JPH03228862A - 超伝導体およびその製造方法 - Google Patents
超伝導体およびその製造方法Info
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- JPH03228862A JPH03228862A JP2019832A JP1983290A JPH03228862A JP H03228862 A JPH03228862 A JP H03228862A JP 2019832 A JP2019832 A JP 2019832A JP 1983290 A JP1983290 A JP 1983290A JP H03228862 A JPH03228862 A JP H03228862A
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、結晶面の揃った臨界電流密度（Ｊｃ）の大き
なりｉ系の超伝導体およびその製造方法に関する。
なりｉ系の超伝導体およびその製造方法に関する。
Ｂｉ系の超伝導物質は、結晶の形状が偏平で、しかもそ
の特定の結晶の面すなわちａｂ面に沿って電流が流れる
という超伝導特性を有しており、Ｂｉ系の超伝導物質を
実用化するあたっては、前記超伝導物質の結晶のａｂ面
を配向させてＪｃの大きな超伝導体となすことが極めて
重要な問題点であった。
の特定の結晶の面すなわちａｂ面に沿って電流が流れる
という超伝導特性を有しており、Ｂｉ系の超伝導物質を
実用化するあたっては、前記超伝導物質の結晶のａｂ面
を配向させてＪｃの大きな超伝導体となすことが極めて
重要な問題点であった。
この問題点を解決する方法としては、種々の提案がなさ
れており、例えば、超伝導組成に配合した粉末混合物を
焼成した後、粉砕して得たＢｉ系の超伝導物質粉末をペ
レット状に成形して焼成した後、さらにホットプレスす
る方法が提案されている。
れており、例えば、超伝導組成に配合した粉末混合物を
焼成した後、粉砕して得たＢｉ系の超伝導物質粉末をペ
レット状に成形して焼成した後、さらにホットプレスす
る方法が提案されている。
しかしながら、前述の如き従来から提案されているＢｉ
系の超伝導物質の製造方法は、いずれも製造工程が複雑
で、実用性に乏しかった。
系の超伝導物質の製造方法は、いずれも製造工程が複雑
で、実用性に乏しかった。
そこで本発明者らは、Ｂｉ系の超伝導物質の結晶の配向
性や結合性に優れた超伝導体およびその製造方法につい
て種々研究した結果、超伝導物質をセラミックス材によ
って挟着することにより、結晶のａｂ面が配向した。Ｊ
ｃの大きな超伝導体となすことができることを新規に
知見するに到り、本発明を完成した。
性や結合性に優れた超伝導体およびその製造方法につい
て種々研究した結果、超伝導物質をセラミックス材によ
って挟着することにより、結晶のａｂ面が配向した。Ｊ
ｃの大きな超伝導体となすことができることを新規に
知見するに到り、本発明を完成した。
本発明の超伝導体は、超伝導物質がセラミックス材によ
って挟着されてなるものであることが必要である。
って挟着されてなるものであることが必要である。
その理由は、Ｂｉ系の超伝導物質は、比較的脆く取り扱
い難いものであるが、セラミックス材によって挟着する
ことによって、取り扱い性に優れた超伝導体とすること
ができるからであり、さらに、セラミックス材が保護膜
として作用することから環境の影響を受は難い耐久性に
優れた超伝導体とすることができるからである。
い難いものであるが、セラミックス材によって挟着する
ことによって、取り扱い性に優れた超伝導体とすること
ができるからであり、さらに、セラミックス材が保護膜
として作用することから環境の影響を受は難い耐久性に
優れた超伝導体とすることができるからである。
本発明の超伝導体は、Ｂｉ２−ｖ Ｐｂｖ Ｓｒｗ Ｃ
ａｘｃｕｙｏｚの組成式で示され、■は０．２５〜０．
５０、Ｗは１．４０〜２．２０、Ｘは１゜６０〜２．４
０、Ｙは２．８０〜３．５０、Ｚは９．００〜１１．０
であることが好ましい。
ａｘｃｕｙｏｚの組成式で示され、■は０．２５〜０．
５０、Ｗは１．４０〜２．２０、Ｘは１゜６０〜２．４
０、Ｙは２．８０〜３．５０、Ｚは９．００〜１１．０
であることが好ましい。
その理由は、前記組成範囲で示されるＢｉ系の超伝導物
質は、臨界温度が１０５にと高い高Ｔｃ相のみからなる
超伝導体となすことができるからである。
質は、臨界温度が１０５にと高い高Ｔｃ相のみからなる
超伝導体となすことができるからである。
