JPH03232206A - 軟磁性薄膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、Ｆｅ−Ｎ系の軟磁性薄膜に関するものであり
、特にその耐熱性の改善に関するものである。

［発明の概要］ 本発明は、Ｆｅ−Ｎ系材料に添加元素を加え同時に酸素
を導入することで、あるいは添加元素を特定の元素の組
み合わせとすることで、熱安定性に優れ、高飽和磁束密
度、低保磁力の軟磁性薄膜を提供しようとするものであ
る。

〔従来の技術］ 磁気記録の分野においては、高密度記録化、短波長記録
化が進められており、これに伴って磁気記録媒体には高
保磁力、高残留磁束密度を有することが要求され、一方
磁気ヘッド材には前記磁気記録媒体の特性を生かすべく
高飽和磁束密度、高透磁率、低保磁力を有することが要
求される。

このような要求に応える軟磁性材料の一つとして、Ｆｅ
−Ｎ系材料が従来より知られており、これをスパッタリ
ング等の気相メツキ技術によって薄膜化して磁気ヘッド
のコア材として利用することが検討されている。

ところが、Ｆｅ−Ｎ系の軟磁性薄膜は、熱安定性に劣る
という欠点を有する。磁気ヘッドの製造工程においては
、信鎖性を確保するために高融点を存するガラスを用い
た融着工程が不可欠であり、この工程には高温の熱処理
を必要とすることから、前記欠点は大きな問題となる。

このような状況から、Ｆｅ−Ｎ系の軟磁性薄膜の熱安定
性の改善に関しての研究も続けられており、例えば本願
出願人は、特開昭６３−２９９２１９号において微量の
第３元素を導入することでＦｅ−Ｎ系の軟磁性薄膜の熱
安定性が改善されることを開示した。

〔発明が解決しようとする課題］ ところで、磁気へノドを製造する上で融着に使用するガ
ラスの融点は信軌性を確保する目的からなるべく高いこ
とが好ましく、例えばバルク型の磁気ヘッドの場合、通
常５５０°Ｃ程度のガラス融着工程が採用されている。

したがって、コア材として軟磁性薄膜を応用した場合に
も、同様に５５０°Ｃ程度のガラス融着工程が要望され
、かかる温度での熱処理後にも軟磁気特性に優れ高飽和
磁束密度を有する材料が要求されている。

そこで本発明は、前述の従来の実情に鑑みて提案された
ものであって、Ｆｅ−Ｎ系の軟磁性薄膜の熱安定性のよ
り一層の改善を目的とし、例えば５５０°Ｃ程度のガラ
ス融着工程後にも優れた軟磁気特性、高飽和磁束密度を
発揮する軟磁性薄膜を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明者等は、前述の目的を達成せんものと鋭意研究を
重ねた結果、添加元素の導入と同時に酸素を導入するこ
とが熱安定性の改善に有効であり、さらには特定の添加
元素を２種類組み合わせて導入することが同様に熱安定
性の改善に有効であるとの知見を得るに至った。

本発明はこのような知見に基づいて完成されたものであ
る。

すなわち、本発明の第１の発明は、 （Ｆ　ｅ　ｍＭｂ）＋ａｏ−ｃ−ａＮｃｏａ　（ただし
、ａ、ｂ、ｃ。

ｄは組成を原子％として表し、ＭはＳｉ、Ａｌ１゜Ｔａ
、Ｂ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃｒ、Ｍｎ。

Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｖ、Ｗ　　Ｈｆ、Ｇａ。

Ｇｅ、希土類元素の少なくとも１種を表す。）なる組成
式で表され、その組成範囲が ０．１≦ｂ≦５ ａ　＋　ｂ　＝１００ ０．５≦ｃ≦１５ ０．１≦ｄ≦１３ であることを特徴とするものである。

また、本発明の第２の発明は、 （Ｆ　ｅ、Ｍ’ｒＭ目ｊ＋ｏｏ−ｈＮｈ　（ただし、ｅ
、ｆ。

ｇ、ｈは組成を原子％として表し、ＭＩはＡｆｆＧａ、
Ｔｉ、希土類元素のうちの少なくとも１種を、ＭＩはＮ
ｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｚｒ、Ｈｆのうちの少なくとも１種をそ
れぞれ表す、）なる組成式で表され、その組成範囲が ０．１≦ｆ≦２．５ ０．１≦ｇ≦２．５ ｅ＋ｆ＋ｇ＝１００ ０．５≦ｈ≦１５ であることを特徴とするものである。

