JPH03229876A - セラミックス被覆方法およびセラミックス被覆物 - Google Patents
セラミックス被覆方法およびセラミックス被覆物Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
この発明は、導体にセラミックスを被覆するセラミック
ス被覆方法と、前記セラミックス被覆方法によって得ら
れるセラミックス被覆物に関する。
ス被覆方法と、前記セラミックス被覆方法によって得ら
れるセラミックス被覆物に関する。
[従来り技術]
従来、導体にセラミックスを被覆する方法として、セラ
ミックスに対応するセラミックス、前駆体が分散された
ゾルを調製し、ゾルを導体に塗布した後、加熱処理する
方法が提案されている。ゾルを導体に塗布するにあたっ
ては、ゾルを導体にスピンコードするスピンコーティン
グ法またはゾルに導体を浸漬する浸漬法などの方法が用
いられている。
ミックスに対応するセラミックス、前駆体が分散された
ゾルを調製し、ゾルを導体に塗布した後、加熱処理する
方法が提案されている。ゾルを導体に塗布するにあたっ
ては、ゾルを導体にスピンコードするスピンコーティン
グ法またはゾルに導体を浸漬する浸漬法などの方法が用
いられている。
[発明が解決しようとする課題]
従来のセラミックス被覆方法において、ゾルを塗布する
ために用いるスピンコーティング法や浸漬法などの方法
では、1回の処理で導体に付着させるセラミックス前駆
体の粒子の量が少量に限定されていた上に、この付着量
を任意に増加させることもできなかった。すなわち、従
来のセラミックス被覆方法において、1回の処理で形成
できるセラミックスの被覆の厚さは0.1μm程度にし
かならず、被覆を厚くするには処理を何回も繰り返す必
要があった。このため、被覆を任意に厚くすることも非
常に困難であった。
ために用いるスピンコーティング法や浸漬法などの方法
では、1回の処理で導体に付着させるセラミックス前駆
体の粒子の量が少量に限定されていた上に、この付着量
を任意に増加させることもできなかった。すなわち、従
来のセラミックス被覆方法において、1回の処理で形成
できるセラミックスの被覆の厚さは0.1μm程度にし
かならず、被覆を厚くするには処理を何回も繰り返す必
要があった。このため、被覆を任意に厚くすることも非
常に困難であった。
この発明の目的は、導体に金属酸化物を被覆するセラミ
ックス被覆方法において、1回の処理で導体に付着させ
るセラミックス前駆体の量を増加させ、しかも増加量を
制御することにより、セラミックスの被覆を任意に厚(
することができるセラミックス被覆方法、および前記セ
ラミックス被覆方法を用いて初めて得ることができるセ
ラミックス被覆物を提供するものである。
ックス被覆方法において、1回の処理で導体に付着させ
るセラミックス前駆体の量を増加させ、しかも増加量を
制御することにより、セラミックスの被覆を任意に厚(
することができるセラミックス被覆方法、および前記セ
ラミックス被覆方法を用いて初めて得ることができるセ
ラミックス被覆物を提供するものである。
[課題を解決するための手段]
この出願の第1の発明は、導体に金属酸化物を被覆する
セラミックス被覆方法に都いて、金属酸化物の前駆体を
含むゾルをゾルゲル法により調製する工程と、ゾル中に
導体を浸し、導体を陰極として通電することにより導体
に金属酸化物の前駆体を付着させる工程と、金属酸化物
の前駆体を付着させた導体を加熱処理することにより、
導体に金属酸化物を被覆する工程とを備えるセラミック
ス被覆方法である。 5この明細書でい
うゾルゲル法は、ゾルを脱水処理してゲルとし、このゲ
ルを加熱して一定の形状または皮膜として調製する方法
を指し、最近とみに注目を浴びるようになったセラミッ
クス製造法の1つである。この方法で生産されるゾル溶
液は、金属アルコキシド等の加水分解可能な有機基を有
する化合物の加水分解反応および脱水縮合反応により生
成した、アルコキシド基、ヒドロキシ基、メタロキサン
結合を有する金属の有機化合物高分子であるセラミック
ス前駆体、溶媒であるアルコール等の有機溶媒や、原料
の金属アルコキシドおよび加水分解反応に必要な少量の
