JPH03227579A - 高温超伝導体薄膜上のパターン形成用非水性処理方法 - Google Patents
高温超伝導体薄膜上のパターン形成用非水性処理方法Info
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- JPH03227579A JPH03227579A JP2290973A JP29097390A JPH03227579A JP H03227579 A JPH03227579 A JP H03227579A JP 2290973 A JP2290973 A JP 2290973A JP 29097390 A JP29097390 A JP 29097390A JP H03227579 A JPH03227579 A JP H03227579A
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- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 28
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title abstract description 22
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 69
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 8
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 5
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims 2
- 229910000939 field's metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 244000269722 Thea sinensis Species 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 229920003176 water-insoluble polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0661—Processes performed after copper oxide formation, e.g. patterning
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、薄膜の製造方法に関するものであり、特に
薄膜表面を水に露出させることのないようにして薄膜表
面上にパターンを描き、リフトオフ処理法によって薄膜
表面上に金属を付着させる方法に関するものである。
薄膜表面を水に露出させることのないようにして薄膜表
面上にパターンを描き、リフトオフ処理法によって薄膜
表面上に金属を付着させる方法に関するものである。
［従来の技術］
高温超伝導体（以下ＨＴＳという）材料からなる薄膜の
ようなある種の薄膜は水にさらされたとき悪影響を受け
る。水をベースとする処理技術は広く使用されており、
ＨＴＳその他の材料に水をベースとする処理技術を使用
するときに遭遇する問題もよく知られている。これらの
問題は特にＨＴＳ薄膜の表面にパターンを形成すること
が望まれるとき、およびＨＴＳ材料の表面に金属を付着
させるときに明らかとなる。
ようなある種の薄膜は水にさらされたとき悪影響を受け
る。水をベースとする処理技術は広く使用されており、
ＨＴＳその他の材料に水をベースとする処理技術を使用
するときに遭遇する問題もよく知られている。これらの
問題は特にＨＴＳ薄膜の表面にパターンを形成すること
が望まれるとき、およびＨＴＳ材料の表面に金属を付着
させるときに明らかとなる。
［発明の解決すべき課題］
特にＨＴＳ装置の製造技術として、銀は接触抵抗が約ｌ
ロー６オームの比較的低い値のためにＨＴＳ材料用のコ
ンタクトとして選択される。しかしながら銀等の各種の
金属被膜の形成処理のために開発された乾式のプラズマ
タイプのエツチング技術は大きな労力と完全にするため
の多額の費用を必要とする。この発明の方法の開発まで
はＨＴＳ材料上に銀のコンタクト金属層パターンを形成
するために使用される廉価で有効な処理技術は存在しな
かった。
ロー６オームの比較的低い値のためにＨＴＳ材料用のコ
ンタクトとして選択される。しかしながら銀等の各種の
