JPH0322619A - ディジタル論理回路 - Google Patents

ディジタル論理回路

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JPH0322619A
JPH0322619A JP15562689A JP15562689A JPH0322619A JP H0322619 A JPH0322619 A JP H0322619A JP 15562689 A JP15562689 A JP 15562689A JP 15562689 A JP15562689 A JP 15562689A JP H0322619 A JPH0322619 A JP H0322619A
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JP
Japan
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transistor
resistor
emitter
collector
whose
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JP15562689A
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Toshio Tanahashi
棚橋 俊夫
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は情報処理装置に使用されるディジタル論理回路
に関する。
[従来の技術] 従来のディジタル論理回路として.第4図に示されるよ
うな,  E C L (Emitter Coupl
ed Logic )回路104が知られている。定電
流源111は常に一定電流Iを流すようになっており,
入力A,Bの電圧と第1の,基準電圧源2の電圧とを比
較し.高い方の電圧値を有するトランジスタのコレクタ
ーエミッタ間に前記一定電流Iが流れる。
入力A,Bが第1の基準電圧2より高電圧(Hレヘル)
の時は.第8のトランジスタQll,Q12のコレクタ
ーエミッタ間に一定電流Iが流れ,第5の抵抗Rllを
介して第1の電源1から供給されるため.第8のトラン
ジスタQll,Q12のコレクタ11の電圧は低いレベ
ル(Lレベル)となり,第1の電源1から第6の抵抗R
12を介して電流の流れない第9のトランジスタQ13
のコレクタ12の電圧は第1の電源1の電圧と同じ高い
電圧(Hレベル)となる。
入力A,Bの電圧がいずれも第1の基準電圧源2より低
い場合には,第8のトランジスタQ11、Q12には電
流が流れず,第9のトランジスタQ13に電流が流れ,
同じ原理により第8のトランジスタQll,Q12のコ
レクタ1lは第1の電源1と同じ電圧(Hレベル)第9
のトランジスタQ13のコレクタ12の電圧は低い電圧
(Lレベル)となる。
エミッタフォロア−回路である第10のトランジスタQ
14と第7の抵抗R13および第11のトランジスタQ
15と第8の抵抗R14は.べ一スに接続されている第
8のトランジスタQ11,Q12のコレクタ11および
第9のトランジスタQ13のコレクタ12の電位よりベ
ースーエミッタ間順方向電圧分電圧を下げた電圧を出力
13および出力14に出力する。
従って,ベース電圧が高い電圧のときは高い電圧(Hレ
ベル),低い電圧の時は低い電圧(Lレベル)を出力す
る。
以上の関係をレベルHとLにて示すと次のようになる。
ここで,Hレベルを“01.Lレベルを“11と定義す
ると,入力A,Bと出力である13と14の関係から,
本ゲート回路はAND/NAND回路となる。
第4図の回路により,(A−B)   (C−D)の出
力と(A−B)+ (C−D)の出力を得る場合には,
第5図に示す回路が必要となった。
[発明が解決しようとする課題] 上述した従来のゲート回路はAND/NAND回路であ
り.全ての論理を構成できるが,トランジスタ数,抵抗
数が多いとか,ゲート数が多くなるために消費電力が増
えるという欠点があった。
[課題を解決するための手段] 本発明の第1の態様によるディジタル論理回路は, 第1の電流源と,第1の電流源にエミッタが接続され,
ベースが第1の入力に接続された単数もしくはコレクタ
間が接続された複数の第1のトランジスタと,第1の電
流源にエミッタが接続され,ベースが第1の基準電圧源
に接続された第2のトランジスタとから構成される第1
のゲートと;第2の定電流源と,第2の電流源にエミッ
タが接続され.ベースが第2の入力に接続された単数も
しくは各コレクタ間が接続された第3のトランジスタと
,第2の定電流源にエミッタが接続され、ベースが第1
の基準電圧源に接続された第4のトランジスタとから構
成される第2のゲートと;一端が前記第2のトランジス
タのコレクタと第4のトランジスタのコレクタとに接続
され,他端が第1の電源に接続された第1の抵抗と;一
端が第2の電源に接続された第2の抵抗と.第2の抵抗
の他端にエミッタが接続され,ベースが第1の抵抗の一
端に接続され,コレクタが第1の電源に接続された第5
のトランジスタと.エミッタが第5のトランジスタのエ
ミッタに接続され,ヘー.スが第2の基準電圧源に接続
された第6のトランジスタと,一端が第6のトランジス
タのコレクタに接続され,他端が第1の電源に接続され
た第3の抵抗と,一端が第2の電源に接続された第4の
抵抗と,エミッタが第4の抵抗の他端に接続され.ベー
スが第6のトランジスタのコレクタに接続され,コレク
タが第1の電原に接続された第7のトランジスタとから
なる第3のゲートと;から構成される。
本発明の第2の態様によるディジタル論理回路は, 第1の電流源と,第1の電流源にエミッタが接続され.
