JPH03228299A - 置換アドレス判定装置 - Google Patents

置換アドレス判定装置

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JPH03228299A
JPH03228299A JP2022646A JP2264690A JPH03228299A JP H03228299 A JPH03228299 A JP H03228299A JP 2022646 A JP2022646 A JP 2022646A JP 2264690 A JP2264690 A JP 2264690A JP H03228299 A JPH03228299 A JP H03228299A
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JP
Japan
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circuit
address
input
signal
output
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JP2022646A
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Inventor
Akihiko Kagami
各務 昭彦
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は置換アドレス判定装置に係り、半導体メモリ装
置の冗長回路に置き換えたアドレスを判定する回路に関
する。
〔従来の技術〕
半導体メモリ装置の高集積度化にともない、歩留り向上
のため冗長回路を有する半導体メモリ装置が増加してい
る。通常、冗長回路を用いた半導体メモリ装置では、こ
の冗長回路に置き換えられたアドレスのメモリセル特性
を別途試験する必要があるため、1つ1つの半導体メモ
リ装置について、どのアドレスが冗長回路に置き換えら
れたか知る必要がある。従来、この種の置換されたアド
レスを調べる回路の構成は、第5図に示した様になって
いた。第5図において、外部端子67と、アドレス置換
信号68の端子と、キャパシタ69と、N型MOSトラ
ンジスタ70,71,72゜73と、電源74と、Ao
ピンからA1゜ピンまでの間を省いて示しているアドレ
ス端子75.76と、データ入力(信号)77の端子と
、データ出力(信号)78の端子とアドレスバッファ7
9と、入力回路80と、アドレスバッファ79から出力
されたアドレス信号81と、アドレス信号81が冗長回
路85に置換されたアドレスかどうか判定されたアドレ
ス置換信号82とが示されており、この信号82はアド
レス置換信号68と同一である。また、入出力線83,
87.88と、メモリセルアレイ84と、冗長回路85
と、入出力コントロール回路86と、出力回路89と、
アドレス判定回路90とが示されている。ここに示した
第5図は、従来例を説明するためのブロック図であり、
実際の半導体メモリ装置には、前記回路を制御する回路
も他に含まれている。第4図において、アドレス端子7
5.76に入力されアドレスバッファ79から出力され
たアドレス信号81が置換アドレスであると、アドレス
判定回路9oは、アドレス置換信号82.68を高電位
゛H++にして、冗長回路85を動作させる。一方、ア
ドレス置換信号82.68が低電位“Lo“がら“H°
゛に遷移することにより、キャパシタ69を介して、M
OSトランジスタ72のゲート電位を電源74の電位■
。0とMOS)ランジスタフ3のしきい値V Tの差つ
まり、vcc  v、からV。。以上の電位へ押し上げ
る。この時、外部端子67に、Vcc + 2 V。
(MOS)ランシスタフ0.71のしきい値の和)以上
の十分に高い電位を与えておくと、この外部端子67か
ら電源74に電流が流れる。これに対して、アドレス信
号75.76が置換アドレスではないと、アドレス置換
信号82.68は“L′′で、MOSトランジスタ72
はオフしており、電流は流れない。即ち、置換アドレス
を検出するには、アドレスを次々に変化させて、その都
度外部端子67と電源74との間に流れる電流を測定す
る。
〔発明が解決しようとする課題〕
前述した従来のテスト回路では、電流測定を行なわなけ
ればならない。一般的な半導体メモリ装置のテスト装置
による電流測定は時間がかかる場合が多く、測定すべき
アドレスが多い場合には、他のテスト項目に比べて、時
間が長くなるという欠点がある。例えば、1つのアドレ
スに対する電流測定には、約10m5ecの時間が必要
で、210のアドレスについて、測定すると約10sに
を要する。
本発明の目的は、前記欠点が解決され、きわめて短時間
に置換アドレスをテストできるよ′うにした置換アドレ
ス判定装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の構成は、冗長回路のテストモードを有する置換
アドレス判定装置において、前記テストモードの際に活
性化されるテスト制御回路と、前記冗長回路に割り当て
られる置換アドレスを記憶し、与えられるアドレス信号
が置換アドレスかどうか判定する行・列アドレス判定回
路と、前記テスト制御回路の活性化後、置換アドレスア
クセス時に、入カデータの“0パ、“′1″にかかわら
ず一定のデータを内部に転送する入力回路と、前記テス
ト回路の活性化時に前記冗長回路を含むメモリセルアレ
イ内部への書き込みを禁止し、直接データを出力する入