金属被膜の形成処理のために開発された乾式のプラズマ
タイプのエツチング技術は大きな労力と完全にするため
の多額の費用を必要とする。この発明の方法の開発まで
はＨＴＳ材料上に銀のコンタクト金属層パターンを形成
するために使用される廉価で有効な処理技術は存在しな
かった。
それ故この発明の目的は、プラズマおよび反応性イオン
乾式エツチングの発達に関連した費用の増加を招くこと
なく薄膜表面に広範囲の各種金属を付着させる方法を提
供することである。
乾式エツチングの発達に関連した費用の増加を招くこと
なく薄膜表面に広範囲の各種金属を付着させる方法を提
供することである。
この発明の別の目的は、ＨＴＳ薄膜に銀のコンタクト層
を形成してＨＴＳ薄膜に銀の非常に低い接触抵抗を与え
る方法を提供することである。
を形成してＨＴＳ薄膜に銀の非常に低い接触抵抗を与え
る方法を提供することである。
この発明のさらに別の目的は、ＨＴＳ薄膜を水をベース
とする現像溶液にさらすことなく通常のよく特性の知ら
れているフォトレジストを使用することができるリフト
オフ処理を使用することのできる方法を提供することで
ある。
とする現像溶液にさらすことなく通常のよく特性の知ら
れているフォトレジストを使用することができるリフト
オフ処理を使用することのできる方法を提供することで
ある。
［課題解決のための手段］
この発明によれば上記の問題は克服され、この発明の目
的は、ＨＴＳその他の薄膜に電気接続するために種々の
金属を使用することを可能にするフォトレジストリフト
オフプロセスによって達成される。
的は、ＨＴＳその他の薄膜に電気接続するために種々の
金属を使用することを可能にするフォトレジストリフト
オフプロセスによって達成される。
この発明の方法では、水をベースとする溶液に表面をさ
らすことなく表面にパターンを形成する。
らすことなく表面にパターンを形成する。
その方法は、その表面上に実質上水を浸透しない選択さ
れた第１のフォトレジスト材料からなる第１の層を形成
するステップを含む。この発明によれば、第１の層はポ
リフロロブチルメタクリレ−） （ＦＢＭ）のようなポ
リフロロメタクリレートタイプの電子ビームレジストで
構成されることが好ましい。第２の層は第１の層上に形
成され、この第２の層は通常のＡＺタイプポジチブフォ
トレジストのような第２のフォトレジストで構成される
。第１および第２の層は処理されて表面の所望の部分を
未被覆状態にするように第１および第２の層の一部が除
去される。これらの層は、（ａ）第２の層を露光させ、
（ｂ）下にある第１の層の部分を露出させるために第２
の層の一部分を除去するように水をベースとする溶液で
露光された第２の層を湿式現像し、（ｃ）下にある表面
の部分を露出させるために第１の層の露出された部分を
非水性技術によって除去するステップによって処理され
、この非水性技術によって除去するステップにおいては
第２の層の下の第１の層をアンダーカットするステップ
を含む。
れた第１のフォトレジスト材料からなる第１の層を形成
するステップを含む。この発明によれば、第１の層はポ
リフロロブチルメタクリレ−） （ＦＢＭ）のようなポ
リフロロメタクリレートタイプの電子ビームレジストで
構成されることが好ましい。第２の層は第１の層上に形
成され、この第２の層は通常のＡＺタイプポジチブフォ
トレジストのような第２のフォトレジストで構成される
。第１および第２の層は処理されて表面の所望の部分を
未被覆状態にするように第１および第２の層の一部が除
去される。これらの層は、（ａ）第２の層を露光させ、
（ｂ）下にある第１の層の部分を露出させるために第２
の層の一部分を除去するように水をベースとする溶液で
露光された第２の層を湿式現像し、（ｃ）下にある表面
の部分を露出させるために第１の層の露出された部分を
非水性技術によって除去するステップによって処理され
、この非水性技術によって除去するステップにおいては
第２の層の下の第１の層をアンダーカットするステップ
を含む。
通常の水をベースとする溶液による第２のフォトレジス
ト層の処理は介在する水不浸透性フォトレジストの第１
の層のために表面に悪影響を与えない。次に表面の露出
された予めパターンを描かれた部分に金属層が付着され
る。その代りに表面の露出された部分は処理マスクとし
て第１および第２の層を使用して予め定められた領域に
パターンを形成される。最後に非水性溶媒によって第１
および第２の層を除去するステップが行われ、それによ
って第２のフォトレジスト層上に付着されている金属を
リフトオフにより除去する。
ト層の処理は介在する水不浸透性フォトレジストの第１
