JPH03226953A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体装置の製造装置であるイオン注入機の
機構に関するものである。

従来の技術 以下に、近年主に大電流イオン注入機に用いられている
、回転、スキャン方式のイオン注入機について説明する
。

第３図、第４図は従来のイオン注入機における回転、ス
キャン方式を示した平面図、側断面図である。

第３図、第４図において、２１はディスク、２２は７度
オフのペデスタル、２３は半導体ウェハである。

まず、ディスク２１は、ａ方向に高速回転しながら、ｂ
方向にスキャンする。これらの動作により、７度オフの
ペデスタル２２上の半導体ウェハ２３にイオンビームが
あたり、イオン注入が行われる。

発明が解決しようとする課題 従来例で述べた方式のイオン注入機では、常に一方向か
らのイオン注入のため、パターンの影が生じ、トランジ
スタ特性の非対称が生しるという欠点を有していた。

本発明は、上記従来の問題を解決するもので、ディスク
３１上で、数スキャンごとにウェハ自身を回転させ、様
／、な方向からイオン注入を行うことで、１〜ランジス
タ特性の対称性の良い半導体装置を製造できる半導体製
造装置であるイオン注入機を提供することを目的おする
。

課題を解決するだめの手段 本発明はイオン源と、前記イオン源先端から延びた軸上
に中心点を持ち前記軸と垂直に設置され前記軸と垂直な
状態を保ちながら前記中心点が並進運動するとともに前
記中心点を中心に回転運動するディスクと、前記ディス
ク上に一定の傾斜角を持つ複数個のペデスタルと、前記
ペデスタルを個々に回転させるステッピングモーターを
備え、前記ディスクの回転運動と並進運動によってイオ
ンが照射されてない前記ペデスタルを所定角だけ回転さ
せる機構を備えたものである。

作用 この機構により、注入中の数スキャンごとに、数度ずつ
半導体ウェハを回転させることにより、トランジスタ特
性の対称性の良い半導体装置を製造することができる。

実施例 以下、本発明の実施例について、第１図、第２図の平面
図２例断面図を参照しながら説明する。

第１図、第２図において、１１はディスク、１２は７度
オフのペデスタル、１３は半導体ウェハ１４はペデスタ
ル１２を回転さぜるためのステッピングモーターである
。

Ｃ方向に回転しながら、ｂ方向にスキャンする注入動作
中、数スキャンごとに、イオンビームのあたらない位置
で、半導体ウェハ１３をのせたペデスタル１２を数度ず
つＣ方向に回転させ、イオン注入を行う。

以上のように、本実施例によれば、半導体ウェハを回転
さぜる能力を設けることにより、様々な方面よりイオン
注入を行うために、パターンの影による；・ランシスタ
特１１−の非対称が少なくなり、トランジスタ特性の対
称性の良い半導体装置を製造することかできる。

発明の効果 以」二のよ・うに本発明によれば、ディスク、又はホイ
ールを回転、スキャンし、イオン注入を行う注入機に、
半導体ウェハをのせるペデスタルも回転する機構を設け
ることにより、トランジスタ特性の対称性の良い半導体
装置を製造することができる優れた半導体製造装置を実
現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は本発明による半導体製造装置の半導体
ウェハをのせるディスク部の実施例装置の平面図、側断
面図、第３図、第４図は、従来例装置のディスク部の平
面図、側断面図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. イオン源と、前記イオン源先端から延びた軸上に中心点
   を持ち前記軸と垂直に設置され前記軸と垂直な状態を保
   ちながら前記中心点が並進運動するとともに前記中心点
   を中心に回転運動するディスクと、前記ディスク上に一
   定の傾斜角を持つ複数個のペデスタルと、前記ペデスタ
   ルを個々に回転させるステッピングモーターを備え、前
   記ディスクの回転運動と並進運動によってイオンが照射
   されていない前記ペデスタルを所定角だけ回転させるこ
   とを特徴とする半導体装置の製造装置。