水と触媒が含まれている。このゾル溶液は縮合反応の進
行および溶媒等の揮発に伴いメタロキサン結合が成長し
、液体状態から寒天状のゲル状態に進行する。このゲル
状態では、メタロキサン結合からなる空隙を持つ網目構
造中に有機物質や水等が保持された構造をとり、3次元
的な構造が完成されていない状態になる。また、ゲル状
態への進行は、加熱の必要はないが、加熱によりゲル状
態の進行は加速される。ゲルは、加熱等により網目構造
の空隙に有機物質や水分等をほとんど含まない状態とな
り、いわゆるキセロゲルと呼ばれるものとなり、さらに
加熱を行なうことによりヒドロキシ基の縮合、メタロキ
サン結合が成長し最終的にはセラミックスに変化する。
セラミックス被覆方法に都いて、金属酸化物の前駆体を
含むゾルをゾルゲル法により調製する工程と、ゾル中に
導体を浸し、導体を陰極として通電することにより導体
に金属酸化物の前駆体を付着させる工程と、金属酸化物
の前駆体を付着させた導体を加熱処理することにより、
導体に金属酸化物を被覆する工程とを備えるセラミック
ス被覆方法である。 5この明細書でい
うゾルゲル法は、ゾルを脱水処理してゲルとし、このゲ
ルを加熱して一定の形状または皮膜として調製する方法
を指し、最近とみに注目を浴びるようになったセラミッ
クス製造法の1つである。この方法で生産されるゾル溶
液は、金属アルコキシド等の加水分解可能な有機基を有
する化合物の加水分解反応および脱水縮合反応により生
成した、アルコキシド基、ヒドロキシ基、メタロキサン
結合を有する金属の有機化合物高分子であるセラミック
ス前駆体、溶媒であるアルコール等の有機溶媒や、原料
の金属アルコキシドおよび加水分解反応に必要な少量の
水と触媒が含まれている。このゾル溶液は縮合反応の進
行および溶媒等の揮発に伴いメタロキサン結合が成長し
、液体状態から寒天状のゲル状態に進行する。このゲル
状態では、メタロキサン結合からなる空隙を持つ網目構
造中に有機物質や水等が保持された構造をとり、3次元
的な構造が完成されていない状態になる。また、ゲル状
態への進行は、加熱の必要はないが、加熱によりゲル状
態の進行は加速される。ゲルは、加熱等により網目構造
の空隙に有機物質や水分等をほとんど含まない状態とな
り、いわゆるキセロゲルと呼ばれるものとなり、さらに
加熱を行なうことによりヒドロキシ基の縮合、メタロキ
サン結合が成長し最終的にはセラミックスに変化する。
上記ゾル調製工程では、ゾルの分散媒の誘電率を高める
ために、有機化合物塩を添加することができる。上記有
機化合物塩としては、相間移動触媒として用いられる化
合物を挙げることができる。
ために、有機化合物塩を添加することができる。上記有
機化合物塩としては、相間移動触媒として用いられる化
合物を挙げることができる。
さらに、有機化合物塩として、塩化トリオクチルメチル
アンモニウム、塩化テトラブチルホスホニウム、臭化テ
トラブチルアンモニウムブロマイド、臭化トリオクチル
メチルアンモニウムおよび臭化テトラブチルホスホニウ
ムの無機塩からなる群から選択された化合物を少なくと
も1種用いることができる。
アンモニウム、塩化テトラブチルホスホニウム、臭化テ
トラブチルアンモニウムブロマイド、臭化トリオクチル
メチルアンモニウムおよび臭化テトラブチルホスホニウ
ムの無機塩からなる群から選択された化合物を少なくと
も1種用いることができる。
また、ゾル調製工程では、金属の無機塩を添加すること
もできる。金属の無機塩としては、アルミニウム、マグ
ネシウム、カリウムおよびジルコニウムからなる群から
選択された少なくとも1種の金属の硝酸塩、硫酸塩また
は水酸化物を用いることができる。
もできる。金属の無機塩としては、アルミニウム、マグ
ネシウム、カリウムおよびジルコニウムからなる群から
選択された少なくとも1種の金属の硝酸塩、硫酸塩また
は水酸化物を用いることができる。
なお、ゾル調製工程において、上記有機化合物塩と上記
金属の無機塩を併用して添加することも容易である。
金属の無機塩を併用して添加することも容易である。
さらに、ゾル調製工程ではセラミックスの粉末を混合す
