JPH03225920A - 赤外線検出素子の製造方法 - Google Patents
赤外線検出素子の製造方法Info
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- JPH03225920A JPH03225920A JP2022605A JP2260590A JPH03225920A JP H03225920 A JPH03225920 A JP H03225920A JP 2022605 A JP2022605 A JP 2022605A JP 2260590 A JP2260590 A JP 2260590A JP H03225920 A JPH03225920 A JP H03225920A
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- semiconductor chip
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Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、赤外線検出素子の製造方法に関する。
従来、光伝導型の赤外線検出素子は、たとえば、赤外線
に感度を持つ半導体チップを赤外線吸収に必要な厚さに
研磨した後、フォトレジス１〜を用いて微細加工を行な
って製造している。
に感度を持つ半導体チップを赤外線吸収に必要な厚さに
研磨した後、フォトレジス１〜を用いて微細加工を行な
って製造している。
研磨の方法としては、アルミナの粉末等を用いて機械的
に半導体チップを削るラップという方法と、次亜塩素酸
ナトリウム（ＮａＣＩＯ）等の水溶液を利用するＭＣポ
リッシュ液を用いて半導体チップの表面に酸化膜を作り
、その酸化膜をクロスで取り除＜ＭＣポリッシュという
方法がある。
に半導体チップを削るラップという方法と、次亜塩素酸
ナトリウム（ＮａＣＩＯ）等の水溶液を利用するＭＣポ
リッシュ液を用いて半導体チップの表面に酸化膜を作り
、その酸化膜をクロスで取り除＜ＭＣポリッシュという
方法がある。
通常、研磨工程は数十個の半導体チップを研磨治具に貼
り付け、研磨治具をラップ板上で自公転させて半導体チ
ップを同時に３０μｍ程度まで削った後、研磨歪みの少
ないＭＣポリッシュによって同様に赤外線検出素子の最
終厚さである１０μｍ程度まで研磨していた。
り付け、研磨治具をラップ板上で自公転させて半導体チ
ップを同時に３０μｍ程度まで削った後、研磨歪みの少
ないＭＣポリッシュによって同様に赤外線検出素子の最
終厚さである１０μｍ程度まで研磨していた。
第２図は、従来の赤外線検出素子の製造方法を一部を断
面で示す側面図である。
面で示す側面図である。
第２図は研磨治具４に貼り付けられた複数の半導体チッ
プ１が、ＭＣポリッシュ液５に接着されたクロス６上で
研磨されている状態を示している。半導体チップ１の表
面はＭＣポリッシュ液７によって酸化され、その酸化膜
がクロス６で取り除かれることによって研磨は進行する
か、研磨の速度は半導体チップ１の組成、研磨治具４上
の配置等によって異なるために、所定の厚さに研磨され
た半導体チップ２が、たとえば１０μｍになった時に、
他の半導体デツプ１がたとえば２０μｍ程度まてしか研
磨されない場合が生ずる。
プ１が、ＭＣポリッシュ液５に接着されたクロス６上で
研磨されている状態を示している。半導体チップ１の表
面はＭＣポリッシュ液７によって酸化され、その酸化膜
がクロス６で取り除かれることによって研磨は進行する
か、研磨の速度は半導体チップ１の組成、研磨治具４上
の配置等によって異なるために、所定の厚さに研磨され
た半導体チップ２が、たとえば１０μｍになった時に、
他の半導体デツプ１がたとえば２０μｍ程度まてしか研
磨されない場合が生ずる。
上述した従来の研磨法では、同一の研磨治具に貼り付け
られた数十個の半導体チップの研磨量を個個に制御する
ことができないため、研磨が最も早い半導体チップを基
準にして、その半導体チップが所定の厚さに達した時点
で研磨を中止しなければならず、このため、研磨終了時
点で半導体チップの厚さは１０〜２０μｍ程度の範囲で
ばらつきを生じていた。
られた数十個の半導体チップの研磨量を個個に制御する
ことができないため、研磨が最も早い半導体チップを基
準にして、その半導体チップが所定の厚さに達した時点
で研磨を中止しなければならず、このため、研磨終了時
点で半導体チップの厚さは１０〜２０μｍ程度の範囲で
ばらつきを生じていた。
半導体チップの厚さのばらつきは、光伝導型の赤外線検
出素子においては、抵抗値のばらつき、すなわち、素子
感度のばらつきとして反映されるため、歩留りを低下さ
せる原因となるという欠点がある。
出素子においては、抵抗値のばらつき、すなわち、素子
感度のばらつきとして反映されるため、歩留りを低下さ
せる原因となるという欠点がある。
本発明の方法は、赤外線検出素子とすべき複数の半導体
チップを研磨する工程を有する赤外線検出素子の製造方
法において、同時に研磨される前記複数の半導体チップ
のうち他よりも早く最終厚さに達したものごとにその表
面に所定のワックス部材による薄膜を形成して研磨の進
行を停止させる構成を有する。
チップを研磨する工程を有する赤外線検出素子の製造方
法において、同時に研磨される前記複数の半導体チップ
のうち他よりも早く最終厚さに達したものごとにその表
面に所定のワックス部材による薄膜を形成して研磨の進
行を停止させる構成を有する。
次に、図面を参照して本発明を説明する。
第１図は本発明の赤外線検出素子の製造方法の一実施例
を一部断面で示す側面図であり、複数の半導体チップ１
、半導体チップのうち所定の厚さに研磨された半導体チ
ップ２、ワックス薄膜３、研磨治具４、ＭＣポリッシュ
