JPH03228322A - 常圧気相成長装置 - Google Patents

常圧気相成長装置

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Publication number
JPH03228322A
JPH03228322A JP2366790A JP2366790A JPH03228322A JP H03228322 A JPH03228322 A JP H03228322A JP 2366790 A JP2366790 A JP 2366790A JP 2366790 A JP2366790 A JP 2366790A JP H03228322 A JPH03228322 A JP H03228322A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafers
wafer
heater
heating
reaction gas
Prior art date
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Pending
Application number
JP2366790A
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English (en)
Inventor
Eiko Suzuki
栄子 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Publication of JPH03228322A publication Critical patent/JPH03228322A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は常圧気相成長装置に関し、特にウェーハ表面の
温度ばらつきによる膜厚ばらつきの低減を図るため成膜
前のウェーハ上部からも加熱分行うウェーハ加熱機構を
有する常圧気相成長装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の常圧気相成長装置(以下常圧CVD装置
と記す)のウェーハ加熱は、第4図の様にウェーハ2加
熱の熱媒体でウェーハ2の搬送を行う板(以下トレーと
記す)1の下側のヒータ6のみで行われており、反応ガ
ス吹き出し口(以下ヘッドと記す)の下までウェーハ2
が搬送される間トレー1下側のヒータ6のみでウェーハ
2の加熱を行っていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の常圧CVD装置では、トレーがヘッドの
下までウェーハを搬送する際にウェーハ加熱は、トレー
即ち、ウェーハの下部のみからの加熱を行っていたので
、トレーのゆがみやウェーハの反り、ウェーハの裏面の
状態でウェーハ自体の加熱のされ方に差が生じ、本来、
加熱を目的としているウェーハ表面の温度が設計通りに
設定しに<<、ヘッドの下へ搬送されるまでウェーハの
面内を均一に加熱することが困難であり、ウェーハ表面
温度に依存する膜厚のばらつきや不純物濃度のばらつき
が大きくなるという欠点がある。
本発明の目的は、ウェーハ表面の温度が設計通りに設定
でき、ウェーハ表面温度に依存する膜厚のばらつきや不
純物濃度のばらつきを低減することができる常圧CVD
装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、ウェーハ加熱の熱媒体となり前記ウェーハの
搬送を行う板を持ち、スリット状の反応ガス吹き出し口
の下を通過することで薄膜形成を行う常圧気相成長装置
において、前記搬送を行う板の下からの加熱に加えて前
記反応ガス吹き出し口の手前であらかじめ前記ウェーハ
の上部からも熱を加える機構を持ち前記ウェーハが反応
ガスに触れる前に前記ウェーハ表面を均一に加熱する。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
第1図は本発明の第1の実施例の要部断面図、第2図は
第1図のA−A′線断面図である。
第1の実施例は、第1図及び第2図に示す様に、ヒータ
カバー7は、トレー1の上部5cmのところに上部ヒー
タ4が来る様になっており、上部ヒータ4の側面には熱
反射板3が取り付けである。これによって、トレー1上
のウェーハ2を上部ヒータ4と下部ヒータ6にて上下か
ら加熱する構造になっている。
次に、ウェーハ2の加熱機構の動作を説明する。
ウェーハ2の加熱機構では、ウェーハ2がヒータカバー
7の下へ到達すると上部ヒータ4がONし、下部ヒータ
6とあわせて上下がらウェーハ2を加熱しウェーハ2表
面を設定温度まで昇温させる。 第3図は本発明の第2
の実施例の要部断面図である。
第2の実施例が第1の実施例と異なる点は上部ヒータ4
が各レーンごとに2個ずつ合計4個あり、ウェーハ温度
センサ15を各上部ヒータ4の前に持ち、お互いに受は
待ちのレーンの加熱を担当する。
ウェーハ2がヒータカバー7の下に入り出すとウェーハ
2表面温度センサ15がウェーハ2の中央と中央から奥
と手前の3カ所の温度を測定し始めウェーハ2の面内で
温度勾配がある場合そのレーンの上部ヒータ4をONに
しウェーハ2表面からの加熱によって温度差をなくす。
この実施例ではレーンごとの温度管理が可能でヘッド下
までの温度管理を合わせて行えるため、ウェーハ2闇、
トレー1閏の温度のばらつきを低減できる利点がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、トレー上のウェーハを上
部からも加熱することにより、トレーのゆがみやウェー
ハの反り、ウェーハの裏面の状態によらずウェーハ面内
の温度を均一に上昇させてから反応ガスを噴出するヘッ
ド下へ到達させることにより、ウェーハ表面温度に依存
する膜厚のばらつきゃ不純!1l17J濃度ばらつきを
低減することかできる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例の要部断面図、第2図は
第1図のA−A”線断面図、第3図は本発明の第2の実
施例の要部断面図、第4図は従来の常圧CVD装置の一
例の要部断面図である。 1・・・トレー 2・・・ウェーハ、3・・・熱反射板
、4・・・上部ヒータ、5・・・ヒータ石英板、6・・
・下部ヒータ、7・・・ヒータカバー、8・・・支柱、
9・・・トレーホルダ、10・・・レール、11・・・
ローラ、12・・・支柱、13・・・トレー駆動ベルト
取付は金具、14・・・ヘッド、15・・・ウェハ表面
温度センサ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ウェーハ加熱の熱媒体となり前記ウェーハの搬送を行う
    板を持ち、スリット状の反応ガス吹き出し口の下を通過
    することで薄膜形成を行う常圧気相成長装置において、
    前記搬送を行う板の下からの加熱に加えて前記反応ガス
    吹き出し口の手前であらかじめ前記ウェーハの上部から
    も熱を加える機構を持ち前記ウェーハが反応ガスに触れ
    る前に前記ウェーハ表面を均一に加熱しておくことを特
    徴とする常圧気相成長装置。
JP2366790A 1990-02-02 1990-02-02 常圧気相成長装置 Pending JPH03228322A (ja)

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JPH03228322A true JPH03228322A (ja) 1991-10-09

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JP (1) JPH03228322A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004128278A (ja) * 2002-10-03 2004-04-22 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 基板加熱制御システム及び基板加熱制御方法
JP2008021708A (ja) * 2006-07-11 2008-01-31 Taiyo Nippon Sanso Corp 気相成長装置

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004128278A (ja) * 2002-10-03 2004-04-22 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 基板加熱制御システム及び基板加熱制御方法
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