JPH03229163A - コンデンサの容量測定方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、コンデンサ、例えばチップコンデンサ、リー
ド端子付きコンデンサ等の容量測定方法に関する。

従来の技術と課題 従来、コンデンサの容量測定方法として、容量測定器、
例えばＣメータの測定端子に交流測定電圧を印加してそ
の容量を測定する方法が知られている。ところが、通常
この測定系には、コンデンサの外部電極表面に酸化皮膜
が形成されていることが主原因と考えられる接触抵抗が
含まれる。この接触抵抗が含まれた測定系で得られたコ
ンデンサの容量は真の数値より小さくなる。即ち、真の
容量をＣｏ、接触抵抗をｒ１１測定周波数をｆｌ、測定
容量をＣ０とすると、次の関係式（１）が得られる。

Ｏ Ｃ＝″″１＋（（Ｊｔ、Ｃ０’ｒ＋）”　（ω・″２π
ｒ＋）−（ｔ）例えば、真の容量Ｃｏ＝　１０００［ｐ
Ｆ］、測定周波数ｆ。

＝　１　［ｈｆＨｚ］　、接触抵抗ｒｔ　”　１０［Ω
コとすると、測定容量ＣＩ−９９６，１［ｐＦ］となる
。従って、コンデンサの大量生産工程の自動容量選択機
において、例えば９５０〜１０００［ｐＦ］のコンデン
サを選別するようにセットしても、接触抵抗が含まれて
いると、真の容量が１０００［ｐＦ］を若干越えるコン
デンサが良品として選別されたり、真の容量が９５０［
ｐＦ］を若干越えるコンデンサが不良品として扱われた
りする場合がある。

そこで、本発明の課題は、接触抵抗が測定系に含まれな
いようなコンデンサの容量測定方法を提供することにあ
る。

課題を解決するための手段と作用 以上の課題を解決するため、本発明に係るコンデンサの
容量測定方法は、まず、測定端子に直流バイアス電圧を
印加してコンデンサの外部電極表面に形成された酸化皮
膜を破壊する。例えばコンデンサの外部電極に当てた測
定端子に直流バイアス電圧を印加する。直流バイアス電
圧を印加すると、瞬時に大電流が測定端子から外部電極
に流れる。この大電流によって外部電極の表面のうち端
子が接触した部分の酸化皮膜が破壊されるため、測定端
子と外部電極間の接触抵抗が低減する。

次に、本発明は、測定端子を外部電極に当てた状態を維
持しつつ、交流測定電圧を印加してコンデンサの容量を
測定する。従って、測定端子がコンデンサの外部電極に
接触する部分は、酸化皮膜が破壊きれた状態で容量測定
が行なわれるので、得られる数値は真の容量値となる。

実施例 以下、本発明に係るコンデンサの容量測定方法の一実施
例を添付図面を参照して説明する。

第１図は本実施例の測定系を示す構成概略図である。容
量測定器、例えばＣメータは、測定周波数ｆの交流測定
電圧Ｖと酸化皮膜を破壊する直流バイアス電圧■、とが
予め重畳した状態におかれている。通常、Ｃメータには
直流バイアス外部入力端子が設けられているので、この
端子に直流バイアス電圧■、を印加すればよい。

一方、測定端子１，２はコンデンサ３の外部電極４ａ、
　４ｂに接触した状態でセットされている。本実施例の
外部電極４ａ、　４ｂは、下地にＡｇ　−Ｐｄが形成さ
れ、その表面にＳｎがめっきされている。測定端子１，
２はスイッチＳをＯＮ状態にすると、交流測定電圧Ｖ及
び直流バイアス電圧■、が印加される。

スイッチＳをＯＮした瞬間、コンデンサ３に流れる電流
Ｉは次の関係式で表わされる。即ち、真の容量を０５接
触抵抗をｒ、コンデンサ３の自己抵抗を含む測定系のイ
ンピーダンスをＲ，スイッチＳをＯＮ状態にしてからの
時間をｔとすると、・・・（２） （ω＝２πｆ） となる。本実施例では、コンデンサ３本体を破壊しない
範囲内で酸化皮膜を破壊することができる直流バイアス
電圧は、Ｖ、＝４０［Ｖ］であったが、４０［Ｖ］に限
らず各種のバイアス電圧を適用できる。

さらに、測定周波数ｆ　＝　１　［ＭＨｚ］　、真の容
量Ｃ＝１０００［ｐＦコ、交流測定電圧Ｖ　＝　１　［
Ｖｒｍｓコ、接触抵抗ｒ＝１［Ωコ、測定系のインピー
ダンスＲ＝　０．２［Ωコとすると、 ・・・（３） となる。関係式（３）において、ｔ＝０、即ちスイッチ
ＳをＯＮした瞬間には約３３．３［Ａ］の大電流がコン
デンサ３の外部電極４ａ、　４ｂと測定端子１，２の間
を流れ、外部電極４ａ、　４ｂのうち測定端子１゜２が
接触している部分の酸化皮膜を破壊し、接触抵抗ｒを殆
ど無視できるものにする。

次に、測定端子１，２を外部電極４ａ、　４ｂに当てた
状態を維持しつつ、コンデンサ３の容量を測定する。測
定端子１．２がコンデンサ３の外部電極４ａ、　４ｂに
接触する部分は、酸化皮膜が破壊された状態で容量測定
が行なわれるので、得られる数値は真の容量値となる。

なお本実施例は、直流バイアス電圧ＶＢ＝４０［Ｖ］を
印加したままの状態で容量測定を行なったが、酸化皮膜
破壊後に容量測定してもよい。

こうして４０［Ｖ　］程度の直流バイアス電圧を印加す
ることによって、接触抵抗が測定系に含まれないような
コンデンサの容量測定方法が得られる。

なお、本発明に係るコンデンサの容量測定方法は前記実
施例に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種
々に変更することができる。

前記実施例はＣメータによる容量測定の場合について説
明したものであるが、本発明は他の共振法による容量測
定や交流ブリッジによる容量測定の場合にも適用できる
。

発明の効果 以上の説明で明らかなように、本発明によれば、容量測
定に先だって直流バイアス電圧をコンデンサの外部電極
に印加することによって、外部電極に形成されている酸
化皮膜を破壊して接触抵抗を低減するようにしたので、
接触抵抗が測定系に含まれにくいコンデンサの容量測定
方法が得られる。

この結果、コンデンサの静電容量選別精度が向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るコンデンサの容量測定方法を説明
するための構成概略図である。 １．２・・・測定端子、３・・・コンデンサ、４ａ、　
４ｂ・・・外部電極、■・・・交流測定電圧、■、・・
・直流バイアス電圧。 第 図 ■ ■８

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、測定端子をコンデンサの外部電極に当ててコンデン
   サの容量を測定する方法において、測定端子に直流バイ
   アス電圧を印加してコンデンサの外部電極表面に形成さ
   れた酸化皮膜を破壊し、次に測定端子を外部電極に当て
   た状態を維持しつつ交流測定電圧を測定端子に印加して
   コンデンサの容量を測定すること、 を特徴とするコンデンサの容量測定方法。