ることもできる。セラミックスの混合は、ゾル調製工程
において何も新たに添加しない場合、有機化合物塩を添
加する場合および金属の無機塩を添加する場合のいずれ
の場合でも効果的である。
ることもできる。セラミックスの混合は、ゾル調製工程
において何も新たに添加しない場合、有機化合物塩を添
加する場合および金属の無機塩を添加する場合のいずれ
の場合でも効果的である。
セラミックス粉末としては、マイカ粉末、酸化珪素、窒
化珪素、炭化珪素、酸化アルミニウム、窒化ホウ素およ
び窒化アルミニウムからなる群から選択された化合物を
少な(とも1種用いることができる。
化珪素、炭化珪素、酸化アルミニウム、窒化ホウ素およ
び窒化アルミニウムからなる群から選択された化合物を
少な(とも1種用いることができる。
前記ゾル調製工程では、金属酸化物に対応する金属アル
コキシドもしくは金属カルボン酸エステルの加水分解反
応および縮合反応によりゾルを調製することができる。
コキシドもしくは金属カルボン酸エステルの加水分解反
応および縮合反応によりゾルを調製することができる。
導体を被覆する金属酸化物は、酸化珪素、酸化アルミニ
ウム、酸化ジルコニウムおよび酸化マグネシウムからな
る群から選択された化合物の少なくとも1種を含むこと
ができる。
ウム、酸化ジルコニウムおよび酸化マグネシウムからな
る群から選択された化合物の少なくとも1種を含むこと
ができる。
この出願の第2の発明は、上記第1の発明のセラミック
ス被覆方法によって得られるセラミックス被覆物である
。また、上記第1の発明におけるゾル調製工程で、有機
化合物塩を添加した場合、金属の無機塩を添加した場合
およびセラミックス粒子を混合した場合のそれぞれに対
応して優れたセラミックス被覆物を得ることができる。
ス被覆方法によって得られるセラミックス被覆物である
。また、上記第1の発明におけるゾル調製工程で、有機
化合物塩を添加した場合、金属の無機塩を添加した場合
およびセラミックス粒子を混合した場合のそれぞれに対
応して優れたセラミックス被覆物を得ることができる。
なお、この発明に従う導体は、導電性を有すれば特にそ
の材質および形状などにおいて限定されるものではない
。
の材質および形状などにおいて限定されるものではない
。
[作用コ
この発明に従えば、導体を金属酸化物前駆体のゾル中に
浸漬して通電することにより、金属酸化物の前駆体粒子
を電気泳動させて導体に強制的に付着させることができ
る。したがって、前述したスピンコーティング法や浸漬
法に比べ、付着させる粒子の量を増加させることができ
る。この点が、従来のゾルゲル法を用いたコーティング
方法と大きく異なっている。しかも、この発明に従えば
、通電時の電流密度および/または通電時間を制御する
ことにより、付着させる粒子の量を任意に増加させるこ
とができ、その結果、形成するセラミックスの被覆の厚
さを任意に調整することができる。
浸漬して通電することにより、金属酸化物の前駆体粒子
を電気泳動させて導体に強制的に付着させることができ
る。したがって、前述したスピンコーティング法や浸漬
法に比べ、付着させる粒子の量を増加させることができ
る。この点が、従来のゾルゲル法を用いたコーティング
方法と大きく異なっている。しかも、この発明に従えば
、通電時の電流密度および/または通電時間を制御する
ことにより、付着させる粒子の量を任意に増加させるこ
とができ、その結果、形成するセラミックスの被覆の厚
さを任意に調整することができる。
従来のゾルゲル法では、金属アルコキシドの加水分解と
重縮合反応で生成した金属酸化物の前駆体を基材上に塗
布するだけであり、前述のとおり、1回で成膜される膜
厚が1μm以下であった。また、塗布溶液の粘度調整の
ため増粘剤を添加したり、加水分解された金属アルコキ
シドの重合度を増加することにより、1回で形成できる
膜厚を増加する試みも可能であるが、これは、皮膜の緻
密性を低下させ、かつ塗布溶液のゲル化に達するまでの
時間を著しく短くしていた。さらに、従来の方法ではゾ
ルの物性や重力などの影響によって、ゾル中の粒子分布
の均一性が損われ、不均一なセラミックス被覆ができる
恐れがあった。しかしながら、この発明においては、ゾ