の層のために表面に悪影響を与えない。次に表面の露出
された予めパターンを描かれた部分に金属層が付着され
る。その代りに表面の露出された部分は処理マスクとし
て第１および第２の層を使用して予め定められた領域に
パターンを形成される。最後に非水性溶媒によって第１
および第２の層を除去するステップが行われ、それによ
って第２のフォトレジスト層上に付着されている金属を
リフトオフにより除去する。
この発明の上記およびその他の特徴は添付図面を参照に
した以下の実施例の詳細な説明により当業者には明白に
なるであろう。
した以下の実施例の詳細な説明により当業者には明白に
なるであろう。
［実施例１
この発明の方法は以下ＨＴＳ材料からなる層の表面に形
成された銀の金属層に関して説明されるけれども、この
発明１ま有機ポリマー薄膜のような各種の水で劣化する
材料上に多数の種々の金属を付着させるために適用する
ことができることを認識すべきである。それ故この発明
の方法は銀金属層およびＨＴＳ材料と共に使用されるこ
とのみに限定されると解釈してはならない。
成された銀の金属層に関して説明されるけれども、この
発明１ま有機ポリマー薄膜のような各種の水で劣化する
材料上に多数の種々の金属を付着させるために適用する
ことができることを認識すべきである。それ故この発明
の方法は銀金属層およびＨＴＳ材料と共に使用されるこ
とのみに限定されると解釈してはならない。
第１ａ図を参照すると、この発明の方法の第１のステッ
プは表面にＨＴＳ材料の薄Ｂ１０ａを有する基体１０の
ような材料の本体を１’（ｉｆすることである。基体Ｉ
ＯはＨＴＳ材籾と共に使用するのに適している既知の任
意の基体材料で構成することができる。例えば基体ＩＯ
はＭｇ０，３ｒＴｉ０３．またはＺｒＯ２から構成する
ことができる。一方、ＨＴＳ薄Ｊ！！ｌ口ａは例えばＹ
ＩＢａ２ （：ｕ３０ｔ−ｘ、あるいはＴ１２Ｃａ２Ｂ
ａ、Ｃｕ、Ｏ，ｏから構成することができる。
プは表面にＨＴＳ材料の薄Ｂ１０ａを有する基体１０の
ような材料の本体を１’（ｉｆすることである。基体Ｉ
ＯはＨＴＳ材籾と共に使用するのに適している既知の任
意の基体材料で構成することができる。例えば基体ＩＯ
はＭｇ０，３ｒＴｉ０３．またはＺｒＯ２から構成する
ことができる。一方、ＨＴＳ薄Ｊ！！ｌ口ａは例えばＹ
ＩＢａ２ （：ｕ３０ｔ−ｘ、あるいはＴ１２Ｃａ２Ｂ
ａ、Ｃｕ、Ｏ，ｏから構成することができる。
第１ｂ図に示されるように、通常の方法によってＨＴＳ
薄膜１０ａ上に保護フォトレジスト層１２が被着される
。それは水に不溶性でかつ水不浸透性のタイプのもので
ある。この発明によれば層１２はポリフロロブチルメタ
クリレート（ＦＢＭ）のようなタイプの電子ビーム（Ｅ
ビーム）フォトレジストで構成されることが好ましい。
薄膜１０ａ上に保護フォトレジスト層１２が被着される
。それは水に不溶性でかつ水不浸透性のタイプのもので
ある。この発明によれば層１２はポリフロロブチルメタ
クリレート（ＦＢＭ）のようなタイプの電子ビーム（Ｅ
ビーム）フォトレジストで構成されることが好ましい。
層１２は典型的に約０．５ ミクロンの厚さに被着され
る。ＦＢＭレジスト層１２は既知の方法でキュアされる
。次に通常の水ベースフォトレジストが被着される。こ
のフォトレジストは例えばＡＺタイプのホジチブフォト
レジスト層１４であり、それはキュアしたＦＢＭレジス
ト層１２の上に通常の技術によって被着される。ＡＺタ
イプフすトレジスト層１４は約３ミクロンの厚さに施さ
れ、既知の方法によってキュアされる。典型的に両方の
層皇２および１４スピン法によって被着される。
る。ＦＢＭレジスト層１２は既知の方法でキュアされる
。次に通常の水ベースフォトレジストが被着される。こ
のフォトレジストは例えばＡＺタイプのホジチブフォト
レジスト層１４であり、それはキュアしたＦＢＭレジス
ト層１２の上に通常の技術によって被着される。ＡＺタ
イプフすトレジスト層１４は約３ミクロンの厚さに施さ
れ、既知の方法によってキュアされる。典型的に両方の
層皇２および１４スピン法によって被着される。
第１Ｃ図においてＡＺタイプフォトレジスト層１４はＨ
ＴＳの薄膜１０ａ上の構造パターンを形成するためイオ
ンミーリングエツチングマスクを生成するためにＵＶ（
紫外線）露光される。層１４は続いて通常の水をベース
とする溶液で湿式現像される。その結果パターン化され
たＡＺタイプフォトレジスト届１４は生成された壁１６
および下のＦＢＭレジスト層１２を露出させている部分
を有する。この発明によれば、水不浸透性ＦＢＭレジス
ト層１２は下側のＨＴＳの薄膜をＡＺタイプフォトレジ