本発明の超伝導体は、超伝導物質のａｂ面がセラミック
ス材との界面に平行に配向されてなるものであることが
好ましい。
ス材との界面に平行に配向されてなるものであることが
好ましい。
その理由は、前記Ｂｉ系の超伝導物質は、結晶の形状が
偏平で、しかもその特定の結晶の面すなわちａｂ面に沿
って電流が流れるという超伝導特性を有しており、前記
超伝導物質の結晶のａｂ面をセラミックス材との界面に
平行に配向させることにより、臨界電流密度（Ｊｃ）の
大きな実用性に優れた超伝導体となすことができるから
である。
偏平で、しかもその特定の結晶の面すなわちａｂ面に沿
って電流が流れるという超伝導特性を有しており、前記
超伝導物質の結晶のａｂ面をセラミックス材との界面に
平行に配向させることにより、臨界電流密度（Ｊｃ）の
大きな実用性に優れた超伝導体となすことができるから
である。
前記超伝導物質の配向率は、９０％以上であることが好
適である。なお、この超伝導物質の配向率は、ロットゲ
ーリングの方法によって測定した値である。
適である。なお、この超伝導物質の配向率は、ロットゲ
ーリングの方法によって測定した値である。
本発明の超伝導体は、超伝導物質がＭｇＯあるいはＳ
ｒ Ｔ ｉ ０３のいずれか少なくとも一種であるセラ
ミックス材によって挟着されてなるものであることが好
ましい。
ｒ Ｔ ｉ ０３のいずれか少なくとも一種であるセラ
ミックス材によって挟着されてなるものであることが好
ましい。
その理由は、前記ＭｇＯとＳ ｒ Ｔ ｉ ０３はいず
れもＢｉ系の超伝導物質と反応することがなく、超伝導
体の特性を劣化させることがないからである。
れもＢｉ系の超伝導物質と反応することがなく、超伝導
体の特性を劣化させることがないからである。
次に、本発明の超伝導体の製造方法について説明する。
本発明の超伝導体は、超伝導物質粉末をセラミックス材
の間に挟持した後、ホットプレスすることにより製造さ
れる。
の間に挟持した後、ホットプレスすることにより製造さ
れる。
本発明によれば、超伝導物質粉末をセラミックス材の間
に挟持した後、ホットプレスすることが必要である。
に挟持した後、ホットプレスすることが必要である。
その理由は、超伝導物質粉末をセラミックス材の間に挟
持して焼成することにより、焼成時に超伝導物質の結晶
が自由に成長して結晶の配列が乱れることを防止し、結
晶の特定の面（ａｂ面）を配向させた超伝導体であって
、しかも結晶間の結合性に優れた超伝導体を得ることが
できるからである。
持して焼成することにより、焼成時に超伝導物質の結晶
が自由に成長して結晶の配列が乱れることを防止し、結
晶の特定の面（ａｂ面）を配向させた超伝導体であって
、しかも結晶間の結合性に優れた超伝導体を得ることが
できるからである。
前記超伝導物質粉末をセラミックス材の間に挟持させる
方法としては、前記超伝導物質粉末をスラリー状にして
、セラミックス材にスクリーン印刷、刷毛塗り等の方法
で塗布する方法が有利である。
方法としては、前記超伝導物質粉末をスラリー状にして
、セラミックス材にスクリーン印刷、刷毛塗り等の方法
で塗布する方法が有利である。
本発明によれば、前記超伝導物質粉末は、アスペクト比
が３〜２０であることが好ましい。
が３〜２０であることが好ましい。
その理由は、アスペクト比が３〜２ｏの超伝導物質粉末
は、セラミックス材の間に挟持する際に配向させ易く効
率的に結晶の特定の面（ａｂ面）を配向させた超伝導体
を得ることができるからである。
は、セラミックス材の間に挟持する際に配向させ易く効
率的に結晶の特定の面（ａｂ面）を配向させた超伝導体
を得ることができるからである。
本発明によれば、前記セラミックス材は、ＭｇＯあるい
は５ｒＴｉＯ，のいずれが少なくとも一種であることが
好ましい。
は５ｒＴｉＯ，のいずれが少なくとも一種であることが
好ましい。
その理由は、前記ＭｇＯとＳｒＴｉＯ３はいずれもＢｉ
系の超伝導物質と反応することがなく、ホットプレス時
に超伝導物質との相互拡散を生起して超伝導体の特性を
劣化させることがないがらである。
系の超伝導物質と反応することがなく、ホットプレス時
に超伝導物質との相互拡散を生起して超伝導体の特性を
劣化させることがないがらである。
本発明によれば、前記超伝導物質粉末をセラミックス材
の間に５〜１００μｍの厚さに挟持することが好ましい
。
の間に５〜１００μｍの厚さに挟持することが好ましい
。
その理由は、セラミックス材の間に挟持された超伝導物
質粉末の厚さを前記範囲内とすることにより、ホットプ
レス時の圧力による粒子の配向および結晶の成長方向の
