JPH03230641A - Atm交換機 - Google Patents

Atm交換機

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JPH03230641A
JPH03230641A JP2025565A JP2556590A JPH03230641A JP H03230641 A JPH03230641 A JP H03230641A JP 2025565 A JP2025565 A JP 2025565A JP 2556590 A JP2556590 A JP 2556590A JP H03230641 A JPH03230641 A JP H03230641A
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七郎 早見
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [目 次] 概要 産業上の利用分野 従来の技術(第7〜9図) 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段(第1 作 用(第1〜3図) 実施例(第4〜6図) 発明の効果 2図) [概 要] 非同期多重されたセルを蓄積するためのバッファをもっ
たスイッチモジュールを多段に構成して、このセルを入
力ハイウェイと出方ハイウェイとの間で交換するATM
交換方式に関し、 前段側のバッファに後段側バッファの使用状態を通知す
る機能と、前段側においてセルの送出を後段の出方路毎
に制御する機能とを持たせることにより、後段側の混ん
でいるバッファへの読み出しだけを止めて、他のバッフ
ァへの読み出しは行なえるようにすることを目的とし、 後段側のスイッチモジュールにおけるバッファのセル蓄
積量が規定値を越えると、その旨を前段側のスイッチモ
ジュールに通知し、前段側のスイッチモジュールでは、
該当する方路へのセルの読み出しを止め、それ以外の方
路へのセルを読み出してこのセルを後段側のスイッチモ
ジュールへ送出するように構成する。
[産業上の利用分野] 本発明は、非同期多重されたセルを蓄積するためのバッ
ファをもったスイッチモジュールを多段に構成して、こ
のセルを入力ハイウェイと出力ハイウェイとの間で交換
するA T M [AsynchronousTran
sfer Mode:ATM(非同期転送モード)コ交
換方式近年、広帯域l5DNの実現方式として、パケッ
ト交換の帯域柔軟性と回線交換の時間透過性とを兼ねそ
なえた。ATMを使ったATM交換技術がCCITTで
合意され、各機関で研究が盛んに行なわれている。
[従来の技術] かかるATM交換方式では、情報流をセルと呼ばれるヘ
ッダ付きの固定長ブロックを単位に統計多重した入出力
ハイウェイ間で、宛先の書かれたヘッダを見ながらセル
の交換を行なう。
その際、セルの衝突回避のため、第7図に示すごとく、
出力ハイウェイ#1〜#n毎に入力ハイウェイの数nだ
けバッファメモリ(FIFOメモリ;先入れ先出しメモ
リ)101−11〜101−nnが設けられている。
そして、これらのバッファメモリ101−ij(i=1
〜n、j=1〜n)の読出しは例えば次のようにして行
なわれている。すなわち、今、出力ハイウェイ#1に着
目すると、第8図に示すように、各バッファメモリ10
1−11〜101−nlからのセルの有無情報[エンプ
ティ(Empty)フラグ;このフラグは1でセル有、
Oでセルなしを意味するコによりバッファメモリ101
−11〜101−nlからのセルの読出しを制御し出力
ハイウェイ#1へ送出する読出し順序制御装置100を
そなえており、この読出し順序制御装[100が各バッ
ファメモリ101−11〜101−01にポーリングを
かけていくことにより、出力ハイウェイの送出権はバッ
ファメモリ101−11からバッファメモリ101−n
lへと順次移行していくようになっている。なお、バッ
ファメモリ101−nlの次はバッファメモリ101−
11へ戻る。
そしてこの場合、送出権を与えられたバッファメモリは
セルが蓄積されていれば、セルを出力ハイウェイへ送出
するが、もしセルが蓄積されていなければ、次のバッフ
ァメモリへ送出権を渡す。
なお、他の出力ハイウェイ#2〜#nについても同様で
ある。
また、第7図に示す通話路をスイッチモジュールSIJ
