JPH03225932A - Icチップ - Google Patents
IcチップInfo
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- JPH03225932A JPH03225932A JP2180490A JP2180490A JPH03225932A JP H03225932 A JPH03225932 A JP H03225932A JP 2180490 A JP2180490 A JP 2180490A JP 2180490 A JP2180490 A JP 2180490A JP H03225932 A JPH03225932 A JP H03225932A
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- chip
- hole
- bonding pads
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- pins
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- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 8
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
-
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
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- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、I C(Integrated C1rc
uit)チップの改良に関し、特に、ピン数の増加に対
応できるようにしたものである。
uit)チップの改良に関し、特に、ピン数の増加に対
応できるようにしたものである。
ICチップへの電源の供給や、ICチップの内部回路と
外部装置との間の信号の送受信は、ICチップの実装基
板外部に突出したビンと、このピンと導通し且つ実装基
板上に配線された導体と、一端側が実装基板上の導体に
接続され且つ他端側かICチップに設けられたボンディ
ングパッドに接続されたワイヤと、を介して行われるの
が一般的である。
外部装置との間の信号の送受信は、ICチップの実装基
板外部に突出したビンと、このピンと導通し且つ実装基
板上に配線された導体と、一端側が実装基板上の導体に
接続され且つ他端側かICチップに設けられたボンディ
ングパッドに接続されたワイヤと、を介して行われるの
が一般的である。
従って、ICチップには、必要な信号ラインや電源ライ
ンの数に応じて、ボンディングパッドを設ける必要があ
る。
ンの数に応じて、ボンディングパッドを設ける必要があ
る。
しかしながら、従来は、ICチップの縁の部分にのみボ
ンディングパッドを設けていたため、ICチップに設け
られるボンディングパッド数は、ボンディングパッドの
大きさ、ボンディングパッド間のピッチ及びICチップ
の周辺長で決まる最大数以下に制限されてしまう。
ンディングパッドを設けていたため、ICチップに設け
られるボンディングパッド数は、ボンディングパッドの
大きさ、ボンディングパッド間のピッチ及びICチップ
の周辺長で決まる最大数以下に制限されてしまう。
このため、ゲートアレイ等のようにピン数が増加の傾向
にあるICチップにあっては、ボンディングパッド数に
制限があることから、必要なピン数が得られない場合も
あり、設計上の大きな制約の一つとなっていた。
にあるICチップにあっては、ボンディングパッド数に
制限があることから、必要なピン数が得られない場合も
あり、設計上の大きな制約の一つとなっていた。
なお、ボンディングパッドを制限数以上設けるには、■
ボンディングパッドを小さくする、■ボンディングパッ
ド間のピッチを狭くする、■ICチップを大きくして周
辺長を延ばす、という方法も考えられるが、■及び■の
方法では、ボンディング等の技術の向上が不可欠である
とともに、困難なねりには効果が小さいので得策でない
し、また、■の方法では、ICチップ自体が大きくなっ
てしまうという欠点がある。
ボンディングパッドを小さくする、■ボンディングパッ
ド間のピッチを狭くする、■ICチップを大きくして周
辺長を延ばす、という方法も考えられるが、■及び■の
方法では、ボンディング等の技術の向上が不可欠である
とともに、困難なねりには効果が小さいので得策でない
し、また、■の方法では、ICチップ自体が大きくなっ
てしまうという欠点がある。
そこで本発明は、このような従来の技術が有する未解決
の課題に着目してなされたものであり、他の不具合をあ
まり生じることなく、引き出されるピン数を増加するこ
とができるICチップを提供することを目的とする。
の課題に着目してなされたものであり、他の不具合をあ
まり生じることなく、引き出されるピン数を増加するこ
とができるICチップを提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明は、ICチップの内
側に穴を開けると共に、前記ICチップの縁の部分と、
前記穴の周辺部とに、ボンディングパッドを設けた。
側に穴を開けると共に、前記ICチップの縁の部分と、
前記穴の周辺部とに、ボンディングパッドを設けた。
本発明にあっては、ICチップの縁の部分と、ICチッ