ル中で導体を陰極として通電するため、導体に均一に粒
子を付着させて、均質かつ緻密でしかも厚いセラミック
スの被覆を形成させることができる。
重縮合反応で生成した金属酸化物の前駆体を基材上に塗
布するだけであり、前述のとおり、1回で成膜される膜
厚が1μm以下であった。また、塗布溶液の粘度調整の
ため増粘剤を添加したり、加水分解された金属アルコキ
シドの重合度を増加することにより、1回で形成できる
膜厚を増加する試みも可能であるが、これは、皮膜の緻
密性を低下させ、かつ塗布溶液のゲル化に達するまでの
時間を著しく短くしていた。さらに、従来の方法ではゾ
ルの物性や重力などの影響によって、ゾル中の粒子分布
の均一性が損われ、不均一なセラミックス被覆ができる
恐れがあった。しかしながら、この発明においては、ゾ
ル中で導体を陰極として通電するため、導体に均一に粒
子を付着させて、均質かつ緻密でしかも厚いセラミック
スの被覆を形成させることができる。
また、この発明に従って、ゾル調製工程でゾルの分散媒
の誘電率を高めるため、有機化合物塩を含有させると、
より低い電流密度および/またはより短い通電時間で、
金属酸化物の前駆体粒子を導体に付着させることができ
る。その結果、有機化合物塩を添加しない場合に比べよ
り厚いセラミックスの被覆を形成させることができる。
の誘電率を高めるため、有機化合物塩を含有させると、
より低い電流密度および/またはより短い通電時間で、
金属酸化物の前駆体粒子を導体に付着させることができ
る。その結果、有機化合物塩を添加しない場合に比べよ
り厚いセラミックスの被覆を形成させることができる。
同様に、ゾル調製工程で金属の無機塩を添加すると、ゾ
ルの電気泳動率が増加する。このため、より低い印加電
圧および/または短い通電時間で金属酸化物の前駆体粒
子を導体に付着させるこ″とができる。その結果、有機
化合物塩を添加した場合と同様、厚いセラミックスの被
覆を得ることができる。
ルの電気泳動率が増加する。このため、より低い印加電
圧および/または短い通電時間で金属酸化物の前駆体粒
子を導体に付着させるこ″とができる。その結果、有機
化合物塩を添加した場合と同様、厚いセラミックスの被
覆を得ることができる。
さらに、金属酸化物前駆体のゾル中に、セラミックス粉
末を混合すると、より厚いセラミックスの被覆を形成さ
せることができる。これは、通電時に金属酸化物前駆体
のゾルの粒子が導体に付着する際、セラミックス粉末の
粒子が巻き込まれてゾ、ル粒子の間に取り込まれるため
であると考えられる。
末を混合すると、より厚いセラミックスの被覆を形成さ
せることができる。これは、通電時に金属酸化物前駆体
のゾルの粒子が導体に付着する際、セラミックス粉末の
粒子が巻き込まれてゾ、ル粒子の間に取り込まれるため
であると考えられる。
また、この出願の第1の発明のセラミックス被覆方法に
従って得らるセラミックス被覆物は、以上述べてきたよ
うに、均質かつ緻密でしかも任意の厚みを備えたもので
ある。
従って得らるセラミックス被覆物は、以上述べてきたよ
うに、均質かつ緻密でしかも任意の厚みを備えたもので
ある。
[実施例]
(実施例1)
直径0.6mmのアルミニウム線を0.INの塩酸で処
理したものを導体として用いた。
理したものを導体として用いた。
テトラブチルオルトシリケイト8モル%、水32モノ、
し%、およ1びイソプロピルアルコール60モル%の混
合溶液に硝酸をテトラブチルオルトシリケイトのモル数
に対し工100分の3量だけ滴下し、温度80℃におい
て2時間反応させてゾルを調製した。
し%、およ1びイソプロピルアルコール60モル%の混
合溶液に硝酸をテトラブチルオルトシリケイトのモル数
に対し工100分の3量だけ滴下し、温度80℃におい
て2時間反応させてゾルを調製した。
次に、上述のように調製したゾル中で、上記導体を陰極
とし、100vの直流電圧を100秒間印加したところ
ゲルとして2〜3μm程度の膜が生成していた。
とし、100vの直流電圧を100秒間印加したところ
ゲルとして2〜3μm程度の膜が生成していた。
このゲルコーティングを行なった導体を大気中150℃
で1時間、さらに400℃で1時間加熱することにより