として、例えばこのスイッチモジュールSijを、第9
図に示すように多段に接続することも考えられている。
[発明が解決しようとする課題] ところで、ATM交換方式では、様々なトラヒックのサ
ービスを収容するため、セルがバースト的に発生する。
従って、この場合は、瞬時に特定のバッファメモリにセ
ルが集中するが、従来は、このような場合の対処はして
いないので、セルの集中したバッファメモリがオーバー
フローを起こし、セルの廃棄が生じる。
そこで、かかるセルの廃棄を避けるために、バッファメ
モリを大きくすることが考えられるが、これではコスト
的に不利になるほか、バッファメモリにセルが蓄積され
る時間が長くなるので、伝送遅延が長くなるという問題
点がある。
さらに、多段型ATM通話路では、セルが到着した順に
バッファに書かれ、何らセルの読み出し順序に制御が加
わることなく、衝突を回避しながら、順にバッファから
読み出されていくので、たまたま同一方路へのセルが集
中した場合は、次の段のバッファが溢れてしまう。
また、ATM通話路内では、各リンクの使用率を均一に
するように呼設定時に制御されているが、瞬間的には負
荷のアンバランスを生じる場合がある。このように通話
路内のトラヒックの分布が均一でないと、特定のバッフ
ァの使用率が高くても、その前段の使用率は低いという
場合がある。つまり、他のバッファは空いているにも拘
らず、特定のバッファに負荷が集中し、セルの廃棄が起
こるという場合がある。かかる場合は、負荷の高いバッ
ファに接続されている負荷の低い前段でセルを溜めてお
き、負荷の高い方路への送出を控えることで、負荷の高
いバッファの部分でのセル廃棄を低く抑えることができ
る。ただし、スイッチの出ハイウェイでは、各方路のセ
ルが多重されているため、単純に次段のバッファの1つ
が混んでいるからといって、セルの読み出しを止めてし
まうと、次の段の空いているバッファのセルまで読み出
しを止めてしまうことになる。
このためには、セルの送出を各方路毎に選択的に行なえ
る必要がある。
本発明は、このような状況下において創案されたもので
、前段側のバッファに後段側バッファの使用状態を通知
する機能と、前段側においてセルの送出を後段の出方路
毎に制御する機能とを持たせることにより、後段側の混
んでいるバッファへの読み出しだけを止めて、他のバッ
ファへの読み出しは行なえるようにした、ATM交換方
式を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 本発明も、第1図に示すように、非同期多重されたセル
を蓄積するためのバッファをもったスイッチモジュール
Sijを多段に構成して、このセルを入力ハイウェイと
出力ハイウェイとの間で交換するものであるが、まず、
相対的に後段側となりうるスイッチモジュールには、そ
のバッファのセル蓄積量が規定値を越えるかどうかを判
定する手段が設けられている。
また、スイッチモジュール間には、後段側のスイッチモ
ジュールの判定手段にてもし規定値が越えたことが検出
されるとその旨を前段側のスイッチモジュールへ通知す
る制御線C[(j+1)il(j)ilが設けられてい
る。
さらに、相対的に前段側となりうるスイッチモジュール
には、制御線C[(j+1)il(j)iコを通じて送
られてきた情報から、該当する方路へのセルの読み出し
を止め、それ以外の方路へのセルを読み出してこのセル
を後段側のスイッチモジュールへ送出するバッファ制御
手段が設けられている(以上が請求項1の構成要件)。
また1本発明の請求項2にかかるATM交換方式のスイ
ッチモジュールSijの各スイッチ部分200−ijが
、第2図に示すように、セル蓄積用バッファ1.セル空
塞管理テーブル2.シフトレジスタ型FIFOメモリ3
.検索手段4.出方路番号記憶手段5.制御手段6.読
み出し回路7をそなえて構成されている。
なお、検索手段4.出方路番号記憶手段5.制御手段6
.読み出し回路7が上記バッファ制御手段を構成する。
ここで、セル蓄積用バッファ1は、一対の入出力ハイウ
ェイ間に設けられて、セルを蓄積するメモリで、セル空
塞管理テーブル2は、バッファ1内のセルの空塞状態を
管理するものである。
シフトレジスタ型FIFOメモリ3は、出方路番号情報
とバッファ1へのセルの格納アドレス情報とをセル到着
順に記憶してこれらの情報を管理するものである。