ストの水性現像液にさらされないように保護する。
ＴＳの薄膜１０ａ上の構造パターンを形成するためイオ
ンミーリングエツチングマスクを生成するためにＵＶ（
紫外線）露光される。層１４は続いて通常の水をベース
とする溶液で湿式現像される。その結果パターン化され
たＡＺタイプフォトレジスト届１４は生成された壁１６
および下のＦＢＭレジスト層１２を露出させている部分
を有する。この発明によれば、水不浸透性ＦＢＭレジス
ト層１２は下側のＨＴＳの薄膜をＡＺタイプフォトレジ
ストの水性現像液にさらされないように保護する。
第１ｄ図において、ＦＢＭレジスト層１２の露出してい
る部分はＵＶオゾンアッシャＣａｓｈｅｒ）のような非
水性技術による乾式現像される。典型的にＦＢＭレジス
ト層１２は第１１図に示されるようにＦＢＭレジスト層
１２内に引込んだ形状すなわちアンダーカット領域１８
を生じるように充分な時間にわたって現像される。アン
ダーカットの形成は確実に表面のパターンを描くステッ
プのための処理方法のこのステップにおいては必要はな
い。後述のようにアンダーカットは次の金属層のリフト
オフステップに対して有効である。
る部分はＵＶオゾンアッシャＣａｓｈｅｒ）のような非
水性技術による乾式現像される。典型的にＦＢＭレジス
ト層１２は第１１図に示されるようにＦＢＭレジスト層
１２内に引込んだ形状すなわちアンダーカット領域１８
を生じるように充分な時間にわたって現像される。アン
ダーカットの形成は確実に表面のパターンを描くステッ
プのための処理方法のこのステップにおいては必要はな
い。後述のようにアンダーカットは次の金属層のリフト
オフステップに対して有効である。
ポリイミドまたはＰＭＭＡのような他の水に不溶性のポ
リマーが層１２に対して使用できることに注意すべきで
ある。またプラズマ酸素技術がポリマーの除去に使用で
きる。しかしながらＵＶ／オゾン現像は一般的にＨＴＳ
表面に対して適切な処理であり、損傷を最小にするもの
と考えられている。ポリイミドまたはＰＭＭＡはＵＶ／
オゾン現像技術によって現像されることはできるが、時
間が必要でそのため使用することは困難である。ポリフ
ロロメタクリレートはＵＶ／オゾン現像技術によって急
速に破壊されることが、知られており、ＵＶ／オゾンア
ッシュの使用は現在好ましい方法を与えるものである。
リマーが層１２に対して使用できることに注意すべきで
ある。またプラズマ酸素技術がポリマーの除去に使用で
きる。しかしながらＵＶ／オゾン現像は一般的にＨＴＳ
表面に対して適切な処理であり、損傷を最小にするもの
と考えられている。ポリイミドまたはＰＭＭＡはＵＶ／
オゾン現像技術によって現像されることはできるが、時
間が必要でそのため使用することは困難である。ポリフ
ロロメタクリレートはＵＶ／オゾン現像技術によって急
速に破壊されることが、知られており、ＵＶ／オゾンア
ッシュの使用は現在好ましい方法を与えるものである。
第１ｅ図において、ＨＴＳ薄膜１０り内ｌこ構造パター
ンを形成するためにイオンミーリングが矢印Ａで示すよ
うにＨＴＳ薄膜１０ａのミーリングに使用される。これ
らの構造パターンは放射線検出器、スイッチング装置、
および、またはその他の所望の能動および受動構造を含
むことができる。比較的厚いＡＺフォトレジスト層１４
はこのイオンミーリング中ＨＴＳ薄膜ｌｅａを保護する
ことができる効果を有する。
ンを形成するためにイオンミーリングが矢印Ａで示すよ
うにＨＴＳ薄膜１０ａのミーリングに使用される。これ
らの構造パターンは放射線検出器、スイッチング装置、
および、またはその他の所望の能動および受動構造を含
むことができる。比較的厚いＡＺフォトレジスト層１４
はこのイオンミーリング中ＨＴＳ薄膜ｌｅａを保護する
ことができる効果を有する。
続いて第１ｆ図において、両方のレジスト層１２゜１４
の残りの部分がアセトンのような非水性溶媒によって除
去される。その結果残った構造はパターン化されたＨＴ
Ｓ薄Ｍ４１０ａを有する構造である。
の残りの部分がアセトンのような非水性溶媒によって除
去される。その結果残った構造はパターン化されたＨＴ
Ｓ薄Ｍ４１０ａを有する構造である。
この構造は続いて個々の装置相互間の導電結合および入
力、出力パッドのために金属化される。
力、出力パッドのために金属化される。
第１ｇ図においてＦＢＭおよびＡＺフォトレジストが再
び前記のように被着され、層１２ａおよび１４ａが形成
される。第１ｈ図においてＡＺＦＦＡ１４ａはダークフ
ィールドコンタクト金属パターンを使用してパターン化
され、側壁ｔｅａを有する開口を生成するように水をベ