、厚さ0.5μmのシリコン酸化物の被覆を形成した。
で1時間、さらに400℃で1時間加熱することにより
、厚さ0.5μmのシリコン酸化物の被覆を形成した。
(実施例2)
直径0,6mmのアルミニウム線を0.INの塩酸で処
理したものを導体として用いた。
理したものを導体として用いた。
テトラブチルオルトシリケイト8モル%、水32モル%
およびイソプロピルアルコール60モル%の混合溶液に
硝酸をテトラブチルオルトシリケイトのモル数に対して
100分の3量だけ滴下し、温度80℃において2時間
反応させてシリカゾルを調製した。次に、このシリカゾ
ル中に相間移動触媒である臭化テトラブチルアンモニウ
ムブロマイドをアルコキシドと等モル添加して電気泳動
塗布液を調製した。
およびイソプロピルアルコール60モル%の混合溶液に
硝酸をテトラブチルオルトシリケイトのモル数に対して
100分の3量だけ滴下し、温度80℃において2時間
反応させてシリカゾルを調製した。次に、このシリカゾ
ル中に相間移動触媒である臭化テトラブチルアンモニウ
ムブロマイドをアルコキシドと等モル添加して電気泳動
塗布液を調製した。
以上のようにして調製、した電気泳動塗布液で、上記導
体を陰極とし、20Vの直流電圧を5秒間印加した後、
液中から取出したところ、ゲルとして400μm程度の
半透明の膜が生成していた。
体を陰極とし、20Vの直流電圧を5秒間印加した後、
液中から取出したところ、ゲルとして400μm程度の
半透明の膜が生成していた。
このゲルコーティングを行なった導体を大気中150℃
で1時間、さらに400℃で1時間加熱することにより
、厚さ50μmのシリコン酸化物の被覆を形成した。
で1時間、さらに400℃で1時間加熱することにより
、厚さ50μmのシリコン酸化物の被覆を形成した。
(実施例3)
直径1.0mmのニッケルめっき銅線を導体として用い
た。
た。
テトラエチルオルトシリケイト4モル%、水40モル%
、エチルアルコール56モル%の混合溶液に硝酸をテト
ラエチルオルトシリケイトのモル数に対して100分の
1の量だけ滴下し、温度80℃において2時間反応させ
たゾルを調製し、このゾル100m1に対し硝酸アルミ
ニウム6水和物10mgを室温で混合し電解液を調製し
た。
、エチルアルコール56モル%の混合溶液に硝酸をテト
ラエチルオルトシリケイトのモル数に対して100分の
1の量だけ滴下し、温度80℃において2時間反応させ
たゾルを調製し、このゾル100m1に対し硝酸アルミ
ニウム6水和物10mgを室温で混合し電解液を調製し
た。
次に、以上のようにして調製した電解液中で、上記導体
を陰極として60Vの直流電圧を60秒間印加した後、
電解液中から取り出したところ、ゲルとして80μm程
度の白色の膜が生成していた。
を陰極として60Vの直流電圧を60秒間印加した後、
電解液中から取り出したところ、ゲルとして80μm程
度の白色の膜が生成していた。
このようにゲルコーティングを行なった導体を大気中1
50℃で10分間、さらに570℃で10分間加熱する
ことにより、厚さ20μmのシリコン−アルミナ複合膜
を形成した。
50℃で10分間、さらに570℃で10分間加熱する
ことにより、厚さ20μmのシリコン−アルミナ複合膜
を形成した。
得られたセラミックス被覆導体から、長さ30cmのサ
ンプルを採取した。このサンプルの約50mmの間隔を
隔てた4ケ所のそれぞれ約10mmの長さの部分に、厚
さ0.02mmの白金箔を密接に巻きつけて、導体−金
属箔間に60Hzの交流電圧を印加したところ、1.2
kVで絶縁破壊した。この結果より、得られたセラミッ
クス被覆導体が高い絶縁破壊電圧を有することが明らか
になった。
ンプルを採取した。このサンプルの約50mmの間隔を
隔てた4ケ所のそれぞれ約10mmの長さの部分に、厚
さ0.02mmの白金箔を密接に巻きつけて、導体−金
属箔間に60Hzの交流電圧を印加したところ、1.2
kVで絶縁破壊した。この結果より、得られたセラミッ
クス被覆導体が高い絶縁破壊電圧を有することが明らか
になった。
(実施例4)
直径1.0mmのステンレスパイプ中に銅線を嵌合した
