JPH03228322A - 常圧気相成長装置 - Google Patents
常圧気相成長装置Info
- Publication number
- JPH03228322A JPH03228322A JP2366790A JP2366790A JPH03228322A JP H03228322 A JPH03228322 A JP H03228322A JP 2366790 A JP2366790 A JP 2366790A JP 2366790 A JP2366790 A JP 2366790A JP H03228322 A JPH03228322 A JP H03228322A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafers
- wafer
- heater
- heating
- reaction gas
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 9
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 62
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は常圧気相成長装置に関し、特にウェーハ表面の
温度ばらつきによる膜厚ばらつきの低減を図るため成膜
前のウェーハ上部からも加熱分行うウェーハ加熱機構を
有する常圧気相成長装置に関する。
温度ばらつきによる膜厚ばらつきの低減を図るため成膜
前のウェーハ上部からも加熱分行うウェーハ加熱機構を
有する常圧気相成長装置に関する。
従来、この種の常圧気相成長装置（以下常圧ＣＶＤ装置
と記す）のウェーハ加熱は、第４図の様にウェーハ２加
熱の熱媒体でウェーハ２の搬送を行う板（以下トレーと
記す）１の下側のヒータ６のみで行われており、反応ガ
ス吹き出し口（以下ヘッドと記す）の下までウェーハ２
が搬送される間トレー１下側のヒータ６のみでウェーハ
２の加熱を行っていた。
と記す）のウェーハ加熱は、第４図の様にウェーハ２加
熱の熱媒体でウェーハ２の搬送を行う板（以下トレーと
記す）１の下側のヒータ６のみで行われており、反応ガ
ス吹き出し口（以下ヘッドと記す）の下までウェーハ２
が搬送される間トレー１下側のヒータ６のみでウェーハ
２の加熱を行っていた。
上述した従来の常圧ＣＶＤ装置では、トレーがヘッドの
下までウェーハを搬送する際にウェーハ加熱は、トレー
即ち、ウェーハの下部のみからの加熱を行っていたので
、トレーのゆがみやウェーハの反り、ウェーハの裏面の
状態でウェーハ自体の加熱のされ方に差が生じ、本来、
加熱を目的としているウェーハ表面の温度が設計通りに
設定しに＜＜、ヘッドの下へ搬送されるまでウェーハの
面内を均一に加熱することが困難であり、ウェーハ表面
温度に依存する膜厚のばらつきや不純物濃度のばらつき
が大きくなるという欠点がある。
下までウェーハを搬送する際にウェーハ加熱は、トレー
即ち、ウェーハの下部のみからの加熱を行っていたので
、トレーのゆがみやウェーハの反り、ウェーハの裏面の
状態でウェーハ自体の加熱のされ方に差が生じ、本来、
加熱を目的としているウェーハ表面の温度が設計通りに
設定しに＜＜、ヘッドの下へ搬送されるまでウェーハの
面内を均一に加熱することが困難であり、ウェーハ表面
温度に依存する膜厚のばらつきや不純物濃度のばらつき
が大きくなるという欠点がある。
本発明の目的は、ウェーハ表面の温度が設計通りに設定
でき、ウェーハ表面温度に依存する膜厚のばらつきや不
純物濃度のばらつきを低減することができる常圧ＣＶＤ
装置を提供することにある。
でき、ウェーハ表面温度に依存する膜厚のばらつきや不
純物濃度のばらつきを低減することができる常圧ＣＶＤ
装置を提供することにある。
本発明は、ウェーハ加熱の熱媒体となり前記ウェーハの
搬送を行う板を持ち、スリット状の反応ガス吹き出し口
の下を通過することで薄膜形成を行う常圧気相成長装置
において、前記搬送を行う板の下からの加熱に加えて前
記反応ガス吹き出し口の手前であらかじめ前記ウェーハ
の上部からも熱を加える機構を持ち前記ウェーハが反応
ガスに触れる前に前記ウェーハ表面を均一に加熱する。
搬送を行う板を持ち、スリット状の反応ガス吹き出し口
の下を通過することで薄膜形成を行う常圧気相成長装置
において、前記搬送を行う板の下からの加熱に加えて前
記反応ガス吹き出し口の手前であらかじめ前記ウェーハ
の上部からも熱を加える機構を持ち前記ウェーハが反応
ガスに触れる前に前記ウェーハ表面を均一に加熱する。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の第１の実施例の要部断面図、第２図は
第１図のＡ−Ａ′線断面図である。
第１図のＡ−Ａ′線断面図である。
第１の実施例は、第１図及び第２図に示す様に、ヒータ
カバー７は、トレー１の上部５ｃｍのところに上部ヒー
タ４が来る様になっており、上部ヒータ４の側面には熱
反射板３が取り付けである。これによって、トレー１上
のウェーハ２を上部ヒータ４と下部ヒータ６にて上下か
ら加熱する構造になっている。
カバー７は、トレー１の上部５ｃｍのところに上部ヒー
タ４が来る様になっており、上部ヒータ４の側面には熱
反射板３が取り付けである。これによって、トレー１上
のウェーハ２を上部ヒータ４と下部ヒータ６にて上下か
ら加熱する構造になっている。
次に、ウェーハ２の加熱機構の動作を説明する。
ウェーハ２の加熱機構では、ウェーハ２がヒータカバー
７の下へ到達すると上部ヒータ４がＯＮし、下部ヒータ
６とあわせて上下がらウェーハ２を加熱しウェーハ２表
面を設定温度まで昇温させる。 第３図は本発明の第２
の実施例の要部断面図である。
７の下へ到達すると上部ヒータ４がＯＮし、下部ヒータ
６とあわせて上下がらウェーハ２を加熱しウェーハ２表
面を設定温度まで昇温させる。 第３図は本発明の第２
の実施例の要部断面図である。
第２の実施例が第１の実施例と異なる点は上部ヒータ４
が各レーンごとに２個ずつ合計４個あり、ウェーハ温度
センサ１５を各上部ヒータ４の前に持ち、お互いに受は
待ちのレーンの加熱を担当する。
が各レーンごとに２個ずつ合計４個あり、ウェーハ温度