ースとする技術により一部が除去される。第１１図にお
いて下側のＦＢＭ層１２ａがアンダーカット領域１８に
よって示されるように引込んだ断面形状の形成を確実に
するのに充分な時間乾式現像される。
び前記のように被着され、層１２ａおよび１４ａが形成
される。第１ｈ図においてＡＺＦＦＡ１４ａはダークフ
ィールドコンタクト金属パターンを使用してパターン化
され、側壁ｔｅａを有する開口を生成するように水をベ
ースとする技術により一部が除去される。第１１図にお
いて下側のＦＢＭ層１２ａがアンダーカット領域１８に
よって示されるように引込んだ断面形状の形成を確実に
するのに充分な時間乾式現像される。
第１ｊ図において、銀のような所望のコンタクト金属が
例えばスパッタリングによって付着され、パターン化さ
れたＨＴＳ薄膜１０ａの表面およびＡＺフォトレジスト
層１４ａの表面上に金属層２０が形成される。スパッタ
リング工程はＨＴＳ薄膜１０ａの表面から残留有機物汚
染を除去するために最初に予備スパッタリング工程を有
することが好ましい。
例えばスパッタリングによって付着され、パターン化さ
れたＨＴＳ薄膜１０ａの表面およびＡＺフォトレジスト
層１４ａの表面上に金属層２０が形成される。スパッタ
リング工程はＨＴＳ薄膜１０ａの表面から残留有機物汚
染を除去するために最初に予備スパッタリング工程を有
することが好ましい。
第１に図において、アセトンのような非水性溶媒を使用
してリフトオフ工程が行われ、Ｆ、ＢＭレジスト層１２
ａおよびその上にあるＡＺレジスト層１４ａの残留部分
を除去し、それによって無関係な金属を除去する。その
結果ＨＴＳ薄膜１０ａ上に金属層２０の形態のコンタク
ト金属層領域が形成される。
してリフトオフ工程が行われ、Ｆ、ＢＭレジスト層１２
ａおよびその上にあるＡＺレジスト層１４ａの残留部分
を除去し、それによって無関係な金属を除去する。その
結果ＨＴＳ薄膜１０ａ上に金属層２０の形態のコンタク
ト金属層領域が形成される。
この発明の方法は通常のフォトレジストを使用し、水を
ベースとする溶液に薄膜をさらすことなくＨＴＳ薄膜の
ような薄膜をパターン化し、或いはＨＴＳ材料上に金属
薄膜を付着させる方法を提供することが認められる。さ
らにレジスト層のアンダーカットにより付着した金属は
隣接するレジストの側壁に付着しない。したがって細い
線および緊密な形状のパターンの形成がパターンの縁部
における材料の無関係な望ましくない垂れ下りを生じる
ことなくリフトオフ技術によって可能になる。
ベースとする溶液に薄膜をさらすことなくＨＴＳ薄膜の
ような薄膜をパターン化し、或いはＨＴＳ材料上に金属
薄膜を付着させる方法を提供することが認められる。さ
らにレジスト層のアンダーカットにより付着した金属は
隣接するレジストの側壁に付着しない。したがって細い
線および緊密な形状のパターンの形成がパターンの縁部
における材料の無関係な望ましくない垂れ下りを生じる
ことなくリフトオフ技術によって可能になる。
特にこの発明の方法は、所望の金属層の形成のために高
価で長時間を必要とする乾式プラズマ型エツチング技術
の対応した現像を必要とせずに銀のような所望のコンタ
クト金属層の使用を可能にする。
価で長時間を必要とする乾式プラズマ型エツチング技術
の対応した現像を必要とせずに銀のような所望のコンタ
クト金属層の使用を可能にする。
以上この発明を現在における好ましい実施例について詳
細に説明したが、当業者にはこの発明の技術的範囲から
逸脱することなく多くの変形、変更および実施態様が可
能であることは明白であろう。したがってこの発明の技
術的範囲は特許請求の範囲の記載によってのみ限定され
るべきものである。
細に説明したが、当業者にはこの発明の技術的範囲から
逸脱することなく多くの変形、変更および実施態様が可
能であることは明白であろう。したがってこの発明の技
術的範囲は特許請求の範囲の記載によってのみ限定され
るべきものである。
【図面の簡単な説明】
第１ａ図乃至第１ｋｌｆｆｌは、この発明の方法の種々
のステップを示している。 ｌＯ・・・基体、ｌＯａ・・・ＨＴＳ層、１２・・・Ｆ
ＢＭレジスト層、１４・・・ＡＺフォトレジスト層。
のステップを示している。 ｌＯ・・・基体、ｌＯａ・・・ＨＴＳ層、１２・・・Ｆ
ＢＭレジスト層、１４・・・ＡＺフォトレジスト層。
Claims (20)
- （１）水溶液に表面をさらすことなく水で劣化する材料
の表面を処理する方法において、 水で劣化する材料の表面を準備し、 その表面上に実質上水を浸透しない選択された第１のフ