ベースが第1の入力に接続された単数もしくはコレクタ
間が接続された複数の第1のトランジスタと.第1の電
流源にエミッタが接続され,ベースが第1の基準電圧源
に接続された第2のトランジスタとから構威される第1
のゲートと;第2の定電流源と,第2の電流源にエミッ
タが接続され.ベースが第2の入力に接続された単数も
しくは各コレクタ間が接続された第3のトランジスタと
.第2の定電流源にエミッタが接続され,ベースが第1
の基準電圧源に接続された第4のトランジスタとから構
成される第2のゲートと;一端が前記第1のトランジス
タのコレクタと第4のトランジスタのコレクタとに接続
され,他端が第1の電源に接続された第1の抵抗と;一
端が第2の電源に接続された第2の抵抗と,第2の抵抗
の他端にエミッタが接続され,ベースが第1の抵抗の一
端に接続され,コレクタが第1の電源に接続された第5
のトランジスタと,エミッタが第5のトランジスタのエ
ミッタに接続され,ベースが第2の基準電圧源に接続さ
れた第6のトランジスタと,一端が第6のトランジスタ
のコレクタに接続され,他端が第1の電源に接続された
第3の抵抗と,一端が第2の電源に接続された第4の抵
抗と,エミッタが第4の抵抗の他端に接続され.ベース
が第6のトランジスタのコレクタに接続され.コレクタ
が第1の電源に接続された第7のトランジスタとからな
る第3のゲートと;から構成される。
本発明の第3の態様によるディジタル論理回路は. 第1の電流源と,第1の電流源にエミッタが接続され.
ベースが第1の入力に接続された単数もしくはコレクタ
間が接続された複数の第1のトランジスタと,第1の電
流源にエミッタが接続され,ベースが第1の基準電圧源
に接続された第2のトランジスタとから構成される第1
のゲートと;第2′の定電流源と,第2の電流源にエミ
ッタが接続され,ベースが第2の入力に接続された単数
もしくは各コレクタ間が接続された第3のトランジスタ
と,第2の定電流源にエミッタが接続され.ベースが第
1の基準電圧源に接続された第4のトランジスタとから
構成される第2のゲートと;一端が前記第1のトランジ
スタのコレクタと第3のトランジスタのコレクタとに接
続され,他端が第1の電源に接続された第1の抵抗と;
一端が第2の電源に接続された第2の抵抗と,第2の抵
抗の他端にエミッタが接続され,ベースが第1の抵抗の
一端に接続され,コレクタが第1の電源に接続された第
5のトランジスタと,エミッタが第5のトランジスタの
エミッタに接続され、ベースが第2の基準電圧源に接続
された第6のトランジスタと,一端が第6のトランジス
タのコレクタに接続され,他端が第1の電源に接続され
た第3の抵抗と,一端が第2の電源に接続された第4の
抵抗と,エミッタが第4の抵抗の他端に接続され,ベー
スが第6のトランジスタのコレクタに接続され,コレク
タが第1の電源に接続された第7のトランジスタとから
なる第3のゲートと;から構成される。
[実施例] 第1図は本発明の第1の実施例によるディジタル論理回
路を示す回路である。
第1のゲート101の構造は次のようになっている。第
1のトランジスタQl.Q2のエミッタが第1の定電流
源l1に接続され,そのベースが入力A,Bに接続され
.コレクタ間が接続されている。第2のトランジスタQ
3のエミッタは第1の定電流源Ilに接続され,そのベ
ースが第1の基準電圧源2に接続されている。
第2のゲート102は次のようになっている。
第3のトランジスタQ4,Q5のエミッタは第2の定電
流源■2に接続され,そのベースが入力C.Dに接続さ
れ,コレクタ間が接続されている。第4のトランジスタ
Q6のエミッタは第2の定電流源I2に接続され,その
ベースが第1の基準電圧源2に接続されている。
第1の抵抗R1については後述する。
第3のゲート103は次のようになっている。
第5のトランジスタQ7のエミッタは第2の抵抗R2の
一端5に接続され,そのコレクタは第1の電源1に接続
されている。第2の抵抗R2の他端は第2の電源VEE
に接続されている。第6のトランジスタQ8のエミッタ