また、検索手段4は、シフトレジスタ型FIFOメモリ
3の先頭から順次検索して、セルの有無およびセルがあ
る場合はその出方路番号を検索するもので、出方路番号
記憶手段5は、後段側のスイッチモジュールからのバッ
ファ使用状況からそのバッファのセル蓄積量が規定値を
越えている出方路番号を記憶するものである。
制御手段6は、出方路番号記憶手段5からセルを出さな
い出方路番号を受けて、検索手段4からの検索結果と比
較して、等しくないときに、FIFOメモリ3から該当
する管理情報を抜き出させるものである。
読み出し回路7は、バッファ1内のセルを制御手段6に
よって抜き出されたFIFOメモリ3からの管理情報の
うちセルの格納アドレス情報に基づき、指定した出方路
へのセルから順に読み出すものである。なお、読み出し
回路7は、バッファ1からセルを読み出すと、セル空塞
管理テーブル2におけるセル空塞状態を空き状態にする
ための信号を出すようになっている。
これにより、このスイッチモジュールSijの各スイッ
チ部分200−ijは、FIF○メモリ3の先頭から要
求された出方路へのセルの有無を検索し、該当するもの
を見つけると、FIF○メモリ3から該当する管理情報
を抜き出し、得られたセルの格納アドレス情報に基づき
指定した出方路へのセルから順に読み出していくように
構成されているのである。
[作 用] 上述の本発明のATM交換方式(請求項1)では、後段
側のスイッチモジュールにおけるバッファのセル蓄積量
が規定値を越えたことが判定手段によって検出されると
、制御線C[(j+1)i→(j)i]を通じて、その
旨が前段側のスイッチモジュールに通知される。
そして、この通知を受けた前段側のスイッチモジュール
では、そのバッファ制御手段によって、該当する方路へ
のセルの読み出しを止め、それ以外の方路へのセルを読
み出してこのセルを後段側のスイッチモジュールへ送出
するのである。
例えば、第3図に示すように、2段目の出方路4に出て
いくバッファが混んでおり、出方路1のバッファにはま
だ余裕があるというように、負荷が偏った時を例にして
、本発明のATM交換方式による動作を説明すると、次
のようになる。
まず、2段目の出方路4のバッファは規定値以上の負荷
になると、1段目に規制要求を出す。これにより、1段
目のバッファでは、2段目の出方路4にいくセルはバッ
ファからは読み出さず、それ例外の出方路にいくセルか
ら読み出して送出するのである。
また、請求項2に記載のATM交換方式では、第2図に
示すように、入力ハイウェイからのセルがセル蓄積用バ
ッファ1に蓄積されているが、このときバッファ1内の
セルの空塞状態がセル空塞管理テーブル2で管理されて
おり、出方路番号情報とバッファ1へのセルの格納アド
レス情報とがセル到着順にシフトレジスタ型FIFOメ
モリ3で管理されている。
このような状態において、バッファ1からのセル送出は
次のようにして行なわれる。まず、検索手段4が、シフ
トレジスタ型FIF○メモリ3の先頭から順次検索して
、セルの有無およびセルがある場合はその出方路番号を
検索する。ついで、制御手段6が、出方路番号記憶手段
5からセルを出さない出方路番号を受けて、検索手段4
からの検索結果と比較して、等しくないときに、FIF
Oメモリ3から該当する管理情報を抜き出させる。
そして、その後は、読み出し回路7が、バッファ1内の
セルを、制御手段6によって抜き出されたFIFOメモ
リ3からの管理情報のうちセルの格納アドレス情報に基
づき、指定した出方路へのセルから順に読み出す。なお
、バッファ1からセルを読み出すと、読み出し回路7に
よって、セル空塞管理テーブル2におけるセル空塞状態
が空き状態にされる。
これにより、このスイッチモジュールSiJの各スイッ
チ部分200−ijは、FIFOメモリ3の先頭から要
求された出方路へのセルの有無を検索し、該当するもの
を見つけると、FIF○メモリ3から該当する管理情報
を抜き出し、得られたセルの格納アドレス情報に基づき
指定した出方路へのセルから順に読み出していくように
なっているのである。
[実施例] 以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
本実施例も、第4図(、)に示すように、非同期多重さ
れたセルを蓄積するためのバッファをもったスイッチモ