出力コントロール回路及び出力回路とを備えたことを特
徴とする。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1の実施例の置換アドレス判定回路
を示すブロック図である。第2図は第1図の入力回路7
の一例を示す論理回路図である。
第1図、第2図において、本実施例の置換アドレス判定
回路は、AoビンからAIGピンまでの間を省いて示し
ているアドレス端子’1,2.!:、テ’ −タ入力端
子3(第2図のデータ人力29の端子と接続)と、デー
タ圧力(信号)端子4と、Y−アドレスバッファ5と、
X−アドレスバッファ6と、入力回路7と、テスト制御
回路8と、Y側のアドレス判定回路9と、X側のアドレ
ス判定回路10と、メモリセルアレイ11と、Y側の冗
長回路(ビット綴方向の不良を救う冗長回路)12と、
X側の冗長回路(ワード線方向の不良を救う冗長回路)
13と、入出力コントロール回路14と、出力回路15
とを備えている。ここで、Y−アドレスバッファ5から
出力されたY−アドレス信号16、Y−アドレス信号1
6が冗長回路12に置換されたアドレスかどうか判定さ
れたY−置換アドレス判定信号17(第2図の判定信号
27と接続)Y−アドレス置換信号is、x−アドレス
信号19.X−置換アドレス判定信号20(第2図の判
定信号26と接続)、入出力線21,23゜24(第2
図の入出力線31.32を示している)テスト制御信号
22(第2図の信号28と接続)、X−アドレス置換信
号25 (第2図の信号26の接続)が示されている。
第1図に示したフロック図は、本発明の第1の実施例を
説明するためのものであり、実際の半導体メモリ装置に
は、前記回路を制御する回路も他に含まれている。
通常の動作時においては、テスト制御回路8は動作せず
、その出力であるテスト制御信号22゜28は低電位1
1L”のままで、メモリセルアレイ11への書キ込み、
メモリセルアレイ11からの読み出しは正常に行われる
。この時、置換アドレスに対しても同様に、冗長回路1
2.13内のメモリセルに対して書き込み、読み圧しが
正常に行われる。
置換アドレス検出テストモード時には、テスト制御回路
8が活性化されて、その出力のテスト制御信号22.2
8は高電位゛H゛となる。一方、入出力コントロール回
路14は制御され、メモリセルと入出力コントロール回
路14はオープンになる。このとき、X−アドレス信号
19及びY−アドレス信号16が共に置換アドレスでな
いのなら、X−置換アドレス判定信号20,26、及び
Y−置換アドレス判定信号17.27は“I、 IIで
、正常に書き込み(この時メモリセルへの書き込みは行
わない)、読み出しが行われる。
ところが、X−アドレス信号19トY−7F’レス信号
16の少なくとも一方が置換アドレスの時、X−置換ア
ドレス判定信号20.26とY−置換アドレス判定信号
17.27の一方または両方が“H′となり、入力され
たデータ3,29の“H11、III、IIに関係なく
、第2図の節点30はII HIIに変化し、入出力線
31及び入出力線32にデータが転送される。このとき
、入出力線31゜32に転送されたデータは、データ人
力3,29のH“l   ILI+に関係なく強制的に
決定されているが、みかけ上データ人力3,29に°゛
H″′が印加、すなわち外部から“Hllが書き込まれ
たことになる。出力回路15はテスト制御回路8が活性
化された時のみ、同一〇AS (カラム・アドレス・ス
トローブ)サイクル中に書き込み後の読み出しを可能と
する。即ち、データ人力3,29にL“を印加して、ラ
イト・モディファイ・リード(書き込み後読み出し)サ
イクルで全アドレスをアドレッシングしながら、データ
出力4から出力されたデータをモニターし、入力したデ
ータの逆相つまり“H″なら置換アドレスと判定できる
このとき入力回路7に入力されたデータはメモリセルに
書き込まれることなく直接出力回路15に転送され、デ
ータ出力4から出力されるので高速かつ、消費電力も少
ない。
前述した従来のテストでは、電流値の変化により、冗長
回路に置き換えられたアドレスの検出を行なっているの
に対し、本実施例は、半導体メモリ装置の本来の機能で
ある書き込み、読み出し機能を用いて置換アドレスを検
出するという相違的を有する。
第3図は本発明の第2の実施例の置換アドレス判定装置
を示すブロック図である。
第3図において、本実施例が前述した第1の実施例と異
なる部分は、テスト制御回路46のテスト制御信号61
を入力とじY−アドレスバッファ42へ駆動信号65を
出力するアドレスカウンタ41と、テスト制御信号61
を入力としX−アドレスバッファ44へ駆動信号を出力
するアドレスカウンタ43とが設けられている点である
。この他の入力回路45、テスト制御回路46、入出力
コントロール回路52、出力回路53、アドレス判定回
路4.7,51、冗長回路49,50、メモリセルアレ
イ48等は第1図と同様な機能を備えている。
尚、テスト制御信号61は、前記第1の実施例の動作に
加え、アドレスカウンタ41,43の活性化及び初期化
を行う。本実施例は、前述した第1の実施例の時と同様
、通常の動作においては、テスト制御回路は動作せず、
書き込み、読み出しが正常に行われる。置換アドレス検
出テストモーF時には、テスト制御回路16が活性化さ
れて、テスト制御信号61.28は“H“になり、入力
回路45.アドレスカウンタ41,43、入出力コント
ロール回路52、出力回路53を制御する。
このとき、アドレスカウンタは活性化と初期化、入出力
コントロール回路52はメモリセルアレイとの接続のオ