は第2の抵抗R2のー端5に接続され,そのベースは第
2の基準電圧源3に接続され,そのコレクタは第3の抵
抗R3の一端に接続されている。第3の抵抗R3の他端
は第1の@ili?’lに接続されている。第7のトラ
ンジスタのエミッタは第4の抵抗R4の一端4に接続さ
れ.そのベースは第6のトランジスタのコレクタに接続
され,そのコレクタは第1の電源1に接続されている。
第4の抵抗R4の他端は第2の電源VEEに接続されて
いる。
ここで,第1のゲート101の第1のトランジスタQl
,Q2のコレクタは第1の電源1に接続され.第2のト
ランジスタQ3のコレクタは第1の抵抗R1の端子6に
接続されている。第2のゲ−}102の第3のトランジ
スタQ4.Q5のコレクタは第1の電源1に接続され,
第4のトランジスタQ6のコレクタは第1の抵抗R1の
端子6に接続されている。第1の抵抗R1の他の端子は
第1の電源1に接続されている。
次に第1の実施例の動作について説明する。
第1のゲート101と第2のゲート102の動作は,従
来のECL回路と同様である。入力A,B又はC,Dの
電圧と第1の基準電圧源2の電圧とを比較し,入力側電
圧が高い(Hレベル)時は第1のトランジスタQl,Q
2, 第3のトランジスタQ4.Q5に一定電流Iが流
れ,低い(Lレベル)時は第2のトランジスタQB,第
4のトランジスタQ6に一定電流■が流れる。
ここで.第2のトランジスタQ3と第4のトランジスタ
Q6に電流が流れない場合.第1の抵抗R1の一端6は
第1の電源1と同じ電圧となり,いずれか一方のトラン
ジスタに一定電流Iが流された場合.第1の抵抗R1の
一端6は電圧降下した低い電圧(Lレベル)となり.両
方のトランジスタに各々一定電流Iが流れた場合,第1
の抵抗R1の一端6はLレベルよりさらに低い電圧(L
Lレベル)となる。
第3のゲート103については,第5のトランジスタQ
7のベース入力である第1の抵抗の一端6の電圧と第2
の基準電圧源3とを比較して,高い方のトランジスタに
電流が流れる。第2の基準電圧源3の電圧は第1の抵抗
R1の一端6のLレベルとLLレベルの中間の値に設定
されている。
第6のトランジスタQ8に電流が流れない場合に第3の
抵抗R3の一端は第1の電源1と同じ電位となり,第7
のトランジスタQ9のエミッタ4に第1の電源1よりト
ランジスタのベースーエミッタ間順方向電圧( V B
+!)分だけ電圧降下した電圧(Hレベル)を出力し,
第6のトランジスタQ8に電流が流れた場合には,第3
の抵抗の一端は電圧降下した電圧値となり,第7のトラ
ンジスタQ9のエミッタ4に,さらにVBB分だけ電圧
降下した電圧(Lレベル)を出力する。
従って,第1の抵抗R1の一端6がHレベルの場合は,
第5のトランジスタQ7に電流が流れ.そのエミッタ5
にVBII分だけ電圧降下した電圧(Hレベル)を出力
し.第6のトランジスタQ8には電流が流れないために
第7のトランジスタQ9のエミッタ4はHレベルを出力
する。
第1の抵抗R1の一端6の電圧がLレベルの時には.第
2の基準電圧源3の電圧より大きいので,第5のトラン
ジスタQ7に電流が流れ.エミッタ5に第1の抵抗R1
の一端6のLレベルよりvag分だけ電圧降下した電圧
(Lレベル)を出力し,第6のトランジスタQ8には電
流が流れないために.第7のトランジスタQ9のエミッ
タ4にHレベルを出力する。
第1の抵抗R1の一端6の電圧がLLレベルの時には,
第5のトランジスタQ7には電流が流れず,第6のトラ
ンジスタQ8に電流が流れ,第7のトランジスタQ9の
エミッタ4はLレベルを出力し,第6のトランジスタQ
8のエミッタ4は第2の基準電圧源の電圧よりVBE分
だけ電圧降下した値であるがLレベルと定義できる電圧
値を出力する。
以上の関係をレベルで示すと第1表のようになる。
以下余白 第  1 表 Hレベルを“0”,Lレベルを“1”とすれば,出力4
には(A◆B)   (C●D)が,出力5には(A−
B)+ (C−D)が出力される。
第2図を参照すると,本発明の第2の実施例によるディ