ジュールSijを多段に構成して、このセルを入力ハイ
ウェイと出力ハイウェイとの間で交換するものであり、
各スイッチモジュールSij間には、リンクと制御線C
[(j+1)i→(j)i]とが介装されている。
ここで、リンクはセルを次段のスイッチモジュールへ伝
送する線路で、制御線C[(j+1)i→(j)i]は
後段側のスイッチモジュールのバッファのセル蓄積量が
規定値を越えた旨を前段側のスイッチモジュールへ通知
する線路である。
ところで、スイッチモジュールSijは、第4図(b)
に示すように、入力ハイウェイ#1〜#nからのセルを
出力ハイウェイ#1〜#nへ選択的に送出するために、
入力ハイウェイ#1〜#nと出力ハイウェイ#1〜#n
との各クロスポイント部に配設されたnX1個のスイッ
チ部分(以下、これをクロスポイント部という)200
−11〜200−nnと、n個のセレクタ201−1−
201−nと、各セレクタ201−jを制御するセレク
タ制御部202−1〜202−nとをそなえて構成され
ている。
まず、スイッチモジュールSijの各クロスポイント部
200−ijは、第5図に示すように、セル蓄積用バッ
ファ11.セル空塞管理テーブル12、シフトレジスタ
型FIFOメモリ(マルチボートFIF○)13.セル
書き込み制御部14゜セル読み出し制御部15.セル蓄
積量判定部16をそなえている。
ここで、セル蓄積用バッファ11は、一対の入出力ハイ
ウェイ間に設けられて、セルを所要のアドレスに蓄積し
うるメモリであり、セル空塞管理テーブル12は、バッ
ファ11内のセルの空塞状態を管理するメモリである。
また、シフトレジスタ型FIFOメモリ13は、出方路
番号情報とバッファ11へのセルの格納アドレス情報と
をセル到着順に記憶してこれらの情報を管理するもので
あり、かかるシフトレジスタ型FIFOメモリ13の構
成例を示すと、第6図のようになる。すなわち、このシ
フトレジスタ型FIFOメモリ13は、4段シフトタイ
プのものであるが、このシフトレジスタ型FIFOメモ
リ13は、レジスタタイプのデータラッチ131−1〜
131−4.ラッチデータセレクタ132゜データラッ
チ制御用のリードライトパルス伝達論理ゲート部133
−1〜133−4.RSフリップフロップ134−1〜
134−4.アドレスデコーダ135.データ空き情報
出力用セレクタ136をそなえている。
データラッチ131−1〜131−4はデータをラッチ
するものであるが、まず入力端子Dinから入ってきた
入力ハイウェイからのデータはデータラッチ131−1
でラッチされる。その後は、リードライトパルス伝達論
理ゲート部133−1〜133−4からの信号により、
データを次のデータラッチへと順次シフトしていき、そ
の度に相当するデータラッチがデータを一時的に記憶す
るようになっている。
ラッチデータセレクタ132は、各データラッチ134
−1〜134−4の出力を選択して、これを出力端子D
 outから出すものである。
リードライトパルス伝達論理ゲート部133−1〜13
3−4は、RSフリップフロップ134−1〜134−
4と共にデータラッチ131−1〜131−4を制御す
るものであるが、リードライトパルス伝達論理ゲート部
133−1は、AND論理のゲート1331−1をそな
えており、その他のリードライトパルス伝達論理ゲート
部133−2〜133−4は、AND論理のゲート13
31−2〜1331−4と情報フィードバック用のOR
論理のゲート1332−2〜1332−4とをそなえて
いる。
ゲート1331−1は、ライトイネーブル端子WEから
のライトイネーブル信号をそのまま受けると共に、RS
フリップフロップ134−1のQ出力(非反転出力)お
よびゲート1332−2の出力をそれぞれ反転させて受
けて、そのAND論理結果をデータラッチ131−1の
クロック端とRSフリップフロップ134−1のセット
端へそれぞれ出力するものである。
ゲート1331−2〜1331−4は、それぞれRSフ
リップフロップ134−1〜134−3の非反転出力を
そのまま受けるとともに、RSフリップフロップ134
−2〜134−4のQ出力およびゲート1332−3〜
1332−4の出力をそれぞれ反転させて受けることに
より、そのAND論理結果をデータラッチ131−2〜
131−4のクロック端とRSフリップフロップ134
−2〜134−4のセット端へそれぞれ出力するもので
ある。
