JPH03231404A - 磁気シールド型インダクタ及びその製造方法 - Google Patents
磁気シールド型インダクタ及びその製造方法Info
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- JPH03231404A JPH03231404A JP2797790A JP2797790A JPH03231404A JP H03231404 A JPH03231404 A JP H03231404A JP 2797790 A JP2797790 A JP 2797790A JP 2797790 A JP2797790 A JP 2797790A JP H03231404 A JPH03231404 A JP H03231404A
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- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、電子機器等に用いられる小型の磁気2ノー+
L k刑スン4々や易1に石箇瓢糟す達1.7闇ナス(
発明の概要) 本発明は、巻線を施したドラム状磁気コアを磁性材ケー
スに収納し固定した磁気シールド型インダクタ及びその
製造方法であって、前記磁気コア及び磁性材ケース端面
側に端部電極膜を同時成膜することにより、従来製品に
比べ生産性を改善するとともに、製品寸法精度と端部電
極の取り付は強度を向上させるようにしたものである。
L k刑スン4々や易1に石箇瓢糟す達1.7闇ナス(
発明の概要) 本発明は、巻線を施したドラム状磁気コアを磁性材ケー
スに収納し固定した磁気シールド型インダクタ及びその
製造方法であって、前記磁気コア及び磁性材ケース端面
側に端部電極膜を同時成膜することにより、従来製品に
比べ生産性を改善するとともに、製品寸法精度と端部電
極の取り付は強度を向上させるようにしたものである。
(従来の技術)
従来の磁気シールド型インダクタ(マイクロインダクタ
とも呼ばれる)の−例を第3図及び第4図に示す。これ
らの図において、IAはドラム状磁気コアとしてのドラ
ム状フェライトコア、2Aは磁性材ケースとしてのフェ
ライトケースを示す。
とも呼ばれる)の−例を第3図及び第4図に示す。これ
らの図において、IAはドラム状磁気コアとしてのドラ
ム状フェライトコア、2Aは磁性材ケースとしてのフェ
ライトケースを示す。
前記フェライトケース2Aには前記フェライトコアIA
が収納されるように円柱状六部3が設けられている。そ
して、フェライトコアIAの両端面(第4図斜線部)に
は導体ペーストの塗布焼き付は及びその後のめっき処理
によるコア電極11A招洛r−+tあ 1−二ノ1−
→^ム^!塵!π−Iその近傍(第4図斜線部)にも、
導体ペーストの塗布焼き付は及びその後のめつき処理に
よるケース電極11Bが設けられている。すなわち、第
3図に示すように、コア電極11Aは導体ペーストの焼
き付けによる厚膜層12Aと金属めっき層13Aの2層
構造であり、同様にケース電極11Bは導体ペーストの
焼き付けによる厚膜層12Bと金属めっき層13Bの2
層構造である。
が収納されるように円柱状六部3が設けられている。そ
して、フェライトコアIAの両端面(第4図斜線部)に
は導体ペーストの塗布焼き付は及びその後のめっき処理
によるコア電極11A招洛r−+tあ 1−二ノ1−
→^ム^!塵!π−Iその近傍(第4図斜線部)にも、
導体ペーストの塗布焼き付は及びその後のめつき処理に
よるケース電極11Bが設けられている。すなわち、第
3図に示すように、コア電極11Aは導体ペーストの焼
き付けによる厚膜層12Aと金属めっき層13Aの2層
構造であり、同様にケース電極11Bは導体ペーストの
焼き付けによる厚膜層12Bと金属めっき層13Bの2
層構造である。
ドラム状フェライトコアIAにコア電極11Aが設けら
れた後、コアの外周に巻線4Aが設けられる。その巻線
4Aの引き出し端部は、コア電極11Aが設けられてい
る両端面に沿って折り曲げられる。
れた後、コアの外周に巻線4Aが設けられる。その巻線
4Aの引き出し端部は、コア電極11Aが設けられてい
る両端面に沿って折り曲げられる。
巻線4Aが施こされたドラム状フェライトコアIAは、
フェライトケース2Aの穴部3に挿入される。ここで、
フェライトコアIAの端面のコア電極11Aとフェライ
トケース2Aの端面のケース電極11Bとにはんだめっ
き鋼箔14をそれぞれはんだ付けすることにより、両端
面の電極11A、11B同士をそれぞれ接続し、かつフ
ェライトコアIAをフェライトケース2Aに固定する。
フェライトケース2Aの穴部3に挿入される。ここで、
フェライトコアIAの端面のコア電極11Aとフェライ
トケース2Aの端面のケース電極11Bとにはんだめっ
き鋼箔14をそれぞれはんだ付けすることにより、両端
面の電極11A、11B同士をそれぞれ接続し、かつフ
ェライトコアIAをフェライトケース2Aに固定する。
さらに、はんだめっき銅箔14で接続した後のコアIA
端部とケース2Aの穴部3内面との間隙を封止し、ケー
ス2AへのコアIAの固定を強化するために、封止用樹
脂コート15を施こす。
端部とケース2Aの穴部3内面との間隙を封止し、ケー