ジタル論理回路は.第1の抵抗R1の接続関係が相違し
ている点を除いて,第1図に示したものと同様の構成を
有する。従って,第1図と同様の構成を有するものには
同一参照符号を付し,それらの構成については説明を省
略し,第1図のものと相違している部分についてのみ説
明する。
第1のゲート101の第2のトランジスタQ3のコレク
タは第1の電源1に接続され,第1のトランジスタQl
,Q2のコレクタは第1の抵抗R1の端子6に接続され
ている。第2のゲート102の第3のトランジスタQ4
,Q5のコレクタは第1の電源1に接続され,第4のト
ランジスタQ6のコレクタは第1の抵抗R1の端子6に
接続されている。第1の抵抗R1の他の端子は第1の電
源1に接続されている。
次に第2の実施例の動作について説明する。
第1のゲート101と第2のゲート102の動作は従来
のECL回路と同様である。入力A,  B又はC,D
の電圧と第1の基準電圧源2の電圧とを比較し,入力側
電圧が高い(Hレベル)時は第1のトランジスタQl,
Q2.第3のトランジスタQ4,Q5に一定電流Iが流
れ,低い(Lレベル)時は第2のトランジスタQ3.第
4のトランジスタQ6に一定電流Iが流れる。
ここで.第1のトランジスタQl,Q2と第4のトラン
ジスタQ6に電流が流れない場合,第1の抵抗R1の一
端6は第1の電源1と同じ電圧となり,いずれか一方の
トランジスタに一定電流Iが流れた場合,第1の抵抗R
1の一端6は電圧降下した低い電圧(Lレベル)となり
,両方のトランジスタに各々一定電流lが流れた場合.
第1の抵抗R1の一端6はLレベルよりさらに低い電圧
(LLレベル)となる。
第3のゲート103については,上述した第1の実施例
と同様なのでその動作説明については省略する。
以上の関係をレベルで示すと第2表のようになる。
以下余白 第  2  表 Hレベルを’0’,Lレベルを“1”とすれば,出力4
には(A◆B)   (C−D)が,出力5には(一λ
7)+ (C − D)が出力される。
第3図を参照すると,本発明の第3の実施例によるディ
ジタル論理回路は,第2の実施例と同様に,第1の抵抗
R1の接続関係が相違している点を除いて,第1図に示
したものと同様の構戊を有する。従って,第1図と同様
の構成を有するものには同一参照符号を付し,それらの
構成については説明を省略し,第1図のものと相違して
いる部分についてのみ説明する。
第1のゲート101の第2のトランジスタQ3のコレク
タは第1の電源1に接続され,第1のトランジスタQl
,.Q2のコレクタは第1の抵抗R1の端子6に接続さ
れている。第2のゲート102の第4のトランジスタQ
6のコレクタは第1の電源1に接続され,第3のトラン
ジスタQ4,Q5のコレクタは第1の抵抗R1の端子6
に接続されている。第1の抵抗R1の他の端子は第1の
電源1に接続されている。
次に第3の実施例の動作について説明する。
第1のゲート101と第2のゲート102の動作は従来
のECL回路と同様である。入力A,  B又はC,D
の電圧と第1の基準電圧源2の電圧とを比較し,入力側
電圧が高い(Hレベル)時は第1のトランジスタQl,
Q2,第3のトランジスタQ4.Q5に一定電流Iが流
れ.低い(Lレベル)時は第2のトランジスタQ3.8
4のトランジスタQ6に一定電流Iが流れる。
ここで,第1のトランジスタQl,Q2と第3のトラン
ジスタQ4,Q5に電流が流れない場合,第1の抵抗R
1の一端6は第1の電源1と同じ電圧となり,いずれか
一方のトランジスタに一定電流■が流れた場合.第1の
抵抗R1の一端6は電圧降下した低い電圧(Lレベル)
となり.両方のトランジスタに各々一定電流■が流れた
場合,第1の抵抗R1の一端6はLレベルよりさらに低
い電圧(Lレベル)となる。
第3のゲート103については,上述した第1の実施例
と同様なので、その動作説明については省略する。
以上の関係をレベルで示すと第3表のようになる。
以下余白 第3表 Hレベルを“O”,Lレベルを′1“とすれば,出力4
には(TTT)  (で了T) カ, 出力5 1,:
は(A−B)+ (C−D)が出力される。
[発明の効果] 以上説明したように本発明によれば,抵抗数,トランジ
スタ数,消費電力を削減できるという効果がある。
以下余白
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例によるディジタル論理回
路を示す回路図,第2図は本発明の第2の実施例による
ディジタル論理回路を示す回路図,第3図は本発明の第
3の実施例によるディジタル論理回路を示す回路図.第
4図は従来のディジタル論理回路を示す回路図,第5図
は第4図に示す回路を使用して特定の論理演算を実行す
る回路を示す回路図である。 1・・・第1の電源.2・・・第1の基準電圧源,3・
・・第2の基準電圧源,4・・・第7のトランジスタQ
9のエミッタの出力,5・・・第2の抵抗R2の一端の
出力,VEE・・・第2の電源.Ql,Q2・・・第1
のトランジスタ.Q3・・・第2のトランジスタ,Q4
.Q5・・・第3のトランジスタ,Q6・・・第4のト
ランジスタ,Q7・・・第5のトランジスタ.Q8・・
・第6のトランジスタ.Q9・・・第7のトランジスタ
,Rl・・・第1の抵抗,R2・・・第2の抵抗,R3
・・・第3の抵抗.R4・・・第4の抵抗,II・・・
第1の電流源、寸 \ ■ 第3図 () Lコ 寸 U) q1 qコ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、第1の定電流源と、前記第1の定電流源にエミッタ
    が接続され、ベースが第1の入力に接続された単数もし
    くは各コレクタ間が接続された複数の第1のトランジス
    タと、前記第1の定電流源にエミッタが接続され、ベー
    スが第1の基準電圧源に接続された第2のトランジスタ
    とから構成される第1のゲートと; 第2の定電流源と、前記第2の定電流源にエミッタが接
    続され、ベースが第2の入力に接続された単数もしくは
    各コレクタ間が接続された複数の第3のトランジスタと
    、前記第2の定電流源にエミッタが接続され、ベースが
    前記第1の基準電圧源に接続された第4のトランジスタ
    とから構成される第2のゲートと; 一端が前記第2のトランジスタのコレクタと前記第4の
    トランジスタのコレクタとに接続され、他端が第1の電
    源に接続された第1の抵抗と;一端が第2の電源に接続
    された第2の抵抗と、前記第2の抵抗の他端にエミッタ
    が接続され、ベースが前記第1の抵抗の一端に接続され
    、コレクタが前記第1の電源に接続された第5のトラン
    ジスタとエミッタが前記第5のトランジスタのエミッタ
    に接続され、ベースが第2の基準電圧源に接続された第
    6のトランジスタと、一端が前記第6のトランジスタの
    コレクタに接続され、他端が前記第1の電源に接続され
    た第3の抵抗と、一端が前記第2の電源に接続された第
    4の抵抗と、エミッタが前記第4の抵抗の他端に接続さ
    れ、ベースが前記第6のトランジスタのコレクタに接続
    され、コレクタが前記第1の電源に接続された第7のト
    ランジスタとからなる第3のゲートと; を有するディジタル論理回路。 2、第1の定電流源と、前記第1の定電流源にエミッタ
    が接続され、ベースが第1の入力に接続された単数もし
    くは各コレクタ間が接続された複数の第1のトランジス
    タと、前記第1の定電流源にエミッタが接続され、ベー
    スが第1の基準電圧源に接続された第2のトランジスタ
    とから構成される第1のゲートと; 第2の定電流源と、前記第2の定電流源にエミッタが接
    続され、ベースが第2の入力に接続された単数もしくは
    各コレクタ間が接続された複数の第3のトランジスタと
    、前記第2の定電流源にエミッタが接続され、ベースが
    前記第1の基準電圧源に接続された第4のトランジスタ
    とから構成される第2のゲートと; 一端が前記第1のトランジスタのコレクタと前記第4の