さらに、本発明の第３の発明は、 （ＦｅＨＭ’ＪＭ”ｈ）＋ｏｏ−ｓ−＋＋Ｎ５Ｏ０（た
だし、ｉ。

ｊ、に、ｍ、ｎは組成を原子％として表し、ＭＩはＡｌ
、Ｇａ、Ｔｉ、希土類元素のうちの少なくとも１種を、
Ｍ”はＮｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｚｒ、Ｈｆのうちの少なくとも
１種をそれぞれ表す。）なる組成式で表され、その組成
範囲が ０．１≦Ｊ≦２．５ ０．１≦に≦２．５ ｉｆｊ十に＝１００ ０．５≦ｍ≦１５ ０．１≦ｎ≦１３ であることを特徴とするものである。

前記各組成は、軟磁気特性、飽和磁束密度等を考慮して
決められたものであるが、特に酸素の導入する場合、そ
の導入量は０．１〜１３原子％とする。酸素の導入量が
少なすぎても、逆に多すぎても熱安定性改善の効果が期
待できず、例えばアニール処理した後の保磁力Ｈｃが大
きな値を示すようになる。

また、添加元素のうち、特にＡｌ２．Ｇａ、Ｔｉ希土類
元素のうちの少なくとも１種と、Ｎｂ。

Ｔａ、Ｖ、Ｚｒ、Ｈｆのうちの少なくとも１種を組み合
わせることで、やはり熱安定性の向上が見られるが、こ
の場合はＦｅの一部をこれら元素でそれぞれ０．１〜２
．５原子％の割合で置換することが好ましい、いずれか
一方でも買換量が少なすぎると組み合わせた意味が薄れ
、期待する効果が得られない。逆にこれら両者の置換量
が多すぎると、相対的にＦｅの割合が少なくなりすぎて
軟磁気特性や飽和磁束密度に悪影響を及ぼす戚れがある
。

上述の軟磁性薄膜は、スパッタリング等の薄膜形成技術
により作成されるが、添加元素の導入方法としては、ま
ず目的の元素とＦｅとの合金を調製し、この合金をター
ゲット蒸着源として使用する方法が考えられる。あるい
は、Ｆｅターゲットの上に各元素のチップを置いて同時
にスパッタリングするようにしてもよい。

また、窒素や酸素の導入方法としては、窒化物。

酸化物をターゲット、蒸着源として使用する方法も考え
られるが、通常は雰囲気中に窒素、酸素を導入すること
で達成される。

本発明を適用した軟磁性薄膜は、単層膜であってもよい
し、パーマロイ等の磁性金属や、Ａｇ。

Ｃｕ等の非磁性金属、さらには５ｉ−Ｎ、ＳｉＯ□等の
セラミクス材料等で分断して積層構造とした多層膜であ
ってもよい。

上述の軟磁性薄膜は、いわゆるメタル・イン・ギヤ、プ
型の磁気ヘッド等において、フェライト上に膜付けして
磁気コアとされ、これら磁気コアをガラス融着により一
体化することで磁気へノドとして構成されるのが一般的
である。

このとき、ガラス融着の際の加熱によって本発明の軟磁
性薄膜とガラスあるいは軟磁性薄膜とフェライトとの反
応が問題となる虞れがある。

したがって、本発明の軟磁性薄膜をメタル・イン・ギャ
ップ型の磁気ヘッド等に適用する場合には、ガラスと軟
磁性薄膜の間、あるいはフェライトと軟磁性薄膜の間に
シリコン酸化物、シリコン窒化物の非常に薄い膜を反応
防止膜として設けることが好ましい、特にガラスと軟磁
性薄膜の間の反応防止膜は、シリコン酸化物膜、シリコ
ン窒化物膜と金属クロム膜、クロム化合物膜との積層膜
とすることが有効である。

前記シリコン酸化物膜やシリコン窒化物膜は、やはりス
パッタリング等の薄膜形成技術によって形成されるが、
その膜厚はフェライトと軟磁性薄膜との間の反応防止膜
では３０〜１００人とすることが好ましい。当該反応防
止膜の厚さが３０人未満であると反応を十分に抑えるこ
とができず、逆に１００人を越えると擬似ギャップとし
て作用する虞れがある。ガラスと軟磁性薄膜の間の反応
防止膜では、３０人〜５００人とすることが好ましい。