ス2AへのコアIAの固定を強化するために、封止用樹
脂コート15を施こす。
(発明が解決しようとする課題)
ところで、第3図及び第4図の従来の磁気シールド型イ
ンダクタは、フェライトケースヘトラム状フェライトコ
アを挿入した状態で導体ペーストの焼き付は及びめっき
処理ができず、ドラム状フェライトコアとフェライトケ
ースに対して個別に導体ペーストの焼き付は及びめっき
処理による電極を設けているため、製造に手間がががり
コスト高になっていた。また、ケース電極とコア電極と
をはんだめっき銅箔を用いてはんだ付けにより接合して
いるが、接合強度が弱いい嫌いがあった。その上接合部
の封止と強化のため封止用樹脂コートを施す必要がある
ため、製造工程及び製品構成部品が多くなり、生産性や
製品寸法精度の点で改善しなければならなかった。
ンダクタは、フェライトケースヘトラム状フェライトコ
アを挿入した状態で導体ペーストの焼き付は及びめっき
処理ができず、ドラム状フェライトコアとフェライトケ
ースに対して個別に導体ペーストの焼き付は及びめっき
処理による電極を設けているため、製造に手間がががり
コスト高になっていた。また、ケース電極とコア電極と
をはんだめっき銅箔を用いてはんだ付けにより接合して
いるが、接合強度が弱いい嫌いがあった。その上接合部
の封止と強化のため封止用樹脂コートを施す必要がある
ため、製造工程及び製品構成部品が多くなり、生産性や
製品寸法精度の点で改善しなければならなかった。
本発明は、上記の点に鑑み、構造が簡単で、ケースとコ
アとの接合強度が充分大きく、しがち製品寸法精度の向
上を図ることのできる磁気シールド型インダクタ及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。
アとの接合強度が充分大きく、しがち製品寸法精度の向
上を図ることのできる磁気シールド型インダクタ及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。
(課題を解決するための手段)
上記目的を達成するために、本発明の磁気シールド型イ
ンダクタは、巻線を施したドラム状磁気コアを磁性材ケ
ースの穴部に配置し、前記磁気コア端部と前記穴部内面
との間隙を封止部材で封止するとともに前記磁気コア及
び磁性材ケースの端面側に端部電極膜を設けた構成とし
ている。
ンダクタは、巻線を施したドラム状磁気コアを磁性材ケ
ースの穴部に配置し、前記磁気コア端部と前記穴部内面
との間隙を封止部材で封止するとともに前記磁気コア及
び磁性材ケースの端面側に端部電極膜を設けた構成とし
ている。
また、本発明に係る磁気シールド型インダクタの製造方
法は、巻線を施したドラム状磁気コアを磁性材ケースの
穴部に配置し、前記磁気コア端部と前記穴部内面との間
隙を封止部材で封止する工程と、前記磁気コア及び磁性
材ケース端面側に端部電極膜をスパッタ、イオンプし−
ティング、PCVD等の薄膜技術で成膜する工程とを備
えている。
法は、巻線を施したドラム状磁気コアを磁性材ケースの
穴部に配置し、前記磁気コア端部と前記穴部内面との間
隙を封止部材で封止する工程と、前記磁気コア及び磁性
材ケース端面側に端部電極膜をスパッタ、イオンプし−
ティング、PCVD等の薄膜技術で成膜する工程とを備
えている。
(作用)
本発明においては、巻線を施したドラム状磁気コアを磁
性材ケースの穴部に配置し、前記磁気コア端部と前記穴
部内面との間隙を封止部材で封止するとともに前記磁気
コア及び磁性材ケース端面倒に端部電極膜を一体に成膜
するので、製造工程と製品構成部品の減少を図ることが
できる。また、端部電極膜は、スパッタ、イオンブレー
ティング、P−CVD等の薄膜技術で形成可能であり、
多数のコアとケースを同時成膜することができるので量
産性に優れ、製造コスト低減が図れ、製品寸法精度の向
上も図り得る。
性材ケースの穴部に配置し、前記磁気コア端部と前記穴
部内面との間隙を封止部材で封止するとともに前記磁気
コア及び磁性材ケース端面倒に端部電極膜を一体に成膜
するので、製造工程と製品構成部品の減少を図ることが
できる。また、端部電極膜は、スパッタ、イオンブレー
ティング、P−CVD等の薄膜技術で形成可能であり、
多数のコアとケースを同時成膜することができるので量
産性に優れ、製造コスト低減が図れ、製品寸法精度の向
上も図り得る。
(実施例)
以下、本発明に係る磁気シールド型インダクタ及びその
製造方法の実施例を図面に従って説明する。
製造方法の実施例を図面に従って説明する。
第1図及び第2図において、1はドラム状磁気コアとし
てのドラム状フェライトコア、2は磁性材ケースとして
のフェライトケースを示す。前記フェライトケース2L
二1寸前貢己フェライトコア1が収納されるように円柱
状穴部3が設けられている。
てのドラム状フェライトコア、2は磁性材ケースとして
のフェライトケースを示す。前記フェライトケース2L
二1寸前貢己フェライトコア1が収納されるように円柱
状穴部3が設けられている。
まず、ドラム状フェライトコア1の外周に巻線4が巻回
される。その巻線4の引き出し端部は、第2図の如くコ
ア1の両端面に沿って折り曲げられる。
される。その巻線4の引き出し端部は、第2図の如くコ