    トランジスタのコレクタとに接続され、他端が第1の電
    源に接続された第1の抵抗と;一端が第2の電源に接続
    された第2の抵抗と、前記第2の抵抗の他端にエミッタ
    が接続され、ベースが前記第1の抵抗の一端に接続され
    、コレクタが前記第1の電源に接続された第5のトラン
    ジスタと、エミッタが前記第5のトランジスタのエミッ
    タに接続され、ベースが第2の基準電圧源に接続された
    第6のトランジスタと、一端が前記第6のトランジスタ
    のコレクタに接続され、他端が前記第1の電源に接続さ
    れた第3の抵抗と、一端が前記第2の電源に接続された
    第4の抵抗と、エミッタが前記第4の抵抗の他端に接続
    され、ベースが前記第6のトランジスタのコレクタに接
    続され、コレクタが前記第1の電源に接続された第7の
    トランジスタとからなる第3のゲートと;を有するディ
    ジタル論理回路。 3、第1の定電流源と、前記第1の定電流源にエミッタ
    が接続され、ベースが第1の入力に接続された単数もし
    くは各コレクタ間が接続された複数の第1のトランジス
    タと、前記第1の定電流源にエミッタが接続され、ベー
    スが第1の基準電圧源に接続された第2のトランジスタ
    とから構成される第1のゲートと; 第2の定電流源と、前記第2の定電流源にエミッタが接
    続され、ベースが第2の入力に接続された単数もしくは
    各コレクタ間が接続された複数の第3のトランジスタと
    、前記第2の定電流源にエミッタが接続され、ベースが
    前記第1の基準電圧源に接続された第4のトランジスタ
    とから構成される第2のゲートと; 一端が前記第1のトランジスタのコレクタと前記第3の
    トランジスタのコレクタとに接続され、他端が第1の電
    源に接続された第1の抵抗と;一端が第2の電源に接続
    された第2の抵抗と、前記第2の抵抗の他端にエミッタ
    が接続され、ベースが前記第1の抵抗の一端に接続され
    、コレクタが前記第1の電源に接続された第5のトラン
    ジスタと、エミッタが前記第5のトランジスタのエミッ
    タに接続され、ベースが第2の基準電圧源に接続された
    第6のトランジスタと、一端が前記第6のトランジスタ
    のコレクタに接続され、他端が前記第1の電源に接続さ
    れた第3の抵抗と、一端が前記第2の電源に接続された
    第4の抵抗と、エミッタが前記第4の抵抗の他端に接続
    され、ベースが前記第6のトランジスタのコレクタに接
    続され、コレクタが前記第1の電源に接続された第7の
    トランジスタとからなる第3のゲートと;を有するディ
    ジタル論理回路。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6236657A (ja) * 1985-08-10 1987-02-17 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 半導体微細加工用レジスト組成物
US6437058B2 (en) 2000-02-08 2002-08-20 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers and positive resist compositions
US7378215B2 (en) 2005-12-13 2008-05-27 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive photoresist composition
CN101792275A (zh) * 2010-04-22 2010-08-04 西安建筑科技大学 一种粉煤灰基无机聚合物复合胶凝材料及其制备方法

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