３０人未満であるとやはり反応を十分に抑えることがで
きない。上限については特に規定する必要はないが、生
産性等の観点から５００Å以下とすることが望ましい。

金属クロム膜１　クロム化合物膜は、ガラスとの接合強
度を確保すること等を目的として設けられるもので、や
はりスパッタリング等の薄膜形成技術によって形成され
るが、その膜厚は前記シリコン酸化物膜やシリコン窒化
物膜の場合と同様の理由から３０人〜５００人とするこ
とが好ましい。

〔実施例〕

以下、本発明を具体的な実験結果に基づいて説明する。

実施■１ 本実施例は、Ｆｅ−Ｎ系軟磁性薄膜に添加元素並びに酸
素を導入した例である。

先ず、Ｆｅ−Ａｊｌ！合金、Ｆｅ−Ｎｂ合金よりなるタ
ーゲントを準備し、窒素ガス及び酸素ガスを含むアルゴ
ン雰囲気中でＲＦスパッタリングを行い、第１表に示す
組成を有する薄膜を作成した。

なお、スパッタリングの条件は、出力３００　Ｗ。

ガス圧（全圧）　１．２　ｍＴｏｒｒとし、薄膜の膜厚
は３μｍとした。

また、膜中の窒素含有量、酸素含有量は、雰囲気中への
窒素ガス、酸素ガスの導入量で制御した。

第１図はスパッタリング雰囲気中の窒素ガス量と膜中の
窒素含有量の関係を、第２図はスパッタリング雰囲気中
の酸素ガス量と膜中の酸素含有量の関係をそれぞれ示す
ものであり、これら図を見てもわかるように、雰囲気中
の窒素、酸素の量をコントロールすることでほぼ比例関
係で膜中の窒素酸素の含有量を増減することができる。

各膜中の窒素あるいは酸素の含有量は、インナートガス
フニージョン法により測定した。すなわち、Ｎｉ基板（
１０ｍ×２０ＩＩＩＩ１１×３ＩｎＩ１１１重量約０．
５ｇ）に定着（スパッタリング）した試料をグラファイ
トルツボに入れ、インパルスファーネスで２５００°Ｃ
に加熱した。このとき、酸素はカーボンと反応して一酸
化炭素になり、窒素はそのまま抽出される。

次いで、抽出したガスをヘリウムキャリヤーガスで押し
流し、酸化銅で前記−酸化炭素を二酸化炭素に転換し、
窒素とこの二酸化炭素を分離管でクロマト式に分離した
。これを熱伝導度検出器で検出して次式に従って算出し
た。

Ａ：付着後重量（Ｎｉ十膜） Ｂ：付着重量（膜） Ｃ：付着後生のＮあるいはＯの含有量 （Ｎｉ＋膜） Ｄ＝付着量中のＮあるいはＯの含有量（膜）得られた各
サンプルについて、５５０’Ｃ，１時間のアニール処理
後の保磁力Ｈｃを測定した。結果を第１表に示す。

（以下余白） 第１表 例えば、サンプル■とサンプルＶ、サンプル■とサンプ
ル■を比べてみれば明らかなように、酸素を導入するこ
とによりアニール後の保磁力が低下している。ただし、
添加元素を導入せず酸素の導入だけであると、サンプル
■に示す通り熱処理後の軟磁気特性は期待できない。

実ｌＩ壓λ 本実施例は、特定の元素を組み合わせて添加した例であ
る。

なお、本実施例でもスパッタリング条件は実施例１と同
様とし、窒素ガスを含むアルゴン雰囲気中でスパッタリ
ングを行ってサンプルを作成した。

第３図は、膜組成を （Ｆ　ｅ　ｑｓ、　６−ＫＡ　ＲｘＮ　ｂ　１．４）９
４Ｎ６としたときのＡＮの添加量Ｘと保磁力Ｈｃ　（５
５０’Ｃのアニール処理後の値）の関係を示すものであ
り、Ａｌの添加とともに保磁力Ｈｃが低下していること
がわかる。ただし、ＡＮの添加蓋χが多くなりすぎると
再び保磁力Ｈｃが増加しており、特に２゜５原子％を越
えるとその傾向が著しい。

