複合体層を形成して
   なる超電導厚膜回路板。
2. ２．安定化したジルコニア基板上に，銀及び白金を含む
   被膜を形成し，さらにその上面にランタノイド元素（た
   だしＣｅ，Ｐｒ及びＴｂを除く）及び／又はＹ，Ｂｉ，
   Ｃｕ並びにＯを主成分とする超電導体用ペーストを塗布
   し，ついで酸素を含む雰囲気中でかつ銀が溶融している
   温度以上の温度で焼成することを特徴とするランタノイ
   ド元素（ただしＣｅ，Ｐｒ及びＴｂを除く）及び／又は
   Ｙ，Ｂａ，Ｃｕ並びにＯを主成分とした超電導体，銀及
   び白金の複合体からなる棒状結晶の超電導複合体層を有
   する超電導厚膜回路板の製造法。
3. ３．安定化したジルコニア焼結体上に，ランタノイド元
   素（ただしＣｅ，Ｐｒ及びＴｂを除く）及び／又はＹ，
   Ｂａ，Ｃｕ並びにＯを主成分とした超電導体，銀及び白
   金の複合体からなる棒状結晶の超電導複合体層を形成し
   てなる厚膜超電導体。
4. ４．安定化したジルコニア焼結体上に，銀及び白金を含
   む被膜を形成し，さらにその上面にランタノイド元素（
   ただしＣｅ，Ｐｒ及びＴｂを除く）及び／又はＹ，Ｂａ
   ，Ｃｕ並びにＯを主成分とする超電導体用ペーストを塗
   布し，ついで酸素を含む雰囲気中でかつ銀が溶融してい
   る温度以上の温度で焼成することを特徴とするランタノ
   イド元素（ただしＣｅ，Ｐｒ及びＴｂを除く）及び／又
   はＹ，Ｂａ，Ｃｕ並びにＯを主成分とした超電導体，銀
   及び白金の複合体からなる棒状結晶の超電導複合体層を
   有する厚膜超電導体の製造法。