ォトレジスト材料からなる第１の層を形成し、 第１の層上に水をベースとする技術により処理された第
２のフォトレジスト材料からなる第２の層を形成し、 第１および第２の層を処理して表面の所望の部分を未被
覆状態にするように第１および第２の層の一部を除去し
、 表面の未被覆部分を処理し、 第１および第２の層を除去することを特徴とする水で劣
化する材料の表面処理方法。 - （２）第１の層を形成するステップはポリフロロメタク
リレートタイプのフォトレジストで構成された層を形成
するステップを含む請求項１記載の方法。 - （３）第１の層を形成するステップはポリフロロブチル
メタクリレート（ＦＢＭ）からなる層を形成するステッ
プを含む請求項１記載の方法。 - （４）第２の層を形成するステップはＡＺタイプのポジ
チブフォトレジストからなる層を形成するステップを含
む請求項１記載の方法。 - （５）処理するステップは、第２の層を露光し、下にあ
る第１の層の部分を露出させるように第２の層を部分的
に除去するために水をベースとする技術によって露光さ
れた第２の層を湿式現像するステップを含む請求項１記
載の方法。 - （６）露光するステップは、第２の層上にパターンを生
成するために紫外線に露光するステップを含む請求項５
記載の方法。 - （７）処理するステップはさらに、第１のフォトレジス
ト層の露出された部分を非水性技術により除去するステ
ップを含む請求項５記載の方法。 - （８）非水性技術によって除去するステップは紫外線オ
ゾンアッシャーによる乾式現像ステップを含む請求項７
記載の方法。 - （９）非水性技術によって除去するステップは、第２の
層の下の第１の層をアンダーカットするステップを含む
請求項７記載の方法。 - （１０）表面を処理するステップは、表面上に金属層を
付着させるステップを含む請求項１記載の方法。 - （１１）付着させるステップは、スパッタ被覆工程を含
み、スパッタ被覆工程はさらに表面から有機物汚染を除
去するためのスパッタ前の初期エッチング工程を含む請
求項１０記載の方法。 - （１２）表面を処理するステップは、表面上に１以上の
構造を描くために表面をイオンミーリングするステップ
を含む請求項１記載の方法。 - （１３）除去するステップは、非水性溶媒を適用するス
テップを含む請求項１記載の方法。 - （１４）第１の層を形成するステップは、約０．５ミク
ロンの厚さのポリフロロブチルメタクリレートからなる
層を形成するステップを含む請求項１記載の方法。 - （１５）水性溶液に表面を露出することなく高温超伝導
材料の表面にコンタクト金属を形成する方法において、 表面を準備し、 表面上にポリフロロメタクリレートタイプのフォトレジ
ストよりなる水不浸透性の第１の層を形成し、 第１の層上にＡＺタイプのポジチブフォトレジストから
なる第２の層を形成し、 表面の所望の部分を露出させるために第１および第２の
層を処理して第１および第２の層を部分的に除去し、そ
の処理においては、 第２の層の選択された部分を紫外線に露光させ、 下にある第１の層の部分を露出させるために第２の層の
一部分を除去するように水をベースとする溶液で第２の
層を湿式現像し、 下にある表面の部分を露出させるために第１の層の露出
部分を非水性技術によって除去するステップを含み、 表面の露出された部分に所望のパターンを形成し、 非水性溶媒によって第１および第２の層を除去し、 ダークフィールド金属パターンによってポリフロロメタ
クリレートフォトレジストよりなる別の水不浸透性の第
１の層を表面上に形成し、 ＡＺタイプのポジチブフォトレジストからなる別の第２
の層を第１の層上に形成し、 表面の所望の部分を露出させるために第１および第２の
層を処理して第１および第２の層を部分的に除去し、そ
の処理においては、 第２の層の選択された部分を紫外線に露光させ、 下にある第１の層の部分を露出させるために第２の層の
一部分を除去するように水をベースとする溶液で第２の
層を湿式現像し、 下にある表面の部分を露出させるために第１の層の露出
部分を非水性技術によって除去するステップを含み、こ
の非水性技術によって除去するステップにおいては第２
の層の下の第１の層をアンダーカットし、 少なくとも表面の露出部分上に金属層をスパッタリング
により付着させ、 第１および第２の層を非水性溶媒によって除去するステ
ップを有することを特徴とするコンタクト金属形成方法
。 - （１６）第１の層を形成するステップにおいてポリフロ
ロブチルメタクリレートからなる層を形成する請求項１
５記載の方法。 - （１７）非水性技術によって除去するステップは酸素プ