制御を極めて効果的に実施でき、結晶の特定の面（ａｂ
面）を配向させた超伝導体を得ることができるからであ
る。
質粉末の厚さを前記範囲内とすることにより、ホットプ
レス時の圧力による粒子の配向および結晶の成長方向の
制御を極めて効果的に実施でき、結晶の特定の面（ａｂ
面）を配向させた超伝導体を得ることができるからであ
る。
本発明によれば、前記ホットプレスは、圧力が１００〜
６００ｋｇ／ｃｍ２、温度が７００〜８７０℃であるこ
とが好ましい。
６００ｋｇ／ｃｍ２、温度が７００〜８７０℃であるこ
とが好ましい。
前記ホットプレス時の圧力が１００ｋｇ／ｃｍ２以上で
あることが好ましい理由は、焼成時に超伝導物質の結晶
が自由に成長して結晶の配列が乱れることを効率的に防
止し、結晶の特定の面（ａｂ面）を配向させた超伝導体
を得ることができるからであり、一方６００ｋｇ／ｃｍ
２以下であることが好ましい理由は、前記ホットプレス
時の圧力を６００ｋｇ／ｃｍ２より高めても圧力の効果
はそれ程向上せず、むしろセラミックス材が破壊された
りするからである。また、前記ホットプレス時の温度が
７００℃以上であることが好ましい理由は、焼成時にお
ける超伝導相の分解を生じさせることなく超伝導体を得
ることができるからであり、一方８７０℃以下であるこ
とが好ましい理由は、前記焼成時における超伝導相を融
解させることなく超伝導体を得ることができるからであ
る。
あることが好ましい理由は、焼成時に超伝導物質の結晶
が自由に成長して結晶の配列が乱れることを効率的に防
止し、結晶の特定の面（ａｂ面）を配向させた超伝導体
を得ることができるからであり、一方６００ｋｇ／ｃｍ
２以下であることが好ましい理由は、前記ホットプレス
時の圧力を６００ｋｇ／ｃｍ２より高めても圧力の効果
はそれ程向上せず、むしろセラミックス材が破壊された
りするからである。また、前記ホットプレス時の温度が
７００℃以上であることが好ましい理由は、焼成時にお
ける超伝導相の分解を生じさせることなく超伝導体を得
ることができるからであり、一方８７０℃以下であるこ
とが好ましい理由は、前記焼成時における超伝導相を融
解させることなく超伝導体を得ることができるからであ
る。
以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。
実施例ｌ
Ｂｉ２’ｓとｐｂｏと５ｒＣＯｓとＣａ ＣＯｓとＣｕ
Ｏを混合し、８００℃で２０時間空気中で仮焼し、さら
に８３５℃で６０時間空気中で焼成して得た Ｂｉ＋、ｅ Ｐｂｏ、４Ｓｒ＋、ｅ Ｃａ２．ｓ Ｃｕ
２．＋＋ Ｏ＋。
Ｏを混合し、８００℃で２０時間空気中で仮焼し、さら
に８３５℃で６０時間空気中で焼成して得た Ｂｉ＋、ｅ Ｐｂｏ、４Ｓｒ＋、ｅ Ｃａ２．ｓ Ｃｕ
２．＋＋ Ｏ＋。
の組成式で示される超伝導物質を粉砕して、平均粒径が
約５μｍ、平均アスペクト比が約５の超伝導物質粉末を
得た。
約５μｍ、平均アスペクト比が約５の超伝導物質粉末を
得た。
次いで、この超伝導物質粉末をペースト状にした後、Ｍ
ｇＯセラミックス（１５ｘ８ｘ１ｍｍ）にスクリーン印
刷した後、５００℃で２０時間空気中で焼成して２０μ
ｍの厚さの超伝導物質粉末層を形成した。
ｇＯセラミックス（１５ｘ８ｘ１ｍｍ）にスクリーン印
刷した後、５００℃で２０時間空気中で焼成して２０μ
ｍの厚さの超伝導物質粉末層を形成した。
前記超伝導物質粉末層を形成したＭ ｇ Ｏセラミック
ス２枚を超伝導物質粉末層が挟持されるように重ねて一
軸ホットプレスして超伝導体を得た。
ス２枚を超伝導物質粉末層が挟持されるように重ねて一
軸ホットプレスして超伝導体を得た。
ホットプレス条件は、圧力を１５０ｋｇ／ｃｍ２、焼成
温度を８２０℃、保持時間を４０時間、雰囲気を空気中
として行った。
温度を８２０℃、保持時間を４０時間、雰囲気を空気中
として行った。
得られた超伝導体は、超伝導物質の厚さが２０μｍ、配
向率が約９５％であり、臨界電流密度が５０００Ａ／ｃ
ｍ２（７７に１ゼロ磁界中）、臨界温度が１０５にと極
めて優れた超伝導特性を有していた。
向率が約９５％であり、臨界電流密度が５０００Ａ／ｃ
ｍ２（７７に１ゼロ磁界中）、臨界温度が１０５にと極
めて優れた超伝導特性を有していた。
実施例２
実施例Ｉと同様であるが、ＭｇＯセラミックスに換えて
、ＳｒＴｉＯ３セラミックスを使用し、挟持された超伝
導物質粉末層の厚さを３０μｍに変えて超伝導体を得た
。
、ＳｒＴｉＯ３セラミックスを使用し、挟持された超伝
導物質粉末層の厚さを３０μｍに変えて超伝導体を得た