一方、第４図は、膜組成を （Ｆ　ｅｑｅ、ｅ−ｘＡｆｆ＋、ｚＮ　ｂＸ）＋＋４Ｎ
６としたときのＮｂの添加量Ｘと保磁力Ｈｃ　（５５０
’Ｃのアニール処理後の値）の関係を示すものであり、
やはりＮｂの添加とともに保磁力Ｈｃが低下しているこ
とがわかる。

すなわち、これらを突き合わせて考えると、アニール後
にも低保磁力を保つにはＡＩ！、とＮｂとを組み合わせ
ることが有効であると言える。

また、金属の組成を固定して窒素の導入量を変えて保磁
力Ｈｃの変化を調べた。膜組成は次の通りである。

（Ｆ　ｅ　９７．４Ａ　ｌ　＋、ｚＮ　ｂ　１．４）＋
０Ｏ−ＸＮＩＩ結果を第５図に示す。低保磁力を達成す
るためには、前記添加元素の選定と同時に、窒素を導入
することが必要であることがわがる。

典型的な例として、 （Ｆ　ｅ　９？、　ａＡ　ｊｌ！　＋、　ｚＮ　ｂ　１
．４）９４Ｎ＆なる膜を作成し、その特性を調べたとこ
ろ、５５０°Ｃでのアニール後の保磁力Ｈｃは０．６　
（Ｏｅ）　、飽和磁束密度は１９　（ｋＧ）であった。

さらに、この膜（各５００人）と５ｉ−Ｎ膜（各１０人
）とを繰り返し積層し、トータルで３μｍの多層膜を作
成してその軟磁気特性を調べたところ、５５０’Ｃ，１
時間アニール後の保磁力が０．２（Ｏｅ）であった。

また、ここでＡ２をＧａ、Ｔｉあるいは希土類元素に、
ＮｂをＴａ、Ｖ、ＺｒあるいはＨｆにそれぞれ置き換え
ても、はとんど同じ磁気特性が得られた。

実ｍ 本実施例は、特定の元素を組み合わせて添加すると同時
に、酸素も導入した例である。

なお、本実施例でもスパッタリング条件は実施例１と同
様とし、窒素ガス及び酸素ガスを含むアルゴン雰囲気中
でスパッタリングを行ってサンプルを作成した。

第６図は、Ｎｂと同時にＡｆを添加したサンプルについ
てＡＮ２の添加量Ｘと保磁力Ｈｃ　（５５０°Ｃのアニ
ール処理後の値）の関係を示すものであり、図中白丸が
酸素を含まない場合、黒丸が酸素を含む場合の特性をそ
れぞれ示す。それぞれの組成式は以下の通りである。

（Ｆ　　ｅ９＠、６−ＸＡｆＸＮ、ｂ、、４ン、４Ｎ６
（Ｆ　ｅ　ｑｌｌ、ｂ−ｍＡ　ｌ＊Ｎ　ｂ　＋、４）＋
＋ｚＮ６０２また、第７図はＮｂと同時に／ｌを添加し
たサンプルについてＮｂの添加量Ｘと保磁力Ｈｃ　（５
５０°Ｃのアニール処理後のＷ）の関係を示すものであ
り、図中白丸が酸素を含まない場合、黒丸が酸素を含む
場合の特性をそれぞれ示す。それぞれの組成式は以下の
通りである。

（Ｆｅｑ＋＋、ａ−ｘＡＬ、ｚＮｂｘＬｓＮ＆（Ｆ　ｅ
　９ｇ、ｌｘＡ　ｌ　＋、ｚＮ　ｂＸ）ｑｚＮａｏｚこ
れら図面を見ても明らかなように、実施例２と同様、Ａ
Ｎ２とＮｂの同時添加が有効であり、特に酸素を導入し
た場合に全般に低い保磁力を示している。

Ａ１をＧａ、Ｔｉあるいは希土類元素に、またＮｂをＴ
ａ、Ｖ、ＺｒあるいはＨｆに置き換えた場合にも、はと
んど同様の軟磁気特性を示した。

一方、第８圀は窒素の含有量とアニール後の保磁力の関
係を、第９図は酸素の含有量とアニール後の保磁力の関
係を示すものである。いずれの場合も、金属の組成はＦ
　ｅ　９？、　ａＡ　ｌ　＋。２Ｎｂ１．４に固定した
。また、第８図において、白丸で表される線は窒素のみ
を導入したもの、黒丸で表される線は窒素と酸素（２原
子％）を導入したものである。