ラズマによる乾式現像ステップを含む請求項１５記載の
方法。 - （１８）パターンを形成するステップは、表面をイオン
ミーリングするステップを含む請求項１５記載の方法。 - （１９）付着させるステップにおいて銀からなる層を付
着させる請求項１５記載の方法。 - （２０）スパッタリングするステップにおいて銀からな
る層をスパッタリングする請求項１５記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US42870289A | 1989-10-30 | 1989-10-30 | |
| US428,702 | 1989-10-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03227579A true JPH03227579A (ja) | 1991-10-08 |
Family
ID=23700033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2290973A Pending JPH03227579A (ja) | 1989-10-30 | 1990-10-30 | 高温超伝導体薄膜上のパターン形成用非水性処理方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0426000A3 (ja) |
| JP (1) | JPH03227579A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013073813A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 |
| JP2019534551A (ja) * | 2016-09-13 | 2019-11-28 | グーグル エルエルシー | フォトレジスト現像液によるエッチングを防ぐためのバッファ層 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5262392A (en) * | 1991-07-15 | 1993-11-16 | Eastman Kodak Company | Method for patterning metallo-organic percursor film and method for producing a patterned ceramic film and film products |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5079221A (en) * | 1988-02-23 | 1992-01-07 | Fujitsu Limited | Superconductor passivated by an organic film and a method for forming the organic film |
| JPH01282175A (ja) * | 1988-05-07 | 1989-11-14 | Fujitsu Ltd | 超伝導材料の保護膜形成方法 |
-
1990
- 1990-10-24 EP EP19900120435 patent/EP0426000A3/en not_active Withdrawn
- 1990-10-30 JP JP2290973A patent/JPH03227579A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013073813A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 |
| JP2019534551A (ja) * | 2016-09-13 | 2019-11-28 | グーグル エルエルシー | フォトレジスト現像液によるエッチングを防ぐためのバッファ層 |
| US10811276B2 (en) | 2016-09-13 | 2020-10-20 | Google Llc | Buffer layer to prevent etching by photoresist developer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0426000A2 (en) | 1991-05-08 |
| EP0426000A3 (en) | 1991-09-04 |
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