ゲート1332−2〜1332−4は、それぞれゲート
1331−2〜1331−4の出力およびデコーダ13
5からの対応デコードビット出力を受けて、そのOR論
理結果をゲート133′。
1〜1331−3およびRSフリップフロップ134−
1〜134−3へそれぞれ出力するものである。
RSフリップフロップ134−1〜134−4は、リー
ドライトパルス伝達論理ゲート部133−1〜133−
4からのデータラッチ制御出力をラッチするもので、こ
のRSフリップフロップ134−1〜134−4は、ラ
イトイネーブル状態になることにより、リードライトパ
ルス伝達論理ゲート部133−2〜133−4のゲート
1332−2〜1332−4から信号によってリセット
されるようになっている。
デコーダ135は、ライトイネーブル端REからのライ
トイネーブル信号をトリガ信号としてアドレス端Add
rを通じて入力されるアドレス情報をシフト段数分の長
さ(この場合は4ビツトの長さ)を持つ符号にデコード
するもので、その対応デコードビット出力はリードライ
トパルス伝達論理ゲート部133−2〜133−4のゲ
ート1332−2〜1332−4.セレクタ132,1
36へ入力される。
セレクタ136は、RSフリップフロップ134−1〜
134−4からのQ出力を選択してデータ空き情報出力
端EMPからデータ空き情報を出力するものである。
このような構成により、シフトレジスタ型FIFOメモ
リ13は、ライトイネーブル信号により、順次データラ
ッチ131−1〜131−4へデータがラッチされてい
く。そして、もし、いずれかのデータラッチにラッチさ
れているデータを読み出す場合は、ライトイネーブル信
号をトリガとして所要のアドレス情報を入力すればよい
。例えば、データラッチ131−2でラッチされている
データを取り出す場合を考えると、この場合はデコーダ
135からのデコード出力(2ビツト目が「1」のもの
)により、セレクタ132がデータラッチ131−2の
出力を選択すると共に、リードライトパルス伝達論理ゲ
ート部133−3のゲート3132−3から出力により
、RSフリップフロップ134−2がリセットされる。
このようにしてこのRSフリップフロップ134−2の
リセット出力がリードライトパルス伝達論理ゲート部1
33−2へ入力されると、このリードライトパルス伝達
論理ゲート部133−2のゲート1331−2はデータ
ラッチ131−2へラッチ制御信号を出し、これにより
前段のデータラッチ131−1の内容がラッチされる。
これによりデータラッチ131−1にラッチされていた
ものが、データラッチ131−2ヘシフトしたことにな
る。このようにデータラッチ131−2にデータがシフ
トされると、RSフリップフロップ134−2は再度セ
ット状態となる。また、リードライトパルス伝達論理ゲ
ート部133−2のゲート1331−2からの信号によ
り、ゲート1332−2はRSフリップフロップ134
−1をリセットすることにより、このRSフリップフロ
ップ134−1は空き状態を示す情報を出す。
以上の動作は、どのデータラッチからデータを取り出し
た場合でも、同様にして行なわれ、いずれの場合も、デ
ータラッチからデータが取り出されると、自律的にそれ
以降のデータが前段に詰まっていくようになっている。
さらに、第5図に示すセル書き込み制御部14は、書き
込み側のサーチ開始信号により、空塞管理テーブル12
の情報から空きバッファを見つけておき、セルが到着す
ると、書き込み信号により、セルをバッファ11に書き
込むと同時に、そのバッファのアドレスと次段への出方
路番号をシフトレジスタ型FIFOメモリ13に書き込
み、更には空塞管理テーブル12の該当部分を塞がり状
態にするもので、カウンタ141,142.サーチ用の
ゲート143.RSフリップフロップ145゜書き込み
制御用のゲート144等をそなえて構成されている。
すなわち、このセル書き込み制御部14においては、サ
ーチ開始信号が入力されると、このときもしゲート14
3が空塞管理テーブル12から塞がり信号「1」を受け
てスタンバイ状態にあれば、ゲート143からカウンタ
スタート信号(イネーブル信号)が出され、これにより
カウンタ142が計数を開始して、空塞管理テーブル1
2の空き塞がり情報が入っている部分を順次サーチして
いく。このとき、空塞管理テーブル12からはゲート1