プの内側に開けられた穴の周辺部とにボンディングパッ
ドが設けられているので、同じ大きさのICチップに比
べて、穴の周辺部に設けられたボンディングパッドの分
だけ、多くのボンディングパッドが設けられる。
プの内側に開けられた穴の周辺部とにボンディングパッ
ドが設けられているので、同じ大きさのICチップに比
べて、穴の周辺部に設けられたボンディングパッドの分
だけ、多くのボンディングパッドが設けられる。
以下、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第1図は、本発明の一実施例を示す図であり、ICチッ
プ1の実装状態を示す平面図である。
プ1の実装状態を示す平面図である。
即ち、ICチップ1は図示しないパッケージ内の絶縁体
からなる基板2上に接着され、ICチップ1の中央部分
には、方形の穴1aが開けられている。
からなる基板2上に接着され、ICチップ1の中央部分
には、方形の穴1aが開けられている。
穴1aの開口手段は、特に限定はしないが、レーザー加
工装置や、水を極細の管の先端から高圧で噴射する装置
等が利用できる。
工装置や、水を極細の管の先端から高圧で噴射する装置
等が利用できる。
そして、ICチップ1には、その縁部1bと、穴1aの
周辺部ICとに、複数のボンディングパッド3が設けら
れている。
周辺部ICとに、複数のボンディングパッド3が設けら
れている。
縁部1bに設けられたボンディングパッド3は、端部が
ICチップ1の周囲を取り囲むように基板2上に配線さ
れた導体4に、ワイヤ5を介して接続され、周辺部IC
に設けられたボンディングパッド3は、端部が穴1aの
内側に位置するように基板2上に配線された導体6に、
ワイヤ7を介して接続されている。
ICチップ1の周囲を取り囲むように基板2上に配線さ
れた導体4に、ワイヤ5を介して接続され、周辺部IC
に設けられたボンディングパッド3は、端部が穴1aの
内側に位置するように基板2上に配線された導体6に、
ワイヤ7を介して接続されている。
つまり、ICチップ1は、ワイヤボンディングによって
基板2に実装されている。
基板2に実装されている。
なお、導体4及び6の他端側は、パッケージの外側に突
出し且つ図示しない端子に接続される複数のピンに個別
に導通している。
出し且つ図示しない端子に接続される複数のピンに個別
に導通している。
従って、ICチップ1への電源の供給や、ICチップ1
内の論理回路等と外部装置との間のデータの送受信等は
、パッケージの外側に突出したピン、導体4,6.ワイ
ヤ5,7及びボンディングパッド3を介して行われる。
内の論理回路等と外部装置との間のデータの送受信等は
、パッケージの外側に突出したピン、導体4,6.ワイ
ヤ5,7及びボンディングパッド3を介して行われる。
そして、本実施例では、ICチップ1の縁部1bだけで
はなく、ICチップ1の内側に開けられた穴1aの周辺
部1cにもボンディングパッド3を設けているため、縁
部1bのみにボンディングパッド3を設ける場合に比べ
て、さらに多くのピンをパッケージに設けることができ
る。
はなく、ICチップ1の内側に開けられた穴1aの周辺
部1cにもボンディングパッド3を設けているため、縁
部1bのみにボンディングパッド3を設ける場合に比べ
て、さらに多くのピンをパッケージに設けることができ
る。
ここで、本実施例では、穴1aを開けた分、ICチップ
1の内部に設けることができる論理回路等の数が減少す
るが、ICチップ1の内部回路の集積密度は飛躍的に増
加する傾向にあるし、むしろ、ゲートアレイやスタンダ
ードセル方式等のICにあっては、ピン数の増加の方が
望まれる場合が多々あり、そのような場合、本実施例の
ような構成が特に有効である。
1の内部に設けることができる論理回路等の数が減少す
るが、ICチップ1の内部回路の集積密度は飛躍的に増
加する傾向にあるし、むしろ、ゲートアレイやスタンダ
ードセル方式等のICにあっては、ピン数の増加の方が
望まれる場合が多々あり、そのような場合、本実施例の
ような構成が特に有効である。
なお、上記実施例では、穴1aの形状を方形としたが、
これに限定されるものではなく、多角形や丸形等のよう
な他の形状であってもよいし、穴の数や大きさ、或いは
その開口位置等も任意である。また、穴1aを、方形や
、その他の多角形状とする場合には、穴の角の部分に丸
みをもたせると、ICチップ1に亀裂等が生じ難(なる
という利点がある。
これに限定されるものではなく、多角形や丸形等のよう
な他の形状であってもよいし、穴の数や大きさ、或いは
その開口位置等も任意である。また、穴1aを、方形や
、その他の多角形状とする場合には、穴の角の部分に丸
みをもたせると、ICチップ1に亀裂等が生じ難(なる
という利点がある。
さらに、ボンディングパッド3の数や、それらの間のピ
ッチ等も上記実施例に限定されるものではなく、必要に
応じて適宜選定すればよい。
ッチ等も上記実施例に限定されるものではなく、必要に
応じて適宜選定すればよい。
以上説明したように、本発明によれば、ICチップの内
側に開けられた穴の周辺にもボンディングパッドを設け
たため、より多くのビン数を供給することができるとい
う効果がある。
側に開けられた穴の周辺にもボンディングパッドを設け
たため、より多くのビン数を供給することができるとい
う効果がある。
第1図は本発明の一実施例におけるICチップの実装状
態を示す平面図である。
態を示す平面図である。
Claims (1)
- (1)ICチップの内側に穴を開けると共に、前記IC
チップの縁の部分と、前記穴の周辺部とに、ボンディン