ア1の両端面に沿って折り曲げられる。
次に巻線4が施こされたドラム状フェライトコア1は、
フェライトケース2の穴部3に挿入される。ここで、フ
ェライトコア1とフェライトケース2の各両端面の高さ
を合わせ、コア1の端部とケース2の穴部3の内面との
間隙に封止部材としての接着樹脂21を注入して封止し
、ドラム状フェライトコア1をフェライトケース2に固
定する。
フェライトケース2の穴部3に挿入される。ここで、フ
ェライトコア1とフェライトケース2の各両端面の高さ
を合わせ、コア1の端部とケース2の穴部3の内面との
間隙に封止部材としての接着樹脂21を注入して封止し
、ドラム状フェライトコア1をフェライトケース2に固
定する。
この両端部の間隙を封止することにより、後述の成膜工
程において、フェライトケース2の内部への成膜を防止
できる。
程において、フェライトケース2の内部への成膜を防止
できる。
それから、第1図に示すように、接着樹脂21で一体化
されたコア1とケース2の両端面部(ケース側面の端寄
り部分も含む)にわたってCr、Ni−Cr、Cu、S
n等の金属スパッタ膜を同時に被着形成して端部を極膜
22とする。この工程でコア1の両端面に引き比された
巻線4の端部と端部電極膜22が電気的に接続される。
されたコア1とケース2の両端面部(ケース側面の端寄
り部分も含む)にわたってCr、Ni−Cr、Cu、S
n等の金属スパッタ膜を同時に被着形成して端部を極膜
22とする。この工程でコア1の両端面に引き比された
巻線4の端部と端部電極膜22が電気的に接続される。
端部電極膜22の成膜により、コア1とケース2の接合
がさらに強化される。
がさらに強化される。
なお、スパッタにより、端部電極膜22を形成したが、
他の薄膜技術、例えばイオンブレーティング、P−CV
D等で成膜しても差し支えない。
他の薄膜技術、例えばイオンブレーティング、P−CV
D等で成膜しても差し支えない。
上記実施例の構成では、従来の製品に比べ製品構成部品
が大幅に少なくなり(9点がら5点に減少)、この結果
、原価低減、歩留り向上の効果が得られる。また、従来
品に比ベコアとケースとに個別に電極を設けたり、コア
側電極とケース側電極とを相互に接続したりする工程が
不要になるから、製造工数の削減も図ることができる。
が大幅に少なくなり(9点がら5点に減少)、この結果
、原価低減、歩留り向上の効果が得られる。また、従来
品に比ベコアとケースとに個別に電極を設けたり、コア
側電極とケース側電極とを相互に接続したりする工程が
不要になるから、製造工数の削減も図ることができる。
また、電極膜形成後の封止用樹脂コートは不要であり、
かつ端部電極膜22の膜厚の管理は高精度で行うことが
できるから、製品の寸法精度の向上を図ることができる
。さらに、コア1及びケース2の端面及び接着樹脂21
の露出面に同時に端部電極膜22を設けることができ、
はんだめっき鋼箔を使用する従来の場合に比べて製品強
度を大きくすることができる。
かつ端部電極膜22の膜厚の管理は高精度で行うことが
できるから、製品の寸法精度の向上を図ることができる
。さらに、コア1及びケース2の端面及び接着樹脂21
の露出面に同時に端部電極膜22を設けることができ、
はんだめっき鋼箔を使用する従来の場合に比べて製品強
度を大きくすることができる。
なお、上記実施例では、端部電極膜22をスパッタ等の
薄膜技術による金属薄膜のみで構成した場合を例示した
が、薄膜技術による金属薄膜の成膜後、さらに湿式めっ
きを併用して金属薄膜の上にはんだ等の金属めっき膜を
形成して、端部電極膜を2層以上の構造としてもよい。
薄膜技術による金属薄膜のみで構成した場合を例示した
が、薄膜技術による金属薄膜の成膜後、さらに湿式めっ
きを併用して金属薄膜の上にはんだ等の金属めっき膜を
形成して、端部電極膜を2層以上の構造としてもよい。
(発明の効果)
以上説明したように、本発明によれば、ドラム状磁気コ
アと磁性材ケースを封止部材で一体化し、その両端面に
端部電極膜を成膜することにより、従来製品に比べて製
品構成部品及び製造工数を大幅に削減することができ、
コスト低減と製品の歩留りの向上が図れる。また、端部
電極膜は、スパッタ、イオンブレーティング、P−CV
D等の薄膜技術で形成可能であるので、多数のコアとケ
ースを同時成膜することが可能で量産性に優れ、製造コ
スト低減が図れる。さらに、端部電極膜の膜厚の管理は
容易であり、製品寸法精度の向上も図り得る。また、コ
アとケースの端部電極膜の同時成膜により、製品強度の
向上も図れる。
アと磁性材ケースを封止部材で一体化し、その両端面に
端部電極膜を成膜することにより、従来製品に比べて製
品構成部品及び製造工数を大幅に削減することができ、
コスト低減と製品の歩留りの向上が図れる。また、端部
電極膜は、スパッタ、イオンブレーティング、P−CV
D等の薄膜技術で形成可能であるので、多数のコアとケ
ースを同時成膜することが可能で量産性に優れ、製造コ
スト低減が図れる。さらに、端部電極膜の膜厚の管理は
容易であり、製品寸法精度の向上も図り得る。また、コ
アとケースの端部電極膜の同時成膜により、製品強度の
向上も図れる。
第1図は本発明に係る磁気シールド型インダクタ及びそ
の製造方法の実施例を示す正断面図、第2図は同分解斜