43に空きか塞がりかがrOJ、rlJ情報にて出力さ
れる。そして、サーチ中に、空き部分があれば、ゲート
143に空きである旨の信号「0」が出されるため、カ
ウンタ142は止まる。
これにより、空塞管理テーブル12の空き情報を見つけ
ると、その該当部分で停止して待機する。
なお、RSフリップフロップ145は、サーチ開始信号
によってセットされ、空塞管理テーブル12からゲート
143への空き信号を反転させた信号によってリセット
される。そして、このリセットにより、RSフリップフ
ロップ145は書き込み可信号を出す。これにより、書
き込み信号をいつでも出せる状態になる。
その後、セルが到着すると、書き込み信号が出されるが
、このときゲート144は開状態にあり、カウンタ14
1によって、セルはその長さ分だけバッファ11に書き
込まれる。このとき、書き込み信号によって、空塞管理
テーブル12の該当部分を塞がり状態に設定する。また
、この書き込み信号はシフトレジスタ型FIFOメモリ
13のライトイネーブル端WEにも入力されているので
、令書き込んだアドレスと次段への出方路番号がシフト
レジスタ型FIFOメモリ13に書き込まれる。
セル読み出し制御部15は、バッファ11からのセルの
読み出しに先立って、読み出しセルのサーチ信号により
、シフトレジスタ型FIFOメモリ13の中を覗いて次
段のスイッチモジュールSijから規制要求の来ていな
いセルを見つけておき、セルの読み出しタイミングにな
ると、そこから読み出し空塞管理テーブル12の該当部
分を空き状態にするもので、カウンタ151,152゜
サーチ用のゲート153,154.RSフリップフロッ
プ156.書き込み制御用のゲート155゜比較器15
7.出方路番号記憶部158等をそなえて構成されてい
る。
すなわち、このセル読み出し制御部15においては、サ
ーチ開始信号(上記の書き込み側サーチ開始信号とは別
のもの)が入力されると、このときもしシフトレジスタ
型FIFOメモリ13からの出方路番号と出方路番号記
憶部158からのセルを出さない出方路番号とが一致し
ている場合は、比較器157からロー出力がゲート15
4へ出されているので、ゲート153からカウンタスタ
ート信号(イネーブル信号)が出され、これによりカウ
ンタ152が計数を開始して、シフトレジスタ型FIF
Oメモリ13を順次サーチしていくようになっている。
そして、このサーチにより、シフトレジスタ型FIFO
メモリ13から出方路番号が出され、これが、比較器1
57にて、出方路番号記憶部158からのセルを出さな
い出方路番号と比較される。そして、このときもし両者
が等しくない場合は、比較器157はハイレベル信号を
出す。これにより、カウンタ152は止まる。
なお、RSフリップフロップ156は、サーチ開始信号
によってリセットされ、比較器157からの信号によっ
てセントされる。そして、このセットにより、RSフリ
ップフロップ156は読み出し可信号を出す。これによ
り、読み出し信号をいつでも出せる状態になる。
その後は、所要のセル読み出しタイミングで、読み出し
信号が出されるが、このときゲート155は開状態にあ
り、カウンタ151によって、セルはその長さ分だけバ
ッファ11から読み出される。このとき、FIF○メモ
リ13がらの出力信号によって、空塞管理テーブル12
の該当部分を空き状態に設定する。
セル蓄積量判定部16は空塞管理テーブル12の空塞状
態からバッファ11のセル蓄積量が規定値以上になった
かどうかを判定するもので、もし規定値を越えると、前
段のスイッチモジュールにおける出方路番号記憶部15
8へ該当出方路番号を制御線を介して伝達するものであ
る。
このような構成により、まず、セル書き込みおよび読み
出しに先立って、書き込み側および読み出し側のサーチ
開始信号をそれぞれ所要のタイミングで入力しておくこ
とにより、前述の要領で、空塞管理テーブル1−2の情
報から空きバッファを見つけておくとともに、シフトレ
ジスタ型FIFOメモリ13の中を覗いて次段のスイッ
チモジュールSjjから規制要求の来ていないセルを見
つけておく。
このような状態で、セルが到着すると、セル書き込み制
御部14は、書き込み信号により、セルをバッファ11
に書き込むと同時に、そのバッファのアドレスと次段へ
の出方路番号をシフトレジスタ型FIFOメモリ13に
書き込み、更には空塞管理テーブル12の該当部分を塞