センサ１５を各上部ヒータ４の前に持ち、お互いに受は
待ちのレーンの加熱を担当する。
ウェーハ２がヒータカバー７の下に入り出すとウェーハ
２表面温度センサ１５がウェーハ２の中央と中央から奥
と手前の３カ所の温度を測定し始めウェーハ２の面内で
温度勾配がある場合そのレーンの上部ヒータ４をＯＮに
しウェーハ２表面からの加熱によって温度差をなくす。
２表面温度センサ１５がウェーハ２の中央と中央から奥
と手前の３カ所の温度を測定し始めウェーハ２の面内で
温度勾配がある場合そのレーンの上部ヒータ４をＯＮに
しウェーハ２表面からの加熱によって温度差をなくす。
この実施例ではレーンごとの温度管理が可能でヘッド下
までの温度管理を合わせて行えるため、ウェーハ２闇、
トレー１閏の温度のばらつきを低減できる利点がある。
までの温度管理を合わせて行えるため、ウェーハ２闇、
トレー１閏の温度のばらつきを低減できる利点がある。
以上説明したように本発明は、トレー上のウェーハを上
部からも加熱することにより、トレーのゆがみやウェー
ハの反り、ウェーハの裏面の状態によらずウェーハ面内
の温度を均一に上昇させてから反応ガスを噴出するヘッ
ド下へ到達させることにより、ウェーハ表面温度に依存
する膜厚のばらつきゃ不純！１ｌ１７Ｊ濃度ばらつきを
低減することかできる効果がある。
部からも加熱することにより、トレーのゆがみやウェー
ハの反り、ウェーハの裏面の状態によらずウェーハ面内
の温度を均一に上昇させてから反応ガスを噴出するヘッ
ド下へ到達させることにより、ウェーハ表面温度に依存
する膜厚のばらつきゃ不純！１ｌ１７Ｊ濃度ばらつきを
低減することかできる効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の要部断面図、第２図は
第１図のＡ−Ａ”線断面図、第３図は本発明の第２の実
施例の要部断面図、第４図は従来の常圧ＣＶＤ装置の一
例の要部断面図である。 １・・・トレー ２・・・ウェーハ、３・・・熱反射板
、４・・・上部ヒータ、５・・・ヒータ石英板、６・・
・下部ヒータ、７・・・ヒータカバー、８・・・支柱、
９・・・トレーホルダ、１０・・・レール、１１・・・
ローラ、１２・・・支柱、１３・・・トレー駆動ベルト
取付は金具、１４・・・ヘッド、１５・・・ウェハ表面
温度センサ。
第１図のＡ−Ａ”線断面図、第３図は本発明の第２の実
施例の要部断面図、第４図は従来の常圧ＣＶＤ装置の一
例の要部断面図である。 １・・・トレー ２・・・ウェーハ、３・・・熱反射板
、４・・・上部ヒータ、５・・・ヒータ石英板、６・・
・下部ヒータ、７・・・ヒータカバー、８・・・支柱、
９・・・トレーホルダ、１０・・・レール、１１・・・
ローラ、１２・・・支柱、１３・・・トレー駆動ベルト
取付は金具、１４・・・ヘッド、１５・・・ウェハ表面
温度センサ。
Claims (1)
- ウェーハ加熱の熱媒体となり前記ウェーハの搬送を行う
板を持ち、スリット状の反応ガス吹き出し口の下を通過
することで薄膜形成を行う常圧気相成長装置において、
前記搬送を行う板の下からの加熱に加えて前記反応ガス
吹き出し口の手前であらかじめ前記ウェーハの上部から
も熱を加える機構を持ち前記ウェーハが反応ガスに触れ
る前に前記ウェーハ表面を均一に加熱しておくことを特
徴とする常圧気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2366790A JPH03228322A (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | 常圧気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2366790A JPH03228322A (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | 常圧気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03228322A true JPH03228322A (ja) | 1991-10-09 |
Family
ID=12116846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2366790A Pending JPH03228322A (ja) | 1990-02-02 | 1990-02-02 | 常圧気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03228322A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004128278A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-04-22 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 基板加熱制御システム及び基板加熱制御方法 |
| JP2008021708A (ja) * | 2006-07-11 | 2008-01-31 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
-
1990
- 1990-02-02 JP JP2366790A patent/JPH03228322A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004128278A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-04-22 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 基板加熱制御システム及び基板加熱制御方法 |
| JP2008021708A (ja) * | 2006-07-11 | 2008-01-31 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
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