ープン化、出力回路53はライト・モディファイ・リー
ドを可能にする。置換アドレス検出テストモード時にお
いて、入力されたアドレスが置換アドレスでないとき、
同一〇ASサイクルで入力回路45に入力されたデータ
と同相のデータがメモリセルに書き込まれることなく、
高速に出力回路53から出力される。ところが、入力さ
れたアドレスが置換アドレスの時、入力回路45に入力
されたデータのHII   “L“にかかわらず、出力
回路53から“H++データが出力される。このとき、
メモリセルへの書き込みはない。
すなわち、第4図のタイミング図に示すようにデータ入
力に“L“′を印加し、RAS (ロウ・アドレス・ス
トローブ)信号の降下で、アドレスカウンタ43から初
期化されたアドレスがとりこまれ、CAS信号の降下で
アドレスカウンタ41から初期化されたアドレスがとり
こまれて、ライト・モディファイ・リードされ、CAS
信号が上昇する。CAS信号のトグルでアドレスが操り
上げされて、全Y−アドレスが7ドレツシングが完了す
ると、RAS信号のトグルでX−アドレスが操り上げら
れ、全アドレス空間に対して、ライト・モディファイ・
リードが行われる。この時、“I Hl”データを出力
したアドレスが置換アドレスと判定される。
尚、第4図において、RAS信号、CAS信号、WE倍
信号データ人力39.データ出力40の各波形が示され
ており、このうちデータ出力40は、置換アドレス時に
高位レベルhを示す。
アドレス入力は、カウンタ動作のため、ドント・ケア(
Don’t Care)状態となっている。
〔発明の効果〕
以上説明した様に、本発明は、入力回路を特に置換アド
レス判定信号2テスト制御信号、データ入力の信号で制
御し、入出力コントロール信号。
出力回路をテスト制御信号で制御することにより、テス
ト時間の大幅な短縮と消費電流を削減して、冗長回路を
置換したアドレスを検出できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例の置換アドレス判定回路
を示すブロック図、第2図は第1図の入力回路の一例を
示す論理回路図、第3図は本発明の第2の実施例のブロ
ック図、第4図は第3図の動作を示すタイミング図、第
5図は従来の置換アドレス判定回路を示すブロック図。 1.2.37.38,75.76・・・・・・アドレス
端子、3,29,39.77・・・・・・データ入力、
4.40.78・・・・・・テ゛−タ出力、5,6,4
2゜44.79・・・・・・アドレスバッファ、7,4
5.80・・・・・入力回路、8,46・・・・・・テ
スト制御回路、9.10,47,51.90・・・・・
・アドレス判定口L  11,48.84・・・・・・
メモリセルアレイ、12゜13.49,50.85・・
・・・・冗長回路、14,52゜86・・・・・・入出
力コントロール回路、15,53゜89・・・・・・出
力回路、16,55.’81.19’、57・・・・・
・アドレス信号、17,20,26,27゜54.60
・・・・・・置換アドレス判定信号、18,25゜56
.58.82・・・・・・アドレス置換信号、21゜2
3.24,31,32,59,63,64,83゜87
.88・・・・・・入出力線、22,28.61・・・
・・・テスト制御信号。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、冗長回路のテストモードを有する置換アドレス判定
    装置において、前記テストモードの際に活性化されるテ
    スト制御回路と、前記冗長回路に割り当てられる置換ア
    ドレスを記憶し、与えられるアドレス信号が置換アドレ
    スかどうか判定する行・列アドレス判定回路と、前記テ
    スト制御回路の活性化後、置換アドレスアクセス時に、
    入力データの“0”、“1”にかかわらず一定のデータ
    を内部に転送する入力回路と、前記テスト回路の活性化
    時に前記冗長回路を含むメモリセルアレイ内部への書き
    込みを禁止し、直接データを出力する入出力コントロー
    ル回路及び出力回路とを備えたことを特徴とする置換ア
    ドレス判定装置。 2、与えられたアドレス信号が、内部で発生した行・列
    アドレスカウンタからの信号である請求項1項記載の置
    換アドレス判定装置。
JP2022646A 1990-01-31 1990-01-31 置換アドレス判定装置 Pending JPH03228299A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100943138B1 (ko) * 2008-05-29 2010-02-18 주식회사 하이닉스반도체 불휘발성 메모리 소자의 동작 방법

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JPS59162698A (ja) * 1983-03-04 1984-09-13 Nec Corp ロ−ル・コ−ル方式
JPH01125798A (ja) * 1987-11-10 1989-05-18 Nec Corp ダイナミックメモリのリダンダンシロールコール方法
JPH01189099A (ja) * 1988-01-22 1989-07-28 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体メモリ装置

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