同様に、第９図において、白丸で表される線は酸素のみ
を導入したもの、黒丸で表される線は窒素（６原子％）
と酸素を導入したものである。

これら第８図、第９図から、窒素あるいは酸素の導入が
軟磁気特性に影響を及ぼすことは明らがであり、特に窒
素と酸素を同時に導入することで低保磁力化が達成され
ていることがわかる。

そこで典型的なサンプルについて、その軟磁気特性（５
５０°Ｃ，１時間アニール後の保磁力Ｈｃ）並びに飽和
磁束密度Ｂｓを測定した。結果を第２表に示す。

（以下余白） 第２表 いずれのサンプルも非常に良好な軟磁気特性を示し、ま
た飽和磁束密度も高い値であった。

さらに、主磁性膜として前記サンプル１を使用して多層
膜を作成し、その軟磁気特性についても調べた。各サン
プルの主磁性膜の膜厚、中間層の種類及び膜厚、全体の
膜厚、並びに各サンプルを５５０°Ｃで１時間アニール
した後の保磁力Ｈｃを第３表に示す。

第３表 積層膜とした場合にも非常に良好な軟磁気特性が達成さ
れている。

応月１１＝ 本例では、メタル・イン・ギヤノブ型の磁気ヘッドへの
応用を考慮して、本発明を適用した軟磁性薄膜と融着ガ
ラスとの界面反応について調べた。

ここで使用した軟磁性薄膜の組成は、 （Ｆ　ｅ　９７．４Ａ　ｌ　＋、ｚＮ　ｂ　＋、ａ）ｑ
ｚＮｂｏｚテアル。（先の第２表中のサンプルｉ）前述
の組成を有する軟磁性薄膜をＭｎ−Ｚｎフェライトコア
上にスパッタ成膜した後、Ｓｉ０ｇ膜あるいは５ｉｆｔ
下地膜＋Ｃｒ膜からなる反応防止膜を設けた。そして、
その上に融着ガラス材をスパッタ成膜して５６０°Ｃ，
１時間の熱処理を施して、オージェ電子分光法により反
応の様子を調べた。

また、比較のために軟磁性薄膜上に直接融着ガラス材を
スパッタ成膜し、同様に５６０°Ｃ，１時間の熱処理を
施し、そのときの反応の様子を調べた。

第１０図（Ａ）及び第１０図（Ｂ）は、反応防止膜がＳ
ｉ０ｇ膜（膜厚５００人）である場合の融着ガラス材表
面側から軟磁性薄膜側への組成プロファイルを示すもの
で、第１０１ＥＩ（Ａ）は熱処理前、第１０図（Ｂ）は
熱処理後である。

これら図面を見てもわかるように、Ｓｉ０ｇ膜を設けた
ことで、軟磁性薄膜中のＦｅはほとんどガラス中へは拡
散していない。

第１１図（Ａ）及び第１１図（Ｂ）は、反応防止層がＳ
ｉ０ｇ下地膜（１１９１１００人）十Ｃｒ膜（膜厚１０
０人）である場合の組成プロファイルを示すもので、第
１１図（Ａ）は熱処理前、第１１図（Ｂ）は熱処理後で
ある。

この場合には、Ｃｒ１ｌは融着ガラス材中へ拡散してガ
ラス成分（ＣｒｚＯ３）となっているが、軟磁性薄膜中
のＦｅはやはりガラス中へは拡散していない。なお、Ｃ
ｒ膜のガラス中への拡散は、接着性を考えた場合には好
ましい現象であり、これによって軟磁性薄膜と融着ガラ
ス材との接合強度が確保される。

第１２図（Ａ）及び第１２図（Ｂ）は、反応防止膜が３
１０２下地膜（膜厚１００人）＋Ｃｒ膜（膜厚５００人
）である場合の熱処理前後の組成プロファイルを示すも
のであり、この場合にも同様に軟磁性薄膜中のＦｅの拡
散は見られない。

一方、第１３図（Ａ）及び第１３図（Ｂ）は、軟磁性薄
膜上に直接融着ガラス材をスパッタ成膜した場合の熱処
理前後の組成プロファイルを示すものであるが、軟磁性
薄膜と融着ガラス材が接していると軟磁性薄膜中のＦｅ
がガラス中へ拡散しＦｅｚＯｘとなっていることがわか
る。