ものを導体として用いた。テトラエチルオルトシリケイ
ト4モル%、水40モル%、エチルアルコール56モル
%の混合溶液に硝酸をテトラエチルオルトシリケイトの
モル数に対して100分の1の量だけ滴下し、温度80
℃において2時間反応させたゾルを調製し、このゾル1
00m1に対し硝酸アルミニウム6水和物3g1硝酸マ
グネシウム9水和物6gおよび硝酸カリウム1gを室温
で混合し、さらに公称粒径14μmのマイカ粉末5gを
これに混合し電解液を調製した。
ものを導体として用いた。テトラエチルオルトシリケイ
ト4モル%、水40モル%、エチルアルコール56モル
%の混合溶液に硝酸をテトラエチルオルトシリケイトの
モル数に対して100分の1の量だけ滴下し、温度80
℃において2時間反応させたゾルを調製し、このゾル1
00m1に対し硝酸アルミニウム6水和物3g1硝酸マ
グネシウム9水和物6gおよび硝酸カリウム1gを室温
で混合し、さらに公称粒径14μmのマイカ粉末5gを
これに混合し電解液を調製した。
次に、以上のようにして調製した電解液中で、上記導体
を陰極として100Vの直流電圧を30秒印加した後、
電解液中から取り出したところ、100μm程度の白色
の膜が生成していた。
を陰極として100Vの直流電圧を30秒印加した後、
電解液中から取り出したところ、100μm程度の白色
の膜が生成していた。
このゲルコーティングを行なった導体を大気中150℃
で10分間、さらに570℃で10分間加熱することに
より厚さ50μmのシリンコンアルミナ−ボタシアーマ
イカ複合膜を形成した。
で10分間、さらに570℃で10分間加熱することに
より厚さ50μmのシリンコンアルミナ−ボタシアーマ
イカ複合膜を形成した。
得られたセラミックス被覆導体から、長さ30Cmのサ
ンプルを採取した。このサンプルの約50mmの間隔を
隔てた4箇所のそれぞれ約10mmの長さの部分に、厚
さ0.02mmの白金箔を密接に巻付けた。導体−金属
箔間に60Hzの交流電圧を印加したところ1.9kV
で絶縁破壊した。
ンプルを採取した。このサンプルの約50mmの間隔を
隔てた4箇所のそれぞれ約10mmの長さの部分に、厚
さ0.02mmの白金箔を密接に巻付けた。導体−金属
箔間に60Hzの交流電圧を印加したところ1.9kV
で絶縁破壊した。
(比較例)
直径0.6mmのアルミニウム線を0.INの塩酸で処
理したものを導体として用い、トリブトキシアルミニウ
ム5モル%、トリエタノールアミン10モル%、水5モ
ル%およびイソプロピルアルコール80モル%の混合溶
液を50℃において1時間反応させて得たゲルに前述し
た導体を浸漬して導体にゲルを塗布し、その後焼成を大
気中において温度500℃で行ない、さらに、同様のゲ
ルの塗布・焼成の工程を繰り返した。この工程を5回繰
り返すことにより得られたアルミニウム酸化物の被覆は
厚さが0.5μmであった。
理したものを導体として用い、トリブトキシアルミニウ
ム5モル%、トリエタノールアミン10モル%、水5モ
ル%およびイソプロピルアルコール80モル%の混合溶
液を50℃において1時間反応させて得たゲルに前述し
た導体を浸漬して導体にゲルを塗布し、その後焼成を大
気中において温度500℃で行ない、さらに、同様のゲ
ルの塗布・焼成の工程を繰り返した。この工程を5回繰
り返すことにより得られたアルミニウム酸化物の被覆は
厚さが0.5μmであった。
以上の結果より、この発明が、従来よりも1回の処理で
より厚いセラミックスの被覆を得ることができるセラミ
ックス被覆方法を提供し、しかも、より厚いセラミック
ス被覆を備えるセラミックス被覆物をもたらすことが明
らかとなった。
より厚いセラミックスの被覆を得ることができるセラミ
ックス被覆方法を提供し、しかも、より厚いセラミック
ス被覆を備えるセラミックス被覆物をもたらすことが明
らかとなった。
[発明の効果コ
以上説明したように、この発明のセラミックス被覆方法
は、導体への金属酸化物の被覆をより厚<シ、シかも被
覆の厚みを任意に制御することができる。したがって、
導体となり得る金属に金属酸化物を被覆することによっ
て、絶縁性や耐熱性などの性質を付与する技術の分野に