がり状態にする。
また、バッファ11からのセルの読み出しに際しては、
セルの読み出しタイミングになると、そこから読み出し
、空塞管理テーブル12の該当部分を空き状態にするこ
とが行なわれる。
これにより、このスイッチモジュールSijの各クロス
ポイント部200−ijは、FIF○メモリ13の先頭
から要求された出方路へのセルの有無を検索し、該当す
るものを見つけると、FIFOメモリ13から該当する
管理情報を抜き出し、得られたセルの格納アドレス情報
に基づき指定した出方路へのセルから順に読み出してい
くようになっているのである。
また、第4図(b)に示すセレクタ部201−jは、上
述のようにして出力されたn個のクロスポイント部20
0−1 j −200−n jからのセルを選択して出
力ハイウェイ#jへ出力するもので、このセレクタ部2
01−jの切替制御はセレクタ制御部202−jによっ
て行なわれる。すなわち、セレクタ制御部202−jは
、クロスポイント部200−1j〜200  njの読
み出し可信号を受けてクロスポイント部200−1j〜
200−njからのセルが競合しないようセレクタ20
1−jの切替制御を行なうのである。
本実施例においては、この第5図に示すクロスポイント
部をもったスイッチモジュールを多段に接続して、第1
段目に使用するスイッチモジュールについては、前段の
バッファに次段バッファの使用状態を通知する機能は使
用せず、前段においてセルの送出を次段の出方路毎に制
御する機能のみを使用し、更に最後段のスイッチモジュ
ールについては、前段においてセルの送出を次段の出方
路毎に制御する機能は使用せず、前段のバ′ツファに次
段バッファの使用状態を通知する機能のみを使用してい
るが、第1段目と最後段を除くスイッチモジュールに第
5図に示すクロスポイント部を有するスイッチモジュー
ルを使用し、第1段目に使用するスイッチモジュールに
ついては、前段においてセルの送出を次段の出方路毎に
制御する機能のみをそなえたものを使用し、更に最後段
のスイッチモジュールについては、前段のバッファに次
段バッファの使用状態を通知する機能のみをそなえたも
のを使用するようにしてもよい。
従って、本ATM交換方式によれば、後段側のスイッチ
モジュールにおけるバッファのセル蓄積量が規定値を越
えたことがセル蓄積量判定部16によって検出されると
、制御線を通じて、その旨が前段側のスイッチモジュー
ルに通知される。
そして、この通知を受けた前段側のスイッチモジュール
では、そのセル読み出し制御部15によって、該当する
方路へのセルの読み出しを止め、それ以外の方路へのセ
ルを読み出してこのセルを後段側のスイッチモジュール
へ送出することかできるのである。
なお、本実施例では、セルの読み出しを各出方路毎に管
理するために、シフトレジスタ型FIFOメモリ13の
各ステージから管理情報を抜き出し、抜き出したあとは
自律的にそれ以降の情報が前に詰まっていくように構成
されているので、各出方路ごとにバッファを持って管理
するものに比べ、少ない容量のバッファを使用すること
ができ、また、バッファは各出方路で共有し、方略ごと
にセルの格納アドレスを示すポインタチェーンを組んで
管理するものに比べ、高い信頼性でセル送出制御を行な
えるものである。
[発明の効果] 以上詳述したように、本発明のATM交換方式(111
11)によれば、前段のバッファに次段バッファの使用
状態を通知する機能と、前段においてセルの送出を次段
の出方路毎に制御する機能とを持たせることにより、次
段の混んでいるバッファへの読み出しだけを止めて、他
のバッファへの読み出しを行なえる利点がある。
また、本発明のATM交換方式(請求項2)によれば、
スイッチモジュールの各スイッチ部分が。
セルの読み出しを各出方路毎に管理するために、シフト
レジスタ型FIFOメモリの各ステージから管理情報を
抜き出し、抜き出したあとは自律的にそれ以降の情報が
前に詰まっていくように構成されているので、少ない容
量のバッファ使用が可能となり、これによりバッファ量
を少なくすることができるほか、高い信頼性でセル送出
制御を行なえる利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1,2図は本発明の原理ブロック図、第3図は本発明
の詳細な説明するための図、第4図(、)は本発明の一