同様の実験をＳｉ０ｇ膜の代わりにＳｔ、Ｎ、膜を配し
た場合について行ったところ、やはり軟磁性薄膜中のＦ
ｅの拡散が抑えられることが確認された。

応ＩＬム 本例では、フェライトとの界面反応について調べた。

ここで使用した軟磁性薄膜の組成は、 （Ｆ　ｅｑｔ、ｓＮ　ｂｚ、５）ｑｔＮｂｏｚである。

（先の第１表中のサンプル■）Ｍｎ−Ｚｎフェライトコ
ア上にＳｉＯ□膜（膜厚１００人）をスパッタ成膜した
後、前述の組成を有する軟磁性薄膜を膜厚１０００人と
なるようにこの上にスパッタ成膜した。

そして、５５０°Ｃ，１時間の熱処理を施して、オージ
ェ電子分光法により反応の様子を調べた。

また、比較のためにＭｎ−Ｚｎフェライトコア上に直接
軟磁性薄膜をスパッタ成膜し、同様に５５０°Ｃ１１時
間の熱処理を施し、そのときの反応の様子を調べた。

第１４図（Ａ）及び第１４図（Ｂ）は、フェライトコア
と軟磁性薄膜の間にＳｉＯ□膜（膜厚１００人）を反応
防止膜として設けた場合の軟磁性薄膜表面側からフェラ
イトコア側への組成プロファイルを示すもので、第１４
図（Ａ）は熱処理前、第１４図（Ｂ）は熱処理後である
。

これら図面を見ても明らかなように、Ｓｉｎ。

膜を設けることでフェライトと軟磁性薄膜の反応は完全
に抑制されている。また、Ｓｉ・０２膜の膜厚を３０人
、５０人とした場合にも同様の効果が石育認された。

同様の実験を５１．Ｎ、膜についても行ったところ、や
はりフェライト中の酸素の拡散が抑えられることが確認
された。

一方・Ｍｎ−Ｚｎフェライトコア上に直接軟磁性薄膜を
スパッタ成膜した場合には、第１５図（Ａ）及び第１５
図（Ｂ）に示すように、熱処理によって界面側からの酸
化（フェライト中の酸素の拡散）が進行している。

以上の実験は、Ｆｅ−Ｎｂ−Ｎ−０系の膜についての実
験であるが、これにＡｌ添加した軟磁性薄膜、Ｔｉ添加
した軟磁性薄膜についても同様の実験を行ったところ、
同様の結果が得られた。

〔発明の効果〕

以上の説明からも明らかなように、本発明においては、
Ｆｅ−Ｎ系の軟磁性薄膜に添加元素を加えると同時に酸
素を導入しているので、熱安定性が大幅に向上され、５
５０　’Ｃ程度のアニール処理後にも低保磁力の軟磁性
薄膜の提供が可能である。

同様に、Ｆｅ−Ｎ系の軟磁性薄膜に特定の添加元素を組
み合わせて導入することによっても低保磁力を有する軟
磁性薄膜の提供が可能であり、さらにこれに酸素を導入
することで著しく軟磁気特性に優れ熱安定性に優れた軟
磁性薄膜の提供が可能である。