おいて、必要に応じてより高い絶縁性やより高い耐熱性
を付与できるセラミックス被覆方法を提供できる。。
は、導体への金属酸化物の被覆をより厚<シ、シかも被
覆の厚みを任意に制御することができる。したがって、
導体となり得る金属に金属酸化物を被覆することによっ
て、絶縁性や耐熱性などの性質を付与する技術の分野に
おいて、必要に応じてより高い絶縁性やより高い耐熱性
を付与できるセラミックス被覆方法を提供できる。。
また、この発明のセラミックス被覆物は、金属酸化物の
被覆がより厚いセラミックス被覆物である。したがって
、このセラミックス被覆物は、絶゛縁電線などの分野で
より高い耐熱性ならびに絶縁性を有する絶縁電線に有用
である。
被覆がより厚いセラミックス被覆物である。したがって
、このセラミックス被覆物は、絶゛縁電線などの分野で
より高い耐熱性ならびに絶縁性を有する絶縁電線に有用
である。
さらに、金属の表面に耐熱性を施した保護部材などの分
野では、加熱炉、排気管、暖房器具等の壁面に使用され
る耐熱不燃性保護部材として、この発明に従うセラミッ
クス被覆物は有用である。
野では、加熱炉、排気管、暖房器具等の壁面に使用され
る耐熱不燃性保護部材として、この発明に従うセラミッ
クス被覆物は有用である。
Claims (14)
- (1)導体に金属酸化物を被覆するセラミックス被覆方
法において、 前記金属酸化物の前駆体を含むゾルをゾルゲル法により
調製する工程と、 前記ゾル中に前記導体を浸し、前記導体を陰極として通
電することにより前記導体に前記金属酸化物の前駆体を
付着させる工程と、 前記金属酸化物の前駆体を付着させた前記導体を加熱処
理することにより、前記導体に前記金属酸化物を被覆す
る工程とを備えるセラミックス被覆方法。 - (2)前記ゾル調製工程が、前記ゾルの分散媒の誘電率
を高めるため、有機化合物塩を含有させる工程を備える
、請求項1に記載のセラミックス被覆方法。 - (3)前記ゾル調製工程が、金属の無機塩を添加する工
程を備える請求項1に記載のセラミックス被覆方法。 - (4)前記ゾル調製工程が、セラミックス粉末を混合す
る工程を備える請求項1、2または3に記載のセラミッ
クス被覆方法。 - (5)前記ゾル調製工程が、前記金属酸化物に対応する
金属アルコキシドもしくは金属カルボン酸のエステルの
加水分解反応および縮合反応により前記ゾルを調製する
工程を備える請求項1に記載のセラミックス被覆方法。 - (6)前記導体を被覆する前記金属酸化物が、酸化硅素
、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムおよび酸化マグ
ネシウムからなる群から選択された化合物の少なくとも
1種を含む請求項1に記載のセラミックス被覆方法。 - (7)前記有機化合物塩が、相間移動触媒として用いる
ことのできる有機化合物塩である請求項2に記載のセラ
ミックス被覆方法。 - (8)前記有機化合物塩として、塩化トリオクチルメチ
ルアンモニウム、塩化テトラブチルホスホニウム、臭化
テトラブチルアンモニウムブロマイド、臭化トリオクチ
ルメチルアンモニンウムおよび臭化テトラブチルホスホ
ニウムの無機塩からなる群から選択された化合物を少な
くとも1種用いることを特徴とする請求項2または7に
記載のセラミックス被覆方法。 - (9)前記金属の無機塩として、アルミニウム、マグネ
シウム、カリウムおよびジルコニウムからなる群から選
択された少なくとも1種の金属の硝酸塩、硫酸塩または
水酸化物を用いる請求項3に記載のセラミックス被覆方
法。 - (10)前記セラミックス粉末として、マイカ粉末、酸
化珪素、窒化珪素、炭化珪素、酸化アルミニウム、窒化
ホウ素および窒化アルミニウムからなる群から選択され
た化合物を少なくとも1種用いる請求項4に記載のセラ
ミックス被覆方法。 - (11)導体に金属酸化物を被覆したセラミックス被覆
物であって、 前記金属酸化物の前駆体を含むゾルをゾルゲル法により
調製し、前記ゾル中に前記導体を浸し、前記導体を陰極
として通電することにより前記導体に前記金属酸化物の
前駆体を付着させ、前記金属酸化物の前駆体粒子を付着
させた前記導体を加熱処理することにより、前記導体に