視図、第3図は従来の磁気シールド型インダクタの一例
を示す正断面図、第4図は同分解斜視図である。 1、IA・・・ドラム状フェライトコア、2,2A・・
・フェライトケース、3・・・穴部、4,4A・・・巻
線、15・・・封止用樹脂コート、21・・・接着樹脂
、22・・・端部電極膜。
の製造方法の実施例を示す正断面図、第2図は同分解斜
視図、第3図は従来の磁気シールド型インダクタの一例
を示す正断面図、第4図は同分解斜視図である。 1、IA・・・ドラム状フェライトコア、2,2A・・
・フェライトケース、3・・・穴部、4,4A・・・巻
線、15・・・封止用樹脂コート、21・・・接着樹脂
、22・・・端部電極膜。
Claims (2)
- (1)巻線を施したドラム状磁気コアを磁性材ケースの
穴部に配置し、前記磁気コア端部と前記穴部内面との間
隙を封止部材で封止するとともに前記磁気コア及び磁性
材ケースの端面側に端部電極膜を設けたことを特徴とす
る磁気シールド型インダクタ。 - (2)巻線を施したドラム状磁気コアを磁性材ケースの
穴部に配置し、前記磁気コア端部と前記穴部内面との間
隙を封止部材で封止した後、前記磁気コア及び磁性材ケ
ース端面側に端部電極膜を薄膜技術で成膜したことを特
徴とする磁気シールド型インダクタの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02027977A JP3131784B2 (ja) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | 磁気シールド型インダクタ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02027977A JP3131784B2 (ja) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | 磁気シールド型インダクタ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03231404A true JPH03231404A (ja) | 1991-10-15 |
JP3131784B2 JP3131784B2 (ja) | 2001-02-05 |
Family
ID=12235923
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP02027977A Expired - Fee Related JP3131784B2 (ja) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | 磁気シールド型インダクタ及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3131784B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8354910B2 (en) * | 2006-07-28 | 2013-01-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Coil block and electronic device using the same |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60163411A (ja) * | 1984-02-03 | 1985-08-26 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | インダクタ素子 |
JPS6312809U (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-27 |
-
1990
- 1990-02-07 JP JP02027977A patent/JP3131784B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60163411A (ja) * | 1984-02-03 | 1985-08-26 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | インダクタ素子 |
JPS6312809U (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-27 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8354910B2 (en) * | 2006-07-28 | 2013-01-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Coil block and electronic device using the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3131784B2 (ja) | 2001-02-05 |
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