グパッドを設けたことを特徴とするICチップ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2180490A JPH03225932A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | Icチップ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2180490A JPH03225932A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | Icチップ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03225932A true JPH03225932A (ja) | 1991-10-04 |
Family
ID=12065245
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2180490A Pending JPH03225932A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | Icチップ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03225932A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4308705A1 (de) * | 1992-03-19 | 1993-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu seiner Herstellung |
US5422435A (en) * | 1992-05-22 | 1995-06-06 | National Semiconductor Corporation | Stacked multi-chip modules and method of manufacturing |
JP2009124112A (ja) * | 2007-10-24 | 2009-06-04 | Denso Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US8710568B2 (en) | 2007-10-24 | 2014-04-29 | Denso Corporation | Semiconductor device having a plurality of elements on one semiconductor substrate and method of manufacturing the same |
-
1990
- 1990-01-31 JP JP2180490A patent/JPH03225932A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4308705A1 (de) * | 1992-03-19 | 1993-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE4308705C2 (de) * | 1992-03-19 | 1996-03-21 | Mitsubishi Electric Corp | Integrierte Schaltungs-Chips und ein Verfahren zu deren Vereinzelung aus einem Halbleiterwafer |
US5422435A (en) * | 1992-05-22 | 1995-06-06 | National Semiconductor Corporation | Stacked multi-chip modules and method of manufacturing |
US5495398A (en) * | 1992-05-22 | 1996-02-27 | National Semiconductor Corporation | Stacked multi-chip modules and method of manufacturing |
US5502289A (en) * | 1992-05-22 | 1996-03-26 | National Semiconductor Corporation | Stacked multi-chip modules and method of manufacturing |
JP2009124112A (ja) * | 2007-10-24 | 2009-06-04 | Denso Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4600563B2 (ja) * | 2007-10-24 | 2010-12-15 | 株式会社デンソー | 半導体装置及びその製造方法 |
US8710568B2 (en) | 2007-10-24 | 2014-04-29 | Denso Corporation | Semiconductor device having a plurality of elements on one semiconductor substrate and method of manufacturing the same |
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