すなわち、本発明のいずれの発明によっても、軟磁気特
性に優れ、高飽和磁束密度を有し、しかも熱安定性に優
れた軟磁性薄膜を提供することが可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図はスパッタリング雰囲気中への窒素の導入量と膜
中の窒素含有量の関係を示す特性図であり、第２図はス
パッタリング雰囲気中への酸素の導入量と膜中の酸素含
有量の関係を示す特性図である。 第３図はＡｌとＮｂを同時添加した場合のＡｌの添加量
による保磁力の変化を示す特性図であり、第４図はＡｌ
とＮｂを同時添加した場合のＮｂの添加量による保磁力
の変化を示す特性図、第５図はＡｌとＮｂを同時添加し
た場合の窒素含を量による保磁力の変化を示す特性図で
ある。 第６図は窒素と酸素を導入し且つＡｌとＮｂを同時添加
した場合のＡＮの添加量による保磁力の変化を示す特性
図であり、第７図はＮｂの添加量による保磁力の変化を
示す特性図、第８図は窒素の含有量による保磁力の変化
を示す特性図、第９図は酸素の含有量による保磁力の変
化を示す特性図である。 第１０図（Ａ）及び第１０図（Ｂ）は軟磁性薄膜と融着
ガラスの間にＳ　ｉ　Ｏｚ膜を設けた場合の熱処理によ
る組成プロファイルの変化を示す特性図であり、第１０
図（Ａ）は熱処理前、第１０図（Ｂ）は熱処理後である
。 第１１図（Ａ）及び第１１図（Ｂ）は軟磁性薄膜と融着
ガラスの間に５ｉｎ２膜＋Ｃｒ膜（膜厚１００人）を設
けた場合の熱処理による組成プロファイルの変化を示す
特性図であり、第１１図（Ａ）は熱処理前、第１１図（
Ｂ）は熱処理後である。 第１２図（Ａ）及び第１２図（Ｂ）は軟磁性薄膜と融着
ガラスの間に５ｉｎ２膜＋Ｃｒ膜（膜厚５００人）を設
けた場合の熱処理による組成プロファイルの変化を示す
特性図であり、第１２図（Ａ）は熱処理前、第１２図（
Ｂ）は熱処理後である。 第１３図（Ａ）及び第１３図（Ｂ）は軟磁性薄膜上に直
接融着ガラスを成膜した場合の熱処理による組成プロフ
ァイルの変化を示す特性図であり、第１３図（Ａ）は熱
処理前、第１３図（Ｂ）は熱処理後である。 第１４１Ｆ　（Ａ）及び第１４図（Ｂ）はフェライトコ
アと軟磁性薄膜の間にＳｉＯ□膜を設けた場合の熱処理
による組成プロファイルの変化を示す特性図であり、第
１４図（Ａ）は熱処理前、第１４図ＣＢ）は熱処理後で
ある。 第１５図（Ａ）及び第１５１ｆｆｌ　（Ｂ）はフェライ
トコア上に直接軟磁性薄膜を成膜した場合の熱処理によ
る組成プロファイルの変化を示す特性図であり、第１５
図（Ａ）は熱処理前、第１５図（Ｂ）は熱処理後である
。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）（ＦＥ＿ａＭ＿ｂ）＿１＿０＿０＿−＿ｃ＿−＿
   ｄＮ＿ｃＯ＿ｄ（ただし、ａ，ｂ，ｃ，ｄは組成を原子
   ％として表し、ＭはＳｉ，Ａｌ，Ｔａ，Ｂ，Ｍｇ，Ｃａ
   ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｍｏ，
   Ｖ，Ｗ，Ｈｆ，Ｇａ，Ｇｅ，希土類元素の少なくとも１
   種を表す。）なる組成式で表され、その組成範囲が ０．１≦ｂ≦５ ａ＋ｂ＝１００ ０．５≦ｃ≦１５ ０．１≦ｄ≦１３ であることを特徴とする軟磁性薄膜。 （２）（Ｆｅ＿ｅＭ＾Ｉ＿ｆＭ＾Ｉ＾Ｉ＿ｇ）＿１＿０
   ＿０＿−＿ｈＮ＿ｈ（ただし、ｅ，ｆ，ｇ，ｈは組成を
   原子％として表し、Ｍ＾ＩはＡｌ，Ｇａ，Ｔｉ，希土類
   元素のうちの少なくとも１種を、Ｍ＾Ｉ＾ＩはＮｂ，Ｔ
   ａ，Ｖ，Ｚｒ，Ｈｆのうちの少なくとも１種をそれぞれ
   表す。）なる組成式で表され、その組成範囲が ０．１≦ｆ≦２．５ ０．１≦ｇ≦２．５ ｅ＋ｆ＋ｇ＝１００ ０．５≦ｈ≦１５ であることを特徴とする軟磁性薄膜。 （３）（Ｆｅ＿ｉＭ＾Ｉ＿ｊＭ＾Ｉ＾Ｉ＿ｋ）＿１＿０
   ＿０＿−＿ｍ＿−＿ｎＮ＿ｍＯ＿ｎ（ただし、ｉ，ｊ，
   ｋ，ｍ，ｎは組成を原子％として表し、Ｍ＾ＩはＡｌ，
   Ｇａ，Ｔｉ，希土類元素のうちの少なくとも１種を、Ｍ
   ＾Ｉ＾ＩはＮｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｚｒ，Ｈｆのうちの少なく
   とも１種をそれぞれ表す。）なる組成式で表され、その
   組成範囲が ０．１≦ｊ≦２．５ ０．１≦ｋ≦２．５ ｉ＋ｊ＋ｋ＝１００ ０．５≦ｍ≦１５ ０．１≦ｎ≦１３ であることを特徴とする軟磁性薄膜。