。
０
得られた超伝導体は、配向率が約９５％であり、実施例
１で得られた超伝導体と同様に極めて優れた超伝導特性
を有していた。
１で得られた超伝導体と同様に極めて優れた超伝導特性
を有していた。
比較例１
実施例１と同様であるが、超伝導物質粉末層を形成した
ＭｇＯセラミックスを重ねることなく、しかも圧力を負
荷することなく焼成して超伝導体を得た。
ＭｇＯセラミックスを重ねることなく、しかも圧力を負
荷することなく焼成して超伝導体を得た。
得られた超伝導体は、配向率か約４５％と超伝導物質の
結晶が乱れており、臨界温度が７０にであった。
結晶が乱れており、臨界温度が７０にであった。
以上述べたように、本発明の超伝導体は、Ｂｉ系の超伝
導物質の結晶のａｂ面が同一面上に配向し、しかもそれ
ぞれの結晶が互いに密接して結合していることから、極
めて優れた超伝導特性を有するものであって、産業上寄
与する効果はきわめて大きい。
導物質の結晶のａｂ面が同一面上に配向し、しかもそれ
ぞれの結晶が互いに密接して結合していることから、極
めて優れた超伝導特性を有するものであって、産業上寄
与する効果はきわめて大きい。
第１図は、本発明の超伝導体の断面図、第２図は、
Claims (9)
- １．超伝導物質がセラミックス材によって挟着されてな
ることを特徴とする超伝導体。 - ２．前記超伝導物質は、 Ｂｉ＿２＿−＿ｖＰｂ＿ｖＳｒ＿ｗＣａ＿ｘＣｕ＿ＹＯ
＿ｚの組成式で示され、Ｖは０．２５〜０．５０、Ｗは
１．４０〜２．２０、Ｘは１．６０〜２．４０、Ｙは２
．８０〜３．５０、Ｚは９．００〜１１．０である請求
項１記載の超伝導体。 - ３．超伝導物質のＡｂ面がセラミックス材との界面に平
行に配向されてなる請求項２記載の超伝導体。 - ４．前記セラミックス材は、ＭｇＯあるいはＳｒＴｉＯ
３のいずれか少なくとも一種である請求項１記載の超伝
導体。 - ５．超伝導物質粉末をセラミックス材の間に挟持した後
、ホットプレスすることを特徴とする超伝導物質がセラ
ミックス材によって挟着された超伝導体の製造方法。 - ６．前記超伝導物質粉末は、アスペクト比が３〜２０で
ある請求項５記載の超伝導体の製造方法。 - ７．前記セラミックス材は、ＭｇＯあるいはＳｒＴｉＯ
＿３のいずれか少なくとも一種である請求項５記載の超
伝導体の製造方法。 - ８．前記超伝導物質粉末をセラミックス材の間に５〜１
００μｍの厚さに挟持する請求項５記載の超伝導体の製
造方法。 - ９．前記ホットプレスは、圧力が１００〜６００ｋｇ／
ｃｍ＾２、温度が７００〜８７０℃である請求項５記載
の超伝導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019832A JP2828213B2 (ja) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | 超伝導体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019832A JP2828213B2 (ja) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | 超伝導体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03228862A true JPH03228862A (ja) | 1991-10-09 |
| JP2828213B2 JP2828213B2 (ja) | 1998-11-25 |
Family
ID=12010263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019832A Expired - Lifetime JP2828213B2 (ja) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | 超伝導体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2828213B2 (ja) |
-
1990
- 1990-01-30 JP JP2019832A patent/JP2828213B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2828213B2 (ja) | 1998-11-25 |
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