液５、クロス６およびＭＣポリッシュ液７を備えて構成
され、これら構成内容中ワックス薄膜３以外は第２図の
同記号のものと同一であるので、これら同一のものの詳
細な説明は省略する。
を一部断面で示す側面図であり、複数の半導体チップ１
、半導体チップのうち所定の厚さに研磨された半導体チ
ップ２、ワックス薄膜３、研磨治具４、ＭＣポリッシュ
液５、クロス６およびＭＣポリッシュ液７を備えて構成
され、これら構成内容中ワックス薄膜３以外は第２図の
同記号のものと同一であるので、これら同一のものの詳
細な説明は省略する。
第１図に示すように、所定の厚さに研磨された半導体チ
ップ２の表面に、たとえばアビニシンワックスをトリク
ロルエタン等の有機溶剤で十分に希釈したものを薄く塗
布し、ワックスの薄膜３を形成すると、半導体チップ２
の表面とＭＣポリ・ンシュ液７が接触しないため酸化膜
が形成されず、従って、所定の厚さに研磨された半導体
チップ２の研磨の進行を止めることができる。
ップ２の表面に、たとえばアビニシンワックスをトリク
ロルエタン等の有機溶剤で十分に希釈したものを薄く塗
布し、ワックスの薄膜３を形成すると、半導体チップ２
の表面とＭＣポリ・ンシュ液７が接触しないため酸化膜
が形成されず、従って、所定の厚さに研磨された半導体
チップ２の研磨の進行を止めることができる。
このように、所定の厚さに研磨された半導体チップ２の
表面に順次ワックス薄膜３を形成することによって、複
数の半導体チップ１を均一な厚さに研磨することができ
る。
表面に順次ワックス薄膜３を形成することによって、複
数の半導体チップ１を均一な厚さに研磨することができ
る。
以上説明したように、本発明は、複数の半導体チップを
研磨する工程を有する赤外線検出素子の製造方法におい
て、ＭＣポリッシュ工程によって ５ 所定の厚さに研磨された半導体チ・ンプの表面に対して
ワックスの薄膜を形成することによってＭＣポリッシュ
の進行を止め、複数の半導体チ・ノブを均一な厚さに研
磨できる効果がある。
研磨する工程を有する赤外線検出素子の製造方法におい
て、ＭＣポリッシュ工程によって ５ 所定の厚さに研磨された半導体チ・ンプの表面に対して
ワックスの薄膜を形成することによってＭＣポリッシュ
の進行を止め、複数の半導体チ・ノブを均一な厚さに研
磨できる効果がある。
第１図は本発明の赤外線検出素子の製造方法の一実施例
を一部断面で示す側面図、第２図は従来の赤外線検出素
子の製造方法を一部断面で示す側面図である。 １・・・半導体チップ、２・・・所定の厚さに研磨され
た半導体チップ、３・・・ワックスの薄膜、４・・・研
磨治具、５・・・ＭＣポリッシュ板、６・・・クロス、
７・・・ＭＣポリッシュ液。
を一部断面で示す側面図、第２図は従来の赤外線検出素
子の製造方法を一部断面で示す側面図である。 １・・・半導体チップ、２・・・所定の厚さに研磨され
た半導体チップ、３・・・ワックスの薄膜、４・・・研
磨治具、５・・・ＭＣポリッシュ板、６・・・クロス、
７・・・ＭＣポリッシュ液。
Claims (2)
- （１）赤外線検出素子とすべき複数の半導体チップを研
磨する工程を有する赤外線検出素子の製造方法において
、同時に研磨される前記複数の半導体チップのうち他よ
りも早く最終厚さに達したものごとにその表面に所定の
ワックス部材による薄膜を形成して研磨の進行を停止さ
せることを特徴とする赤外線検出素子の製造方法。 - （２）前記半導体を研磨する工程がＭＣポリッシュ方法
であることを特徴とする請求項（１）記載の赤外線検出
素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022605A JPH03225920A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 赤外線検出素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022605A JPH03225920A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 赤外線検出素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03225920A true JPH03225920A (ja) | 1991-10-04 |
Family
ID=12087475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022605A Pending JPH03225920A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 赤外線検出素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03225920A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10104119A (ja) * | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Topcon Corp | レンズメーター |
-
1990
- 1990-01-31 JP JP2022605A patent/JPH03225920A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10104119A (ja) * | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Topcon Corp | レンズメーター |
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