実施例に適用されるATMi話路を示すブロック図、 第4図(b)は本発明の一実施例としてのスイッチモジ
ュールを示すブロック図、 第5図は本発明の一実施例としてのスイッチモジュール
のクロスポイント部を示すブロック図、第6図はシフト
レジスタ型FIF○メモリのブロック図、 第7図は一般的なATM交換方式の通話路を概略的に示
す図、 第8図は従来例を示すブロック図、 第9図はスイッチモジュールを多段に構成した場合のブ
ロック図である。 図において、 1はセル蓄積用バッファ、 2は空塞管理テーブル、 3はシフトレジスタ型FIF○メモリ、4は検索手段、 5は出方路番号記憶手段、 6は制御手段、 7は読み出し回路、 11はセル蓄積用バッファ、 12はセル空塞管理テーブル、 13はシフトレジスタ型FIFOメモリ、14はセル書
き込み制御部、 15はセル読み出し制御部、 16はセル蓄積量判定部、 131−1〜131−4はデータラッチ、132はラッ
チデータセレクタ、 133−1〜133−4はリードライトパルス伝達論理
ゲート部、 134−1〜134−4はRSフリップフロップ、13
5はアドレスデコーダ、 136はデータ空き情報出力用セレクタ、141.14
2はカウンタ、 143.144はゲート。 145はRSフリップフロップ、 151.152はカウンタ、 153〜155はゲート、 156はRSフリップフロップ、 157は比較器、 158は出方路番号記憶部、 200−ijはクロスポイント部(スイッチ部分)、2
01−jはセレクタ、 202−jはセレクタ制御部、 1331−1〜1331−4. 1332−2〜133
2−4はゲート、 C[(j+1)i→(j)ilは制御線、Sijはスイ
ッチモジュールである。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)非同期多重されたセルを蓄積するためのバッファ
    (1)をもったスイッチモジュール(Sij)を多段に
    構成して、該セルを入力ハイウェイと出力ハイウェイと
    の間で交換するATM交換方式において、 後段側のスイッチモジュールにおけるバッファのセル蓄
    積量が規定値を越えると、その旨を前段側のスイッチモ
    ジュールに通知し、 該前段側のスイッチモジュールでは、該当する方路への
    セルの読み出しを止め、それ以外の方路へのセルを読み
    出して該セルを該後段側のスイッチモジュールへ送出す
    ることを 特徴とする、ATM交換方式。
  2. (2)該スイッチモジュール(Sij)の各スイッチ部
    分(200−ij)が、 一対の入出力ハイウェイ間に設けられるセル蓄積用バッ
    ファ(1)と、 該バッファ(1)内のセルの空塞状態を管理するセル空
    塞管理テーブル(2)と、 出方路番号情報と該バッファ(1)へのセルの格納アド
    レス情報とをセル到着順に管理するシフトレジスタ型F
    IFOメモリ(3)とをそなえて構成され、 該FIFOメモリ(3)の先頭から要求された出方路へ
    のセルの有無を検索し、該当するものを見つけると、該
    FIFOメモリ(3)から該当する管理情報を抜き出し
    、得られたセルの格納アドレス情報に基づき指定した出
    方路へのセルから順に読み出していくように構成された
    ことを特徴とする、請求項1記載のATM交換方式。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08305649A (ja) * 1995-04-28 1996-11-22 Nec Corp マルチキャスト方法及び交換スイッチ
US6144635A (en) * 1996-07-18 2000-11-07 Nec Corporation Asynchronous transfer mode exchange system

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US6144635A (en) * 1996-07-18 2000-11-07 Nec Corporation Asynchronous transfer mode exchange system

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