前記金属酸化物を被覆したセラミックス被覆物。 - (12)前記ゾル中に前記有機化合物塩を含有させたこ
とを特徴とする請求項11に記載のセラミックス被覆物
。 - (13)前記ゾル中に前記金属の無機塩を含有させたこ
とを特徴とする請求項11に記載のセラミックス被覆物
。 - (14)前記ゾル中に前記セラミックス粉末を含有させ
たことを特徴とする請求項11、12または13に記載
のセラミックス被覆物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19182490A JPH03229876A (ja) | 1989-12-11 | 1990-07-17 | セラミックス被覆方法およびセラミックス被覆物 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1-322327 | 1989-12-11 | ||
JP32232789 | 1989-12-11 | ||
JP19182490A JPH03229876A (ja) | 1989-12-11 | 1990-07-17 | セラミックス被覆方法およびセラミックス被覆物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03229876A true JPH03229876A (ja) | 1991-10-11 |
Family
ID=26506914
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19182490A Pending JPH03229876A (ja) | 1989-12-11 | 1990-07-17 | セラミックス被覆方法およびセラミックス被覆物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03229876A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001035434A1 (fr) * | 1999-11-12 | 2001-05-17 | Universite Claude Bernard Lyon I | Procede de realisation d'une cathode d'emission a l'aide de la technique sol-gel et cathode obtenue par un tel procede |
KR100321295B1 (ko) * | 1999-06-25 | 2002-03-18 | 박호군 | 세라믹스-알루미늄 복합체 및 그 제조방법 |
-
1990
- 1990-07-17 JP JP19182490A patent/JPH03229876A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100321295B1 (ko) * | 1999-06-25 | 2002-03-18 | 박호군 | 세라믹스-알루미늄 복합체 및 그 제조방법 |
WO2001035434A1 (fr) * | 1999-11-12 | 2001-05-17 | Universite Claude Bernard Lyon I | Procede de realisation d'une cathode d'emission a l'aide de la technique sol-gel et cathode obtenue par un tel procede |
FR2801135A1 (fr) * | 1999-11-12 | 2001-05-18 | Univ Claude Bernard Lyon | Procede de realisation d'une cathode d'emission a l'aide de la technique sol-gel et cathode obtenue par un tel procede |
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